UA121996C2 - Спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів на рухомій сталевій підкладці - Google Patents
Спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів на рухомій сталевій підкладці Download PDFInfo
- Publication number
- UA121996C2 UA121996C2 UAA201803269A UAA201803269A UA121996C2 UA 121996 C2 UA121996 C2 UA 121996C2 UA A201803269 A UAA201803269 A UA A201803269A UA A201803269 A UAA201803269 A UA A201803269A UA 121996 C2 UA121996 C2 UA 121996C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- oxides
- oxide
- values
- stage
- steel
- Prior art date
Links
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 88
- 239000010959 steel Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 50
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
- 102200067253 rs762798018 Human genes 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 4
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 3
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 241000202943 Hernandia sonora Species 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002129 infrared reflectance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/003—Apparatus
- C23C2/0038—Apparatus characterised by the pre-treatment chambers located immediately upstream of the bath or occurring locally before the dipping process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/003—Apparatus
- C23C2/0038—Apparatus characterised by the pre-treatment chambers located immediately upstream of the bath or occurring locally before the dipping process
- C23C2/004—Snouts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
- C23C2/022—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas by heating
- C23C2/0222—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas by heating in a reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
- C23C2/022—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas by heating
- C23C2/0224—Two or more thermal pretreatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
- C23C2/024—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas by cleaning or etching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
- G01N2021/8416—Application to online plant, process monitoring and process controlling, not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
- G01N2021/8427—Coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Heat Treatment Of Strip Materials And Filament Materials (AREA)
Abstract
Спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів (22), наявного на рухомій сталевій підкладці (21), при цьому одержання характеристик включає стадії: одержання ділянки сталевої підкладки, яка містить шар оксидів, причому ділянка визначає поверхню оксиду; збирання світла від згаданої поверхи і оксиду з використанням гіперспектральної камери (20) з метою одержання значень інтенсивності , які являють собою, відповідно, інтенсивність частини зібраного світла, причому кожна частина, відповідно, збирається від однієї з множини точок , розташованих на зазначеній поверхні оксиду і, відповідно, характеризується довжиною хвилі з множини довжин хвиль; зіставлення одержаних значень інтенсивності з еталонними значеннями інтенсивності, одержаними для еталонних оксидів; і обчислення кількості еталонних оксидів в шарі.
Description
Даний винахід відноситься до способу виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів, наявного на сталевій підкладці, яка включає стадії: збирання світла від поверхні оксиду, утвореного шаром і використання зібраного світла з метою одержання складу цього шару і необов'язково його товщини.
Винахід відноситься до установки для обробки поверхні штаби зі сплаву на основі заліза, подібної до сталевої штаби, наприклад, обробленої цинкуванням, яка містить пристрій, адаптований для здійснення способу.
Товщина такого шару оксидів, наприклад, знаходиться в діапазоні від десяти до декількох сотень нанометрів.
Нагрівання під час стадії відпалу, наприклад, перед нанесенням покриття шляхом цинкування, яке зазвичай проводять у печі відпалу з безпосереднім нагріванням або у печі відпалу з радіаційними трубами. Однак, використання таких печей для нагрівання штаби може призвести до утворення оксидів на поверхнях штаби, які зазвичай видаляють шляхом проведення додаткових стадій травлення і/або дробоструминної обробки перед нанесенням покриття. Якщо ж цього не зробити, то змочуваність рідким металом, який наносять на поверхню листової сталі, може виявитися надмірно низькою, що стимулює появу на поверхні сталі непокритих ділянок.
Ця вада, зокрема, виникає при включенні до складу штаби значної кількості легко окиснюваних елементів, як-то 5і, Мп, АЇ, Ст, В, Р тощо.
Рівні вмісту, при яких може мати місце ця вада, складають приблизно 0,595 (мас.) для 5і,
Мп, АЇ, Р, Ст і 5 ч./млн для В при використанні цих елементів окремо. Але дані граничні значення можуть виявитися відчутно меншими за наявності в сталі декількох з цих елементів. Наприклад, термозміцнювальна сталь, яка не містить елементів впровадження, містить 0,295 Мп, 0,0295 5Іі і 5 ч./млн В, вже може зумовити проблеми зі змочуванням внаслідок наявності елемента В, який швидко дифундує аж до поверхні штаби і призводить до виділення оксидів Мп і бі у виді безперервних плівок.
Власне, цей ризик поганого змочування рідким металом також зустрічається на всіх високоміцних сталях, оскільки вони містять принаймні один із згаданих елементів, подібних двофазним сталям, ПНП-сталям (з пластичністю, наведеної перетворенням), ПНД-сталям (з пластичністю, наведеної двійникуванням), електротехнічним сталям тощо. Для двофазних сталей кількість Мп у загальному випадку становить менше, ніж 395 (мас.) при додаванні Ст, 5і або АЇ у кількості, яка в загальному випадку, складає менш ніж 195 (мас.). Для ПНП-сталей кількість Мп в загальному випадку становить менш, ніж 295 (мас.) у поєднанні з максимумом у 296 (мас.) для Зі або АІ. Для ПНД-сталей кількість Мп може доходити аж до 2595 (мас.) у поєднанні з АЇ або 5і (максимум 395 (мабс.)).
Сталі з низькою щільністю, які містять, зокрема, А! і/або бі у великих кількостях (до 1095 (мас.)), також є чутливими до цього явища, як, наприклад, і високохромні нержавіючі сталі для термообробки.
Як наслідок, детектування та ідентифікація шару оксиду на сталевій штаби є важливим питанням. В даний час найбільш широко використовується інфрачервона спектрометрія, як методика визначення типу оксиду наявного на поверхні сталевої підкладки, точніше, метод
ІЧВАС (інфрачервона відбивна-абсорбційна спектрометрія). Перевага якої це можливість неруйнівного контролю.
При використанні такої методики, також можливе одержання оцінки товщини шару оксиду.
Однак, переважна оптична методика визначення товщини шару являє собою нанометрову еліпсометрію.
На жаль, як інфрачервона спектрометрія, так і еліпсометрія вимагають відносно тривалого часу для збирання даних, від секунд до хвилин, що не дає можливості їх здійснення в оперативному режимі на виробничому об'єкті.
Крім цього, більшість широко відомих методик не дають можливості проведення робіт або з гарячим продуктом, наприклад, всередині печі відпалу або з холодним продуктом, наприклад, на виході з технологічної лінії травлення.
Одна з задач винаходу полягає у пропонуванні способу одержання характеристик шару оксидів, наявного на сталевій підкладці, який дозволяє або робить менш важливими деякі з вищезазначених проблем, зокрема, такого, який є більш швидким, і який може бути здійснений в оперативному режимі на виробничому об'єкті.
З цією метою у винаході пропонується спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів, який утворився на рухомій сталевій підкладці, при цьому ця стадія одержання характеристик включає стадії: 60 - одержання ділянки сталевої підкладки, яка містить шар оксидів, причому, ділянка визначає поверхню оксиду, - збирання світла (г) від згаданої поверхні оксиду з використанням гіперспектральної камери з метою одержання значень інтенсивності (Іх,м), які являють собою, відповідно, інтенсивність частини (І гм) зібраного світла (г), причому, кожна частина (І гм), відповідно, збирається від однієї з множини точок (М), розташованих на зазначеній поверхні оксиду і, відповідно, характеризується довжиною хвилі (Х) з множини довжин хвиль (Х1, 72, ...), - зіставлення одержаних значень інтенсивності (іх м) з еталонними значеннями інтенсивності (Ахм), одержаними для еталонних оксидів, і - обчислення кількості еталонних оксидів у шарі.
В інших варіантах здійснення спосіб включає одну або декілька з наведених далі ознак, взятих окремо або у будь-якій технічно можливій комбінації: - стадія обчислення кількості еталонних оксидів включає наведені далі підстадії: обчислення еталонних значень оптичної густини (ОА; м) з використанням еталонних значень інтенсивності (Бхм), - обчислення значень оптичної густини (Ахм) з використанням значень інтенсивності (І; м), - стадія обчислення еталонних значень оптичної густини (ОА; м) і значень оптичної густини (А;м) включає вираз еталонних значень оптичної густини (ОАхм) і значень оптичної густини (Ах м), ЗБ вне вити -1090 -- 17
У, м -б,м і | їм -б;м -І0до -2---
М Ом причому, Ю;хм являє собою шум гіперспектральної камери (20), К;м являє собою еталонні значення інтенсивності (Км), а Їхм являє собою значення інтенсивності, а ММ;,м являє собою значення для білого поля; - спосіб включає стадію калібрування з метою визначення шуму О;,м гіперспектральної камери (20) і значення білого поля Му; м; - стадія обчислення кількості еталонних оксидів включає стадію корекції на базову лінію; - спосіб включає: - стадію обчислення параметра (В), який є площею під кривою, причому згадану криву
Зо отримують шляхом побудови графічної залежності значень оптичної густини (Ахм) від множини довжин хвиль (Х1, 72, ...), і - стадію обчислення товщини (Е) цього шару оксидів, причому, згадану товщину (Е) отримують в залежності від принаймні зазначеного параметра (В); - згадана функція є лінійною; - спосіб, описаний вище в цьому документі, включає стадію визначення згаданої функції щонайменше одного з еталонних оксидів з використанням множини еталонних зразків оксидів, причому, множина еталонних зразків оксидів, відповідно, включає підкладку, виготовлену із згаданої сталі, і шар зазначеного щонайменше одного еталонного оксиду, осадженого на підкладку, причому, зазначені шари, відповідно, мають множину товщин; - падаюче світло (Ії) визначає кут (с) з напрямком (0), який є перпендикулярним до поверхні оксиду, і причому, кут (о) лежить в діапазоні від 402? до 807, переважно від 502 до 702, а більш переважно від 552 до 652; - зібране світло (І г) і еталонне зібране світло (гг) отримують від власного випромінювання світла, відповідно, поверхнею оксиду і згаданою поверхнею, утвореною згаданою сталлю; - множина довжин хвиль (51,5, 2, ...) включає довжини хвиль в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм; - всі довжини хвиль з множини довжин хвиль (751, 52, ...) лежать в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм; - еталонні оксиди включають один або декілька представників, вибраних з 5іО2, 5БІОХСН, і
Тіб» в аморфній формі; - спосіб, крім того, включає: після завершення стадії одержання характеристик шару оксиду, стадію зіставлення одержаних характеристик шару оксиду з одним або декількома параметрами, які задають технічні вимоги до шару оксиду з метою одержання щонайменше зіставлення результату; а у випадку виходу результату зіставлення за межі наперед визначеного допустимого діапазону додаткову стадію корекції шару оксиду; - спосіб здійснюють на виході з технологічної лінії травлення;
- спосіб здійснюють на виході з технологічної лінії відпалу; - додаткова стадія корекції являє собою травлення сталевої підкладки.
Цільовий шар окислення сталевої підкладки може містити цілі стосовні до товщини і/або складу шару оксиду і може залежати від сорту сталі.
Винахід також зв'язаний з пристроєм для одержання характеристик шару оксидів, наявного на сталевій підкладці, який містить: - гіперспектральну камеру, адаптовану для збирання світла (І г) від поверхні оксиду ділянки сталевої підкладки, яка має шар оксидів, з метою одержання значень інтенсивності (І; м), які являють, відповідно, інтенсивність частини (І г;.м) зібраного світла (г), причому, кожна частина (Іб.м), відповідно, збирається від однієї з множини точок (М), розташованих на зазначеній поверхні оксиду і, яка відповідно, характеризується довжиною хвилі (2) з множини довжин хвиль (1,2, ...), - засоби зіставлення одержаних значень інтенсивності (Ілм) з еталонними значеннями інтенсивності (Км), одержаними для еталонних оксидів, і - засоби обчислення кількості еталонних оксидів в шарі.
В інших варіантах здійснення пристрій містить одну або декілька з наведених далі ознак, взятих окремо або у будь-якій технічно можливій комбінації: - пристрій містить джерело світла, при цьому джерело світла адаптоване для випромінювання інфрачервоного світла; і - гіперспектральна камера є гіперспектральною камерою ДХІЧ.
В інших варіантах здійснення пристрій містить одну або декілька з наведених далі ознак, взятих окремо або у будь-якій технічно можливій комбінації: - установка являє собою безперервну технологічну лінію цинкування; - установка являє собою технологічну лінію травлення.
Винахід також стосується установки для обробки поверхні сталевої штаби, адаптованої для здійснення способу згідно з описом винаходу, представленим вище в цьому документі, і містить пристрій, адаптований для проведення стадії одержання характеристик у відповідності з описом винаходу, представленим вище в цьому документі, при цьому сталева штаба має сталеву підкладку і шар оксидів, наявний на сталевій підкладці.
Зо Інші ознаки і переваги винаходу стануть зрозумілими після прочитання наступного далі опису винаходу, наведеного, як приклад і при зверненні до доданих креслень, на яких:
Фіг. 1 являє собою схематичне зображення відповідної винаходу установки для обробки сталевої штаби;
Фіг. 2 являє собою схематичне зображення продемонстрованого на Фіг. 1 пристрою для здійснення способу, відповідного винаходу, стосовно сталевої штаби, продемонстрованої на
Фіг. 1;
Фіг. ЗА являє собою схематичне зображення пристрою для здійснення способу, відповідного винаходу, стосовно еталонного зразка оксиду;
Фіг. ЗВ являє собою схематичне збільшене зображення еталонного зразка оксиду;
Фіг. 4 являє собою діаграму, яка демонструє основні стадії одного варіанта здійснення способу, відповідного винаходу;
Фіг. 5-7 являють собою три графіка, які демонструють значення оптичної густини, одержані з використанням пристрою, наведеного на фіг. 3, і трьох еталонних зразків оксиду, які відповідно містять, тонкі шари 5іО2, 5іОХСН,У і ТіО» в аморфній формі, а також демонструють значення оптичної густини, одержані з використанням тих самих зразків, використовуючи інфрачервоний спектрометр з перетворенням Фур'є (ІЧПФ);
Фіг. 8 являє собою графік, який демонструє декілька кривих оптичної густини, одержаних з використанням пристрою, продемонстрованого на Фіг. 3, та еталонного зразка оксиду, який включає тонкий шар 51052, при цьому кожна крива відповідає власному куту падіння падаючого світла;
Фіг. 9-41 являють собою три графіка, які демонструють параметр, одержаний з використанням пристрою, наведеного на фіг. 3, і еталонних зразків оксиду, залежно від товщини шарів оксиду, при цьому оксид являє собою, відповідно, 5іОг, 5іхснН, і ТіОг в аморфній формі;
Фіг. 12 і 13 являють собою графіки, які демонструють криві оптичної густини, одержані з використанням способу, відповідного винаходу.
При зверненні до Фіг. 1 і 2 буде описуватися установка 1, відповідна винаходу. Установку 1 адаптують до безперервної обробки поверхні сталевої штаби 2.
Установка 1 містить піч З для проведення відпалу сталевої штаби 2 та у вигідному випадку модуль охолодження 4. Установка 1 також містити модуль нанесення покриття 5, наприклад, бо модуль цинкування, причому, сталеву штабу 2 занурюють у ванну 6 з розплавленим цинком або цинковим сплавом. На виході з модуля нанесення покриття 5 штаба 2 проходить крізь модуль обтирання 7 і модуль охолодження 8.
Сталева штаба 2, наприклад, відноситься до описаного вище типу. Сталева штаба 2 рухається в напрямку Е і проходить крізь установку 1, у вигідному випадку безперервним способом. Сталева штаба 2 зазвичай має швидкість, яка лежить в діапазоні від 150 м/хв до 800 м/хв. Сталеву штабу 2 піддають окисленню поверхні, зокрема, під час технологічного процесу відпалу. Під час або після відпалу сталева штаба 2 містить сталеву підкладку 21 і шар 22 оксидів, який утворився на сталевій підкладці 21.
Установка 1 також містить пристрій 10 для забезпечення одержання характеристик шару 22.
Шар 22 визначає поверхню оксиду 22А, спрямовану на пристрій 10.
Шар 22 має товщину, наприклад, в діапазоні від десяти до п'яти сотень нанометрів.
У відповідності з кількома варіантами здійснення пристрій 10 розташовується в печі З або на випуску з печі З (як це продемонстровано на Фіг. 1). Ще в одному варіанті здійснення (не наведений) пристрій 10 розташовується на вході або на виході технологічної лінії травлення (не наведена).
При зверненні до Фіг.2 і З описується пристрій 10 для здійснення способу, відповідного винаходу. Пристрій 10 у вигідному варіанті адаптують для роботи в оперативному режимі з штабою сталі 2 (Фіг. 2) або з еталонними зразками оксиду 11 за межами установки 1 (Фіг. 3).
Пристрій містить 10 гіперспектральну камеру 20, джерело світла 15 і комп'ютер 25. Ще в одному варіанті здійснення пристрій 10 не містить джерела світла 15. У варіанті використання пристрою 10 при зверненні до зразків оксидів таким чином, як це показано на Фіг. 3, воно буде, крім того, містити систему тримання зразка 12.
Систему тримання зразка 12 адаптують для тримання зразків 11 і переміщення їх один за одним відносно гіперспектральної камери 20 до робочого положення, представленого на фіг. 3.
В обох варіантах відповідно до ілюстрації на Фіг. 2 і З джерело світла 15 у вигідному випадку є інфрачервоним джерелом світла, наприклад, яке містить нікель/хромові екрановані електричні опори. Джерело світла 15 у вигідному варіанті фокусують дзеркалами з золота. Джерело світла 15 є придатним для використання при спрямуванні падаючого світла Гі до ділянки шару оксиду 22 під кутом падіння с; відносно напрямку 0.
Ділянка, яка приймає падаюче світло і ії, визначає поверхню оксиду 22А, 122А.
Кут падіння сх у вигідному випадку лежить в діапазоні від 202 до 80-, бажано від 402 до 707, а більш переважно 552 до 659.
Гіперспектральну камеру 20 адаптують для збирання світла І г, відбитого поверхнею оксиду, 22А, 122А під кутом спостереження ВД відносно напрямку О по інший бік напрямку О відносно джерела світла 15 і для одержання значень інтенсивності Іх,м, які представляють, відповідно, інтенсивність частини І г/м зібраного світла І. г.
Кожна частина І г;.м зібраного світла І г, відповідно, збирається від множини точок М (серед яких лише одна показана на фіг. 2 і 3), розташована на поверхні оксиду 22 А, і, відповідно, характеризується довжиною хвилі 7, 3 множини довжин хвиль Х1, 2, ....
Значення інтенсивності Іх м утворюють гіперспектральне зображення поверхні оксиду 22А, одержане за одну стадію збирання світла. Згідно з одним варіантом (не показаний), відсутнє будь-яке джерело світла 15, і зібране світло І г отримують від власного випромінювання світла поверхнею оксиду 22А, наприклад, за наявності у сталевої штаби 2 температури більше 35026.
Даний варіант буде названий «режимом випромінювання» на противагу «режиму відбивання», який використовує джерело світла.
В найкращому випадку точки М повинні розумітися як поверхні, наприклад, розміром у декілька квадратних міліметрів. Розмір даної поверхні буде залежати від використовуваних оптичних засобів.
Наприклад, пристрій 10 може бути в основному розташований за межами печі, але може мати оптичне волокно, розташоване всередині печі, для збирання світла, випромінюваного штабою. Розмір поверхні, таким чином, залежить від діаметра оптичного волокна.
У варіанті розташування пристрою 10 всередині печі З температура сталевої штаби 2 становитиме приблизно 8002С. Таким чином, сталева штаба 2 випромінює світло без потреби в джерелі світла, такому як джерело світла 15.
В режимі випромінювання пристрій 10 адаптують для збирання зібраного світла г від випромінюваного світла під кутом спостереження р відносно напрямку Ю і для одержання значень інтенсивності 1; м.
Під терміном «гіперспектральний» мається на увазі придатність камери 20 для використання для одержання знімків зразків сталевої штаби 2 на різних довжинах хвиль одночасно. Інакше 60 кажучи, кожен знімок, одержаний з використанням камери 20, містить множину довжин хвиль
Х1, хг, о.
В обох режимах гіперспектральною камерою 20 у вигідному випадку є гіперспектральна камера ДХІЧ (довгохвильова інфрачервона), наприклад, гіперспектральна камера Зресіт.
Гіперспектральна камера 20, наприклад, характеризується спектральною чутливістю в діапазоні щонайменше від 8 мкм до 12 мкм.
Гіперспектральна камера 20 містить цифровий датчик (не показаний), встановлений позаду збиральної оптики і призми або спектрограф.
Датчик, наприклад, має розмір 380750 пікселів, відповідно, для множини точок М і множини довжин хвиль А1, 2, ....
Частота кадрів гіперспектральної камери 20 становить, наприклад, 60 Гц.
У режимі відображення кут Др спостереження у вигідному випадку лежить в діапазоні від 202 до 807, бажано від 402 до 707, а більш переважно від 557 до 657. В найкращому випадку кут спостереження ДВ є приблизно рівним куту падіння с, так, щоб зібране світло г фактично одержують шляхом дзеркального відбиття падаючого світла | і.
Множина точок М у вигідному випадку є регулярно рознесеним вздовж по ширині штаби і, наприклад, відповідає 380 точкам.
Множина довжин хвиль 71, 72, ... включає довжини хвиль в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм. В найкращому випадку всі зазначені довжини хвиль лежать в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм.
Множина довжин хвиль Х1, 52, ... у вигідному випадку включає значення, регулярно розподілені в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм, наприклад, тридцять значень.
Комп'ютер 25 адаптують для одержання значень інтенсивності Іхм від гіперспектральної камери 20 для їх збереження та проведення обчислень. Комп'ютер 25 також містить засоби взаємодії оператора з комп'ютером (не показані), наприклад, для візуального відображення результатів.
Тепер при зверненні до Фіг. 1-12 буде описуватися спосіб 200, відповідний винаходу. Спосіб 200 має своєю метою одержання характеристик шару 22 оксиду, який утворився на поверхні сталевої штаби 2, шляхом ідентифікації його складу і необов'язково його товщини.
Залежно від хімічного складу сорту сталі підкладки і покриття, осаджуваного на підкладці, фахівці у відповідній галузі техніки встановлюють технічні вимоги для шару оксиду, що дає
Зо можливість формувати покриття, яке має бажані властивості, як-то необхідна товщина покриття або адгезійні властивості покриття.
Тому фахівці у відповідній галузі техніки можуть визначити цільові значення для параметрів, які характеризують шар оксиду. Цільові значення можуть представляти технічні вимоги.
Цільові значення можуть відноситися до складу шару оксиду, наприклад, при максимальному рівні масового процентного вмісту заданого еталонного оксиду.
Цільові значення можуть стосуватися товщини покриття. Товщина може залежати від складу.
Також може бути встановлений і діапазон допустимих значень в області цільових значень.
У режимі відображення падаюче світло Гі від джерела світла 15 направляють на ділянки шару 22, який утворює поверхню оксиду 22А.
На одній першій стадії процедури збирання даних 202 зібране світло г збирають з використанням гіперспектральної камери 20.
Для одержання даних на множині довжин хвиль 7/1, 52, ... потрібна лише одна процедура збирання даних.
Гіперспектральна камера 20 надає значення інтенсивності хм, які формують гіперспектральне зображення поверхні оксиду 22А, яке далі направляють у комп'ютер 25.
Одразу після реалізації процедури збирання даних у вигляді значень інтенсивності І;м комп'ютер 25 виконує стадію обчислення 204. Ця стадія бота аку в обчисленні і шо | Зо| мм ВМ значень оптичної густини Ахм, відповідно, у вигляді Ахм - ; де Юум являє собою шум гіперспектральної камери 20, також званий еталонним значенням для темного поля, а Му; м являє собою еталонне значення білого поля.
Дані еталонні значення О;м для темного поля і М/; м для білого поля можуть бути одержані на спеціальній стадії калібрування 203.
Стадія калібрування 203 включає підстадію у вигляді процедури періодичного збирання даних для визначення еталонного значення для темного поля Ю;м і еталонного значення для білого поля М/; м. Еталонне значення для темного поля Ом отримують, наприклад, виходячи з зображення, одержаного при закритому оптичному об'єктиві. Еталонне значення для білого фону М/;м отримують виходячи з одержаного зображення самої сталевої підкладки за відсутності шару оксидів.
Дана стадія калібрування 203 може бути проведена один раз на початку виробничої кампанії або в одному варіанті здійснення вона може регулярно проводитися для оновлення еталонних значень.
Як наслідок значення (хм - Юхм)(МУхм - Юхм) є рівним 10- 75М (десять у ступені мінус значення, протилежне значенню оптичної густини).
В рамках одного варіанту (не показаний) значення оптичної густини Ахм виражають з використанням аналогічної математичної формули. Наприклад, використовується інший логарифм.
В іншому варіанті здійснення під час стадії обчислення 204 замість значень оптичної густини
А;»м можуть бути розраховані значення відбиття поверхні Ке;м або значення пропускання поверхні Т;.м, які можуть бути використані на подальших стадіях.
Після цього значення оптичної густини Ахм на стадії зіставлення 206 зіставляють, у вигідному випадку з використанням самого комп'ютера 25, з множиною значень оптичної густини еталонного оксиду ОАхм з метою визначення того, який з еталонних оксидів присутній у шарі 22 і в якій кількості.
Дані значення оптичної густини еталонного оксиду ОАхм виражають з використанням тієї самої формули, що і для значень оптичної густини, з використанням еталонних значень інтенсивності К;,м замість значень інтенсивності І; м.
У варіанті використання значень відбиття поверхні Ке;м або значень пропускання поверхні
Тум замість значень оптичної густини Ахм вони, відповідно, були порівнювані б з еталонними значеннями відбиття поверхні ОКе; м і значеннями пропускання поверхні ОТ»; м.
Еталонні значення інтенсивності К;»м отримують в такий самий спосіб, що і значення інтенсивності Іх,м, за винятком напрямку падаючого світла Гі до еталонних зразків оксиду 11 замість сталевої штаби 2. Після цього гіперспектральна камера 20 збирає еталонне світло І г від поверхні сталі і забезпечує одержання еталонних значень Кум.
Одержані еталонні значення ЕК; м зберігаються у пам'яті комп'ютера 25.
Як це продемонстровано на Фіг. ЗВ, кожен еталонний зразок оксиду 11 має сталеву підкладку 121 і шар оксиду 122.
Сталева підкладка 121 являє собою, наприклад ВУ-сталь (з глибокою витяжкою і стоншенням стінок), яка використовується для пакування. Сталева підкладка 121 визначає поверхню сталі 131, на якій був осаджений шар оксиду 122, в найкращому випадку шляхом фізичного осадження з парової фази (ФОПФ).
Оксид, який складає шар оксиду 122 є відомим.
Відомі типи оксидів, нижче в цьому документі звані еталонними оксидами, включають, наприклад, Са, 5102, Мо0, А29Оз, РГегОз -4- ЕєО, Мпо, ТіОг, МагО, Сіг2Оз, Вас, 510, Р2Об5, КгО, 270», 710, СО, 5ІіССН,..
Для проведення стадії зіставлення 206 комп'ютер 25, наприклад, ідентифікує, яка крива (С2,
С4 ії Сб на фіг. 5-7), одержана шляхом побудови графічної залежності еталонних значень оптичної густини ОАхм від множини довжин хвиль 71, 722, ..., демонструє подібність до кривої, одержаної шляхом побудови графічної залежності значень оптичної густини Ахм від множини довжин хвиль 7/1, 752, ..., стосовно форми і/або максимального і мінімального значень оптичної густини. Можливим є також і зіставлення значення оптичної густини Ахм при заданій довжині хвилі Х.
Наприклад, у варіанті відповідності форми кривої, яка надає значення оптичної густини Ахм, до форми кривої С2, оксид у точці М буде ідентифікуватися як 5іО». У варіанті відповідності форми кривої, яка надає значення оптичної густини Ахм, до форми кривої С4, оксид у точці М буде ідентифікуватися як ЗІОХСН». У варіанті її відповідності до форми кривої Сб оксид у точці М буде ідентифікуватися як ТіОг в аморфній формі.
Ідентифікація оксидів в кожній точці М робить можливим визначення того, які оксиди присутні у шарі 22 оксиду і в якій кількості.
Стадія зіставлення 206 також може бути проведена з використанням відомих алгоритмів, як, наприклад, алгоритми, розроблені для розрізнення джерел в спектроскопії.
Обов'язково перед стадією зіставлення 206 криву, яка надає значення оптичної густини Ахм, піддають обробці на стадії 205 для корекції на базову лінію. Дійсно, сигнал може бути спотворений за рахунок відхилення інтенсивності в залежності від довжини хвилі, це явище відоме як базова лінія. Дана стадія корекції на базову лінію може бути проведена в ручному або автоматичному режимах з використанням алгоритмів, відомих фахівцям у відповідній галузі техніки, наприклад, як у варіанті, описаному в документі компанії М. Ма?еї єї аіІ., Спетотеїгісв апа Іпіеїїдепі І арогаюгу бузієтв, 2005, мої. 76, рр. 121-133.
Обов'язково перед зіставленням криву, яка надає значення оптичної густини Ахм, обробляють на стадії розділення суміші. Дану стадію переважно використовують для визначення кількості оксидів у шарі 22 оксидів.
Значення оптичної густини Ахм являють собою суму значень оптичної густини для кожного типу чистого оксиду Ахм(п), зважених за кількістю ри даного типу оксиду в точці М:
Ахм хх Ахм(п1).рпї ж Ахм(п2).рпг Ж Ах м(п3).риз ...
Знаючи склад сорту сталі можна знати і те, які оксиди з більшою ймовірністю присутні на поверхні сталевої штаби, і, таким чином, визначити значення оптичної густини для кожного типу чистого оксиду А; м(п). Після цього комп'ютер здатний розв'язати попереднє рівняння для визначення кількості ро кожного типу оксиду п в точці М.
Для проведення даної стадії розділення суміші можуть бути використані і інші аналітичні способи, які відомі фахівцям у відповідній галузі техніки, як-то аналіз головних компонентів (АГК), аналіз компонентів з вершин (АКВ) або регресія методом найменших квадратів (РМНК).
Обов'язково на одній додатковій стадії 207 визначають товщину шару оксиду 22. Для здійснення цього комп'ютер 25 розраховує параметр В (Фіг. 6), який є площею під кривою, одержаною шляхом побудови графічної залежності значень оптичної густини А; м від множини довжин хвиль А1, 2, ....
Після цього комп'ютер 25 розраховує товщину Е шару 22 з використанням параметра В і функції товщини (однієї з кривих С12, С13 і С14 на Фіг. 9-11), яка відповідає типу оксиду, який був ідентифікований.
Функція товщини для кожного еталонного оксиду або відома з обчислювального пристрою, або була визначена з використанням кількох еталонних зразків оксиду 11 при наявності одного і того ж типу оксиду, але при різній товщині шару оксиду Е.
Ще в одному варіанті здійснення способу, відповідного режиму випромінювання, з метою визначення наявності і складу оксидів в шарі 22 сигнал, який характеризує стан поверхні, виділяють за значеннями інтенсивності Іхл,м з використанням відомої моделі, наприклад, бум -
Км-Рі;х т(м) я- бом, де:
Зо Тм являє собою температуру сталевої штаби 2, одержувану від зовнішнього пристрою, як-то пірометр, в точці М,
Ріх. тм) являє собою значення, одержане із закону Планка на довжині хвилі 7. при температурі
Тм,
Км являє собою коефіцієнт, який є коефіцієнтом псевдо-випромінювальної спроможності, який одержаний шляхом апроксимації закону Планка до сигналу, і
Їм є значенням, яке характеризує стан поверхні сталевої штаби.
Значення її м отримують шляхом апроксимації моделі Км.Рі;т(/м) 4- й.м до виміряних значень інтенсивності І; м.
Після цього значення Її; м зіставляють, у вигідному випадку з використанням комп'ютера 25, зі значеннями випромінювання еталонного оксиду Ої;,м з метою визначення того, які еталонні оксиди наявні в тонкому шарі 22 і в якій кількості.
Кожне із значень випромінювання еталонного оксиду Ої; м отримують подібним чином в якості значень оптичної густини еталонного оксиду ОАхм з використанням еталонних зразків оксиду 11.
У варіанті розташування пристрою, відповідного винаходу, у печі відпалу або на випуску з печі стадія одержання характеристик винаходу робить можливим визначення характеристик шару оксиду, наявного на поверхні сталевої підкладки.
Після цього дані характеристики можуть бути зіставлені з наперед визначеними цільовими значеннями. У відповідності з результатом даного зіставлення і діапазонами допустимих значень сталева підкладка після цього може бути відправлена безпосередньо до установки для цинкування з метою нанесення покриття, відправлена до обладнання для травлення з метою виключення або зменшення цього шару оксиду або відбракована.
Спосіб дозволяє уникнути одержання сталевої продукції з дефектами покриття, як-то недолік покриття або незадовільна адгезія покриття і, таким чином, уможливлює приріст продуктивності.
Еталонні зразки
Отримували дванадцять еталонних зразків оксиду з трьома різними еталонними оксидами 5ІО», 5ІСХСН, (при цьому х змінний в діапазоні від 1 до 2, а у змінний в діапазоні від 0 до 3)і
Тібо в аморфній формі і чотирма різними товщинами Е. Сталлю, яка складає підкладку, була комерційна ВУ-сталь для пакування.
Тонкі шари оксидів осаджували на сталеву підкладку з використанням способу ФОПФ.
Товщини шару і типи оксидів контрольовано регулювали під час виготовлення.
В метою обгрунтування параметрів були проведені різні еталонні аналізи з метою одержання характеристик стану поверхні кожного еталонного зразка оксиду.
Після цього типи оксидів були підтверджені з використанням інфрачервоної спектрометрії, наприклад, з використанням спектрометра Місоїеї 8700, з приставкою, яка дозволяє зміну кута від компанії ЕЄигоїар. Кут спостереження р становив 802.
Для кожного зразка процедура збирання даних полягала в одержанні 50 спектрів з розділенням 4 см".
Еталонний зразок, що забезпечує одержання еталонних значень ЕК;м, стосувався до того ж самого типу сталі за відсутності оксиду на поверхні.
З метою підтвердження товщин шару оксиду проводили еліпсометричні вимірювання з використанням приладу Чобріп Умоп ОМІЗЕГ. Кут спостереження становив 702, в стандартному режимі об'єднання (І:М-02; А--4592-11: М--452; А--452) при 300 мсек на одну точку. Спектральний діапазон аналізу і моделювання становив 500-800 нм (дельта-10 нм). Дисперсійна формула, що використовується для обчислення товщини, відповідала класичній моделі.
Інформація щодо еталонних зразків оксидів узагальнено представлена в Таблиці.
Таблиця
Еталонні зразки оксидів
З» 1119611 116 111188 чОхсн, 81 91
Ще
Фіг. 5-7 демонструють значення оптичної густини А, одержані з використанням способу, відповідного винаходу, в залежності від множини довжин хвиль 7/1, 72, ... мкм в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм. Кут спостереження р становив 60-, при дзеркальному відбиванні.
Крива С2 стосується зразка 4 (51О», 96 нм). Крива С4 стосується зразка 6 (5ІОХСНу, 82 нм).
Крива Сб стосується зразка 10 (ТіОг» в аморфній формі, 70 нм).
Графіки на фігурах від 5 до 7 також демонструють криві оптичної густини С1, С3, С5, одержані з використанням тих самих зразків 4, 6, 10, використовуючи класичну спектрометрію
ІЧПФ. Крива С1 стосується 5іО». Крива СЗ3 стосується 5БІОХСНуУ. Крива С5 стосується ТіО» в аморфній формі.
Зо Криві від С1 до Сб, які стосуються тих самих зразків, приблизно мають одну і ту саму форму і одне і те саме максимальне значення. Незначні відмінності між кривими зумовлені різними спектральним розділенням (відповідно, бнм і 200нм для спектрометра ІЧПФ і гіперспектральної камери 20). Крім того, джерело світла 15 було менш сфокусованим у зіставленні з джерелом світла спектрометра ІЧПФ.
Подібність кривих С2 і С1, СЗ ї С4 і С5 Сб і демонструє точність кривих оптичної густини, що використовуються у способі, відповідному винаходу.
Фіг. 8 демонструє вплив кута спостереження р в діапазоні від 40? до 607 на значення оптичної густини А, одержані з використанням зразка 4 (5102, 96 нм). Криву С7 одержували з використанням кута падіння 40-, криву С8 - при 452, криву С9 - при 507, криву С10 - при 557, а криву С11 - при 607. Чим більшим буде кут спостереження р, тим більшими будуть значення оптичної густини А, на тій же самій довжині хвилі Х..
Це зумовлюється тим, що чим більшим буде кут падіння с, тим довшою буде траєкторія світла у шарі оксиду 122, як це продемонстровано на фіг. 4. За наявності падаючого світла Г 1, яке характеризується більшим кутом падіння «1, траєкторія від падаючого світла Їії до зібраного світла Їг1 є довшою, ніж траєкторія між падаючим світлом / і2 і зібраним світлом І г2, при цьому падаюче світло І і2 характеризується меншим кутом падіння сг.
Як це було встановлено, кут спостереження р 60г є оптимальним, оскільки він забезпечує одержання великих значень оптичної густини А при одночасній легкості втілення у пристрої 10, продемонстрованому на Фіг. 3.
Площа під кривою С11 (значення р, яке дорівнює 60") в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм забезпечувала одержання параметра В для зразка 4 (51О», 96 нм).
Параметри для всіх зразків від 1 до 12 розраховувалися з використанням одного і того ж кута падіння с; 602 і наведені на Фіг. 9-11.
На Фіг. 9 крива С12 являє собою лінійну регресію, розраховану відносно параметрів В для зразків від 1 до 4 (5іО»2) в залежності від товщини Е нм.
На Фіг. 10 крива С13 являє собою лінійну регресію, розраховану відносно параметрів В для зразків від 5 до 8 (5БІСХСН,) в залежності від товщини Е нм.
На Фіг. 11 крива С14 являє собою лінійну регресію, розраховану відносно параметрів В для зразків від 9 до 12 (ТіОг в аморфній формі) в залежності від товщини Е нм.
Коефіцієнти кореляції, одержані з використанням кривих від С12 до С14, становлять, відповідно, 0,9951, 0,991 ії 0,9802. Це демонструє можливість оцінювання товщини Е на основі параметра В виходячи з лінійних функцій, які відповідають кривим від С12 до С14.
Комп'ютер 25 за наявності у нього експериментальних точок дуже точним чином обробляє дані лінійної регресії з метою одержання лінійних функцій для обчислення товщини Е на основі параметра В.
Випробування 1
Пристрій 10, згідно з наведеним вище описом винаходу використовує гіперспектральну камеру і оптичне волокно, і з'єднані з комп'ютером, які використовували на промисловій технологічній лінії цинкування, яка проілюстрована на Фіг.1. Гіперспектральну камеру розташовували за межами печі відпалу З всередині захисного кожуха, а оптичне волокно,
Зо зв'язане з гіперспектральною камерою, розташовували всередині печі відпалу 3. Більш конкретно, оптичне волокно розташовували на кінці зони томління печі відпалу 3.
Спосіб використовували таким чином в режимі випромінювання.
Відпалювана штаба є продуктом ТКІР 780 згідно до комерційної пропозиції на ринку від компанії АгсеіогмМіЧа!. Даний сорт характеризується високим рівнем вмісту марганцю, який легко окислюється.
Атмосферу в печі відпалу контрольовано регулювали таким чином, щоб досягти температури точки роси (ТР), за якої з великою ймовірністю передбачається зовнішнє окислення штаби.
Криві оптичного поглинання С15 і С16, одержані з використанням способу, відповідного винаходу, представлені на Фіг. 12. В обох випадках ідентифікований оксид являє собою
МпАЇгОх.
Після цього зразки штаби відбирали на виході з печі відпалу і аналізували для визначення складу шарів оксиду. Як це підтвердив хімічний аналіз, шар оксиду на поверхні штаби був утворений з МпА/г2Ох.
Випробування 2
Пристрій 10, згідно з наведеним вище описом винаходу використовує гіперспектральну камеру, зв'язану з комп'ютером, який використовували на промисловій технологічній лиінії цинкування, яка проілюстрована на фіг. 1. Гіперспектральну камеру розташовували на кінці зони томління печі відпалу З всередині захисного кожуха. Гіперспектральна камера спостерігає за переміщуваною сталевою штабою.
Спосіб використовували таким чином в режимі випромінювання. Відпалювана штаба є продуктом ТКІР 780 згідно до комерційної пропозиції на ринку від компанії АгсеогмМіЧНаї. Даний сорт характеризується високим рівнем вмісту марганцю і кремнію, які легсо окислюються.
Атмосферу в печі відпалу контрольовано регулювали таким чином, щоб досягти температури точки роси (ТР), за якої з великою ймовірністю передбачається зовнішнє окислення штаби.
Криві оптичного поглинання С17 і С18, одержані з використанням способу, відповідного винаходу, представлені на Фіг. 13.
В обох випадках ідентифікували два типу оксидів: 5іОг при 8 мкм и МпхбіОу при 10-11 мкм.
Після цього зразки штаби відбирали на виході з печі відпалу і аналізували для визначення бо складу шарів оксиду. Як це підтвердив хімічний аналіз, шар оксиду на поверхні штаби був утворений з 5іО» і Мпх5іОу.
Завдяки описаним вище ознакам спосіб, відповідний винаходу, є швидким і легко здійснюваним на виробничому майданчику. Одержання характеристик може бути проведено в оперативному режимі на виробничому майданчику. Одержання характеристик забезпечує точну ідентифікацію шару оксиду 122 серед кількох еталонних оксидів і складу шару 22 сталевої штаби 2. Необов'язково, одержання характеристик також забезпечує одержання точної оцінки товщини Е шару 22.
У варіанті втілення пристрою 10 у печі або на виході з печі відпалу це уможливлює визначення того, зможуть чи ні кількість і товщина оксидів, присутніх на поверхні сталевої штаби 2, індукувати виникнення проблем зі змочуваністю, і, відповідно, проведення необхідних стадій, як-то пониження сортності штаби.
У варіанті встановлення пристрою 10 на виході з технологічної лінії травлення це уможливлює визначення ефективності стадії травлення для видалення всіх оксидів і потреби у проведенні додаткової стадії травлення.
Стадія одержання характеристик уможливлює проведення роботи або стосовно гарячого продукту, як-то продукт всередині печі відпалу або стосовно холодного продукту, як-то продукт на виході з технологічної лінії травлення.
Claims (8)
1. Спосіб виготовлення сталевого виробу, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів, наявного на рухомій сталевій підкладці при цьому дана стадія одержання характеристик включає стадії: одержання ділянки сталевої підкладки, яка містить шар оксидів, причому зазначена ділянка 25 визначає оксидну подедхню, збирання світла від оксидні преерхні з використанням гіперспектральної камери для одержання значень інтенсивності 7-М/, які представляють, відповідно, інтенсивність частини
Її . . Ї г й й й й І мм) зібраного світла (г), при цьому зазначена кожна частина | хм ) відповідно, зібрана від однієї з множини точок (м). рутенюваних на оксидній поверхні, і яка, відповідно, Зо характеризується довжиною хвилі х) з множини довжин хвиль (муха), зіставлення одержаних значень інтенсивності "УМ" з еталонними значеннями інтенсивності в 2, ( »м7, одержаними для еталонних оксидів, і обчислення кількості еталонних оксидів в шарі.
2. Спосіб за п. 1, в якому стадія обчислення кількості еталонних оксидів включає такі наступні 35 підстадії: (о д ) обчислення еталонних значень оптичної густини »м; 3 використанням еталонних й .з(А й значень інтенсивності | мм) . А . І обчислення значень оптичної густини ( мм) з використанням значень інтенсивності вм). . (ОА, м).
3. Спосіб за п. 2, в якому (ді обчислення еталонних значень оптичної густини М і . А . 40 значень оптичної густини »М/ включає вираження еталонних значеньудоптичної густини -Іодюо ХМ ХМ (ОА, м) . - (А, м) . . . М м-Ві м . "м | значень оптичної густини "7, відповідно, у вигляді ' ' і І Їм -б;м Тов | у В о, м й В, м лпричому "М являє собою шум гіперспектральної камери (20), М являє 6 | | (вм) б) 6 собою еталонні значення інтенсивності ; являє собою значення інтенсивності, а М, м бою бі являє собою біле значення. й М . . В) 45
4. Спосіб за п. 3, який включає стадію калібрування для визначення шуму М . . год М гіперспектральної камери і білогозначення М,
5. Спосіб за п. 2, в якому стадія обчислення кількості еталонних оксидів включає стадію корекції на базову лінію.
6. Спосіб за п. 1, який також включає:
стадію обчислення параметра, який є площею поверхні, розташованої під кривою, при цьому зазначену, круву отримують за допомого о, графінної побудови залежності значень оптичної густини 7 УМ від множини довжин хвиль 9777 У, Її стадію обчислення товщини зазначеного шару оксидів, причому зазначену товщину (Е) одержують як функцію від щонайменше зазначеного параметра.
7. Спосіб за п. 6, у якому зазначена функція є лінійною.
8. Спосіб за п. б, який також включає стадію визначення зазначеної функції для принаймні одного з еталонних оксидів з використанням множини еталонних зразків оксидів, причому множина еталонних зразків оксидів, відповідно, включає в себе підкладку, виконану із зазначеної сталі, причому шар зазначеного щонайменше одного еталонного оксиду осаджений на підкладку, при цьому зазначені шари, відповідно, мають множину (орщин.
9. Спосіб за п. 3, в якому падаюче світло визначає кут о) з напрямом, який є перпендикулярним до поверхні оксиду, при цьому кут (о) знаходиться в діапазоні від 40" до 80".
10. Спосіб за п. 2, в якому зібране світло (7) і еталонне зібране світло (т) одержують від власного випромінювання світла, відповідно, поверхнею оксиду (22А) та зазначеною поверхнею, утвореною зазначеною сталлю. ба з )
11. Спосіб за будь-яким із пп. 1-10, в якому множина довжин хвиль 777 включає довжини хвиль в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм. (л холодів за будь-яким із пп. 1-10, в якому всі довжини хвиль з множини довжин хвиль "ту знаходяться в діапазоні від 8 мкм до 12 мкм. ак - - - - І
13. Спосіб за будь-яким із пп. 1-10, в якому еталонні оксиди включають оксиди, вибрані з 2 зіойн,. ті о . ХУ ті в аморфній формі.
14. Спосіб за будь-яким із пп. 1-10, який також включає: після завершення стадії одержання характеристик шару оксиду стадію зіставлення одержаних характеристик шару оксиду з одним або кількома параметрами, які є технічними вимогами шару оксиду для одержання щонайменше результату зіставлення; і у випадку виходу результату зіставлення за межі наперед визначеного допустимого діапазону проведення додаткової стадії корекції шару оксиду.
15. Спосіб за п. 14, у якому спосіб здійснюють на виході з технологічної лінії травлення або лінії відпалу.
16. Спосіб за п. 14, в якому додаткова стадія корекції являє собою травлення сталевої підкладки.
17. Пристрій для одержання характеристик шару оксидів, наявного на сталевій підкладці, який містить: ( ) гіперспектральну камеру, виконану з можливістю збирання світла / від оксидної поверхні ділянки сталевої підкладки, яка має шар оксидів, до одержання значень інтенсивності М, які . . . . Ї є . . представляють, відповідно, інтенсивність частини "м 7 зібраного світла (9, причому кожна Ї є . . . . я. не частина І мм 7, відповідно, зібрана від однієї з множини точок, розташованих на зазначеній оксидній поверхні, і, відповідно, характеризується довжиною хвилі (9 з множини довжин хвиль
(ух...) ; ( ) засоби підоодення одержаних значень інтенсивності "УМ/ з еталонними значеннями . (А 2. інтенсивності мм), одержаними для еталонних оксидів, і засоби обчислення кількості еталонних оксидів у шарі.
18. Пристрій за п. 17, який також містить джерело світла, при цьому джерело світла виконане з можливістю випромінювання інфрачервоного світла.
19. Пристрій за п. 17, в якому гіперспектральна камера є довгохвильовою інфрачервоною гіперспектральною камерою.
20. Установка для обробки поверхні сталевої штаби, яка виконана з можливістю здійснення способу за будь-яким із пп. 1-16 і містить пристрій, виконаний з можливістю проведення стадії одержання характеристик, при цьому сталева штаба має сталеву підкладку і шар оксидів, наявний на сталевій підкладці.
21. Установка за п. 20, яка виконана у вигляді безперервної технологічної лінії цинкування або лінії травлення.
! ее З 10 ро г | 4 І 8 п Що | е М ве од шк Е Фіг 1 (мя с 10 ЗИ Її - В - р Мт, - и з ї пи У | А А х шити ; ХМ м с ; Е Ї | | Ї г 2 я
Фіг. 2
ЇхМ І А и в, Ф Шо Штоши, -е / й іп ет | и і дм М х р ї тео» ко
Фіг. ЗА ! Ш | це т хм іте зо а о Іл і" и Г22А я тк Кк ж 5 ра і / о КУ . ре , / ПЕ | У пок 422- 13 і о н о І шо й й х М -121- ' Й яння нт тн тт тт тт ну
Фіг. ЗВ
203 З Процедуразбору | (-(ю00; у | данних пн Калібрування риття шини нн нання . І ! Корекція на пи базову лінію поши и ВО у у Зіставлення та 206 205 / визначення складу І ЕЇ ЕЇ рин І В ! изначення 207 ! товщини ! Ко у ню па пн пн о по он пн по скан ян яко жа
Фіг. 4 14) тод ВК торт пса | 7 | - о А во 44 ся А оо /. ши ГЕНИ зн пи дя жи 78 ВА 5.8 ца 118 73 5 за їж мл А (мкм) А (мкм)
Фіг. 5 п | пт шини А бло в | А бле / но 025 | 828 7 !
7. ВЕ за 08 18 7.8 8.3 8.8 ій 35.
8 А (мкм) А (мкм) -- 4 4 - - Я Я - Д - ЄЯ Я3 - - Ж - -- я - -'| - - « - А - - А -- - я - - - --я
Фіг. 6 7 ;
се. . А ахо ; | А осдв- нин ї 5 нн нн 2 й й 78 88 х Кк 8 315 7.8 щ.8 мкм) за ма
Фіг. 7
0.15 01о й . А / Кк СВ
0.05 / у: й Б: з
0.00 7,5 8.0 8.5 9,0 9,5 10 105119 А (мкм)
Фіг. 8 олов ; 0075 м и дон в о.а50 -
0.025 й. жк іі ря КеоваБа плов 2 за 100 158 о Е (нм) Фіг, 9 фу р оле в в ов де т -(13 о в поз се пов з 5а 106 150 здо Е (нм)
Фіг. 10 зх
0.075 р т они С14 и 0050 я 7 м 025 7 т - Кк «НО водо а зо чо І Ю Е (нм)
Фіг. 11
1.02 -- ТР --4и С ж 1.00 а ТР х- 10-56 я Ж в е 0.98 Е 6 в 096 05 т ре ен 004 т. о | к я «М... я К я В пе пт пк ям во 092 ов,
0.90
7.7 8.7 9.7 10,7 Довжина хвилі (мкм)
Фіг. 12
0,93. ср тт прун н С фо бУУЕ па Й дн едтя Ж х 00,94 Ф ! пк ! 0,89 - й о ДИН х 0,88 - ій | С18 Фодвх. 0,87 - З КЕ ж р 86 0,85 - ши их, 0,54 Щрнннннннннтнннттттрнттттннттттттттттрттттттттнтттттттттттннннт 7,7 8,7 9,7 10,7 11,7 Довжина хвилі (мкм)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/IB2015/057496 WO2017055895A1 (en) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | Method of online characterization of a layer of oxides on a steel substrate |
| PCT/IB2016/055879 WO2017056061A1 (en) | 2015-09-30 | 2016-09-30 | Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA121996C2 true UA121996C2 (uk) | 2020-08-25 |
Family
ID=54347597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAA201803269A UA121996C2 (uk) | 2015-09-30 | 2016-09-30 | Спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів на рухомій сталевій підкладці |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10859370B2 (uk) |
| EP (1) | EP3356803A1 (uk) |
| JP (2) | JP6695965B2 (uk) |
| KR (1) | KR102116622B1 (uk) |
| CN (1) | CN108139333B (uk) |
| AU (1) | AU2016333018B2 (uk) |
| BR (1) | BR112018005137B8 (uk) |
| CA (1) | CA2999801C (uk) |
| MX (1) | MX2018003876A (uk) |
| RU (1) | RU2702818C2 (uk) |
| UA (1) | UA121996C2 (uk) |
| WO (2) | WO2017055895A1 (uk) |
| ZA (1) | ZA201801681B (uk) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017055895A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Arcelormittal | Method of online characterization of a layer of oxides on a steel substrate |
| CN105976310B (zh) * | 2016-05-04 | 2018-01-12 | 山东大学 | 一种基于分块的vca端元提取方法 |
| CN110312927B (zh) * | 2017-04-25 | 2022-01-04 | 日本制铁株式会社 | 氧化皮组成判定系统、氧化皮组成判定方法以及程序 |
| CN111630367B (zh) | 2018-01-18 | 2023-03-14 | 杰富意钢铁株式会社 | 光谱分析装置、光谱分析方法、钢带的制造方法及钢带的质量保证方法 |
| JP6959212B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2021-11-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化膜厚測定装置および該方法 |
| US10761032B1 (en) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. | Apparatus and method for inspection of a film on a substrate |
| CN110567413B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-04-08 | 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 | 一种获取复合材料氧化膜层厚度的方法、装置及电子设备 |
| CN112222075A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-15 | 无锡宝通智能物联科技有限公司 | 一种用于输送带的摄像装置 |
| WO2023105269A1 (en) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | Arcelormittal | Method for measuring the thickness of a varnish layer |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4819766B1 (uk) * | 1970-03-30 | 1973-06-15 | ||
| JPH01132936A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Kawasaki Steel Corp | 被膜の分析方法及び装置 |
| EP0406619A1 (en) | 1989-06-21 | 1991-01-09 | Nippon Steel Corporation | Process for producing galvanized, non-aging cold rolled steel sheets having good formability in a continuous galvanizing line |
| JPH08219891A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Kawasaki Steel Corp | 鋼板の表面性状測定方法及び鋼板温度測定方法 |
| US5753319A (en) | 1995-03-08 | 1998-05-19 | Corion Corporation | Method for ion plating deposition |
| JP3637192B2 (ja) * | 1997-01-22 | 2005-04-13 | 新日本製鐵株式会社 | 電磁鋼脱炭焼鈍板の分光分析装置および分光分析方法 |
| JPH10206125A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nippon Steel Corp | 酸化膜厚さ測定装置及び測定方法 |
| USH1925H (en) | 1998-08-18 | 2000-12-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for monitoring steel decarburization by remote flame emission spatial imaging spectroscopy |
| US6546771B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-04-15 | Avestapolarit Ab | Method for manufacturing of strips and rolling mill line |
| JP2001140081A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-22 | Kobe Steel Ltd | 耐食性皮膜付き銅又は銅合金管 |
| US6646264B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-11-11 | Monsanto Technology Llc | Methods and devices for analyzing agricultural products |
| US7294412B2 (en) * | 2003-01-15 | 2007-11-13 | Nippon Steel Corporation | High-strength hop-dip galvanized steel sheet |
| WO2005083352A1 (en) * | 2004-02-11 | 2005-09-09 | Filmetrics, Inc. | Method and apparatus for high-speed thickness mapping of patterned thin films |
| EP1862795A1 (en) * | 2006-05-10 | 2007-12-05 | ABB Schweiz AG | Bulk Material Analyzer System |
| KR100994051B1 (ko) | 2008-07-07 | 2010-11-11 | 도레이첨단소재 주식회사 | 반사외관이 우수하고 오염방지 기능을 가진 하드코팅필름 |
| IES20100730A2 (en) * | 2010-11-18 | 2012-02-15 | Ian Jones | A method of validating a cleaning process |
| US20130292571A1 (en) * | 2011-06-02 | 2013-11-07 | Infrasign, Inc. | Optically multiplexed mid-infrared laser systems and uses thereof |
| JP2013044729A (ja) | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 塗布状態測定方法 |
| CN102507462B (zh) * | 2011-11-08 | 2013-09-25 | 浙江大学 | 一种基于高光谱分析的铜品质检测方法及其检测系统 |
| WO2017055895A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Arcelormittal | Method of online characterization of a layer of oxides on a steel substrate |
-
2015
- 2015-09-30 WO PCT/IB2015/057496 patent/WO2017055895A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-09-30 KR KR1020187008509A patent/KR102116622B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-30 WO PCT/IB2016/055879 patent/WO2017056061A1/en active Application Filing
- 2016-09-30 JP JP2018516414A patent/JP6695965B2/ja active Active
- 2016-09-30 UA UAA201803269A patent/UA121996C2/uk unknown
- 2016-09-30 US US15/763,889 patent/US10859370B2/en active Active
- 2016-09-30 RU RU2018111197A patent/RU2702818C2/ru active
- 2016-09-30 BR BR112018005137A patent/BR112018005137B8/pt active IP Right Grant
- 2016-09-30 EP EP16791440.7A patent/EP3356803A1/en active Pending
- 2016-09-30 AU AU2016333018A patent/AU2016333018B2/en active Active
- 2016-09-30 CN CN201680056689.7A patent/CN108139333B/zh active Active
- 2016-09-30 MX MX2018003876A patent/MX2018003876A/es unknown
- 2016-09-30 CA CA2999801A patent/CA2999801C/en active Active
-
2018
- 2018-03-12 ZA ZA2018/01681A patent/ZA201801681B/en unknown
-
2020
- 2020-01-31 JP JP2020014476A patent/JP2020098214A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2999801A1 (en) | 2017-04-06 |
| WO2017055895A1 (en) | 2017-04-06 |
| BR112018005137B8 (pt) | 2021-12-07 |
| KR102116622B1 (ko) | 2020-05-29 |
| EP3356803A1 (en) | 2018-08-08 |
| AU2016333018A1 (en) | 2018-04-26 |
| KR20180048794A (ko) | 2018-05-10 |
| JP2020098214A (ja) | 2020-06-25 |
| US20180283849A1 (en) | 2018-10-04 |
| US10859370B2 (en) | 2020-12-08 |
| RU2702818C2 (ru) | 2019-10-11 |
| CA2999801C (en) | 2021-06-08 |
| ZA201801681B (en) | 2019-01-30 |
| WO2017056061A1 (en) | 2017-04-06 |
| CN108139333A (zh) | 2018-06-08 |
| AU2016333018B2 (en) | 2019-08-22 |
| RU2018111197A (ru) | 2019-09-30 |
| BR112018005137A2 (uk) | 2018-10-02 |
| JP6695965B2 (ja) | 2020-05-20 |
| RU2018111197A3 (uk) | 2019-09-30 |
| CN108139333B (zh) | 2023-04-21 |
| MX2018003876A (es) | 2018-06-15 |
| BR112018005137B1 (pt) | 2021-10-19 |
| JP2018529965A (ja) | 2018-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| UA121996C2 (uk) | Спосіб виготовлення сталевої продукції, який включає стадію одержання характеристик шару оксидів на рухомій сталевій підкладці | |
| US5396080A (en) | Thin film thickness monitoring with the intensity of reflected light measured at at least two discrete monitoring wavelengths | |
| EP3400431B1 (en) | Optical method to measure the thickness of coatings deposited on substrates | |
| BRPI0205666B1 (pt) | Processo e dispositivo de caracterização em linha de uma superfície em movimento | |
| CN107849698A (zh) | 为金属带表面镀层的方法以及金属带镀层装置 | |
| CA2192121C (en) | Apparatus and method for measuring temperature and/or emissivity of steel strip during a coating process | |
| WO2019122815A1 (en) | Measurement system for metal strip production line | |
| Sugiura et al. | Continuous temperature measurement of liquid iron and slag tapped from a blast furnace | |
| WO2001004609A1 (en) | Surface flaw detection using spatial raman-based imaging | |
| CN116608955A (zh) | 粉尘干扰下熔融金属流体温度场在线检测方法及系统 | |
| JP2960285B2 (ja) | 放射率による合金化度制御方法および装置 | |
| JP2593016B2 (ja) | 溶融合金化亜鉛めっき鋼帯の合金化度測定方法 | |
| EP1593929B1 (fr) | Procédé pour la mesure simultanée de l'épaisseur et de la température d'une couche d'oxyde | |
| Templado et al. | A LWIR reflectometer for water detection on steel strip | |
| Cielo et al. | Optical inspection in hostile industrial environments: Single-sensor vs. imaging methods | |
| JP2024022281A (ja) | 温度測定装置及び温度測定方法 | |
| JPH06147989A (ja) | 比較的低温物体の表面温度測定方法及び装置 | |
| Chamberland et al. | Standoff gas detection, identification and quantification with a thermal hyperspectral imager | |
| Shenton‐Taylor et al. | Pyrometry temperature studies of shocked tin including investigations exploring surface defects, anvil diameter and the integration with emissivity diagnostics | |
| Mayrhofer et al. | Optical characterization of thin layers grown on metal components | |
| Lappe | Using Infrared Thermometers to Control Temperature During Induction Heating |