TWM647449U - 用於物理氣相沉積的晶圓承載組件、套件及設備 - Google Patents

Abstract

一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件，包括：一底端遮罩，具有複數個晶圓支撐銷孔，晶圓支撐銷孔係沿底端遮罩的一開口內緣配置；以及複數個晶圓支撐銷，分別穿設於晶圓支撐銷孔，並配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔。

Description

用於物理氣相沉積的晶圓承載組件、套件及設備

本創作關於一種用於物理氣相沉積的元件，尤指一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件、套件及設備。

在積體電路晶片製造程序中，目前欠缺能便於支撐晶圓正面的解決方案。積體電路晶片製造的其中一道程序是要將金屬薄膜沉積在晶圓背面上，藉以替晶片增強傳導熱量的散熱功能。目前的製程方式是將晶圓先翻面貼附於基板載具上，然後再對晶圓背面進行物理氣相薄膜沉積。然而，這樣的製程方式需要覆晶及晶圓貼附流程，且整個晶圓需要薄化，並控制整體的變形量，在不影響運送的前提下方能進入腔體內進行物理氣相薄膜沉積製程。

本創作提供一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件，包括：一底端遮罩，具有複數個晶圓支撐銷孔，晶圓支撐銷孔係沿底端遮罩的一開口內緣配置；以及複數個晶圓支撐銷，分別穿設於晶圓支撐銷孔，並配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔。

在一實施例中，晶圓支撐銷的數量至少是三個。在一實施例中，晶圓支撐銷接觸晶圓邊緣約2mm處。在一實施例中，晶圓支撐銷的其中之一者包括：一柱狀體；一環狀平面，位於柱狀體的頂端並環繞柱狀體，用於頂起晶圓邊緣藉以支撐晶圓邊緣；以及一錐狀凸出面，位於柱狀體的頂端，從環狀平面凸出。在一實施例中，晶圓支撐銷孔沿晶圓邊緣對應處配置，晶圓支撐銷配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔而接觸晶圓邊緣。在一實施例中，晶圓承載組件更包括：一晶圓基座，被底端遮罩所環設；以及一基座底板，附接於晶圓基座之一底部，並承載晶圓基座及底端遮罩，其中，晶圓支撐銷通過基座底板之外緣的內側、晶圓基座之外緣的內側及底端遮罩，並從晶圓支撐銷孔突出，用以抬起晶圓邊緣。在一實施例中，底端遮罩包括：一環形頂面；一內環部，位於環形頂面之內緣；以及一定位凸環，位於環形頂面上。在一實施例中，內環部的直徑在286毫米至293毫米之間，並大於晶圓基座的一上表面的直徑，內環部套設於晶圓基座的上表面外。在一實施例中，環形頂面係高於晶圓基座之上表面，環形頂面的直徑在293毫米至298毫米之間，環形頂面作為製程時承載晶圓之一環狀承載面。在一實施例中，晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於晶圓支撐銷孔中。

本創作提供一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件，包括：一晶圓基座；以及複數個晶圓支撐銷，沿晶圓基座之一外緣之內側配置。

在一實施例中，晶圓支撐銷的數量至少是三個。在一實施例中，晶圓支撐銷接觸晶圓邊緣約2mm處。在一實施例中，晶圓支撐銷的其中之一者包括：一柱狀體；一環狀平面，位於柱狀體的頂端並環繞柱狀體，用於頂起晶圓邊緣藉以支撐晶圓邊緣；以及一錐狀凸出面，位於柱狀體的頂端，從環狀平面凸出。在一實施例中，晶圓承載組件更包括：一底端遮罩，環設於晶圓基座，並具有複數個晶圓支撐銷孔，晶圓支撐銷孔係沿底端遮罩的一開口內緣配置，其中，晶圓支撐銷分別穿設於晶圓支撐銷孔，並配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔而接觸晶圓邊緣。在一實施例中，晶圓承載組件更包括：一基座底板，附接於晶圓基座之一底部，並承載晶圓基座及底端遮罩，其中，晶圓支撐銷通過基座底板之外緣的內側、晶圓基座之外緣的內側及底端遮罩，並從晶圓支撐銷孔突出，用以抬起晶圓邊緣。在一實施例中，底端遮罩包括：一環形頂面；一內環部，位於環形頂面之內緣；以及一定位凸環，位於環形頂面上。在一實施例中，內環部的直徑在286毫米至293毫米之間，並大於晶圓基座的一上表面的直徑，內環部套設於晶圓基座的上表面外。在一實施例中，環形頂面係高於晶圓基座之上表面，環形頂面的直徑在293毫米至298毫米之間，環形頂面作為製程時承載晶圓之一環狀承載面。在一實施例中，晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於晶圓支撐銷孔中。

本創作提供一種用於晶圓的物理氣相沉積的套件，包括：一浮動環；以及如前所述之晶圓承載組件，其中晶圓支撐銷位在浮動環正下方。

在一實施例中，浮動環包括：一環形梯部，位於晶圓支撐銷正上方，其中環形梯部的內環直徑在294至298毫米之間，環形梯部配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽晶圓支撐銷。在一實施例中，套件更包括：一腔體遮罩，包括一環形內溝槽；其中，浮動環包括一環形外壁；其中，底端遮罩配置為隨晶圓承載組件之昇起而抵靠浮動環，俾使浮動環被頂起並且浮動環的環形外壁從腔體遮罩的環形內溝槽離開。在一實施例中，浮動環與底端遮罩配置為隨晶圓承載組件之昇起而調整高度。在一實施例中，套件更包括：一上蓋遮罩，與腔體遮罩、浮動環及晶圓承載組件形成用於晶圓上進行物理氣相沉積的一腔室。在一實施例中，上蓋遮罩包括一環形表面，其具有一鋁化合物塗層。在一實施例中，鋁化合物塗層之厚度在0.01至0.03英吋之間。

本創作提供一種用於晶圓的物理氣相沉積的套件，包括：一浮動環，其包括一環形梯部、一環形底面定位溝槽以及一環形外壁；一腔體遮罩，包括一環形內溝槽；以及如前所述之晶圓承載組件，其中晶圓支撐銷位在浮動環正下方，環形梯部係位於晶圓支撐銷正上方；其中，底端遮罩配置為隨晶圓承載組件之昇起而底端遮罩的定位凸環抵靠浮動環之環形底面定位溝槽，俾使浮動環被頂起並且浮動環的環形外壁從腔體遮罩之環形內溝槽離開。

在一實施例中，腔體遮罩的環形內溝槽、浮動環的環形梯部及環形外壁、以及底端遮罩之一上表面的彎折處皆為平滑曲線。在一實施例中，晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於晶圓支撐銷孔中，環形梯部配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽晶圓支撐銷及晶圓支撐銷孔。

本創作提供一種用於晶圓的物理氣相沉積設備，包括：如前所述之晶圓承載組件、或如前所述之套件。

如下的揭露提供許多不同實施例，或示範例，用於實現所提供主題的不同特徵。為簡化本揭露，下文描述組件及配置的具體示範例。當然，這些組件以及配置僅為示範例以及不意以為限制。舉例而言，在接著的描述中，第一特徵在第二特徵之上或上的形成可包含直接接觸地形成第一特徵以及第二特徵的實施例，以及亦可包含附加特徵可形成於第一特徵與第二特徵之間，使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。此外，本揭露可能會在各種示範例中重複元件符號及/或符號。這樣的重複是為了簡單明瞭，其本身並不決定所討論的各種實施例及/或組構之間的關係。

再者，為便於描述，可在本揭露中使用諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」、「上」及類似者之空間相對術語來描述一個元件或特徵與另一（些）元件或特徵之關係，如圖式中繪示。空間相對術語旨在涵蓋除在圖式中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向（旋轉90度或按其他定向）且本揭露中使用之空間相對描述同樣可相應地解釋。

請參閱圖1以及圖2，一種用於晶圓的物理氣相沉積的套件1包括一腔體遮罩11、一浮動環12、以及一晶圓承載組件13，套件1是作為使用物理氣相沉積來鍍膜時的非接觸式晶圓遮蔽件，晶圓的邊緣會被套件1接觸使整個晶圓被套件1所支撐。晶圓承載組件13用於承載晶圓，一昇降機構（圖未示）可用以將晶圓承載組件13昇起（如圖2所示的箭頭M之方向昇起）至一製程位置（即昇起至進行物理氣相沉積的鍍膜加工時，晶圓承載組件13所應達到的位置）。在晶圓承載組件13昇起時，浮動環12會隨晶圓承載組件13之昇起而一同被抬起，因而調整高度，例如在圖3A以及圖3B中所示。如此，藉由晶圓承載組件13昇起以及下降以利搬運機構（圖未示）在如圖2所示的晶圓承載組件13之位置中，更換晶圓承載組件13上所承載的晶圓。

如圖2及圖4所示，腔體遮罩11包括一環形內溝槽110，套件1更包括一上蓋遮罩14。當晶圓承載組件13處於製程位置時，上蓋遮罩14、腔體遮罩11、浮動環12、以及晶圓承載組件13形成用於晶圓上進行物理氣相沉積的一腔室，以用於在晶圓上進行物理氣相沉積來鍍膜。上蓋遮罩14包括一環形表面，環形表面例如是環狀梯部表面，其具有一鋁化合物塗層，鋁化合物塗層可經由鋁電弧熔設處理而形成。鋁化合物塗層之厚度在0.01至0.03英吋之間，藉此，在物理氣相沉積進行時所產生的物質能有效地被其吸附，進而讓晶圓在高潔淨的環境下加工。

如圖2、圖5A及圖5B所示，浮動環12包括一環形梯部121、一環形外壁122以及一環形底面定位溝槽123，環形梯部121沿浮動環12的內緣配置，環形外壁122可座落在腔體遮罩11之環形內溝槽110內。

在圖2及圖3B中，晶圓承載組件13包括一底端遮罩131以及複數個晶圓支撐銷134，底端遮罩131係環設在晶圓承載組件13的外周邊並且包括一定位凸環1311，定位凸環1311係對應於浮動環12的環形底面定位溝槽123，晶圓支撐銷134係用於支撐晶圓，並可用於抬起晶圓。底端遮罩131可包括複數個晶圓支撐銷孔1314，其沿底端遮罩131的一開口內緣配置並穿透底端遮罩131，晶圓支撐銷134分別穿設於晶圓支撐銷孔1314並配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔1314。舉例來說，晶圓支撐銷的數量至少是三個，例如是四個。晶圓支撐銷孔1314的數量可以和晶圓支撐銷的數量相同。在實施例中，晶圓支撐銷134位在浮動環12正下方，環形梯部121位於晶圓支撐銷134正上方。環形梯部121配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽晶圓支撐銷134以及晶圓支撐銷孔1314。

一昇降機構可用以將晶圓承載組件13昇起（如圖2所示的箭頭M之方向昇起）至一製程位置（即昇起至進行物理氣相沉積的鍍膜加工時，晶圓承載組件13所應達到的位置）。底端遮罩131配置為隨晶圓承載組件13之昇起而抵靠浮動環12，俾使浮動環12被頂起並且浮動環12的環形外壁122從腔體遮罩11的環形內溝槽110離開，例如在圖3B中所示。舉例來說，在晶圓承載組件13昇起時，定位凸環1311會抵靠浮動環12之環形底面定位溝槽123，使得浮動環12被晶圓承載組件13的定位凸環1311頂起，並且致使環形外壁122一同昇起，讓浮動環12的環形外壁122從腔體遮罩11的環形內溝槽110離開，即浮動環12與底端遮罩131會隨晶圓承載組件13之昇起而一同被抬起而被調整高度，例如在圖3B中所示。如此，藉由晶圓承載組件13昇起以及下降以利搬運機構（圖未示）在如圖2所示的晶圓承載組件13之位置中，更換晶圓承載組件13上所承載的晶圓。

再者，在一實施例中，晶圓支撐銷134係配置為能夠分別沒入於晶圓支撐銷孔1314中，例如使晶圓支撐銷134的頂端處未超出晶圓支撐銷孔1314，環形梯部121配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽晶圓支撐銷134及晶圓支撐銷孔1314。舉例來說，例如在圖5C中，當浮動環12與底端遮罩131隨晶圓承載組件13之昇起而一同被抬起後，晶圓支撐銷134分別沒入於晶圓支撐銷孔1314中，浮動環12的環形梯部121遮蔽了於底端遮罩131上的晶圓支撐銷孔1314以及晶圓支撐銷134，使物理氣相沉積製程進行時不會汙染晶圓支撐銷134。

請參閱圖1以及圖2，晶圓承載組件13另包括：一晶圓基座132、以及一基座底板133，晶圓基座132係用於承載晶圓，底端遮罩131係環設於晶圓基座132。基座底板133係附接於晶圓基座132之底部，用於承載晶圓基座132及底端遮罩131。晶圓支撐銷134沿晶圓基座132之外緣之內側配置。晶圓支撐銷134可通過基座底板133之外緣的內側、晶圓基座132之外緣的內側及底端遮罩131，並可隨晶圓基座132上下移動，從晶圓基座132之表面伸出並從底端遮罩131的晶圓支撐銷孔1314突出，用以抬起晶圓邊緣。基座底板133之外緣的內側以及晶圓基座132之外緣的內側可配置有穿透的晶圓支撐銷孔而與底端遮罩131的晶圓支撐銷孔1314相通，以讓晶圓支撐銷134穿過設置。

如圖2所示，複數個晶圓支撐銷134可通過基座底板133之外緣的內側、晶圓基座132之外緣的內側以及底端遮罩131，並自底端遮罩131之上表面突出。此外，一控制機制(圖未示)去控制每一晶圓支撐銷134，可調整晶圓支撐銷134的所在高度，藉以昇起或下降晶圓支撐銷134，而使晶圓支撐銷134得以依照實際需求而昇起(如以圖2的箭頭M所示之方向昇起)或下降(如以圖2的箭頭M所示之相反方向下降)。

請參閱圖6A至圖6C及圖7，晶圓2的正面21朝下、背面22朝上。晶圓支撐銷134包括一柱狀體1340、一環狀平面1341以及一錐狀凸出面1342。環狀平面1341位於柱狀體1340的頂端並環繞柱狀體1340，用於頂起晶圓邊緣藉以支撐晶圓邊緣。錐狀凸出面1342位於柱狀體1340的頂端，從環狀平面1341凸出，其例如是圓錐狀。當這些晶圓支撐銷134被昇起時，如圖6B及圖6C所示，即可抵頂底端遮罩131上方的晶圓2，由環狀平面1341頂起晶圓2的邊緣23，經錐狀凸出面1342校正位置，在不接觸晶圓2的正面21的產品有效區域的狀態下將晶圓2抬起，且能將晶圓2有效定位在底端遮罩131上方。在實施例中，晶圓支撐銷孔1314沿晶圓2的邊緣23對應處配置，晶圓支撐銷134配置為能夠穿過晶圓支撐銷孔1314而接觸晶圓2的邊緣23。晶圓支撐銷134接觸晶晶圓2的邊緣23約2mm處，藉 以在不接觸晶圓2的正面21的產品有效區域的狀態下將晶圓2抬起。有效區域例如是在晶圓2要形成或已經形成電子元件、結構、線路等等作為產品的區域。

請再參閱圖8A及圖8B，底端遮罩更包括一環形頂面1313以及一內環部1312，內環部1312位於環形頂面1313之內緣，定位凸環1311位於環形頂面1313上。在一實施例中，內環部1312的直徑大於晶圓基座132的一上表面的直徑，內環部1312套設於晶圓基座132的上表面外。環形頂面1313係高於晶圓基座132之上表面，環形頂面1313作為製程時(例如正在進行物理氣相沉積時)承載晶圓之一環狀承載面。內環部1312的直徑係小於晶圓直徑，環形頂面1313高於晶圓基座132的高度，環形頂面1313形成用於承載晶圓但不接觸晶圓正面的有效區域之承載環平面。在實施例中，內環部1312的直徑及環形頂面1313的直徑視適用的晶圓尺寸而定，舉例來說，內環部1312的直徑在286毫米至293毫米之間，環形頂面1313的直徑在293毫米至298毫米之間，這可適用於12吋晶圓。以上尺寸是例如但不限於針對12吋晶圓，內環部的直徑及環形頂面的直徑針對其他尺寸的晶圓例如4吋、6吋、8吋或其他尺寸的晶圓可以有不同的直徑。

在實施例中，浮動環12的環形梯部121的內環直徑視適用的晶圓尺寸而定，舉例來說，浮動環12的環形梯部121的內環直徑在294至298毫米之間，這可適用於12吋晶圓。以上尺寸是例如但不限於針對12吋晶圓，內環部的直徑及環形頂面的直徑針對其他尺寸的晶圓例如4吋、6吋、8吋或其他尺寸的晶圓可以有不同的直徑。

另外，腔體遮罩11的環形內溝槽110、浮動環的環形梯部121及環形外壁122及底端遮罩131之上表面的彎折處皆為平滑曲線，能使真空製程作業下的氣體流場順暢，提高物理氣相沉積中晶圓鍍膜的均勻度。

在實施例中，進行物理氣相沉積時，晶圓2可藉由操作控制機制被晶圓承載組件13抬起並因此更靠近靶材（圖未示），使得晶圓2（例如晶圓2的背面22）上鍍膜更加均勻並可增進鍍膜效率。另外，腔體遮罩11、浮動環12、底端遮罩131、晶圓基座132及基座底板133的結構能集中電漿範圍，進而提高電漿效率。

請參閱圖9A至圖9B、圖10A至圖10B、以及圖 11A至圖11B，在實施例中，晶圓支撐銷134的數量是三個。圖9A至圖9B出示晶圓承載組件未承載晶圓的情況。圖10A至圖10B出示晶圓承載組件有承載晶圓2的情況，圖10A至圖10B出示抬起晶圓2時的情況。

如上所述，藉由本創作之用於物理氣相沉積的晶圓承載組件、套件及設備，晶圓由正面朝上翻面為背面朝上之後，能夠直接放置在晶圓承載組件上對背面進行物理氣相沉積。晶圓支撐銷可在晶圓正面向下的狀態不接觸晶圓正面的有效區域而抬起晶圓，並維持晶圓中心位置，進行物理氣相沉積製程時晶圓正面與晶圓基座維持一距離不接觸。因此，不需要先將圓正面黏附在基板即可在晶圓正面向下狀態運送，因而可以簡化製造流程，增進製程效率並且維持鍍膜的均勻度。另外，鍍膜遮蔽套件能夠延長腔體可進行物理氣相沉積製程的時間，並提高鍍膜均勻度，提升晶圓鍍膜效率。

上述內容概述了幾個實施例或示範例的特徵，以便本技術領域中具有通常知識者可更好地理解本揭露的各方面。本技術領域中具有通常知識者應認識到，其可很容易地將本揭露做為設計或修改其他製程及結構的基礎，以實現相同的目的及/或實現本文介紹的實施例或示範例的相同優勢。本技術領域中具有通常知識者還應該認識到，這種等效的結構並不偏離本揭露的精神和範圍，其可在不偏離本揭露的精神和範圍的情況下對本文進行各種改變、替代及改動。

1:套件 11:腔體遮罩 110:環形內溝槽 12:浮動環 121:環形梯部 122:環形外壁 123:環形底面定位溝槽 13:晶圓承載組件 131:底端遮罩 1311:定位凸環 1312:內環部 1313:環形頂面 1314:晶圓支撐銷孔 132:晶圓基座 133:基座底板 134:晶圓支撐銷 1340:柱狀體 1341:環狀平面 1342:錐狀凸出面 14:上蓋遮罩 2:晶圓 21:正面 22:背面 23:邊緣 M:箭頭

當結合所附圖式而閱讀時自以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據業界中之標準實踐，各種特徵件未按比例繪製。實際上，為了清楚論述起見，可任意增大或減小各種特徵件之尺寸。

圖1為根據一實施例用於晶圓的物理氣相沉積的套件的示意圖。

圖2為根據一實施例用於晶圓的物理氣相沉積的套件的剖面圖。

圖3A為根據一實施例用於晶圓的物理氣相沉積的套件的俯視圖。

圖3B為根據一實施例用於晶圓的物理氣相沉積的套件的剖面圖。

圖4為根據一實施例的腔體遮罩及上蓋遮罩的剖面圖。

圖5A為根據一實施例的浮動環的俯視圖。

圖5B為根據一實施例的浮動環的剖面圖。

圖5C為根據一實施例的浮動環遮蔽時的剖面圖。

圖6A為根據一實施例承載晶圓時的示意圖。

圖6B為根據一實施例抬起晶圓時的剖面圖。

圖6C為圖6B的局部放大圖。

圖7為根據一實施例的晶圓支撐銷的示意圖。

圖8A為根據一實施例的底端遮罩的俯視圖。

圖8B為根據一實施例的底端遮罩的局部放大圖。

圖9A為根據一實施例的晶圓承載組件未承載晶圓時的側視圖。

圖9B為根據一實施例的晶圓承載組件未承載晶圓時的示意圖。

圖10A為根據一實施例晶圓承載組件承載晶圓時的側視圖。

圖10B為根據一實施例晶圓承載組件承載晶圓時的示意圖。

圖11A為根據一實施例晶圓承載組件抬起晶圓時的側視圖。

圖11B為根據一實施例晶圓承載組件抬起晶圓時的示意圖。

1:套件

11:腔體遮罩

12:浮動環

13:晶圓承載組件

131:底端遮罩

132:晶圓基座

133:基座底板

134:晶圓支撐銷

14:上蓋遮罩

Claims (32)

1. 一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件，包括：一底端遮罩，具有複數個晶圓支撐銷孔，該等晶圓支撐銷孔係沿該底端遮罩的一開口內緣配置；以及複數個晶圓支撐銷，分別穿設於該等晶圓支撐銷孔，並配置為能夠穿過該等晶圓支撐銷孔。
2. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷的數量至少是三個。
3. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷接觸晶圓邊緣約2mm處。
4. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷的其中之一者包括：一柱狀體；一環狀平面，位於該柱狀體的頂端並環繞該柱狀體，用於頂起晶圓邊緣藉以支撐晶圓邊緣；以及一錐狀凸出面，位於該柱狀體的頂端，從該環狀平面凸出。
5. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷孔沿晶圓邊緣對應處配置，該等晶圓支撐銷配置為能夠穿過該等晶圓支撐銷孔而接觸晶圓邊緣。
6. 如請求項1所述之晶圓承載組件，更包括：一晶圓基座，被該底端遮罩所環設；以及一基座底板，附接於該晶圓基座之一底部，並承載該晶圓基座及該底端遮罩，其中，該等晶圓支撐銷通過該基座底板之外緣的內側、該晶圓基座之外緣 的內側及該底端遮罩，並從該等晶圓支撐銷孔突出，用以抬起晶圓邊緣。
7. 如請求項6所述之晶圓承載組件，其中該底端遮罩包括：一環形頂面；一內環部，位於該環形頂面之內緣；以及一定位凸環，位於該環形頂面上。
8. 如請求項7所述之晶圓承載組件，其中該內環部的直徑在286毫米至293毫米之間，並大於該晶圓基座的一上表面的直徑，該內環部套設於該晶圓基座的該上表面外。
9. 如請求項8所述之晶圓承載組件，其中該環形頂面係高於該晶圓基座之該上表面，該環形頂面的直徑在293毫米至298毫米之間，該環形頂面作為製程時承載晶圓之一環狀承載面。
10. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中，該等晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於該等晶圓支撐銷孔中。
11. 一種用於物理氣相沉積的晶圓承載組件，包括：一晶圓基座；以及複數個晶圓支撐銷，沿該晶圓基座之一外緣之內側配置。
12. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷的數量至少是三個。
13. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷接觸晶圓邊緣約2mm處。
14. 如請求項1所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷的其中之一者包括：一柱狀體；一環狀平面，位於該柱狀體的頂端並環繞該柱狀體，用於頂起晶圓邊緣藉 以支撐晶圓邊緣；以及一錐狀凸出面，位於該柱狀體的頂端，從該環狀平面凸出。
15. 如請求項11所述之晶圓承載組件，更包括：一底端遮罩，環設於該晶圓基座，並具有複數個晶圓支撐銷孔，該等晶圓支撐銷孔係沿該底端遮罩的一開口內緣配置，其中，該等晶圓支撐銷分別穿設於該等晶圓支撐銷孔，並配置為能夠穿過該等晶圓支撐銷孔而接觸晶圓邊緣。
16. 如請求項15所述之晶圓承載組件，更包括：一基座底板，附接於該晶圓基座之一底部，並承載該晶圓基座及該底端遮罩，其中，該等晶圓支撐銷通過該基座底板之外緣的內側、該晶圓基座之外緣的內側及該底端遮罩，並從該等晶圓支撐銷孔突出，用以抬起晶圓邊緣。
17. 如請求項16所述之晶圓承載組件，其中該底端遮罩包括：一環形頂面；一內環部，位於該環形頂面之內緣；以及一定位凸環，位於該環形頂面上。
18. 如請求項17所述之晶圓承載組件，其中該內環部的直徑在286毫米至293毫米之間，並大於該晶圓基座的一上表面的直徑，該內環部套設於該晶圓基座的該上表面外。
19. 如請求項18所述之晶圓承載組件，其中該環形頂面係高於該晶圓基座之該上表面，該環形頂面的直徑在293毫米至298毫米之間，該環形頂面作為製程時承載晶圓之一環狀承載面。
20. 如請求項15所述之晶圓承載組件，其中，該等晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於該等晶圓支撐銷孔中。
21. 一種用於晶圓的物理氣相沉積的套件，包括： 一浮動環；以及如請求項第1項至第20項之任一項所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷位在該浮動環正下方。
22. 如請求項21所述之套件，其中該浮動環包括：一環形梯部，位於該等晶圓支撐銷正上方，其中該環形梯部的內環直徑在294至298毫米之間，該環形梯部配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽該等晶圓支撐銷。
23. 如請求項22所述之套件，更包括：一腔體遮罩，包括一環形內溝槽；其中，該浮動環包括一環形外壁；其中，該底端遮罩配置為隨該晶圓承載組件之昇起而抵靠該浮動環，俾使該浮動環被頂起並且該浮動環的該環形外壁從該腔體遮罩的該環形內溝槽離開。
24. 如請求項23所述之套件，其中該浮動環與該底端遮罩配置為隨該晶圓承載組件之昇起而調整高度。
25. 如請求項23所述之套件，更包括：一上蓋遮罩，與該腔體遮罩、該浮動環及該晶圓承載組件形成用於晶圓上進行物理氣相沉積的一腔室。
26. 如請求項25所述之套件，其中該上蓋遮罩包括一環形表面，其具有一鋁化合物塗層。
27. 如請求項26所述之套件，其中該鋁化合物塗層之厚度在0.01至0.03英吋之間。
28. 一種用於晶圓的物理氣相沉積的套件，包括：一浮動環，包括一環形梯部、一環形底面定位溝槽以及一環形外壁； 一腔體遮罩，包括一環形內溝槽；以及如請求項7至9及請求項17至19之任一項所述之晶圓承載組件，其中該等晶圓支撐銷位在該浮動環正下方，該環形梯部係位於該等晶圓支撐銷正上方；其中，該底端遮罩配置為隨該晶圓承載組件之昇起而該底端遮罩的該定位凸環抵靠該浮動環之環形底面定位溝槽，俾使該浮動環被頂起並且該浮動環的該環形外壁從該腔體遮罩之該環形內溝槽離開。
29. 如請求項28所述之套件，其中該腔體遮罩的該環形內溝槽、該浮動環的該環形梯部及該環形外壁、以及該底端遮罩之一上表面的彎折處皆為平滑曲線。
30. 如請求項29所述之套件，其中，該等晶圓支撐銷係配置為能夠分別沒入於該等晶圓支撐銷孔中，該環形梯部配置為於進行物理氣相沉積時遮蔽該等晶圓支撐銷及該等晶圓支撐銷孔。
31. 一種用於晶圓的物理氣相沉積設備，包括：如請求項1至20之任一項所述之晶圓承載組件。
32. 一種用於晶圓的物理氣相沉積設備，包括：如請求項21至30之任一項所述之套件。