TWM630490U - 散熱模組 - Google Patents
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Abstract
本創作公開一種散熱模組。散熱模組包括一散熱片以及一導熱件。散熱片具有一第一表面及一第二表面,導熱件設置於散熱片的第一表面,且散熱片的第二表面經配置以鄰近設置在一發熱源的附近。導熱件鄰近第一表面的一表面的至少一部分具有一不平整面。
Description
本創作關於一種散熱模組,特別是關於一種金屬導熱片的防漏散熱模組。
目前常見之各式電子元件均朝微型化方向研發設計,且中央處理器(central processing unit,CPU)或圖形處理器(graphics processing unit,GPU)等元件因縮小化及效能大幅提升等諸多因素,容易於實際運作過程中產生高熱,影響整體運作效能。因此,必需利用微均溫板進行散熱。
現有散熱結構藉由散熱片設置於電子元件上,再利用風扇單元導引氣流將電子元件產生的熱能傳導至機殼外部。但由於機殼內部之各元件排列緊密,發熱源產生的熱量無法有效地往外排出,造成機殼內部產生溫升效應,加上熱量不斷累積的惡性循環下,若機殼內部的溫度無法保持在正常範圍,會影響整個電子裝置運作的可靠度及使用壽命,且會造成漏電的問題與超頻時溫度過高的問題。
此外,由於CPU製程朝向奈米化發展,且為提高運作效能及達到省電最佳化,在高效能( Turbo Function)運作下 ,CPU的核心可能會有部分產生極高的熱能量而導致CPU溫度急升,除了造成金屬散熱片破損的問題外,且發熱源位置不均勻也會造成散熱不穩定現象。
故,如何通過結構設計的改良,來提升散熱結構的散熱效果,來克服上述的缺陷,已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本創作所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種散熱模組。
為了解決上述的技術問題,本創作所採用的其中一技術方案是提供一種散熱模組,其包括一散熱片以及一導熱件。散熱片具有一第一表面及一第二表面,導熱件設置於散熱片的第一表面,且散熱片的第二表面經配置以鄰近設置在一發熱源的附近。導熱件鄰近第一表面的一表面的至少一部分具有一不平整面。
在一優選實施例,散熱片具有一第一狀態及一第二狀態。
在一優選實施例,不平整面具有至少一凸部。
在一優選實施例,凸部的一上表面為圓形、方形、三角形或多角形。
在一優選實施例,凸部為多個,多個凸部以至少一排設置於導熱件鄰近第一表面的表面。
在一優選實施例,凸部為多個,多個凸部以矩形陣列或環形陣列設置於導熱件鄰近第一表面的表面。
在一優選實施例,不平整面具有至少一凹部。
在一優選實施例,凹部的一底表面為圓形、方形、三角形或多角形。
在一優選實施例,凹部為多個,多個凹部以至少一排設置於導熱件鄰近第一表面的表面。
在一優選實施例,凹部為多個,多個凹部以矩形陣列或環形陣列設置於導熱件鄰近第一表面的表面。
在一優選實施例,散熱模組還包括一散熱組件,其設置導熱件鄰近第一表面的表面以外的其他表面。
本創作的其中一有益效果在於,本創作所提供的散熱模組,其能通過“散熱片具有第一表面及第二表面,導熱件設置於散熱片的第一表面,且散熱片的第二表面經配置以鄰近設置在發熱源的附近”及“導熱件鄰近第一表面的表面的至少一部分具有不平整面”的技術方案,可避免高功率晶片在運作時降頻的問題,及提升重複性測試時散熱的穩定性。此外,本創作所提供的散熱模組還能降低金屬散熱片因發熱源發熱位置不均勻及溫度急遽變化下造成的破損問題。
以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“散熱模組”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外,本創作的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1所示,本創作第一實施例提供一種散熱模組,其包括:一散熱片1及一導熱件2。散熱片1具有一第一表面11以及一第二表面12,導熱件2設置在散熱片1的第一表面11,散熱片1的第二表面12用以鄰近設置在一發熱源3的附近。
散熱片1可以包括高散熱係數的散熱材質,且具有一第一狀態以及一第二狀態。舉例來說,第一狀態可以為固態,第二狀態可以為液態,本創作不予限制。具體來說,當散熱片1吸收發熱源3運作時所產生的熱能能由第一狀態轉變為第二狀態(例如,由固態轉變為液態)。在一較佳實施例,散熱片1可以為液態金屬所形成。此外,散熱片1的尺寸及形狀可以根據實際應用或發熱源3的尺寸及形狀進行調整,本創作不予限制。
導熱件2可以為具良好熱傳導係數的金屬或非金屬所形成。在一較佳實施例,導熱件2為具良好熱傳導係數的金屬所形,例如但不限於,銅、銅合金、鋁、鋁合金、金、金合金、銀或銀合金。此外,導熱件2的尺寸及形狀可以根據實際應用或散熱片1的尺寸及形狀進行調整,本創作不予限制。
進一步來說,導熱件2鄰近散熱片1的表面的至少一部分具有一不平整面21。不平整面21可以對應散熱片1設置於導熱件2鄰近散熱片1的表面,且不平整面21的形狀及大小可以根據實際應用進行調整。在本實施例中,如圖2及圖3所示,不平整面21可以具有至少一凸部211a,且凸部211a可以為自導熱件2鄰近散熱片1的表面凸起所形成,或是自導熱件2鄰近散熱片1的表面向遠離散熱片1的方向形成凹陷圍繞以形成凸部211a。此外,自導熱件2鄰近散熱片1的表面上方觀察時,凸部211a的形狀可以為,例如但不限於,圓形、方形、三角形、多角形等。值得注意的是,凸部211a的高度可以根據實際應用進行調整,本創作不予限制。在一實施例中,凸部211a的形狀為方形,且凸部211a具有一寬度,較佳地,凸部211a的寬度為0.3 mm至1.5 mm。此外凸部211a具有一高度,較佳地,凸部211a的高度為0.02 mm至0.12 mm。
此外,凸部211a可以一預定圖案設置於不平整面21上。舉例來說,預定圖案可以為矩形陣列或環形陣列,但本創作不以此為限。在一較佳實施例,如圖2及圖3所示,凸部211a可以為多個,多個凸部211a可以至少一排的設置方式設置於導熱件2鄰近散熱片1的表面上,每一排的多個凸部211a以等間距的方式設置,且當多個凸部211a以多排方式形成於導熱件2鄰近散熱片1的表面時,每一排間可以等間距的方式平行設置,呈現矩形陣列的排列方式。
發熱源3可以為中央處理器(central processing unit,CPU)、圖形處理器(graphics processing unit,GPU)、微控制器(Microcontroller,MCU)、微處理器(Microprocessor,MPU)、特殊應用積體電路單元(application specific integrated circuit,ASIC)或其他電子元件,本創作不予限制。值得一提的是,發熱源3可以具有多個核心進行運作,也就是說,發熱源3的發熱位置可以不侷限在發熱源3的一個位置或整體,發熱源3可以在特定的幾個位置同時產生較高的溫度。
然而,上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[第二實施例]
參閱圖4及圖5所示,圖4為本創作第二實施例的導熱件的不平整面的示意圖。第二實施例與第一實施例主要不同之處在於,第二實施例的散熱模組的不平整面21具有至少一凹部。另外,須說明的是,第二實施例的散熱模組的其他結構與前述第一實施例相仿,在此不再贅述。
具體來說,在本實施例中,如圖4及圖5所示,不平整面21可以具有至少一凹部211b,且凹部211b可以為自導熱件2鄰近散熱片1的表面凹陷所形成,或是自導熱件2鄰近散熱片1的表面朝向散熱片1的方向形成凸起圍繞以形成凹部211b。此外,自導熱件2鄰近散熱片1的表面上方觀察時,凹部211b的形狀,例如但不限於,圓形、方形、三角形、多角形等。值得注意的是,凹部211b的深度可以根據實際應用進行調整,本創作不予限制。在一實施例中,凹部211b的形狀為方形,且凹部211b具有一寬度,較佳地,凹部211b的寬度為0.3 mm至1.5 mm。此外,凹部211b具有一深度,較佳地,凹部211b的深度為0.02 mm至0.12 mm。
此外,凹部211b可以一預定圖案設置於不平整面21上。舉例來說,預定圖案可以為矩形陣列或環形陣列,但本創作不以此為限。在一較佳實施例,如圖4及圖5所示,凹部211b可以為多個,多個凹部211b可以至少一排的設置方式設置於導熱件2鄰近散熱片1的表面上,每一排的多個凹部211b以等間距的方式設置,且當多個凹部211b以多排方式形成於導熱件2鄰近散熱片1的表面時,每一排間可以等間距的方式平行設置,呈現矩形陣列的排列方式。
然而,上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[第三實施例]
參閱圖6所示,圖6為本創作第三實施例的散熱模組的側視圖。第三實施例與第一實施例主要不同之處在於,第三實施例的散熱模組還包括一散熱組件。另外,須說明的是,第三實施例的散熱模組的其他結構與前述第一實施例及第二實施例相仿,在此不再贅述。
如圖6所示,散熱模組還包括一散熱組件4,散熱組件4可設置於導熱件2鄰近散熱片1的表面以外的其他表面,在一較佳實施例,散熱組件4設置於導熱件2遠離散熱片1的另一表面,亦即,散熱組件4及散熱片1設置在導熱件2的相對表面。
進一步來說,通過散熱組件4可以將發熱源產生的熱量進行散熱。散熱組件4可以是散熱鰭片、散熱器或水冷模組,只要可以在散熱模組中達到散熱的效果即可,本創作不以此為限。
然而,上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[實施例的有益效果]
本創作的其中一有益效果在於,本創作所提供的散熱模組,其能通過“散熱片具有第一表面及第二表面,導熱件設置於散熱片的第一表面,且散熱片的第二表面經配置以鄰近設置在發熱源的附近”及“導熱件鄰近第一表面的表面的至少一部分具有不平整面”的技術方案,可避免高功率晶片在運作時降頻的問題,及提升重複性測試時散熱的穩定性。此外,本創作所提供的散熱模組還能降低金屬散熱片因發熱源發熱位置不均勻及溫度急遽變化下造成的破損問題。
以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例,並非因此侷限本創作的申請專利範圍,所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本創作的申請專利範圍內。
1:散熱片
11:第一表面
12:第二表面
2:導熱件
21:不平整面
211a:凸部
211b:凹部
3:發熱源
4:散熱組件
圖1為本創作第一實施例的散熱模組的側視圖。
圖2為本創作第一實施例的導熱件的不平整面的示意圖。
圖3為圖2的III部分詳圖。
圖4為本創作第二實施例的導熱件的不平整面的示意圖。
圖5為圖4的V部分詳圖。
圖6為本創作第三實施例的散熱模組的側視圖。
1:散熱片
11:第一表面
12:第二表面
2:導熱件
3:發熱源
Claims (17)
- 一種散熱模組,其包括: 一散熱片,其具有一第一表面及一第二表面;以及 一導熱件,其設置於所述散熱片的所述第一表面; 其中,所述散熱片的所述第二表面經配置以鄰近設置在一發熱源的附近; 其中,所述導熱件鄰近所述第一表面的一表面的至少一部分具有一不平整面。
- 如請求項1所述之散熱模組,其中,所述散熱片具有一第一狀態及一第二狀態。
- 如請求項1所述之散熱模組,其中,所述不平整面具有至少一凸部。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部的一上表面為圓形、方形、三角形或多角形。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部的一寬度為0.3 mm至1.5 mm。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部的一高度為0.02 mm至0.12 mm。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部的一寬度為0.3 mm至1.5 mm,且所述凸部的一高度為0.02 mm至0.12 mm。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部為多個,多個所述凸部以至少一排設置於所述導熱件鄰近所述第一表面的所述表面。
- 如請求項3所述之散熱模組,其中,所述凸部為多個,多個所述凸部以矩形陣列或環形陣列設置於所述導熱件鄰近所述第一表面的所述表面。
- 如請求項1所述之散熱模組,其中,所述不平整面具有至少一凹部。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部的一底表面為圓形、方形、三角形或多角形。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部的一寬度為0.3 mm至1.5 mm。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部的一高度為0.02 mm至0.12 mm。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部的一寬度為0.3 mm至1.5 mm,且所述凹部的一高度為0.02 mm至0.12 mm。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部為多個,多個所述凹部以至少一排設置於所述導熱件鄰近所述第一表面的所述表面。
- 如請求項10所述之散熱模組,其中,所述凹部為多個,多個所述凹部以矩形陣列或環形陣列設置於所述導熱件鄰近所述第一表面的所述表面。
- 如請求項1所述之散熱模組,還包括: 一散熱組件,其設置於所述導熱件鄰近所述第一表面的所述表面以外的其他表面。
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