TWM617525U - 具主動式散熱之儲存裝置 - Google Patents

Abstract

一種具主動式散熱之儲存裝置，包含：一記憶體單元，具有晶片；一導熱片，貼附於晶片；一散熱單元，具有一散熱鰭片以及一金屬底蓋，散熱鰭片以及金屬底蓋之間具有一容置凹部，金屬底蓋接觸於散熱鰭片的底面且以及導熱片之上表面；一致冷晶片，設置於容置凹部且面向至少一個晶片的上表面，致冷晶片的冷面朝向金屬底蓋，且致冷晶片的熱面朝向散熱鰭片；以及一控制單元，控制單元接收記憶體單元的一記憶體單元溫度值，在記憶體單元溫度值高於一預設溫度值時致冷晶片為啟動。

Description

具主動式散熱之儲存裝置

本創作相關於一種儲存裝置，特別是相關於一種具主動式散熱之儲存裝置。

隨著儲存裝置的讀寫、傳輸速度的提升，同時也帶來不可忽視的發熱問題。在長時間大量讀寫過程中所產生大量的熱量集中在體積小巧的晶片，會導致過熱而觸發保護機制，使得性能下降甚至是壽命縮短。

為了解決過熱問題，習知的儲存裝置大多是採用被動式散熱。被動式散熱一般為空冷，而透過散熱鰭片將熱量散至空氣。然而這種散熱方式的散熱效率不佳，往往需要在擁擠的機殼內部配合多個風扇才能達到一定的散熱效果。

因此，本創作的目的即在提供一種具主動式散熱之儲存裝置，相較於僅使用散熱鰭片，具有較佳的散熱效果。

本創作為解決習知技術之問題所採用之技術手段係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，包含：一記憶體單元，具有一電路板以及該電路板上的複數個晶片；一導熱片，貼附於複數個該晶片；一散熱單元，具有一散熱鰭片以及一金屬底蓋，該散熱鰭片之底面具有一散熱接觸面，該散熱鰭片以及該金屬底蓋之間具有一容置凹部，該金屬底蓋之上表面接觸於該散熱接觸面且該金屬底蓋之下表面接觸於該導熱片之上表面；一致冷晶片，設置於該容置凹部且設置為被該散熱單元及導熱片相隔而面向複數個該晶片的至少一個的上表面，該致冷晶片的冷面朝向該金屬底蓋，且該致冷晶片的熱面朝向該散熱鰭片；以及一控制單元，連接於該致冷晶片以控制該致冷晶片，該控制單元接收記憶體單元的一記憶體單元溫度值，在記憶體單元溫度值高於一預設溫度值時該致冷晶片為啟動。

在本創作的一實施例中係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，該記憶體單元為一固態硬碟，複數個該晶片的至少一個為主控晶片，該致冷晶片面向該主控晶片的上表面。

在本創作的一實施例中係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，該記憶體單元為一主記憶體。

在本創作的一實施例中係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，該控制單元設置於該電路板。

在本創作的一實施例中係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，該控制單元連接於一電腦端，該控制單元接收的該記憶體單元溫度值為來自該電腦端。

在本創作的一實施例中係提供一種具主動式散熱之儲存裝置，該記憶體單元具有一溫度感測器，該控制單元連接於該溫度感測器以接收該記憶體單元溫度值。

經由本創作的具主動式散熱之儲存裝置所採用之技術手段，在記憶體單元溫度值高於預設溫度值時，控制單元控制致冷晶片為啟動，而從被動式散熱轉變成主動式散熱。在記憶體單元溫度值降回低於預設溫度值時，控制單元控制致冷晶片為關閉。藉此，本創作的具主動式散熱之儲存裝置能在散熱需求高的時候，具有較佳的散熱效率，而在散熱需求低的時候，具有較低的能源消耗。

以下根據第1圖至第6圖，而說明本創作的實施方式。該說明並非為限制本創作的實施方式，而為本創作之實施例的一種。

如第1圖至第3圖所示，依據本創作的第一實施例的一具主動式散熱之儲存裝置100，包含：一記憶體單元1、一導熱片2、一散熱單元3、一致冷晶片4以及一控制單元5。

記憶體單元1具有一電路板11以及複數個晶片12。晶片12為設置於電路板11上的其中一側或二側。在本實施例中，記憶體單元1為一固態硬碟。固態硬碟的晶片12包括快閃記憶體13以及主控晶片14。而在其他實施例中，記憶體單元1也可以是一主記憶體。

導熱片2貼附於複數個晶片12。詳細而言，導熱片2為貼附於電路板11其中一面的所有晶片12，以使所有晶片12能較均勻的傳熱及散熱。在本實施例中，導熱片2為矽膠材料的片體，利用矽膠材料的高導熱係數將導熱片2貼附之晶片12所發出的熱迅速的傳出。再者，導熱片2為軟質的材料，在多個晶片12的高度有落差時，導熱片2仍能貼附到多個晶片12。此外，導熱片2為絕緣的材料，以避免電流通過導熱片2而對電子元件產生干擾。在其他實施例中，導熱片2也可以是具有高導熱係數的硬質材料。

散熱單元3具有一散熱鰭片31以及一金屬底蓋32。散熱鰭片31之底面具有一散熱接觸面311。散熱鰭片31以及該金屬底蓋32之間具有一容置凹部33。金屬底蓋32之上表面接觸於散熱接觸面311且該金屬底蓋32之下表面接觸於該導熱片2之上表面。

如第3圖及第4圖所示，致冷晶片4設置於容置凹部33。在本實施例中，容置凹部33是位於散熱鰭片31的底面的一凹孔，使致冷晶片4的上表面及完整的側表面受容置凹部33罩覆，而使致冷晶片4嵌於散熱鰭片31中。當然，本創作不限於此，容置凹部33也可以是一缺口，使致冷晶片4的部分的側表面受容置凹部33罩覆。

如第2圖至第4圖所示，致冷晶片4設置為被導熱片2及散熱單元3的金屬底蓋32相隔而面向至少一個晶片12的上表面。致冷晶片4的冷面41朝向該金屬底蓋32，且該致冷晶片4的熱面42朝向該散熱鰭片31。藉此，使得金屬底蓋32透過致冷晶片4將熱傳遞到散熱鰭片31，且使得金屬底蓋32受到致冷晶片4降溫。

致冷晶片4的冷面41及熱面42分別設有冷面導熱膠43以及熱面導熱膠44，以提高金屬底蓋32與致冷晶片4之間的導熱效率，以及提高致冷晶片4與散熱鰭片31之間的導熱效率。

在本實施例中，記憶體單元1為固態硬碟，而固態硬碟於運作時，主控晶片14的溫度會高於快閃記憶體13的溫度。致冷晶片4面向主控晶片14的上表面而與主控晶片14重疊，以針對記憶體單元1最熱的元件進行散熱。致冷晶片4僅與主控晶片14重疊而與快閃記憶體13沒有重疊，而達到致冷晶片4之最佳的單位面積效率。當然，在其他實施例中，致冷晶片4是與主控晶片14重疊以外，也可以是同時與至少一個快閃記憶體13重疊，而達到整體較佳的散熱效果。

如第3圖所示，控制單元5連接於該致冷晶片4以控制致冷晶片4。控制單元5接收記憶體單元1的一記憶體單元溫度值。在記憶體單元溫度值高於一預設溫度值時，控制單元5控制該致冷晶片4為啟動，而使本創作從被動式散熱轉變成主動式散熱。在記憶體單元溫度值降回低於預設溫度值時，控制單元5控制致冷晶片4為關閉。藉此，本創作的具主動式散熱之儲存裝置100能在散熱需求高的時候，具有較佳的散熱效率，而在散熱需求低的時候，具有較低的能源消耗。

如第3圖所示，在本實施例中，控制單元5為與記憶體單元1的電路板11分離設置。而在其他實施例中，控制單元5也可以是設置於電路板11，與記憶體單元1整合在一起。

控制單元5連接於一電腦端，以接收來自電腦端的記憶體單元溫度值。控制單元5亦接收來自電腦端的電能，以控制輸送到致冷晶片4的電。而在其他實施例中，控制單元5也可以是連接於記憶體單元1的溫度感測器，以接收記憶體單元溫度值，而無須透過電腦端傳遞。

在本實施例中，具主動式散熱之儲存裝置100是透過一夾具6將而將記憶體單元1與散熱單元3進行固定。

如第5圖所示，依據本創作的第二實施例的具主動式散熱之儲存裝置100a，其結構與第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置100大致相同，差別在於：容置凹部33是位於金屬底蓋32的頂面，使致冷晶片4的下表面及完整的側表面受金屬底蓋32罩覆，而使致冷晶片4嵌於金屬底蓋32中。

如第6圖所示，依據本創作的第三實施例的具主動式散熱之儲存裝置100b，其結構與第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置100大致相同，差別在於：容置凹部33是位於散熱鰭片31的底面以及金屬底蓋32的頂面，而使致冷晶片4部分嵌於散熱鰭片31中，另一部分嵌於金屬底蓋32中。

以上之敘述以及說明僅為本創作之較佳實施例之說明，對於此項技術具有通常知識者當可依據以下所界定申請專利範圍以及上述之說明而作其他之修改，惟此些修改仍應是為本創作之創作精神而在本創作之權利範圍中。

100:具主動式散熱之儲存裝置 100a:具主動式散熱之儲存裝置 100b:具主動式散熱之儲存裝置 1:記憶體單元 11:電路板 12:晶片 13:快閃記憶體 14:主控晶片 2:導熱片 3:散熱單元 31:散熱鰭片 311:散熱接觸面 32:金屬底蓋 33:容置凹部 4:致冷晶片 41:冷面 42:熱面 43:冷面導熱膠 44:熱面導熱膠 5:控制單元 6:夾具

［第1圖］為顯示根據本創作的第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置的爆炸示意圖； ［第2圖］為顯示根據本創作的第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置的爆炸示意圖； ［第3圖］為顯示根據本創作的第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置於另一角度的爆炸示意圖； ［第4圖］為顯示根據本創作的第一實施例的具主動式散熱之儲存裝置的側視剖面圖； ［第5圖］為顯示根據本創作的第二實施例的具主動式散熱之儲存裝置的側視剖面圖； ［第6圖］為顯示根據本創作的第三實施例的具主動式散熱之儲存裝置的側視剖面圖。

100:具主動式散熱之儲存裝置

1:記憶體單元

3:散熱單元

4:致冷晶片

5:控制單元

6:夾具

Claims (6)

1. 一種具主動式散熱之儲存裝置，包含： 一記憶體單元，具有一電路板以及該電路板上的複數個晶片； 一導熱片，貼附於複數個該晶片； 一散熱單元，具有一散熱鰭片以及一金屬底蓋，該散熱鰭片之底面具有一散熱接觸面，該散熱鰭片以及該金屬底蓋之間具有一容置凹部，該金屬底蓋之上表面接觸於該散熱接觸面且該金屬底蓋之下表面接觸於該導熱片之上表面； 一致冷晶片，設置於該容置凹部且設置為被該散熱單元及導熱片相隔而面向複數個該晶片的至少一個的上表面，該致冷晶片的冷面朝向該金屬底蓋，且該致冷晶片的熱面朝向該散熱鰭片；以及 一控制單元，連接於該致冷晶片以控制該致冷晶片，該控制單元接收記憶體單元的一記憶體單元溫度值，在記憶體單元溫度值高於一預設溫度值時該致冷晶片為啟動。
2. 如請求項1之具主動式散熱之儲存裝置，其中該記憶體單元為一固態硬碟，複數個該晶片的至少一個為主控晶片，該致冷晶片面向該主控晶片的上表面。
3. 如請求項1之具主動式散熱之儲存裝置，其中該記憶體單元為一主記憶體。
4. 如請求項1之具主動式散熱之儲存裝置，其中該控制單元設置於該電路板。
5. 如請求項1之具主動式散熱之儲存裝置，其中該控制單元連接於一電腦端，該控制單元接收的該記憶體單元溫度值為來自該電腦端。
6. 如請求項1之具主動式散熱之儲存裝置，其中該記憶體單元具有一溫度感測器，該控制單元連接於該溫度感測器以接收該記憶體單元溫度值。

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