TWM578701U

TWM578701U - Wafer protective film structure

Info

Publication number: TWM578701U
Application number: TW108201698U
Authority: TW
Inventors: 吳坤發; 詹貿翔; 徐蓁棋
Original assignee: 吳坤發; 詹貿翔; 徐蓁棋
Priority date: 2019-02-01
Filing date: 2019-02-01
Publication date: 2019-06-01
Also published as: JP3221770U

Abstract

本新型涉及一種晶圓保護膜結構，其包含有：一晶圓，係設為薄圓片狀，並佈滿數個待切割的晶片；及一保護層，係由溫水、聚乙烯醇、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉、α-烯基磺酸鈉所混合的液體，將該液體覆蓋於晶圓的數個待切割的晶片上面而形成一保護層；藉由該保護膜，其薄度小而提升雷射的穿透力，晶圓切割時保護佳，可避免缺角，且噴渣範圍小，可減少對晶圓的傷害。

Description

晶圓保護膜結構

本新型涉及一種半導體製程領域，尤指一種晶圓保護膜結構之範疇。

按，半導體製程中所形成的晶圓結構，其包含絕緣膜和功能性膜堆疊於晶圓的表面上，其藉數道交錯的分割線(即界道；streets)分隔，以界定出晶片，亦即沿著界道切割晶圓而可得到數個晶片。

但隨著半導體裝置的性能提升且晶圓界道寬度變窄，使切割之精準度要求提高，但伴隨而來的過熱效應問題，會導致切割道因熱而崩裂、破片等，此儼然成為雷射切割製程中之重要課題。

晶圓切割製程從舊式的刀片切割晶圓，演變為目前新式雷射切割製程，其為先沿著界道施以雷射光，藉此形成與切割刀(切割邊緣)寬度相稱的溝槽，之後以磨輪刀片切割。

但是，雷射光沿著晶圓的界道施作時，有雷射光被吸收的問題，例如雷射光被矽晶圓所吸收的熱，會導致矽熔解或熱分解，因此而產生噴渣會沉積在晶片表面上。

因此，進行切割晶圓作業時，所使用晶圓的保護膜必須具備相當好的保護性，否則容易因保護膜破裂，而使切割作業所形成的噴渣滲入，而嚴重損及晶圓晶片的品質。

緣此，鑑於一般切割晶圓作業的問題點，於是本新型創作人創造出一種晶圓保護膜結構，故本新型之主要目的在於：提供一種保護性佳的晶圓保護膜結構。

為達上述目的，本新型運用了如下技術手段：

本新型關於一種晶圓保護膜結構，本新型一種晶圓保護膜結構，其包含有：一晶圓，係設為薄圓片狀，且該晶圓表面佈滿數個待切割的晶片；及一保護層，係由溫水、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，簡稱PVA)、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉(Sodium Laureth Sulfate)、α-烯基磺酸鈉(Sodium α-Olefin Sulfonate)所混合的液體，將該液體覆蓋於晶圓表面，而形成一保護層。

上述該保護層的聚乙烯醇含有2%~7%、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉與α-烯基磺酸鈉共含有2%~10%，剩餘則為83%~96%的溫水。

上述該溫水設為50~70度C的水。

因此，本新型晶圓保護膜結構運用上述技術手段，可以達成如下功效：

1.本新型保護膜薄度小，可增加雷射穿透力；換言之亦可降低雷射光強度減少10%，進而減少雷射的用電量。

2.本新型保護膜可使雷射切割噴渣範圍小，減少對晶圓及晶片的傷害，且對底層保護好。

3.本新型保護膜的保護性佳，可避免雷射切割時讓晶片產生缺角。

4.本新型保護膜親水性超級優，很容易溶解於水，即該保護膜很容易被水清除。

1‧‧‧晶圓

11‧‧‧晶片

12‧‧‧界道

2‧‧‧保護層

3‧‧‧雷射

4‧‧‧噴渣

圖1：本新型晶圓保護膜結構之外觀圖。

圖2：本新型晶圓保護膜結構之剖面圖。

圖3：本新型晶圓保護膜成份之示意圖。

圖4：本新型晶圓保護膜結構進行雷射切割作業之示意圖。

首先，請參閱圖1、圖2及圖3所示，本新型係涉及一種晶圓保護膜結構係包含有：一晶圓1及一保護層2,其中該保護層2形成於該晶圓1的表面。

該晶圓1，係設為薄圓片狀，如圖1所示，且該晶圓1經過半導體製程後，其表面佈滿數個待切割的晶片11；及一保護層2，如圖2及圖3所示，係由溫水、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，簡稱PVA)、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉(Sodium Laureth Sulfate)、α-烯基磺酸鈉(Sodium α-Olefin Sulfonate)所混合的液體，將該液體淋於並覆蓋於晶圓1表面，而形成一保護層2。進一步，該保護層2的聚乙烯醇含有2%~7%、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉與α-烯基磺酸鈉共含有2%~10%，剩餘則為83%~96%的溫水，而該溫水設為50~70度C的水。

請參閱圖2及圖3所示，藉由將83%~96%且50~70度C的溫水、2%~7%的聚乙烯醇、2%~10%的十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉及α-烯基磺酸鈉，在定壓定溫的無塵室環境下，混合成液體，再將該液體淋於並覆蓋於晶圓1表面，而形成一保護層2，然後經由雷射切割機的雷射3對該晶圓1進行雷射切割作業，如圖4所示，進而切割出兩兩相鄰晶片11的界道12出來，且在該界道12旁會產生有一些噴渣4，而這些噴渣4被保護層2所隔離出，進而不會刮傷及傷害到晶片11產生缺角，且很易以清水來沖洗出這些噴渣4及保護層2，以利該晶圓1進行下一個製程。

綜上所述，本新型係關於一種晶圓保護膜結構，且其構成結構均未曾見於諸書刊或公開使用，誠符合專利申請要件，懇請鈞局明鑑，早日准予專利，至為感禱；需陳明者，以上所述乃是本案之具體實施例及所運用之技術原理，若依本案之構想所作之改變，其所產生之功能作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之精神時，均應在本案之範圍內，合予陳明。

Claims

一種晶圓保護膜結構，其包含有：一晶圓，係設為薄圓片狀，且該晶圓表面佈滿數個待切割的晶片；及一保護層，係由溫水、聚乙烯醇、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉、α-烯基磺酸鈉所混合的液體，將該液體覆蓋於晶圓表面，而形成一保護層。
如請求項1所述晶圓保護膜結構，其中該保護層的聚乙烯醇含有2%~7%、十二烷基聚氧乙醚硫酸鈉與α-烯基磺酸鈉共含有2%~10%，剩餘則為83%~96%的溫水。
如請求項1或2所述晶圓保護膜結構，其中該溫水設為50~70度C的水。