CN105098007A - 一种倒装led芯片结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种倒装LED芯片结构及其制造方法，所述方法采用激光表面浅切割用以形成切痕，再经过ICP刻蚀处理或其他处理方法对切痕表面进行处理，获得与现有技术具有相同功用的隔离槽，隔离槽上覆盖有绝缘保护层，经切割分离后可对芯片侧壁断面的外延层构成完整有效的阻隔保护，避免了芯片封装过程中漏电、电路不良等情况的发生。与现有技术手段相比，结构性能可靠，工艺手段简单易实施。

Description

一种倒装LED芯片结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种倒装发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)芯片结构及其制造方法。

背景技术

倒装LED属于发光二极管的一种，与正装LED相比，倒装LED的出光面设置于芯片靠近衬底的一侧，由于其特殊的结构使得它具备耐大电流、电压低、光效高、无需打线等优势，近年来受到越来越多的重视。

倒装LED芯片一般被设计成矩形，其结构自下而上包含有衬底、外延层、电流扩展层、反射层(可由电流扩展层兼做)、绝缘层、焊接层等结构。其中外延层自下而上一般为缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、与第一半导体层电性相异的第二半导体层。现有技术中，倒装LED芯片位于边缘一圈的外延层将被完全移除掉形成一隔离槽，这与正装结构LED芯片工艺中仅将边缘一圈的外延层移除至第一半导体层处有显著不同。其原因在于，芯片经过切割裂片后，其侧壁将完全裸露在外，两种封装结构的焊线方式不同：正装LED芯片由金属线焊接引入，焊盘接触面积小，位置精确可控，几乎不会出现两极焊盘同时接触到芯片侧壁的情况；而倒装LED芯片是采用锡膏、银胶等导电粘接材料将芯片的正负焊接层直接粘结在封装基板的对应正负位置上。多数情况下当锡膏或银胶涂布不均，或胶量过大时，芯片与其粘接时锡膏或银胶会溢流出焊盘区域，容易粘接在芯片侧壁。若芯片侧壁存在有第一半导体层，则鉴于第一半导体层的导电性，注入电流将通过第一半导体层连通正负焊盘，导致漏电、电路不良等异常情况发生。为了避免上述情况，在倒装LED芯片中，会在芯片的表面覆盖有一层绝缘保护层，隔离层的表面也被绝缘保护层保护，但是在保护层膜质较脆、粘附性不佳的情况下，倘若切割裂片施力不当，位于芯片边缘断开处的保护层就有可能碎裂、脱落，从而失去保护功效，此时若有可以导电的第一半导体层存在，遇到上述焊接不良，也会导致芯片漏电、电路不良等异常的发生。

但是，在倒装LED芯片中，将芯片边缘一圈的外延层完全移除掉形成隔离槽比较不易，外延层的厚度一般在5-7um，现有技术手段中主要依靠电感耦合等离子体(InductiveCoupledPlasma，简称ICP)刻蚀方法进行刻蚀移除芯片边缘一圈的外延层形成隔离槽。具体的，首先，需要制造高选择比的掩蔽层，用于保护芯片有效区域，掩蔽层的材料可以是金属、氧化物、光刻胶等；然后，要施以光刻、湿法腐蚀等手段裸露出隔离槽轮廓，再经过长时间或多次ICP刻蚀形成隔离槽；最后，清洗移除剩余的掩蔽层。掩蔽层的材料的获得和制造本身颇为不易，ICP刻蚀耗时较长，对ICP刻蚀设备产能利用率有很大影响。因此，现有技术的方法工序复杂且工艺控制及维护也比较困难。

发明内容

本发明提供一种倒装LED芯片结构及其制造方法，以解决现有技术中在LED芯片结构的隔离槽的工艺复杂的问题。

本发明第一方面提供一种倒装发光二极管LED芯片结构，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底之上，所述外延层自下而上依次包括：缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层的电性和所述第二半导体层的电性相反；

电流扩展层，位于所述第二半导体层之上；

反射层，部分或全部位于所述电流扩展层之上；

隔离槽，所述隔离槽位于相邻的两个芯片的边框位置，所述隔离槽由激光镭射切割得到，所述隔离槽自上而下贯穿所述外延层，并延伸至所述衬底，所述倒装LED芯片结构上包括多颗芯片；

绝缘保护层，覆盖在所述隔离槽以及所述多颗芯片的上表面；

焊接金属层，部分位于所述绝缘层保护层之上。

可选的，所述隔离槽的开口呈V型或U性，所述隔离槽的开口宽度为4-8微米，所述隔离槽的深度为8-20微米。

本发明第二方面提供一种倒装LED芯片结构的制造方法，所述方法用于制造第一方面提供的倒装LED芯片结构，所述方法包括：

形成位于衬底上的外延层，所述外延层自下而上依次包括：缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层的电性和所述第二半导体层的电性相反；

在所述外延层上形成非永久保护层；

根据芯片的预设尺寸在所述外延层的表面上进行激光镭射切割，形成切痕，所述切痕形成的矩形区域为单颗芯片的位置，所述切痕延伸至所述衬底，所述倒装LED芯片结构上包括多颗芯片；

分别在所述多颗芯片的上表面形成掩蔽层，对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽；

去除所述掩蔽层，形成电流扩展层、反射层和绝缘保护层，其中，所述电流扩展层位于所述第二半导体层之上，所述反射层部分或全部位于所述电流扩展层之上，所述绝缘保护层覆盖在所述隔离槽以及所述多颗芯片的上表面；

形成焊接金属层，所述焊接金属层部分位于所述绝缘保护层之上；

对所述倒装LED芯片结构进行裂片，形成所述多颗芯片。

可选的，所述对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽，包括：

对所述倒装LED芯片结构进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，以去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成所述隔离槽，所述多颗芯片由于所述掩蔽层的保护不被刻蚀。

可选的，所述对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽，包括：

将所述倒装LED芯片结构置于200-400℃的强酸中3-10分钟，通过所述强酸对所述倒装LED芯片结构的切痕内壁进行腐蚀，去除所述第二半导体层、所述发光层以及所述第一半导体层的部分形成所述隔离槽，所述多颗芯片由于所述掩蔽层的保护不被所述强酸腐蚀，所述强酸为浓硫酸、浓磷酸、浓硫酸和浓磷酸形成的混合酸。

可选的，所述隔离槽的开口呈V型或U性，所述隔离槽的开口宽度为4-8微米，所述隔离槽的深度为8-20微米。

可选的，所述对所述倒装LED芯片结构进行裂片，形成所述多颗芯片，包括：

对所述倒装LED芯片结构进行研磨减薄，并对所述衬底进行隐形切割，所述隐形切割所形成的切痕与所述隔离槽在垂直方向上处在同一轴线位置，在所述衬底一侧施力，以使所述倒装LED芯片结构从背面断裂。

可选的，所述非永久保护层的材料包括：金属、非金属氧化物、可旋涂有机材料。

本发明提供的倒装LED芯片结构及其制造方法，所述方法采用激光表面浅切割用以形成切痕，再经过ICP刻蚀处理或其他处理方法对切痕表面进行处理，获得与现有技术具有相同功用的隔离槽，隔离槽上覆盖有绝缘保护层，经切割分离后可对芯片侧壁断面的外延层构成完整有效的阻隔保护，避免了芯片封装过程中漏电、电路不良等情况的发生。与现有技术手段相比，结构性能可靠，工艺手段简单易实施。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的侧视图；

图2为本发明实施例二提供的倒装LED芯片结构的制造方法的流程图；

图3为激光镭射切割后形成的切痕与芯片、切割道之间的相对位置的示意图；

图4为经激光镭射切割后形成的切痕的侧面图；

图5为采用本实施例的方法形成的一种隔离槽的侧面图；

图6为倒装LED芯片结构减薄后隐形切割位置与施力劈裂方向位置示意图；

图7为根据本实施例的方法获得的倒装LED芯片结构局部放大图。

附图标记说明：

10：衬底；

11：外延层；

110：缓冲层；

111：第一半导体层；

112：发光层；

113：第二半导体层；

12：隔离槽；

001：芯片；

200：切痕；

002：切割道；

003：焊接金属层；

004：绝缘保护层；

201：切痕。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本发明实施例一提供的倒装LED芯片结构的侧视图，如图1所示，本实施例提供的倒装LED芯片结构包括：衬底10、外延层11，外延层11位于衬底10之上，外延层11自下而上依次包括：缓冲层110、本征半导体层(图中未示出)、第一半导体层111、发光层112和第二半导体层113，第一半导体层111的电性和第二半导体层113的电性相反。倒装LED芯片结构还包括：电流扩展层(图中未示出)、反射层(图中未示出)、隔离槽12、绝缘保护层(图中未示出)和焊接金属层(图中未示出)。

其中，电流扩展层位于第二半导体层113之上，反射层部分或全部位于电流扩展层之上，隔离槽12，所述隔离槽位于相邻的两个芯片的边框位置，隔离槽12由激光镭射切割得到，隔离槽12自上而下贯穿外延层11，并延伸至衬底10，倒装LED芯片结构上包括多颗芯片；绝缘保护层覆盖在隔离槽13以及多颗芯片的上表面，焊接金属层，部分位于绝缘层保护层之上。

本实施例中，隔离槽12的开口呈V型或U性，隔离槽12的开口宽度为4-8微米，隔离槽12的深度为8-20微米。

本实施例提供的倒装LED芯片结构，其上的隔离槽由激光镭射切割得到，工艺简单，结构性能可靠，并且在隔离槽上覆盖有绝缘保护层，后续对倒装LED芯片结构进行切割的过程中，可对芯片侧壁断面的外延层构成完整有效的阻隔保护，避免了芯片封装过程中漏电、电路不良等情况的发生。

图2为本发明实施例二提供的倒装LED芯片结构的制造方法的流程图，如图2所示，本实施例提供的方法可以包括以下步骤：

步骤101、形成位于衬底上的外延层。

步骤102、在外延层上形成非永久保护层。

例如采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)方式沉积氧化硅、旋涂的方式在外延层表面形成有机薄膜。该非永久保护层的材料包括：金属、非金属氧化物、可旋涂有机材料等。

步骤103、根据芯片的预设尺寸在外延层的表面上进行激光镭射切割，形成切痕，切痕形成的矩形区域为单颗芯片的位置，切痕延伸至衬底，该倒装LED芯片结构上包括多颗芯片。

图3为激光镭射切割后形成的切痕与芯片、切割道之间的相对位置的示意图，如图3所示，首先，按照芯片001的预设尺寸对晶圆的外延层施以表面进行激光镭射切割，由切割形成连续的切痕200将晶圆划分成大小相等的矩形区域，则预设芯片的尺寸将被限定在每一个矩形区域内。芯片与芯片之间预设有切割道002，目的是供后续沿切割道方向切割使得芯片彼此分开。切痕200的位置和宽度均被严格定义在切割道002以内。

图4为经激光镭射切割后形成的切痕的侧面图，如图4所示，切痕200的侧面将呈V型，当然，切横的位置还可以是U型、矩形或其他形状。切痕200的深度应由上而下贯穿外延层直至衬底材料中。在通常情况下，通过调节激光的功率、切割速度、焦深等参数可使得切痕200的深度以及宽度可控。以通常的外延层的总厚度5-7um为例，则保证切痕200自上而下完全贯穿外延层的最小深度即为5-7um。在本实施例中，选择切痕200深度在8-20um为最佳。在此条件下，既可以确保切痕200处的外延层完全隔断，又不会对有着430um左右厚度的晶圆的机械加工强度产生影响，保证了其在芯片加工过程中不致因切割而破裂。

通过调整激光束斑大小，可使得切痕200宽度4-8um。该宽度完全满足现有技术条件下芯片间的切割道12-30um的限定范围内。并且这样使得V型或U型缺口侧壁与水平面呈现一定角度而不致过于陡直，使得切痕200在后续的刻蚀清理、成膜覆盖、光刻显影等环节有更好的表现。

步骤104、分别在多颗芯片的上表面形成掩蔽层，对倒装LED芯片结构进行处理去除切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽。

在多颗芯片的上表面(即上述切痕200所划定的矩形边界内)上，依靠光刻、蚀刻等手段获得芯片形状的掩蔽层。掩蔽层材料可以是光刻胶(Photoresist，简称PR)、氧化硅、氮化硅、金属等，或者其组合。例如上述的非永久保护层材料若是氧化硅，则经过切割后，可对其实施光刻和化学蚀刻，去除冗余部分，保留下来的有效区域可以作为掩蔽层材料，除芯片表面之外的外延层以及切痕被裸露在外，没有掩蔽层。

激光烧灼外延层表面容易产生焦灼物，这些焦灼物熔化后又快速冷却回沾到切痕200的两侧，永久保护层可用于收集这些焦灼物，因此，可以对非永久保护层进行清洗或移除，在清洗或移除非永久保护层的过程中，可将附着于其上的焦灼物一并去除。

一种实施方式中，可以对倒装LED芯片结构进行ICP刻蚀，ICP被施加于掩蔽层、裸露的外延层以及切痕之上。通过该方法可以去除切痕200内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成，从而使得部分第一半导体层裸露，形成隔离槽13，而多颗芯片由于掩蔽层的保护不被刻蚀。由于切痕200具有较大的V型或U型开口，使得ICP能够更好的作用移除吸光的激光焦灼物，亦能清除V型或U型切痕底部的残留的外延层残留物，使得切痕200符合倒装芯片中对隔离槽的定义，采用ICP对切痕刻蚀后形成的隔离槽如图1所示，图1中隔离槽12中的V型切痕即通过激光切割形成的切痕200，V型切痕上的矩形口即切割道200。

另一种实施方式中，相比较前一种实施方式，区别在于可利用强酸对外延材料具腐蚀性，对利用激光切割形成的切痕200进一步处理，目的在于改变切痕200形貌使得所获得的隔离槽12具备更宽的开口度，并且可进一步避免因激光切割烧灼物对芯片出光的影响。

以常用的基于倒装LED芯片结构所采用的蓝宝石衬底材料来说明，蓝宝石具有很高的硬度以及化学稳定性，几乎不溶于任何酸碱溶液。然而构成外延层的材料却因其中所掺杂的元素不同使得其在较为严格的条件下可被酸碱所腐蚀。利用该特性，可对倒装LED芯片结构的切痕形貌进行进一步优化使其具备更佳的出光结构。

若采用强酸腐蚀对切痕200进行处理，则相应的在形成非永久保护层时所用的材料要具有强酸碱耐蚀性，例如，氧化硅或氮化硅，或者其它具强酸碱耐蚀性的材料，非永久保护层的厚度为3000-10000A。

该种方式中，需要将倒装LED芯片结构置于200-400℃的强酸中3-10分钟，通过强酸对倒装LED芯片结构的切痕200内壁进行腐蚀，去除第二半导体层、发光层以及述第一半导体层的部分形成隔离槽12，多颗芯片由于掩蔽层的保护不被强酸腐蚀，强酸为浓硫酸、浓磷酸、浓硫酸和浓磷酸形成的混合酸。混合酸的比例可以是浓硫酸：浓磷酸＝1:3或者1:5，强酸在特定温度下对外延材料具缓慢腐蚀性，而对蓝宝石材料以及外延表面所覆盖的氧化硅或氮化硅材料腐蚀性微弱。则强酸或混合酸将选择性的只针对切痕200内侧壁作用，不仅可以有效的去除激光产生的烧灼物，并可使得切痕200向内溃缩，形成更大的底部开口或者倒梯形截面，有利于光从侧壁的取出。

可以进一步采用氢氟酸或BOE(HF配方缓冲液)对非永久性保护层进行去除，再施以等离子干法刻蚀以进一步确定形貌，得到图5所示的隔离槽，图5为采用本实施例的方法形成的一种隔离槽的侧面图。

步骤105、去除掩蔽层，形成电流扩展层、反射层和绝缘保护层，其中，电流扩展层位于第二半导体层之上，反射层部分或全部位于电流扩展层之上，绝缘保护层覆盖在隔离槽以及多颗芯片的上表面。

可以湿法腐蚀或清洗去除掩蔽层，然后在未被刻蚀的第二半导体层之上形成一电流扩展层，电流扩展层的材料可以是铟锡氧化物(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌锡(ZTO)/氧化铟(IZO)等，也可以是铬/铝锡金银钛镍等金属或合金。

可以用常规方法形成反射层，反射层用于将发光层发出的朝向第二半导体层的光线反射回芯片内部并从衬底侧射出。因此，反射层被设置于至少具备第一半导体层、发光层结构的区域之上。反射层材料可以是分布式布拉格反射层，或者是金属反射层，或者是二者的组合。当反射层材料是布拉格反射层或者布拉格反射层与金属反射层的组合时，由于布拉格反射层形成材料为绝缘氧化物，所以布拉格反射层也可以兼具绝缘保护层覆盖于隔离槽200上表面，当反射层材料是金属材料时，则覆盖区域将被限制在具有第一半导体层和发光层结构的区域内。

可以用常规方法形成绝缘保护层，绝缘保护层004的材质可以是SiO2、SiN、Al2O3等一种或其组合，用于保护芯片表面非电学接触的部分，且绝缘保护层应完全覆盖于隔离槽12的表面。

步骤106、形成焊接金属层，焊接金属层部分位于所述绝缘保护层之上。

可以用常规手段形成焊接金属层，图3中003表示焊接金属层，焊接金属层的材料可以是Cr/Al/Ti/Ni/Au但不限于这些金属的组合形式。

步骤107、对倒装LED芯片结构进行裂片，形成多颗芯片。

具体的，可以按照常规方法对倒装LED芯片结构进行研磨减薄，并以普通方式于倒装芯片的衬底面实施激光切割。优选的，可以用激光穿透衬底材料进入内部对衬底进行隐形切割，该隐形切割所形成的切痕与隔离槽在垂直方向上处在同一轴线位置，然后，在衬底一侧施力，以使倒装LED芯片结构从背面断裂，获得分离的多颗芯片。

图6为倒装LED芯片结构减薄后隐形切割位置与施力劈裂方向位置示意图，如图6所示，由隐形切割形成的内部切痕201与由激光表面切割形成的隔离槽12在垂直方向上处在同一轴线位置，该“轴线”位置芯片结构强度最低，所以当经由劈刀对衬底面施力202时，芯片将沿着轴线方向断裂，此时断裂处可恰好在隔离槽12底部，V型或U型面将一分为二分别归属于不同的芯片，同时避免了因切割乱裂而造成保护层破碎的风险。

图7为根据本实施例的方法获得的倒装LED芯片结构局部放大图，如图7所示，在隔离槽12的表面覆盖有绝缘保护层004。

本发明实施例二的方法相比较于传统工艺具有显而易见的优势：非永久保护材料的获得与形成比干法刻蚀掩蔽层的获得更加方便，且无需光刻蚀刻以定型，简化了工艺流程。激光切割方法成熟可靠，而采用热酸二次处理侧壁的方法加工时间短，工序简单，适合批量作业。相比较长时间的等离子刻蚀，加工效率有了明显提升。

值得一提的是，本发明提供的倒装LED芯片结构及其制作方法，广义上是旨在采用浅切割以及对浅切痕的二次加工，用于获得在倒装LED芯片上所必须的隔离槽。因此，针对倒装LED芯片凡是符合上述要素而形成的隔离槽及其结构，都应视为本发明所应主张而未做说明的实施例范畴。对于不同的衬底及外延材料，以及不同的工艺设计，所述的获得浅切割的方法以及二次加工的方法和条件也可以是不同的。例如可采用砂轮或钻石刀机械切割，或采用激光多次切割以形成并列的或重叠的多重浅切痕等。辅助以不同的二次加工条件，皆可获得最佳的具备本发明结构特征的隔离槽形貌。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种倒装发光二极管LED芯片结构，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底之上，所述外延层自下而上依次包括：缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层的电性和所述第二半导体层的电性相反；

电流扩展层，位于所述第二半导体层之上；

反射层，部分或全部位于所述电流扩展层之上；

隔离槽，所述隔离槽位于相邻的两个芯片的边框位置，所述隔离槽由激光镭射切割得到，所述隔离槽自上而下贯穿所述外延层，并延伸至所述衬底，所述倒装LED芯片结构上包括多颗芯片；

绝缘保护层，覆盖在所述隔离槽以及所述多颗芯片的上表面；

焊接金属层，部分位于所述绝缘层保护层之上。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于，所述隔离槽的开口呈V型或U性，所述隔离槽的开口宽度为4-8微米，所述隔离槽的深度为8-20微米。

3.一种倒装发光二极管LED芯片结构的制造方法，所述方法用于制造权利要求1-2任一所述的倒装LED芯片结构，其特征在于，所述方法包括：

形成位于衬底上的外延层，所述外延层自下而上依次包括：缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层的电性和所述第二半导体层的电性相反；

在所述外延层上形成非永久保护层；

根据芯片的预设尺寸在所述外延层的表面上进行激光镭射切割，形成切痕，所述切痕形成的矩形区域为单颗芯片的位置，所述切痕延伸至所述衬底，所述倒装LED芯片结构上包括多颗芯片；

分别在所述多颗芯片的上表面形成掩蔽层，对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽；

去除所述掩蔽层，形成电流扩展层、反射层和绝缘保护层，其中，所述电流扩展层位于所述第二半导体层之上，所述反射层部分或全部位于所述电流扩展层之上，所述绝缘保护层覆盖在所述隔离槽以及所述多颗芯片的上表面；

形成焊接金属层，所述焊接金属层部分位于所述绝缘保护层之上；

对所述倒装LED芯片结构进行裂片，形成所述多颗芯片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽，包括：

对所述倒装LED芯片结构进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，以去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成所述隔离槽，所述多颗芯片由于所述掩蔽层的保护不被刻蚀。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述倒装LED芯片结构进行处理去除所述切痕内壁的第二半导体层、发光层以及部分第一半导体层形成隔离槽，包括：

将所述倒装LED芯片结构置于200-400℃的强酸中3-10分钟，通过所述强酸对所述倒装LED芯片结构的切痕内壁进行腐蚀，去除所述第二半导体层、所述发光层以及所述第一半导体层的部分形成所述隔离槽，所述多颗芯片由于所述掩蔽层的保护不被所述强酸腐蚀，所述强酸为浓硫酸、浓磷酸、浓硫酸和浓磷酸形成的混合酸。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述隔离槽的开口呈V型或U性，所述隔离槽的开口宽度为4-8微米，所述隔离槽的深度为8-20微米。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述倒装LED芯片结构进行裂片，形成所述多颗芯片，包括：

对所述倒装LED芯片结构进行研磨减薄，并对所述衬底进行隐形切割，所述隐形切割所形成的切痕与所述隔离槽在垂直方向上处在同一轴线位置，在所述衬底一侧施力，以使所述倒装LED芯片结构从背面断裂。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述非永久保护层的材料包括：金属、非金属氧化物、可旋涂有机材料。