TWM564655U - Vacuum breaking structure of vacuum generator - Google Patents

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TWM564655U
TWM564655U TW107206364U TW107206364U TWM564655U TW M564655 U TWM564655 U TW M564655U TW 107206364 U TW107206364 U TW 107206364U TW 107206364 U TW107206364 U TW 107206364U TW M564655 U TWM564655 U TW M564655U
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Taiwan
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TW107206364U
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游平政
宇威寰
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台灣氣立股份有限公司
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Abstract

一種真空發生器之真空破壞結構,其本體內部設有輸入埠、真空埠、排出埠、以及一真空發生器,透過該真空發生器將從該輸入埠供給的氣壓流體轉為負壓,使該真空埠得以進行吸著機構之動作,而一真空破壞電磁閥配合設置於該本體內通連至該真空埠的一導流通道,能使該輸入埠輸入之氣壓流體部份通過該真空破壞電磁閥,另一真空破壞二口二位閥,則同樣設於該導流通道內,用以提升通過之氣壓流體的流量,藉以讓真空埠切換真空破壞狀態的反應更為靈敏。

Description

真空發生器之真空破壞結構
本創作係關於一種真空發生器之真空破壞結構,該本體內部設置有一真空破壞電磁閥,當本體內部呈真空發生或真空保持狀態下,將一真空破壞二口二位閥設置與該真空破壞電磁閥相通連至真空埠的一導流通道內,藉以提升氣壓流體通過之流量,使切換至真空破壞狀態的反應速度更為靈敏之目的。
習用的真空發生器(90),請參閱如第5圖所示,其中可見一真空發生器(90),其內部包含有一輸入埠(91)、一真空埠(92)、一排出埠(93),且各埠透過通路相通連,該通路中還設置有一真空發生電磁閥(95)與一真空破壞電磁閥(96),而該輸入埠(91)主要用於供一氣壓源(94)輸入用,而排出埠(93)則是供氣壓源(94)輸出用,該真空埠(92)則係連接吸著機構所用;
當該氣壓源(94)透過流體路徑(941),通過該真空發生電磁閥(95)進行運作時,得以將原本正壓轉為負壓,使該真空埠(92)產生真空吸力,藉以達到前述吸著機構之用途,此處氣壓源轉換之詳細過程,於本創作領域係為常見技術,故不加以贅述;
然而,再請參閱如第6圖所示,其係為第5圖中的真空破壞電磁閥(96)的局部放大示意圖,該真空破壞電磁閥(96)通常會具有供前述氣壓源(94)輸入用的一輸入口(962)、以及一輸出口(963),當真空發生器(90)呈真空發生狀態需進行真空解除時,一般會透過該真空破壞電磁閥(96)將輸入口(962)所流入之氣壓源(94),經由閥出氣口(961)推動後,讓該氣壓源(94)得以透過輸出口(963)排出,藉以解除真空狀態。
其中,該真空破壞電磁閥(96)破壞真空發生狀態的流量,通常會局限於該閥出氣口(961)的面積,而當真空發生器(90)的容量越大時,則真空破壞電磁閥(96)與其它相關構件之體積將會增加許多,故憑藉前述結構於實際應用與研究後知悉,其有必須改善之缺點。
本創作係為一種真空發生器之真空破壞結構,其主要技術性目的,係利用額外將一真空破壞二口二位閥設於該導流通道內,透過該真空破壞電磁閥輸出之流量再一次驅動,使其破壞真空的流量得以不受限於原有的真空破壞電磁閥,讓其破壞真空發生狀態的反應更為靈敏。
其次要技術性目的,在於將一逆止閥設置於該真空埠與排出埠兩者之間,讓該真空埠於真空發生吸著機構時,能配合該真空發生電磁閥停止運作,讓能充滿負壓的真空埠形成真空保持狀態。
本創作真空發生器之真空破壞結構,其係由具備輸入埠、真空埠、排出埠、以及一真空發生電磁閥的一本體,加以配合一真空破壞電磁閥所組成,而其中該真空破壞電磁閥配合設置於該本體內通連至該真空埠的一導流通道,能使該輸入埠輸入之氣壓流體的部份通過該真空破壞電磁閥,而另有一真空破壞二口二位閥設於該導流通道內,藉以提升通過之氣壓流體的流量,使該真空埠切換真空破壞狀態的反應更為靈敏之目的。
通常根據本創作,該最佳之可行之實施例,並配合圖式第1〜4圖詳細說明後,俾增加對本創作之瞭解;
本創作係為一種真空發生器之真空破壞結構,其結構包含有:一本體(10),其內部具有供一氣壓流體(P)連接的一輸入埠(101)、連接至吸著機構的一真空埠(102)、用於將該輸入埠(101)所供給的氣壓流體(P)排出至外部的一排出埠(103)、以及用於在從該輸入埠(101)所供給壓力流體(P)之作用下產生負壓(PB)的一真空發生電磁閥(11),其前述吸著機構像例如:吸著墊(suction pad)等,透過維持吸著之狀態下運送,並藉由破壞真空狀態來取消吸著狀態,使附有吸著機構的工件被釋放在預定的位置上。
一真空破壞電磁閥(20),配合設於該本體(10)內通連至該真空埠(102)的一導流通道(12),能使該輸入埠(101)輸入之氣壓流體(P)部份通過該真空破壞電磁閥(20),而該導流通道(12)內更設有一真空破壞二口二位閥(21),主要設於該真空破壞電磁閥(20)的後端,當氣壓流體(P)通過該真空破壞電磁閥(20)後,再次進入至該真空破壞二口二位閥(21)後,能藉以提升通過之氣壓流體(P)的流量,進而使該真空埠(102)於切換真空破壞狀態的反應更為靈敏;
而由第1圖所示,可見本體(10)內部的輸入埠(101)、真空埠(102)、排出埠(103)之間設有許多通道及構件,藉以相互連接讓氣壓流體(P)得以從正壓(PA)轉為負壓(PB),進一步達到吸著機構的目的;
再請參閱如第2圖所示,當氣壓流體(P)由輸入埠(101)輸入後,會先經由內部通道,分別傳送至該真空發生電磁閥(11)及真空破壞電磁閥(20)內,且兩者電磁閥都各具備有一輸入口及輸出口,而通過該真空發生電磁閥(11)的氣壓流體(P)隨通道流至該排出埠(103),其過程中都係為正壓(PA),且於通過該排出埠(103)前會轉換為負壓(PB),使該真空埠(102)產生真空吸力;其前述氣壓流體(P)流通至該真空破壞電磁閥(20)的輸入口,就不再流通,藉此讓真空埠(102)能產生吸著機構的功能。
再請參閱如第3圖所示,當完成真空發生狀態時,則將真空發生電磁閥(11)的輸入口關閉,此時的氣壓流體(P)將不能在該本體(10)內繼續流通,而位於該真空埠(102)與該排出埠(103)之間另外還設有一逆止閥(104),當排出埠(103)內沒有正壓(PA)通過排出時,該逆止閥(104)將會關閉,藉此得以讓該真空埠(102)維持著吸著機構的情況,也就是真空保持狀態。
然而,再請參閱如第4圖所示,當前述真空保持狀態時,若要進行解除時,則該真空破壞電磁閥(20)將會開啟輸入口,讓該氣壓流體(P)經內部流通至輸出口排出,而前述導流通道(12)之定義係於該真空破壞電磁閥(20)從輸出口至真空埠(102)的此段通道,後續則延該導流通道(12)至該真空埠(102)排出正壓(PA),藉此破壞真空狀態,而達到解除吸著機構之目的;
其前述導流通道(12)內,更設有一破壞調整鈕(22),其主要設於該導流通道(12)至真空埠(102)的中間,更詳細而言是位於該真空破壞二口二位閥(21)的後段,主要能用以控制通過該真空破壞二口二位閥(21)流通之氣壓流體(P)的流量大小;而前述真空埠(102)內更設有一真空過濾器(1021),主要能供該真空埠(102)流入之流體所含粉塵移除。
綜上所述,本創作真空發生器之真空破壞結構,主要透過該真空破壞電磁閥(11)配合導流通道(12)增加設置一真空破壞二口二位閥(21),藉以使通過該真空破壞電磁閥(11)的氣壓流體(P),再次透過該真空破壞二口二位閥(21)提升氣壓流體(P)的流量,讓破壞真空狀態的流量能夠滿足,且更進一步透過利用該真空埠(102)與排出埠(103)之間設置的逆止閥(104),能使真空吸著機構的狀態不需持續輸入該氣壓流體(P),亦能保持一定時間進行動作。
(10)‧‧‧本體
(101)‧‧‧輸入埠
(102)‧‧‧真空埠
(1021)‧‧‧真空過濾器
(103)‧‧‧排出埠
(104)‧‧‧逆止閥
(11)‧‧‧真空發生電磁閥
(12)‧‧‧導流通道
(20)‧‧‧真空破壞電磁閥
(21)‧‧‧真空破壞二口二位閥
(22)‧‧‧破壞調整鈕
(P)‧‧‧氣壓流體
(PA)‧‧‧正壓
(PB)‧‧‧負壓
(90)‧‧‧真空發生器
(91)‧‧‧輸入埠
(92)‧‧‧真空埠
(93)‧‧‧排出埠
(94)‧‧‧氣壓源
(941)‧‧‧流體路徑
(95)‧‧‧真空發生電磁閥
(96)‧‧‧真空破壞電磁閥
(961)‧‧‧閥出氣口
(962)‧‧‧輸入口
(963)‧‧‧輸出口
[第1圖]係為本創作於準備狀態的結構示意圖。 [第2圖]係為本創作於真空發生狀態的結構示意圖。 [第3圖]係為本創作於真空保持狀態的結構示意圖。 [第4圖]係為本創作於真空破壞狀態的結構示意圖。 [第5圖]係為本創作於習用技術的結構示意圖。 [第6圖]係為本創作於第5圖的局部結構放大示意圖。

Claims (4)

  1. 一種真空發生器之真空破壞結構,包含有:一本體(10),其內部具有:供一氣壓流體(P)連接的一輸入埠(101)、連接至吸著機構的一真空埠(102)、用於將該輸入埠(101)所供給的氣壓流體(P)排出至外部的一排出埠(103)、以及用於在從該輸入埠(101)所供給壓力流體(P)之作用下產生負壓(PB)的一真空發生電磁閥(11);其特徵在於:一真空破壞電磁閥(20),配合設於該本體(10)內通連至該真空埠(102)的一導流通道(12),能使該輸入埠(101)輸入之氣壓流體(P)部份通過該真空破壞電磁閥(20),而一真空破壞二口二位閥(21),設於該導流通道(12)內,用以提升通過之氣壓流體(P)的流量,使該真空埠(102)切換真空破壞狀態的反應更為靈敏。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之真空發生器之真空破壞結構,其中,更包含有:一逆止閥(104),設於該真空埠(102)與該排出埠(103)之間,使該真空埠(102)於真空發生吸著機構時,配合該真空發生電磁閥(11)停止運作,能讓充滿負壓(PB)的該真空埠(102)形成真空保持狀態。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之真空發生器之真空破壞結構,其中,該導流通道(12)更包含有:一破壞調整鈕,設置於該導流通道(12)至真空埠(102)的中間,能用以控制由該真空破壞二口二位閥(21)流通的氣壓流體(P)的流量大小。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之真空發生器之真空破壞結構,其中,該本體(10)更包含有:一真空過濾器(1021),設於該真空埠(102)內,該真空過濾器(1021)能將從該真空埠(102)流入之流體所含粉塵移除。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI695948B (zh) * 2019-03-28 2020-06-11 台灣氣立股份有限公司 大容量真空控制裝置

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