TWM555982U - 高遮蔽性emi屏蔽膜 - Google Patents
高遮蔽性emi屏蔽膜 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM555982U TWM555982U TW106213089U TW106213089U TWM555982U TW M555982 U TWM555982 U TW M555982U TW 106213089 U TW106213089 U TW 106213089U TW 106213089 U TW106213089 U TW 106213089U TW M555982 U TWM555982 U TW M555982U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- release
- shielding film
- film according
- emi shielding
- Prior art date
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本創作係關於軟性印刷線路板(FPC)用薄型化屏蔽膜技術領域,特別係關於一種高遮蔽性電磁干擾(EMI)屏蔽膜。
在電子及通訊產品趨向多功能複雜化的市場需求下,電路基板的構造趨向更輕、薄、短、小,而在功能上,則需要強大且高速訊號傳輸。因此,線路密度勢必提高,載板線路之間的間距離越來越近,以及工作頻率朝向高寬頻化,再者,加上若線路佈局、佈線不合理下,電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)的情形越來越嚴重,因此,必須有效管理電磁相容(Electromagnetic Compatibility,EMC),從而維持電子產品的正常訊號傳遞及提高可靠度。輕薄且可隨意彎曲的特性,使得軟板在走向訴求可攜帶式資訊與通訊電子產業的發展上佔有舉足輕重的地位。
由於電子通訊產品更臻小趨勢,驅使軟板必須承載更多更強大功能,另一方面由於可攜式電子產品走向微小型,也跟著帶動高密度軟板技術的高需求量,功能上則要求強大且高頻化、高密度、細線化的情況之下,目前市場
上已推出了用於薄膜型FPC的屏蔽膜,在手機、數位照相機、數位攝影機等小型電子產品中被廣泛採用。
市面上的電磁干擾屏蔽膜吸水率高達1.0至1.5%,會導致在高溫高濕情況下具有可靠度上的風險,又一般屏蔽膜外層難以剝離離型膜,導致操作性不佳。此外,當前屏蔽膜一般會要求消光(霧面)形態的低光澤度值(low gloss)的產品外觀,而其光澤度值(gloss)普遍偏高。本創作提供一種高遮蔽性EMI屏蔽膜,以解決上述遇到的技術問題以及需求。
本創作之主要目的在於提供一種高遮蔽性EMI屏蔽膜,具有電氣特性好、抗化性佳、遮罩性能高、接著強度佳、傳輸損失少、傳輸品質高、吸水率低、信賴度佳等特性,相較一般的電磁屏蔽膜具有更高的可靠度以及操作性,且可以調整表面的光澤度值,從而取代一般屏蔽膜。
為解決前述技術問題,本創作提供一種高遮蔽性EMI屏蔽膜,包括:黑色霧面絕緣層,其厚度係2至12μm;金屬層,其厚度係0.01至8μm;內層絕緣層,位於該黑色霧面絕緣層和該金屬層之間,其中,該內層絕緣層之厚度係2至12μm,且其與該金屬層接觸的表面為粗糙面;以及導電膠層,係形成於該金屬層上,使該金屬層位於該內層絕緣層和該導電膠層之間表面,其中,該導電膠層的厚度係2至25μm。
於一具體實施例中,該金屬層與該導電膠層接觸的表
面為具有峰谷的不平整面。
於一具體實施例中,復包括消光離型層,係貼合於該黑色霧面絕緣層上,該消光離型層與該黑色霧面絕緣層接觸的表面為內表面,該消光離型層的內表面的Rz值係0.2至5μm。
於一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層及該內層絕緣層構成硬度係HB至5H的疊構。
於一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層以入射角60°測試之光澤度係0至60%。
於一具體實施例中,該內層絕緣層與該金屬層接觸的表面之Rz值係大於或等於0.01μm,且小於0.5μm。
於一具體實施例中,本創作之高遮蔽性EMI屏蔽膜之厚度係6.01至57μm。
於一具體實施例中,該金屬層係單層結構。
於一具體實施例中,該金屬層係由第一金屬子層和第二金屬子層構成的雙層結構。
於一具體實施例中,該導電膠層係具有複數導電粒子的單層導電膠層。
於一具體實施例中,該導電膠層係包括相互疊合之具有複數導電粒子之第一子膠層和不具有導電粒子之第二子膠層,其中,該第二子膠層黏接於該金屬層,且位於該金屬層與第一子膠層之間。
於一具體實施例中,高遮蔽性EMI屏蔽膜復包括離型層,係貼合於該導電膠層上,使該導電膠層位於該金屬
層與該離型層之間。
其中,該離型層係選自下列結構:一、該離型層係離型膜,該離型膜的厚度25至100μm,該離型膜為PET氟塑離型膜、PET含矽油離型膜、PET亞光離型膜和PE離型膜中的至少一種;二、該離型層係離型紙,該離型紙的厚度係25至130μm,該離型紙為PE淋膜紙;三、該離型層係低黏著載體膜,且其離型力係5至500g/5cm,該低黏著載體膜的厚度係25至100μm。
此外,該屏蔽膜為更薄型化時,該金屬層的厚度係0.01至2μm。而該金屬層的厚度係2至6μm時,屏蔽膜遮罩性較佳。
另一方面,該黑色霧面絕緣層以入射角60°測試之光澤度係0至30%。
本創作之高遮蔽性EMI屏蔽膜至少具有以下優點:
一、本創作之高遮蔽性EMI屏蔽膜包括黑色霧面絕緣層、內層絕緣層、金屬層和導電膠層,且該高遮蔽性EMI屏蔽膜的厚度僅為6.01至57μm;
二、本創作之高遮蔽性EMI屏蔽膜表層係黑色霧面絕緣層,光澤度低,能夠滿足下游要求;
三、本創作之黑色霧面絕緣層及該內層絕緣層構成硬度係HB至5H的疊構,高硬度可以防止表面刮傷,且不易被下游製程中的化學試劑腐蝕,耐候性佳;所述內層絕緣層係粗糙面,此結構為金屬層提供了良好的接著力和填充
面積,該黑色霧面絕緣層與該內層絕緣層使屏蔽膜成品具有良好的硬度、機械強度、耐繞曲性能,此外,這種雙層絕緣層的設計可以改善製程塗佈不均造成的表面pin hole(針孔)問題;
四、本創作的金屬層與該導電膠層接觸的表面為具有峰谷的不平整面,不僅可以增加其與該導電膠層的接著力,而且在導電膠層較薄時,金屬層的下表面可直接刺穿導電膠層後接地,增強遮罩性能;又該設計可以降低導電膠層的厚度,能進一步保證更低的吸水率,提高屏蔽膜的穩定性;
五、本創作的黑色霧面絕緣層表面貼合消光離型層,且其為表面粗糙度(Rz值)0.2至5μm的消光離型層,透過此形態使屏蔽膜的黑色霧面絕緣層與離型層較易分離,從而大大提高了下游終端可操作性,同時該消光離型層在屏蔽膜快壓成型後,撕去離型層後,有助於黑色霧面絕緣層表面形態為消光形態。
六、本創作的金屬層採用單層或雙層結構,可有效提升抗氧化能力與傳導性,可以提高信賴度與遮罩性能,當金屬層厚度介於0.1至1μm時,可達到60至70dB的遮蔽率,當厚度達到1μm以上,可以達到70dB以上的遮蔽率;
七、本創作的導電膠層之一實施態樣係包括相互疊合之具有複數導電粒子之第一子膠層和不具有導電粒子之第二子膠層的雙層結構,其中,該第二子膠層黏接於該金屬層,且位於該金屬層與第一子膠層之間,不具有導電粒子
之第二子膠層能增加金屬層與具有複數導電粒子的導電黏著層之間的結合力;更佳的是,於下游製程壓合於FPC後,該複數導電粒子因樹脂材料受到熱壓而刺穿變薄的子膠層,與金屬層直接導通,使得該金屬層與印刷電路板上的接地走線直接接觸導通,進而軟板上的接地走線形成導通電路,經由一段時間下使得該導電膠層達到完全交聯固化以維持良好電性及機械物性,使得軟板接地阻抗值減低,達到降低電磁波干擾的目的。
1‧‧‧屏蔽膜
100‧‧‧消光離型層
200‧‧‧黑色霧面絕緣層
300‧‧‧內層絕緣層
400‧‧‧金屬層
401‧‧‧第一金屬子層
402‧‧‧第二金屬子層
500‧‧‧導電膠層
501‧‧‧第一子膠層
502‧‧‧第二子膠層
600‧‧‧離型層
第1圖係顯示本創作屏蔽膜之結構示意圖;以及第2圖係顯示本創作屏蔽膜之另一結構示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本創作之其他優點及功效。
須知,本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示之內容,以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀,並非用以限定本創作可實施之限定條件,故不具技術上之實質意義,任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整,在不影響本創作所能產生之功效及所能達成之目的下,均應仍落在本創作所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時,本說明書中所引用之如「上」、「第一」、「第二」及「一」等之用語,亦僅為便於敘述之明瞭,而非用以限定本創作可實施之範圍,其相對
關係之改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本創作可實施之範疇。
本創作提供一種高遮蔽性EMI屏蔽膜1,如第1圖和第2圖所示,包括:黑色霧面絕緣層200,其厚度係2至12μm;金屬層400,其厚度係0.01至8μm;內層絕緣層300,位於該黑色霧面絕緣層200和該金屬層400之間,其中,該內層絕緣層300之厚度係2至12μm,且其與該金屬層400接觸的表面為粗糙面;以及導電膠層500,係形成於該金屬層400上,使該金屬層400位於該內層絕緣層300和該導電膠層500之間表面,其中,該導電膠層500的厚度係2至25μm。於本創作之一具體實施例中,該屏蔽膜1為更薄型化時,該金屬層400的厚度係0.01至2μm;該屏蔽膜1屏蔽性較佳時,所需金屬層400的厚度係2至6μm。
於本創作之一具體實施例中,該金屬層400與該導電膠層500接觸的表面為具有峰谷的不平整面。
於本創作之一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層200的表面覆蓋有消光離型層100,該消光離型層100與該黑色霧面絕緣層200接觸的表面為內表面,該消光離型層100的內表面之Rz值係0.2至5μm。
於本創作之一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層200以入射角60°測試之光澤度係0至60%。
於本創作之一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層200及該內層絕緣層300構成硬度係HB至5H的疊構。
於本創作之一具體實施例中,該黑色霧面絕緣層200以入射角60°測試之光澤度係0至30%,該黑色霧面絕緣層200及該內層絕緣層300構成硬度係2H至5H的疊構。
於本創作之一具體實施例中,該內層絕緣層300與該金屬層400接觸的表面之Rz值係大於或等於0.01μm,且小於0.5μm,較佳地,該內層絕緣層與該金屬層接觸的表面之Rz值係大於或等於0.08μm,且小於0.5μm。
於本創作之一具體實施例中,該屏蔽膜1的厚度係6.01至57μm。
於本創作之一具體實施例中,該金屬層400係下列兩種結構中的一種:一、該金屬層400係單層結構,如第1圖所示;二、該金屬層係由第一金屬子層401和第二金屬子層402構成的雙層結構,該金屬子層在逐層表面上依序形成,如第2圖所示。
該導電膠層500為下列這兩種結構中的一種:一、該導電膠層500係具有導電粒子的單層導電膠層或不含導電粒子的單層導電膠層,如第2圖所示;二、該導電膠層500為雙層結構,且該導電膠層係由一層不具有導電粒子的黏著層(即第一子膠層501)和一層具有複數導電粒子的導電黏著層(即第二子膠層502)疊合構成,其中,不具有導電粒子的黏著層黏接於該金屬層和該具有複數導電粒子的導電黏著層之間,如第1圖所示。
其中,該導電膠層500的表面有離型層600,該離型
層係下列兩種結構中的一種:一、該離型層係離型膜,該離型膜的厚度25至100μm,該離型膜為PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)氟塑離型膜、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)含矽油離型膜、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)亞光離型膜和PE(聚乙烯)離型膜中的至少一種;二、該離型層係離型紙,該離型紙的厚度係25至130μm,該離型紙為PE淋膜紙;三、該離型層係低黏著載體膜,且其離型力係5至500g/5cm,該低黏著載體膜的厚度係25至100μm。
該導電膠層500為吸水率介於0.01%至0.9%之間的導電膠層。
於本創作之下列實施例中,實施例1、2和5的金屬層係單層結構,且分別為銅箔層、銀箔層和鋁箔層,實施例3、4、6和7的金屬層係雙層結構,且第一金屬子層和第二金屬子層依序分別為銀箔層與銅箔層、銀箔層與銅箔層、鋁箔層與鎳箔層以及銅箔層與鋁箔層。
由實施例可知,在金屬層在0.2至0.5μm時,就可以達到60至70dB的高遮蔽率,而當金屬層厚度增加至3至8μm時,甚至可以達到80至100dB,而其導通電阻值在嚴苛環境下仍可以保持極低維持其遮罩性能,具有極佳的信賴度。
在嚴苛環境,特別是於雙85(85℃及85%濕度)下的高溫高濕環境,於可靠度方面比起市面吸水率較高屏蔽膜(如前述比較例)具有極大的優越性,能夠維持低電阻值使得遮罩功能不失效。
上述實施例係用以例示性說明本創作之原理及其功效,而非用於限制本創作。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本創作之精神及範疇下,對上述實施例進行修改。因此本創作之權利保護範圍,應如後述之申請專利範圍所列。
100‧‧‧消光離型層
200‧‧‧黑色霧面絕緣層
300‧‧‧內層絕緣層
400‧‧‧金屬層
500‧‧‧導電膠層
501‧‧‧第一子膠層
502‧‧‧第二子膠層
600‧‧‧離型層
Claims (19)
- 一種高遮蔽性EMI屏蔽膜,包括:黑色霧面絕緣層,其厚度係2至12μm;金屬層,其厚度係0.01至8μm;內層絕緣層,位於該黑色霧面絕緣層和該金屬層之間,其中,該內層絕緣層之厚度係2至12μm,且其與該金屬層接觸的表面為粗糙面;以及導電膠層,係形成於該金屬層上,使該金屬層位於該內層絕緣層和該導電膠層之間,其中,該導電膠層的厚度係2至25μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該金屬層與該導電膠層接觸的表面係具有峰谷的不平整面。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,復包括消光離型層,係貼合於該黑色霧面絕緣層上,且該消光離型層與該黑色霧面絕緣層接觸的表面為內表面,該消光離型層的內表面的Rz值係0.2至5μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該黑色霧面絕緣層及該內層絕緣層構成硬度係HB至5H的疊構。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該黑色霧面絕緣層以入射角60°測試之光澤度係0-60%。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜, 其中,該內層絕緣層與該金屬層接觸的表面之Rz值大於或等於0.01μm,且小於0.5μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其厚度係6.01至57μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該金屬層係單層結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該金屬層係由第一金屬子層和第二金屬子層構成的雙層結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該導電膠層係具有複數導電粒子。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該導電膠層係包括相互疊合之具有複數導電粒子之第一子膠層和不具有導電粒子之第二子膠層,其中,該第二子膠層黏接於該金屬層,且位於該金屬層與第一子膠層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,復包括離型層,係貼合於該導電膠層上,使該導電膠層位於該金屬層與該離型層之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型層係選自PET氟塑離型膜、PET含矽油離型膜、PET亞光離型膜及PE離型膜之離型膜。
- 如申請專利範圍第13項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型膜的厚度係25至100μm。
- 如申請專利範圍第12項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型層係離型紙。
- 如申請專利範圍第15項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型紙的厚度係25至130μm。
- 如申請專利範圍第15項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型紙係PE淋膜紙。
- 如申請專利範圍第12項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該離型層係低黏著載體膜,且其離型力係5至500g/5cm。
- 如申請專利範圍第18項所述之高遮蔽性EMI屏蔽膜,其中,該低黏著載體膜的厚度係25-100μm。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720188181.4U CN206650912U (zh) | 2017-03-01 | 2017-03-01 | 高遮蔽性emi屏蔽膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM555982U true TWM555982U (zh) | 2018-02-21 |
Family
ID=60280381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106213089U TWM555982U (zh) | 2017-03-01 | 2017-09-04 | 高遮蔽性emi屏蔽膜 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206650912U (zh) |
TW (1) | TWM555982U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109831904A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-05-31 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 |
TWI847259B (zh) * | 2022-09-07 | 2024-07-01 | 亞洲電材股份有限公司 | 包含生物基成分的啞光型電磁干擾屏蔽膜及其製備方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107592783A (zh) | 2017-09-15 | 2018-01-16 | 中山国安火炬科技发展有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制备方法 |
CN109825204A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 一种高遮蔽性有色超薄覆盖膜及制备方法 |
CN108323140A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-24 | 中山国安火炬科技发展有限公司 | 一种电磁波屏蔽膜及其制备方法和应用 |
JP6426865B1 (ja) * | 2018-02-20 | 2018-11-21 | タツタ電線株式会社 | 電磁波シールドフィルム |
CN108323144B (zh) | 2018-03-14 | 2020-07-28 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN108323145A (zh) | 2018-03-14 | 2018-07-24 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN108323143B (zh) | 2018-03-14 | 2020-05-05 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN110691497B (zh) * | 2018-07-06 | 2024-04-23 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN110691500B (zh) * | 2018-07-06 | 2024-04-26 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN110691501B (zh) * | 2018-07-06 | 2024-08-20 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
CN110012655A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-12 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 具有emi功能的薄型化覆盖膜 |
CN111642065A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-08 | 江西省信合新材料科技有限公司 | 一种新型柔性线路板用多层结构高遮蔽电磁屏蔽膜 |
CN112969357B (zh) * | 2021-02-02 | 2023-02-07 | 深圳市欣横纵技术股份有限公司 | 一种核安保系统抗强电磁脉冲加固方法及核安保系统 |
CN115515406A (zh) * | 2021-06-07 | 2022-12-23 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 一种带承载膜的哑光型电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 |
-
2017
- 2017-03-01 CN CN201720188181.4U patent/CN206650912U/zh active Active
- 2017-09-04 TW TW106213089U patent/TWM555982U/zh unknown
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109831904A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-05-31 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 |
TWI706864B (zh) * | 2019-03-07 | 2020-10-11 | 亞洲電材股份有限公司 | 具導電纖維之電磁干擾屏蔽膜及其製法 |
TWI847259B (zh) * | 2022-09-07 | 2024-07-01 | 亞洲電材股份有限公司 | 包含生物基成分的啞光型電磁干擾屏蔽膜及其製備方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN206650912U (zh) | 2017-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWM555982U (zh) | 高遮蔽性emi屏蔽膜 | |
TWI608788B (zh) | 撓性印刷電路板用電磁波遮蔽材 | |
CN101448362B (zh) | 可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、电路板及其制作方法 | |
CN107791641B (zh) | 具有双层金属层的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 | |
TWI706864B (zh) | 具導電纖維之電磁干擾屏蔽膜及其製法 | |
CN108541204B (zh) | 复合式高遮蔽性薄型化电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 | |
WO2018006440A1 (zh) | 电磁屏蔽保护膜与fpc | |
WO2021004177A1 (zh) | 一种多层金属结构的屏蔽膜 | |
TWM553550U (zh) | 具黑色聚醯亞胺薄膜之電磁干擾遮罩膜 | |
CN105491786A (zh) | 适用于高频信号的电磁屏蔽膜及其制造工艺 | |
CN203859982U (zh) | 高传输薄型化电磁干扰屏蔽膜及具有其的印刷电路板 | |
CN105101761A (zh) | 高传输薄型化电磁干扰屏蔽膜及其制造方法和应用 | |
CN104010435A (zh) | 一种具有电磁屏蔽功能的覆盖膜及其制造工艺 | |
CN108513521B (zh) | 具黑色聚酰亚胺薄膜之高遮蔽性emi屏蔽膜及其制备方法 | |
CN203859981U (zh) | 薄型化高传输电磁干扰屏蔽膜及具有其的印刷电路板 | |
CN112437598B (zh) | 一种多孔径铜箔的高遮蔽电磁干扰屏蔽膜及其制备方法 | |
CN2938703Y (zh) | 一种柔性印刷线路板 | |
CN205430758U (zh) | 适用于高频信号的电磁屏蔽膜 | |
TWI655095B (zh) | Nano metal substrate for FPC and COF materials | |
TW202423234A (zh) | 一種高段差電磁干擾屏蔽膜及其製備方法 | |
CN105491788B (zh) | 一种石墨烯散热型屏蔽膜及其制备方法 | |
TWI724367B (zh) | 電磁屏蔽膜及其製作方法 | |
CN104010436A (zh) | 一种具有电磁屏蔽效果的柔性覆金属基板及制造工艺 | |
CN207939830U (zh) | 一种多层复合板 | |
CN202941035U (zh) | 遮蔽电磁干扰结构及具有该结构的软性印刷电路板 |