TWM554170U - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本新型提供一種電子裝置，包含有承載基板、複數個突點組、及複數個微型驅動晶片。承載基板具有承載面，其中突點組設置於承載面上。每一突點組中包含複數個突點；微型驅動晶片分別對應該複數個突點組。每一微型驅動晶片具有複數個對位孔分別容納所對應的突點組中之突點。

Description

電子裝置

本新型係提供一種電子裝置；特別是一種可用於顯示的電子裝置。

隨顯示科技進展，顯示裝置已廣泛應用在人類生活當中，如應用於行動裝置、平板電腦等。

典型的顯示裝置具有像素顯示單元及像素驅動電路。像素驅動電路用以驅動像素顯示單元進行顯示(如使液晶偏轉或使發光元件發光)。在典型的作法中，像素驅動電路可用薄膜電晶體直接設置於玻璃基板上實現。

在一些做法中，可將像素驅動電路晶片化，以微縮像素驅動電路的面積。然而，在此類做法中，在轉置像素驅動晶片至基板時，容易因對位偏差而造成如像素驅動晶片接觸不良等負面影響。

本案一實施樣態涉及一種電子裝置。根據本案一實施例，電子裝置，包含有承載基板、複數個突點組、及複數個微型驅動晶片。承載 基板具有承載面。突點組設置於承載面上。每一突點組中包含複數個突點。微型驅動晶片分別對應該複數個突點組。每一微型驅動晶片具有複數個對位孔分別容納所對應的突點組中之突點。

藉由利用本案一實施例，即可將微型驅動晶片準確地轉置至承載基板上的對應位置，並避免轉置後的對位不準，提升電子裝置的顯示品質。

100‧‧‧電子裝置

SBT‧‧‧承載基板

SB‧‧‧基板

S1‧‧‧基底

S2‧‧‧絕緣層

S3‧‧‧粘性層

PLG‧‧‧突點組

DRC‧‧‧微型驅動晶片

CSF‧‧‧承載面

PL‧‧‧突點

TSF‧‧‧頂表面

BSF‧‧‧底表面

PSW‧‧‧對位孔

ST1-ST7‧‧‧操作

CRR‧‧‧載台

ADL‧‧‧彈性體

D1-D3‧‧‧方向

L1、L12-L17、L23-L27、L32-L35‧‧‧寬度

W1、W12-W14、W16-W17、W22-W24、W32、W34-37、WP‧‧‧寬度

H1、H12、H22、H32‧‧‧寬度

SPC1-SPC3‧‧‧間隙

LMC‧‧‧微型發光單元

CPD‧‧‧連接墊

CDT、CDT1、CDT2‧‧‧導線

CDL‧‧‧導電層

LPD1、LPD2‧‧‧電極

LML‧‧‧發光層

BMX‧‧‧遮光層

EXP‧‧‧缺口

第1A圖為根據本案一實施例所繪示的電子裝置的示意圖；第1B圖為根據本案一實施例所繪示的電子裝置之部份元件組合圖第2A圖、第2B圖、第2C圖、第2D圖為根據本案一實施例所繪示的微型驅動晶片DRC的轉置操作的示意圖；第3A圖、第3B圖、第3C圖為根據本案一實施例所繪示的微型驅動晶片與突點PL的示意圖；第4A圖、第4B圖、第4C圖為根據本案另一實施例所繪示的微型驅動晶片與突點PL的示意圖；第5A圖、第5B圖、第5C圖為根據本案另一實施例所繪示的微型驅動晶片與突點PL的示意圖；第6A圖、第6B圖、第6C圖、第6D圖為根據本案一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖；第7A圖-第7B圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖； 第8A圖-第8B圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖；第9A圖-第9B圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖；第10圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖；第11圖、第11B圖、第11C圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的部份製程示意圖；第12A圖-第12B圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖；及第13A圖-第13B圖為根據本案另一實施例所繪示的電子裝置的結構示意圖。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。

關於本文中所使用之『第一』、『第二』、...等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本新型，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。

關於本文中所使用之『電連接』，可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，而『電連接』還可指二或多個元件相互操作或動作。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之『及/或』，係包括所述事物的任一或全部組合。

本文使用的“約”、”實質上”、或“大致”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的“約”、”實質上”、或“大致”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是弧形。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

關於本文中所使用之方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本案。

關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供 本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。

第1A圖為根據本案一實施例所繪示的電子裝置100的示意圖，且第1B圖為根據本案一實施例所繪示的電子裝置100之部份元件組合圖。在本實施例中，電子裝置100包括承載基板SBT、複數個突點組PLG、以及複數個微型驅動晶片DRC。在本實施例中，微型驅動晶片DRC(micro-driving chip or namely micro-chip)電性連接且驅動像素電路(例如：微型驅動晶片DRC電性連接且驅動複數微型發光單元LMC進行發光)，且微型驅動晶片DRC可設置於電子裝置100的顯示區(active area,or namely display region)範圍內。微型驅動晶片DRC最大尺寸，例如：約小於300微米(micrometers,μm)，且大於0微米，但不限於此。在第1A圖及第1B圖中，突點組PLG及微型驅動晶片DRC的數量僅為說明上的例示其它數量亦在本案範圍之中。於其它實施例中，當電子裝置100可為顯示裝置時，可更包含多個微型發光單元LMC電連接至單一個微型驅動晶片DRC，而微型驅動晶片DRC與微型發光單元LMC相關配合請參閱後續段落描述，於此段落中不再加以說明之。

在本實施例中，承載基板SBT具有承載面CSF。突點組PLG設置於承載基板SBT的承載面CSF上。每一突點組PLG包含複數個突點PL。該些微型驅動晶片DRC分別對應不同突點組PLG。

每一微型驅動晶片DRC具有頂表面TSF與底表面BSF。頂表面TSF與承載面CSF的朝向相同，且底表面BSF與承載面CSF的朝向相反(例如：底表面BSF與承載面CSF面對面)。頂表面TSF相較於底表面BSF遠離承載面CSF，而底表面BSF相較於頂表面TSF鄰近承載面CSF。每一微型驅動 晶片DRC具有複數個對位孔PSW。此些對位孔PSW分別用以容納所對應的突點組PLG中之突點PL。舉例而言，突點組PLG中之突點PL分別用以插置於對應的對位孔PSW之中，以限制微型驅動晶片DRC在承載基板SBT上的位置。應注意到，在第1A圖及第1B圖中雖以每個突點組PLG具2個突點PL及每個微型驅動晶片DRC具2個對位孔PSW為例進行說明，然其它數量亦在本案範圍之中。

在一實施例中，突點PL可為單層或多層結構，且其材料可以為有機材料、無機材料或其它合適的材料。本實施例之突點PL例如可用光阻形成為範例，但不限於此。本實施例之突點PL的製造方法，例如，可先以遮罩遮蓋光阻材料層的特定部份，而後再以如蝕刻等方式移除光阻材料層未受遮蓋的部份，而光阻可為透明或具有顏色，例如：黑色、多色堆疊、色座標中任何一個顏色。如此一來，因受遮罩遮蓋而保留下的光阻材料即可形成突點PL。應注意到，上述說明僅為例示，突點PL亦可用其它材料或其它方式形成，並不以上述實施例為限。

在一實施例中，對位孔PSW例如可用雷射鑽孔(laser drill)或矽導通孔(through silicon via)等技術實現，然本案不以此為限。

同時參照第2A圖、第2B圖、第2C圖、第2D圖，第2A圖至第2D圖為根據本案一實施例所繪示的微型驅動晶片DRC的轉置操作的示意圖。

在操作ST1中，將轉置設備的載台CRR移動至具有微型驅動晶片DRC的基板SB之上。在一實施例中，載台CRR可具有透明觀察窗(未繪示)，以確認載台CRR位置。在一實施例中，載台CRR朝向待取物(例如：微 型驅動晶片DRC)之內表面可設置有彈性體ADL。在一實施例中，彈性體ADL具黏性，可在不損傷微型驅動晶片DRC的情況下抓取微型驅動晶片DRC(例如：待取物)。在一實施例中，彈性體ADL較佳為透明彈性體，彈性體ADL另一方面可形成載台CRR的透明觀察窗，增加待取物的對位良率。在一實施例中，彈性體ADL可用聚二甲基矽氧烷製成，然本案不以此為限。

在操作ST2中，可利用彈性體ADL抓取微型驅動晶片DRC。

在操作ST3中，可利用載台CRR將微型驅動晶片DRC從基板SB移動至承載基板SBT所對應的突點組PLG之上，使突點組PLG的突點PL對準微型驅動晶片DRC的對位孔PSW。基板SB舉例而言可以為玻璃、石英、陶瓷、金屬、合金或其它合適的材料或上述至少兩種材料的結合，然本案不以此為限。承載基板SBT舉例而言，可以為玻璃、石英、陶瓷、金屬、合金、有機材料(例如：聚亞醯胺(polyimide；PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚醯胺(polyamide；PA)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料、或上述至少兩種材料的結合。

在操作ST4中，載台CRR將微型驅動晶片DRC從基板SB轉置於承載基板SBT上對應於突點組PLG的位置，其中突點組PLG中之突點PL分別插置於對應的對位孔PSW之中，以限制微型驅動晶片DRC在承載基板SBT上的位置。舉例而言，突點組PLG中之突點PL分別插置於對應的對位孔PSW之中，可較為限制微型驅動晶片DRC在承載基板SBT上至少一方向(例如：X方向、Y方向或XY方向間的斜向方向)的位移。在一實施例中，承載基板SBT的承載面CSF上可具有一黏性層(例如是光阻，且黏性層材料可再參 閱後續描述)，其黏性大於彈性體ADL的黏性，以利於將微型驅動晶片DRC轉置至承載基板SBT上。

藉由上述的操作及設置，即可將微型驅動晶片DRC準確地轉置至承載基板SBT上的對應位置，以避免因彈性體ADL在抓取微型驅動晶片DRC時的偏移而導致轉置後的對位不準。

參照第3A圖、第3B圖、第3C圖，在一實施例中，突點PL可大致為方柱，且對位孔PSW可大致為方形孔，但不限於此。在一實施例中，微型驅動晶片DRC在相同於對位孔PSW的設置方向的第一方向D1上的寬度(或稱為長度)W1可大致為200微米，在垂直於第一方向D1的第二方向D2上的寬度L1可大致為50微米，且在相同於對位孔PSW的徑向的第三方向D3上的寬度(或稱為厚度)H1可大致為4微米，但不限於此。在一實施例中，第一方向D1、第二方向D2、及第三方向D3彼此垂直。

在一實施例中，突點PL在第一方向D1上的寬度W12可大致為4微米、在第二方向D2上的寬度L12可大致為4微米、且在第三方向D3上的寬度H12可大致為4微米。在一實施例中，在第三方向D3上，突點PL的寬度H12可設置為不超過微驅動晶片DRC的寬度H1，且不小於能限制住微驅動晶片DRC的位置的合理寬度。對位孔PSW在第一方向D1上的寬度W13可大致為10微米、且在第二方向寬2上的寬度L13可大致為10微米。

在一實施例中，對位孔PSW與微驅動晶片DRC的第一側(如上側)的間距寬度L14可大致為20微米，對位孔PSW與相對於微驅動晶片DRC的第一側的第二側(如下側)的間距寬度L15可大致為20微米，且對位孔PSW與相鄰於微驅動晶片DRC第一側及第二側的第三側(如左側)的間距寬 度W14可大致為20微米。

在一實施例中，在突點PL插入對位孔PSW時，突點PL與對位孔PSW間具有間隙SPC1。在本實施例中，間隙SPC1的寬度(如寬度L16、寬度L17、寬度W16、寬度W17)例如是3微米。在一實施例中，間隙SPC1的寬度可相應於彈性體ADL抓取微驅動晶片DRC時的偏移而設置。在一實施例中，間隙SPC1的寬度可略大於彈性體ADL抓取微驅動晶片DRC時的偏移。例如，當彈性體ADL抓取微驅動晶片DRC時的偏移大致在2微米內時，間隙SPC1的寬度可設置為3微米，以避免在轉置微驅動晶片DRC時突點PL無法插入對位孔PSW。

參照第4A圖至第4C圖，在另一實施例中，突點PL可大致為圓柱，且對位孔PSW可大致為圓形孔。在本實施例中，微驅動晶片DRC在第一、第二、第三方向上寬度的設置可相同於前述實施例，故在此不贅述。

在此一實施例中，突點PL的直徑寬度W22可大致為4微米、且在第三方向D3上的寬度H22可大致為4微米。在一實施例中，在第三方向D3上，突點PL上的寬度H22可設置為不超過微驅動晶片DRC的寬度H1，且不小於能限制住微驅動晶片DRC的位置的合理寬度。在一實施例中，對位孔PSW的直徑寬度W23可大致為10微米。

在一實施例中，對位孔PSW與微驅動晶片DRC的第一側(如上側)的間距寬度L24可大致為20微米，對位孔PSW與相對於微驅動晶片DRC的第一側的第二側(如下側)的間距寬度L25可大致為20微米，且對位孔PSW與相鄰於微驅動晶片DRC第一側及第二側的第三側(如左側)的間距寬度W24可大致為20微米。

在一實施例中，在突點PL插入對位孔PSW時，突點PL與對位孔PSW間具有間隙SPC2。在本實施例中，間隙SPC2的寬度(如L26、L27)例如約是3微米，但不限於此。在一實施例中，間隙SPC2的寬度可相應於彈性體ADL抓取微型驅動晶片DRC時的偏移而設置。關於此一部份可參照前述相應於間隙SPC1的段落，故在此不贅述。

參照第5A圖、第5B圖、第5C圖，在另一實施例中，突點PL可大致為三角柱，且對位孔PSW可大致為三角形孔。在本實施例中，微型驅動晶片DRC在第一、第二、第三方向D1、D2、D3上寬度的設置可實質上相同於前述實施例，故在此不贅述。

在此一實施例中，突點PL在第一方向D1上的邊長寬度W32可大致為4微米，且在第三方向D1上的寬度(或稱為厚度)H32可大致為4微米，但不限於此。在一實施例中，在第三方向D3上，突點PL上的寬度H32可設置為不超過微型驅動晶片DRC的寬度H1，且不小於能限制住微型驅動晶片DRC的位置的合理寬度。在一實施例中，對位孔PSW在第二方向D2上的寬度L33可大致為10微米，但不限於此。

在一實施例中，對位孔PSW與微型驅動晶片DRC的任一側的最小間距寬度實質上相同，例如：對位孔PSW與微型驅動晶片DRC的第一側(例如上側)的最小間距寬度L34可大致為20微米，對位孔PSW與相對於微型驅動晶片DRC的第一側(例如上側)的第二側(例如下側)的最小間距寬度L35可大致為20微米，且對位孔PSW與相鄰於微型驅動晶片DRC第一側及第二側的第三側(如左側)的最小間距寬度W34可大致為20微米為範例，但不限於此。於其它實施例中，對位孔PSW與微型驅動晶片DRC的其中至少一側 的最小間距寬度亦可不同。再者，本實施例係圖5C之左邊的對位孔PSW與微型驅動晶片DRC的任一側的間距寬度來說明，當要以圖5A右邊的對位孔PSW與微型驅動晶片DRC的任一側的間距寬度亦可參閱理解之。

在一實施例中，在突點PL插入對位孔PSW時，突點PL與對位孔PSW間具有間隙SPC3。在本實施例中，間隙SPC3的寬度(如W35、W36、W37)例如是約3微米，但不限於此。在一實施例中，間隙SPC2的寬度可相應於彈性體ADL抓取微型驅動晶片DRC時的偏移而設置。關於此一部份可參照前述相應於間隙SPC1的段落，故在此不贅述。

應注意到，以上突點PL與對位孔PSW的形狀實質上相對應(例如突點PL與對位孔PSW的形狀實質上相同)及數值僅為例示，其它形狀及數值亦在本案範圍之中。於其它實施例中，突點PL與對位孔PSW的形狀可實質上不相應，但對位孔PSW仍可容納突點PL與抓取微型驅動晶片DRC時所需的偏移值。

應注意到，為使敘述簡單，以下段落皆突點PL為方柱且對位孔PSW為方形孔的實施例進行描述，然本案不以此為限。

可參照第第6A圖、第6B圖、第6C圖、6D圖，在本案一實施例中，當電子裝置100可為顯示裝置時，其可更包括有複數個微型發光單元組，分別對應不同微型驅動晶片DRC。在本實施例中，每一微型發光單元組包括複數個微型發光單元LMC，且微型發光單元LMC電連接至微型驅動晶片DRC。每個微型發光單元LMC之最大尺寸實質上小於300微米(um)，且大於0微米，而微型發光單元LMC之最大尺寸可選擇性實質上相同於或不同於微型驅動晶片DRC之最大尺寸。在本實施例中，每一微型驅動晶片DRC 具有複數個連接墊CPD，沿第一方向D1排列。在本實施例中，連接墊CPD設置於微型驅動晶片DRC的頂表面TSF，並位於對位孔PSW之間，而”之間”包含可位於二對位孔PSW直線連線上或不位於二對位孔PSW直線連線上。於本實施例中，該些連接墊CPD分別設置於較接近微型驅動晶片DRC第一側與第二側的邊緣(例如：該些連接墊CPD不位於二對位孔PSW連線上)，但不限於此。

在本實施例中，電子裝置100更包括複數導線CDT，分別與對應連接墊CPD連接。在一實施例中，此些導線CDT分別電連接於微型發光單元LMC與連接墊CPD之間。

特別參照第6B圖，其大致為沿第6A圖中的虛線A-A的剖面示意圖。在本實施例中，微型發光單元LMC包括第一電極LPD1、第二電極LPD2、及發光層LML。在本實施例中，微型發光單元LMC可為垂直式微型發光單元，亦即發光層LML設置於第一電極LPD1與第二電極LPD2之間，且第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的相對兩側(例如：上下兩側)。在本實施例中，第一電極LPD1透過導線CDT與對應的連接墊CPD電連接，且第二電極LPD2透過已設置於基板SBT中的導電層CDL電連接至供應電源(未繪示)。其中，基板SBT可以為複合膜層所組成，舉例而言基板SBT包括基底S1上堆疊絕緣層S2與粘性層S3，絕緣層S2設置於基底S1與粘性層S3之間，微型發光單元LMC與微型驅動晶片DRC藉由粘性層S3黏著於基板SBT上。基底材料S1可選自前述基板SBT所述之材料，且基底S1與基板SBT之材料可實質上相同或不同。絕緣層S2可為單層或多層，且其材料可選自突點PL所述之材料，而絕緣層S2與突點PL之材料可實質上相同或不同。粘 性層S3可為單層或多層，且其材料可選自絕緣層S2所述之材料，而粘性層S3與絕緣層S2之材料可實質上相同或不同。

特別參照第6C圖，在一實施例中，在第一方向D1上，連接墊CPD的寬度WP可設置為不小於突點PL的寬度(如第3B圖中寬度W12)。藉此，即便突點PL在對位孔PSW中靠左或靠右偏，連接墊CPD也不易與導線CDT錯開。在一實施例中，連接墊CPD在第一方向D1上的寬度WP例如可大致為4微米，但不限於此。

在一實施例中，在第一方向D1上，導線CDT之寬度L、對位孔PSW之最大寬度W(例如是前述對位孔PSW之寬度W12、對位孔PSW之寬度W22、或對位孔PSW之寬度W32)及被對位孔PSW所容納的突點PL之最大寬度P(例如是前述突點PL之寬度W12、突點PL之寬度W22、或突點PL之寬度W32)具有下列關係：L

[P+((W-P)/2)]。例如，當在第一方向D1上，對位孔PSW之最大寬度W為約10微米，且被對位孔PSW所容納的突點PL之最大寬度P為約4微米時，導線CDT之寬度L可設置為大於或等於約10微米，但不限於此。藉此，即便突點PL在對位孔PSW中靠左或靠右偏，連接墊CPD也不易與導線CDT錯開。

舉例而言，參照第6D圖，在本操作例中，微型驅動晶片DRC靠左偏移(可參閱圖中的細箭頭與虛線)，而使突點PL在對位孔PSW中靠右偏。此時，微型驅動晶片DRC的連接墊CPD雖向左偏移，然仍完整連接導線CDT。

參照第7A-7B圖，在本案另一實施例中，微型驅動晶片DRC的連接墊CPD設置於微型驅動晶片DRC的底表面BSF。此一實施例與第 6A-6C中的實施例實質上相同或相似可參閱前述，故重複的部份在此不贅述。

在此一實施例中，設置於微型驅動晶片DRC的底表面BSF的連接墊CPD可透過已設置於基板SBT中的導電層CDL電連接至微型發光單元LMC的第二電極LPD2，且微型發光單元LMC的第一電極LPD1可透過導線CDT電連接至供應電源(未繪示)。

參照第8A-8B圖，在本案另一實施例中，微型發光單元LMC可為水平式微型發光單元，亦即第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的同一側(例如：第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的頂表面)。此一實施例與第6A-6C中的實施例實質上相同或相似可參閱前述，故重複的部份在此不贅述。

在此一實施例中，連接墊CPD可透過導線CDT1電連接至微型發光單元LMC的第一電極LPD1，且微型發光單元LMC的第二電極LPD2可透過導線CDT2電連接至供應電源(未繪示)。

在此一實施例中，導線CDT1在第一方向D1上寬度設置可相同於前述實施例，故在此不贅述。然而，在不同實施例中，導線CDT1在第一方向D1上寬度亦可依實際需要進行設置，故本案並不以此為限。

參照第9A-9B圖，在本案另一實施例中，微型發光單元LMC可為水平式微型發光單元，亦即第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的同一側(例如：第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的頂表面)。此外，在此一實施例中，微型驅動晶片DRC的連接墊CPD設置於微型驅動晶片DRC的底表面BSF。此一實施例與第6A-6C中的實施例實質 上相同或相似可參閱前述，故重複的部份在此不贅述。

在此一實施例中，設置於微型驅動晶片DRC的底表面BSF的連接墊CPD可透過至少部分已設置於基板SBT中的導電層CDL電連接至微型發光單元LMC的第一電極LPD1，且微型發光單元LMC的第二電極LPD2可透過導線CDT電連接至供應電源(未繪示)。

在本新型的一實施例中，前述突點PL中的至少一者也可包括微型發光元件，例如可為微型發光二極體(Micro LED)。微型發光元件之最大尺寸實質上小於300微米，且大於0微米，而通常微型發光元件之最大尺寸可實質上小於微型驅動晶片DRC之最大尺寸。在一實施例中，前述突點PL本身即為微型發光元件的結構，亦即，電子裝置100可利用微型發光元件的結構限制微型驅動晶片DRC在承載基板SBT上的位置。

參照第10圖，在一實施例中，微型驅動晶片DRC的連接墊CPD設置於微型驅動晶片DRC的頂表面TSF上，並分別鄰近對位孔PSW設置。

應注意到，在此類突點PL中包括至少一微型發光元件，突點PL及對位孔PSW的形狀及尺寸可相應於微型發光元件進行調整，而對於突點PL及對位孔PSW的相關的描述可參閱前述實施例，且本案並不以上述實施例中的形狀及尺寸為限。相較於第6A圖所述的實施例，本實施例由於不需額外設置導電線而以連接墊CPD將微型驅動晶片DRC與微型發光元件電連接，因而減少微型驅動晶片DRC與微型發光元件因電連接所佔據承載基板SBT的表面積，有助於提升電子裝置100在相同承載基板SBT的表面積下容納較第6A圖更多的微型發光元件。當電子裝置100為顯示裝置時，可再 較為提升顯示裝置的解析度。

進一步參照第11A圖、第11B圖、第11C圖，在微型驅動晶片DRC轉置至承載基板SBT上後，接續前述步驟ST4，在步驟ST5中，可進一步設置遮光層BMX於微型驅動晶片DRC的至少一部份上。在一實施例中，遮光層BMX可至少部份填充突點PL與對位孔PSW側壁間的間隙。

在步驟ST6中，移除遮光層BMX的一部份，以自遮光層BMX的缺口EXP中暴露出微型發光元件的至少一部份以及微型驅動晶片DRC的一部份(例如連接墊CPD)或者是遮光層BMX的缺口EXP與微型發光元件的至少一部份以及微型驅動晶片DRC的一部份(例如連接墊CPD)重疊。在一實施例中，例如可用蝕刻或顯影方式移除遮光層BMX的一部份，但不限於此。

在步驟ST7中，設置導線CDT於自遮光層BMX的缺口EXP中暴露出的微型發光元件及微型驅動晶片DRC上，以電連接微型發光元件及微型驅動晶片DRC。

藉由上述的操作，可在微型驅動晶片DRC外覆蓋遮光層BMX，以減少微型驅動晶片DRC的表面反射微型發光元件產生的光線，而造成電子裝置漏光。

參照第12A圖及第12B圖。在本實施例中，複數導線CDT分別電連接微型驅動晶片DRC的連接墊CPD與突點PL中的微型發光元件。在一實施例中，此些導線CDT至少部份設置於遮光層BMX上。在一實施例中，遮光層BMX可至少部份填充突點PL與對位孔PSW側壁間的間隙。藉此，可減少對位孔PSW側壁反射微型發光元件產生的光線，以避免電子裝置漏光。

特別參照第12B圖，其大致為沿第12A圖中的虛線A-A的剖 面示意圖。在本實施例中，突點PL中的微型發光元件可大致相同於前述微型發光單元LMC，其具備有第一電極LPD1、第二電極LPD2、及發光層LML。在本實施例中，突點PL中的微型發光元件可為垂直式微型發光單元，亦即發光層LML設置於第一電極LPD1與第二電極LPD2之間，且第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的相對兩側(例如：第一電極LPD1與第二電極LPD2設置於發光層LML的上下二側)。在本實施例中，第一電極LPD1透過導線CDT電連接連接墊CPD，且第二電極透過已設置於基板SBT中的導電層CDL電連接至供應電源(未繪示)。

參照第13A圖及第13B圖，在本案另一實施例中，在突點PL中包括微型發光元件的情況下，微型驅動晶片DRC的連接墊CPD亦可設置於微型驅動晶片DRC底表面(例如微型驅動晶片DRC相較於頂表面鄰近承載面CSF之表面)。此一實施例與第11A-11B中的實施例實質上相同或相似可參閱前述，故重複的部份在此不贅述。

在此一實施例中，連接墊CPD可透過已設置於基板SBT中的導電層CDL電連接至微型發光單元LMC的第二電極LPD2，且微型發光單元LMC的第一電極LPD1可透過導線CDT電連接至供應電源(未繪示)。

在此一實施例中，遮光層BMX可完全覆蓋微型驅動晶片DRC，而不需暴露出讓導線CDT得以接觸的開孔。

於本新型之前述實施中，微型驅動晶片DRC可包含工作電路(working circuitry)，例如：至少一與相應線路連接的電晶體及/或其它合適的元件(例如：電容、防護元件)。微型驅動晶片DRC可電性連接於掃描驅動電路(scan driver circuit)和資料驅動電路(data driver circuir)。於部份實施例 中，微型驅動晶片DRC亦可包含掃描驅動電路(scan driver circuit)至少一部份及/或資料驅動電路(data driver circuit)至少一部份。

本新型已由上述實施例加以描述，然而上述實施例僅為例示目的而非用於限制。熟此技藝者當知在不悖離本新型精神下，於此特別說明的實施例可有例示實施例的其他修改。因此，本新型範疇亦涵蓋此類修改且僅由所附申請專利範圍限制。

100‧‧‧電子裝置

SBT‧‧‧承載基板

PLG‧‧‧突點組

DRC‧‧‧微型驅動晶片

CSF‧‧‧承載面

PL‧‧‧突點

TSF‧‧‧頂表面

BSF‧‧‧底表面

PSW‧‧‧對位孔

Claims (11)

1. 一種電子裝置，包含：一承載基板，具有一承載面；複數個突點組，設置於該承載面上，每一突點組中包含複數個突點；以及複數個微型驅動晶片，分別對應該複數個突點組；其中，每一該微型驅動晶片具有複數個對位孔分別容納所對應該突點組中之該些突點。
2. 如請求項1所述之電子裝置，進一步包含複數個微型發光單元組，分別對應該些微型驅動晶片，其中，每一該微型發光單元組中包含複數個微型發光單元分別電連接至所對應之該微型驅動晶片。
3. 如請求項1所述之電子裝置，其中該每一該微型驅動晶片具有複數個連接墊沿一第一方向排列，在該第一方向上，各該連接墊的寬度不小於該突點的寬度。
4. 如請求項3所述之電子裝置，進一步包含複數導線分別對應連接該些連接墊，其中，在該第一方向上，該導線之寬度L、該對位孔之最大寬度W及該對位孔所容納的該突點之最大寬度P具有下列關係：L[P+((W-P)/2)]。
5. 如請求項4所述之電子裝置，其中該導線之寬度L大於該對位孔之最大寬度W。
6. 如請求項1所述之電子裝置，其中該些突點的其中至少一個係包含一微型發光元件。
7. 如請求項6所述之電子裝置，其中，該承載基板更包含複數導線，其中每一該微型驅動晶片包含一表面，其中，該表面上設置有複數個連接墊分別位於該些對位孔之間，每一該些微型發光元件分別具有一第一電極、一第二電極與一設置該第一電極及該第二電極之間的發光層，該些導線分別電連接於該些連接墊及該些第一電極或該第二電極之間。
8. 如請求項7所述之電子裝置，其中該第一電極與該第二電極位於該發光層同一側。
9. 如請求項7所述之電子裝置，其中該第一電極與該第二電極位於該發光層不同側。
10. 如請求項7所述之電子裝置，其中每一該微型驅動晶片更包含另一表面，且該表面或該另一表面其中一者為一頂表面，該表面或該另一表面其中另一者為一底表面，且該頂表面較該底表面遠離該承載面。
11. 如請求項1或7所述之電子裝置，進一步包含一遮光層，該遮光層覆蓋每一該微型驅動晶片至少一部份。