TWM484183U - 積體電路取放裝置 - Google Patents

Description

積體電路取放裝置

本創作係一種積體電路取放裝置，其係利用負壓氣體與高壓氣體，而使積體電路與膜體二者相互分離。

於半導體製程中，利用濺鍍技術將金屬靶材濺鍍於積體電路的表面，其主要目的在於屏蔽電磁干擾(EMI)，以提高應用於積體電路的品質與良率。於本案所指之積體電路係泛指晶圓、晶粒、未封裝之晶粒、已封裝之晶粒、未封膠之晶粒或已封膠之晶粒。

於濺鍍製程中，積體電路的一面係貼附於一膜體，該面係緊密貼附於膜體，該面係具有多個接點，該些接點係呈平坦狀。積體電路的其餘各面，即積體電路的五面，其係進行濺鍍製程。

然完成濺鍍的積體電路僅能以人工方式一顆一顆由膜體分離，並放置於料盤中。

隨著現今電子產業的發達，對於積體電路目標的尺寸與功能的要求係日益提升，因此原積體電路未被濺鍍的一面係設有多個凸出接點或被動元件，而凸出接點或被動元件係造成積體電路應與膜體緊密貼附的一面，無法緊密貼附，而使該面與膜體之間具有空隙，該空隙會於濺鍍製程中產生溢鍍的情況。

如上所述，如何改善溢鍍的情況，以及降低人工的使用率於分離積體電路與膜體，其係成為各廠商所探討的項目。

有鑑於上述之缺點，本創作之目的在於提供一種積體電路取 放裝置，其係利用高壓氣體與負壓氣體，而使膜體與積體電路二者相分離，以達到自動化分離膜體與積體電路的效果。該膜體更具有通孔，該通孔係能夠收納積體電路之被動元件或凸出接點，以避免於濺鍍積體電路時，產生溢鍍的情況。

為了達到上述之目的，本創作之技術手段在於提供一種積體電路取放裝置，其具有：一承台；一吹氣單元，其係升降地設於該承台的下方；以及一吸取單元，其係升降地設於該承台的上方；其中，該承台係供一膜體設置，該膜體具有至少一通孔，各通孔具有一積體電路；該吹氣單元係將該積體電路吹離該膜體，以使該吸取單元吸取該積體電路。

綜合上述，本創作之積體電路取放裝置，其吸取單元與吹氣裝置係分別提供一負壓氣體與一高壓氣體，而使積體電路與膜體二者相分離，藉以達到自動化分離膜體與積體電路的效果。

另外，本創作係利用具有通孔之膜體，當積體電路設於膜體時，積體電路的被動元件或凸出接點係位於通孔中，故於進行積體電路濺鍍時，被動元件或凸出接點係無法被金屬薄膜所蓋覆。

10‧‧‧膜體

11‧‧‧通孔

12‧‧‧積體電路

120‧‧‧被動元件

20‧‧‧承台

200‧‧‧穿孔

21‧‧‧吹氣單元

210‧‧‧頂針

211‧‧‧供氣與升降模組

212‧‧‧吹孔

22‧‧‧吸取單元

220‧‧‧吸取頭

221‧‧‧負壓與升降模組

222‧‧‧罩蓋

223‧‧‧吸孔

圖1為一貼附有積體電路之膜體之立體示意圖。

圖2為一種積體電路取放裝置之動作示意圖。

圖3為積體電路取放裝置之另一動作示意圖。

以下係藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式，所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書所揭示之內容，輕易地瞭解本創作之其他優點與功效。

請配合參考圖1與圖2所示，本創作係一種積體電路取放裝置，其係應用於具有至少一通孔11之膜體10，各通孔11具有一 積體電路12。該積體電路取放裝置具有一承台20、一吹氣單元21與一吸取單元22。

承台20具有至少一穿孔200，承台20係供上述之膜體10設置，通孔11係相對於穿孔200。上述之膜體10的兩面分別具有黏性，膜體10的一面係貼附於承台20，膜體10的另一面係黏附上述之至少一個積體電路12。

吹氣單元21係設於承台20的下方，吹氣單元21具有至少一頂針210與一供氣與升降模組211。頂針210具有一吹孔212，頂針210的一端係突伸至穿孔200中。供氣與升降模組211係耦接頂針210的另端，以使頂針210能夠於穿孔200中升降，並且供氣與升降模組211係提供一高壓氣體吹孔212。

吸取單元22係設於承台20的上方。吸取單元22具有至少一吸取頭220、一負壓與升降模組221及至少一罩蓋222。吸取頭220係相對於穿孔200，吸取頭220具有一吸孔223。負壓與升降模組221係耦接吸取頭220的一端，以提供一負壓氣體給吸取頭220，並且該負壓與升降模組221係使吸取頭220能夠相對於承台20升降。罩蓋222係設於吸取頭220的另一端。

如圖1所示，膜體10具有通孔11。如圖2所示，積體電路12未被濺鍍的一面具有被動元件120或凸出接點，該積體電路12係貼附於膜體10的一面，故積體電路12與膜體10之間未存有間隙，並使該些被動元件120或凸出接點係位於通孔11中。

當積體電路12進行濺鍍時，因膜體10與積體電路12之間無間隙，故金屬薄膜無法被鍍於位於通孔11中之被動元件120或凸出接點，故能夠避免被動元件120或凸出接點被鍍上金屬薄膜。

請再配合參考圖2所示，當欲將積體電路12與膜體10相互脫離時，膜體10係貼附於承台20。受到供氣與升降模組211的驅動，頂針210係朝向通孔11方向移動。供氣與升降模組211係提供一高壓氣體給頂針210，該高壓氣體係通過吹孔212吹向積體電路12。

於上述之頂針210朝向積體電路12上升時，負壓與升降模組 221亦使吸取頭220朝向積體電路12下降，以使罩蓋222將所欲吸取的積體電路12予以罩覆。

當上述之高壓氣體吹向積體電路時，負壓與升降模組221係提供一負壓氣體給吸取頭220，該負壓氣體係透過吸孔223吸取積體電路12。因該積體電路12係被罩蓋222所罩覆，故該積體電路12係處於一密閉空間。藉由高壓氣體與負壓氣體二者的作用下，積體電路12係與膜體10相分離，並被吸取頭220所吸取。

待吸取頭220吸附積體電路12，負壓與升降模組221係使吸取頭220上升，並將吸取頭220移動至一預設的工作站，於該工作站，吸取頭220係能夠釋放積體電路12，並再回復至最初位置，以進行下一吸取積體電路12的動作。

於吸取頭220上升時，供氣與升降模組211係使頂針210下降，以使頂針210回到最初位置，再待下一頂出積體電路12的動作。供氣與升降模組211亦停止供應高壓氣體給頂針210。

綜合上述，本創作所使用具有通孔11的膜體10，該些通孔11係能夠收納被動元件120，以使該些被動元件120或凸出接點於積體電路12的濺渡過程中，不會被金屬薄膜所覆蓋。

另外，本創作的吹氣單元21與吸取單元22係分別提供高壓氣體與負壓氣體給積體電路12，以使積體電路12與膜體10二者相互分離，藉此達到自動化積體電路12與膜體10分離的效果，以節省人工支出，並降低成本支出。

以上所述之具體實施例，僅係用於例釋本創作之特點及功效，而非用於限定本創作之可實施範疇，於未脫離本創作上揭之精神與技術範疇下，任何運用本創作所揭示內容而完成之等效改變及修飾，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。

10‧‧‧膜體

11‧‧‧通孔

12‧‧‧積體電路

120‧‧‧被動元件

20‧‧‧承台

200‧‧‧穿孔

21‧‧‧吹氣單元

210‧‧‧頂針

211‧‧‧供氣與升降模組

212‧‧‧吹孔

22‧‧‧吸取單元

220‧‧‧吸取頭

221‧‧‧負壓與升降模組

222‧‧‧罩蓋

223‧‧‧吸孔

Claims (7)

1. 一種積體電路取放裝置，其具有：一承台；一吹氣單元，其係升降地設於該承台的下方；以及一吸取單元，其係升降地設於該承台的上方；其中，該承台係供一膜體設置，該膜體具有至少一通孔，各通孔具有一積體電路；該吹氣單元係將該積體電路吹離該膜體，以使該吸取單元吸取該積體電路。
2. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路取放裝置，其中該承台具有至少一穿孔，該穿孔係相對於該通孔。
3. 如申請專利範圍第2項所述之積體電路取放裝置，其中該吹氣單元具有至少一頂針與一供氣與升降模組，該頂針的一端係突伸至該穿孔中，該供氣與升降模組係耦接該頂針的另端。
4. 如申請專利範圍第3項所述之積體電路取放裝置，其中該頂針具有一吹孔。
5. 如申請專利範圍第2項所述之積體電路取放裝置，其中該吸取單元具有至少一吸取頭與一負壓與升降模組，該吸取頭係相對於該穿孔，該負壓與升降模組係耦接該吸取頭的一端。
6. 如申請專利範圍第5項所述之積體電路取放裝置，其中該吸取頭具有一吸孔。
7. 如申請專利範圍第5項所述之積體電路取放裝置，其中該吸取單元更具有至少一罩蓋，該罩蓋係設於該吸取頭的另一端。