M363684 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 種發光^一極體結構’尤其係指一種支架全完埋入於膠座 中，並於支架設置增強部增強膠座以及支架之間的結合力，且於 - 膠座之下表面形成電性連接部之發光二極體結構。 【先前技術】 α 近年來，由於發光二極體（Light Emitting Diode，LED)具有 癱耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間及反應速度快等優點，加 上其體積小、雜動、適合量產，因此發光二極體已普遍使用於 貧訊、通訊及消費性電子產品的指示燈與顯示裝置上，如行動電 5舌及個人數位助理（personalDigital Assistant，pDA)螢幕背光源、 各種戶外顯示器、交通號誌燈及車燈等。 通常發光二極體晶片係透過表面黏貼技術（Surface M〇unt Device ’ SMD)或是覆晶接合技術（flip chip b〇nding)固接於具 有凹陷部之膠座内的支架上，如「第！圖」所示，「第i圖」綠示 φ 為習知之發光二極體結構側視剖面圖。 在具有凹陷部52的膠座51中，埋入設置有至少二支架53 , 支架53之一端即是分別暴露在膠座51的凹陷部52内，另一端則 是分別延伸出膠座51的_，即可形成外部斯生連接部M，並且 ，將外部電性連接部54進行彎折，並使得外部電性連接部％貼人 •於膠座=，以便於與其他電子裝置（圖式中未績示）電性連接。口 接著，·^透過表面黏貼技術將發光二極體晶片55固接於暴露 在膠座51的凹陷部52内的支架53其中之一的端部，以及透過打 線接合技術或是覆晶接合技術使發光二極體^ 55可以透過導線 3 M363684 舁另支架53形成電性連接，最後，再於膠座51的凹陷部52上 形成封裝物56，縣賴56即可吨蓋於_部52上，即可 以形成習知的發光二極體結構。 *在外錢性連接部M進行弯折且貼合於膠座W時，由於膠 為熱雛樹脂所形成，當受到外力所麵時，將無法承受 二i么的外力’因此會造成雜W受外力擠壓的部分造成形變， ρ至έ造成膠座51破損，進而導致外部電性連接部54定位的錯 ^7\ ° ’可知先射長_來—財在發光二極體結 ^支雜¥折電性連接部時，造成膠座結構受損並導致電性連 料定触誤_題，因此有必要提岐進的技術手段，來解決 此一問題。 【新型内容】 有繁於先術存在發光二極聽_支架在騎電性連接 造成谬座結構受損並導致斯生連接部定位錯誤的問題，本 創作遂揭露一種發光二極體結構，其中： 本創作所揭露之發光二減結構，其第—實施祕包含有： 膠座以及至少二支架。 其中，自膠座之上表面凹設第—凹陷部，且 凹奴少-第二凹陷部；至少二支架分別設置至少—增強部^ 支架分別用以提供發光二極體晶片形成電性連接，支架係完全埋 於膠座内，而增強部與膠座形成固接， 片之部分暴露於第-凹陷部，支“二極體晶 連接部。 4以二哪_形成電性 M363684 本創作所揭露之發光二極體結構，其第二實施態樣 膠座、散熱支架以及至少二支架。 有·
其中’ _座之上表面凹設第一凹陷部，且自膠座 =設至少-第二凹陷部；散熱支架設置至少—增強部，且散熱 架用以固接發光二極體晶片，散熱支架係完全埋於膠座内，而、 熱支架之增強部與膠觸朗接，趟熱支雜接發光二極體: 片之部分暴露於第1陷部；至少二支架分別設置至少 部，支架係完全埋_朗，而找之增強部與雜形成固^， 支架暴露於第—凹陷部的部分與發光二極體晶.成電性連接， 支架暴露於第二凹陷部以形成電性連接部。 本I]作所揭路之發光—極體結構如上，與先前技術之間的差 異在於本_將支架完全埋人郷射，並於支架設置增強部增 強勝座以及支架之_結合力，並且支架分別暴露於膠座之第一 凹陷部以及第二凹陷部，藉以於膠座之下表面形成電性連接部， 並二需要對支架進行彎折，可以避免支架騎時所產生膠座結構 受損並導致電性連接部定位錯誤的問題。 透過上述的技術手段，本創作可以達成避免支架彎折 導致膠 座受損並正確定位電性連接部的技術功效。 【實施方式】 以下將配合圖式及實施例來詳細說明本創作之實施方式，藉 此對本創作如何應用技術手段來解決減問題並達成技術功效的 貫現過程能充分理解並據以實施。 以下將說明本創作所揭露之發光二極體結構的第一實施態 樣，第一貫施態樣為發光二極體結構中發光二極體晶片以電熱一 5 M363684 體的型式製成，並請參照「第2圖」所示，「第2圖」％示為本創 作發光二極體結構第一實施態樣之俯視示意圖；發光二極體結構 的第一實施態樣包含有：至少二支架10以及膠座20。 其中支架10係以導電及導熱性良好的金屬材質並且透過沖 » 壓（stamping)方式製成具有至少一增強部η的支架1〇，並且支 . 架20係與發光二極體晶片（圖中未繪示）形成電性連接，請參考 ， 「第3A圖」所示，「第3A圖」繪示為本創作發光二極體結構第 • 一貫施態樣之支架侧視示意圖；如圖所示，係於支架的兩侧分 別沖壓凸起的半圓形增強部11，圖式所呈現的結果僅為舉例說 明，並不以此侷限本創作的應用範疇。 除此之外，請參照「第3B圖」、「第3c圖」以及「第3D圖」 所不’「第3B圖」至「第3D圖」繪示為本創作發光二極體結構 苐只知怨樣之增強部貫施怨樣側視放大示意圖；支架1〇所沖壓 形成凸起設置的增強部n，除了為凸起半圓形形狀（如「第3b 圖」所示）之外，更可以沖壓形成倒凹形形狀（如「第3C圖」所 _ 示）或是沖壓形成倒V形形狀（如「第3D圖」所示）。 值得注意的是，支架10所沖壓形成的增強部n亦可沖壓形 成四陷設置，即將上述的「第3B圖」、「第3C圖」以及「第3D 圖」旋轉180度’即支架10呈現出沖壓形成凹陷設置的增強部η， ' "可以分別形成凹陷半圓形形狀、凹形形狀或是V形形狀。 … ^上述之導電及導熱性良好的金屬材質可以是銅、鐵或其他導 屯1'生乜的金屬板或合金板。也就是說，支架10的材質可以是銅、 鐵或其他導電及導熱性佳的金屬或合金。 凊再次參照「第2圖」所示，以埋入射出（insert molding) 6 M363684 的方式將支架ίο完全埋入於膠座2〇内並形成移座2〇，並且自谬 f 20的上表面21凹設有第—凹陷部22，而支架1()與發光二極體 晶片12形·性連接的部分即暴露於第—鳴部22，由於支架 10 π王埋入於膝座20内，因此，支架1〇所設置的增強部n亦被 I入於膠座20内’並且由於增強部u係凸設或凹設於支架， '即會與_ 2〇形成固接，可以增強膠座20以及支架10之間的結 ^膠座20以及支架10之間的結合可以參照「第圖」所示， • 帛4A圖」繪福本創作發光二極體結構第-實施態樣之側視第 一剖面示意圖。 上述膠座20的材質則可以是聚鄰苯二甲醯胺 polyphthalamide ’ PPA)或其他常用來作為發光二極體結構之膠 座20的熱塑性樹脂材質。 ’ 酔圖」所示，「第4B圖」示為本創作發光二極 —、。弟貫知恶樣之側視第二剖面示意圖；除了於膠座2上
=心設有第-凹畴22之外，在膠錢的下表面Μ凹設 有至少一第二凹陷部24，膜庙？η ΑΛτ* * 夕座的下表面23係背對於膠座20 的^表面21 ’ 4二凹陷部24所設置的位置與支架 =所示）相對應，而使得支架1G亦會暴露於第二哪^ :〇對應暴露於第二凹陷部24的部 連接部13即可以與其他電子裝置（圖式中 並且固接於其他電子農置上，或是透 :: :發光二極體晶片12 (請參考m所示）所轉 值得注意的是，請參照 第5八圖」至「第5C圖」所示，「第 7 M363684 5A圖」至「第5C圖」緣示為本創作發光二極體結構第一實施態 樣之第二凹陷部設置位置仰視示意圖；於膠座2〇的下表面B凹 設有至少-第二凹陷部24，第二哪部24係分職置於下表面 23相對應的兩側，如「第5A圖」以及「第5B圖」所示，除此之 .外，第二凹陷部24亦可分別設置於下表面23相同的側邊如「第 -5C圖」所不，上述「第5A圖」、「第5B圖」以及「第5C圖」僅 . 為舉例說明，並不以此侷限本創作的應用範疇。 並且更可以在膠座20的下表面23凹設有至少一第三凹陷部 25’第二凹陷部25係對應於配置有發光二極體晶片12(請參照「第 1圖」所示）的支架10所設置，係用以將支架1〇所吸收發光二極 體晶片12產生的熱能透過第三凹陷部％與外界空氣接觸，以自 然對流的方式將發光二極體晶片12產生的熱能加以散逸。 請再次參考「第2圖」所示，透過表面黏貼技術(㈣咖Μ_ Device ’ SMD)將發光二極體晶片12固接於暴露在膠座2〇的第 - ^陷部22内支架1〇其中之—,再以打線接合技術(* ) • 或是覆晶接合技術chiP bonding)將固接於支架1〇其中之一 上的發光二極體晶片12電性連接於另一支架上。 除此之外’更可於膠座2G的第—凹㈣22上形辆裝夥體 30 ’封裝賴30卩卩可哺蓋於第—凹陷部22 _發光二極體晶 .片12 ,即可以對發光二極體晶片11進行保護。 阳 _ 上摘封裝膠體30例如是職膠（dispensing)的方式形成 (在此僅為舉舰明，並不以此舰本發卿朗鱗），且 膠體30中可摻有螢光粉（圖式中未綠示），因此當發光二極體晶 月12所發出的絲照射到螢絲而使其激發出另—種顏色的^ 8 M363684 見光日寸4光—極體晶# 12所發出的光線即可與螢光粉所激發出 來的光線混合而產生混光效果。 妾者:以下將說明本創作所揭露之發光二極體結構的第二實 把怨樣’第—貫施態樣為發光二極體結構中發光二極體晶片採用 '電熱分離的型式製成，並請參照「第6圖」所示，「第6圖」繪示 、為本創作發光二極體結構第二實施態樣之俯視示意圖；發光二極 體結構的第二實施態樣包含有：至少二支架1〇、散熱支架4〇、膠 鲁 座20以及封裝膠體3〇。 第一A知恶樣與第一實施態樣的差別在於增加了散熱支架 4〇 ’散熱支架40係用以固接發光二極體晶# 42，而支架1〇係分 別與發光-極體晶片42形成電性連接，即發光二極體晶片42所 產生的熱能會被散熱支架40吸收，而支架10僅提供發光二極體 曰曰片42所需要的電性極性，即為電熱分離製成本創作發光二極體 結構。 其中，支架10與第一實施態樣中的支架相同，在此不再進行 • 贅述，而散熱支架40設置至少一增強部4卜散熱支架4〇所設置 的增強部41亦與第一實施態樣中支架1〇所設置的增強部u具有 相同功效，因此，在此亦不再進行贅述。 以埋入射出方式將支架10以及散熱支架4〇完全埋入於膠座 :2〇内並开^成勝座20，自膠座20的上表面21凹設有第一凹陷部 -22，散熱支架40固接發光二極體晶片42的部分係暴露於第一凹 fe。卩22，並且支架1〇與發光二極體晶片42分別形成電性連接的 部分亦暴露於第一凹陷部22，並且支架10所設置的增強部n以 及放熱支架40所設置的增強部41與朦座20形成固接，可以增強 9 M363684 膠座A 0支架10以及散熱支架4〇之間的結人。 請參考「第7A圖」以及「第7B圖碎= 「㈣圖朱為本創作發光二極體、第t7A圖;:以及 陷部設置位置純示意圖；除了霄座2/了-樣之弟二凹 一凹陷部〜卜，機2㈣下如3==^設有第 部24,而支芊1〇斟庙異，^ 凹叹有至少-第二凹陷 接部13，i對應恭路於弟二凹陷部24的部分即形成電性連
所設置的位置在第—實施謝已說明， 並且更可以挪座則下表面23 m讨至少—第三凹陷部 ’第二凹陷部25係對應於配置有發光二極體晶片42(請參照「第 6圖」所示）的散熱支架40所設置，係用以將散熱支架4〇所吸收 發光二極體晶片42產生的熱能透過第三_部25與外界空氣接 觸’以/歸触方式膽光二歸⑼42產生的減加以散逸。 請再次參照「第6圖」所示，發光二極體晶片42的固接方式 以及與支Ik 10形成電性連接方式’以及形成封裝膠體3Q的方式 已於第一實施態樣中說明，在此不再進行贅述，將封裝膠體3〇覆 蓋於第一凹陷部22内的發光二極體晶片12上，即為本創作第二 實施態樣之發光二極體結構。 最後，請參照「第8A圖」以及「第8B圖」所示，「第8A圖」 綠示為本創作發光二極體結構第三實施態樣之俯視示意圖，「第8B 圖」繪示為本創作發光二極體結構第三實施態樣之仰視示意圖。 在第一實施態樣以及第二實施態樣中的支架10 (請參考「第 2圖」所示）以及散熱支架40 (請參考「第6圖」所示）的配置 10
M363684 _ 20之置支架⑺以及散熱支架仙，即為在支 熱找4G，麵了财付式崎支架！〇以 40之外’更可以將支架ω配置於散熱支架㈣同一 晉::置方式請參照「第8A圖」以及「第8B圖」所示，上述 ^僅為舉例酬’並砂此侷限本解的應用範_。 f上所述’可知摘作與先前技術之間異在於本創作將 :全埋人_財，並於絲設置增強部使郷座以及支架 之間的結合，並且支架分職露於膠座 陷：籍Γ於膠座之下表面形成電性連接部，並不需要對2 :弓—可以避免支料折時所產生膠絲構受損並導致電性連 接部定位錯誤的問題。 藉由此、技術手段可以來解決先前技術所存在發光二極體結 的支架在弓折電性逹接部時，造成膠座結構受損並導致電性連 接部定位錯誤_題，進吨成避免支輯解致縣受損並正 確定位電性連接部的技術功效。 、 雖f本創作所揭露之實施方式如上，惟所述之内容並非用以 =接^本創作之專娜護細。任何本創作所屬技術領域中具 。通常知識者，在不麟本創作所揭露之精神和範圍的前提下， :以在實施的形式上及細節上作些許之更動。本創作之專利保護 範圍，仍須以所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖繪示為習知之發光二極體結構側視剖面圖。 第2圖!會示為本創作發光二極體結構第—實施態樣之俯視示 11 M363684 第3A圖繪示為本創作發光二極體結構第一實施態樣之支架 側視示意圖。 第3B圖至第3D圖繪示為本創作發光二極體結構第—實施態 樣之增強部實施態樣側視放大示意圖。 第4A圖繪示為本創作發光二極體結構第一實施態樣之側視 第一剖面示意圖。
第4B圖繪示為本創作發光二極體結構第一實施態樣之側視 弟二剖面示意圖。 第5A圖至第5C圖繪示為本創作發光二極體結構第一實施態 樣之第二凹陷部設置位置仰視示意圖。 第6圖繪示為本創作發光二極_構第二實祕樣之俯視示 意圖。 第7A圖至第7B圖綠示為本創作發光二極體結構第二實施態 樣之第二凹陷部設置位置仰視示意圖。 第8A圖繪示為本創作發光二極體結構第三實施態樣之俯視 不意圖。 .實施態樣之仰視 _第8B圖繪示為本創作發光二極體結構 示意圖。 【主要元件符號說明】 10 11 12 13 20 支架 增強部 發光二極體晶片 電性連接部 膠座 12 M363684 21 上表面 22 第一凹陷部 23 下表面 24 第二凹陷部 25 第三凹陷部 30 封裝膠體 40 散熱支架 41 增強部 42 發光二極體晶片 51 膠座 52 凹陷部 53 支架 54 外部電性連接部 55 發光二極體晶片 56 封裝膠體
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