TWM280540U - LED assembly structure - Google Patents

Description

M280540 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本新型是有關於一種發光二極體封裝結構，且特別是 有關於一種提升發光亮度的發光二極體封裝結構。 【先前技術】 近年來，因為發光二極體製造技術的快速進步，使得 發光二極體的發光效率增加。因此，發光二極體開始在照 明領域上應用，例如以發光二極體製造的手電筒或發光二 極體的汽車頭燈。 發光二極體晶片常配合不同顏色的螢光粉，藉以激發 出所需顏色的光源。習知螢光粉是混合於封裝發光二極體 晶片的樹脂中，烘烤後散佈於發光二極體晶片的周圍。因 為螢光粉比重較大的原因，螢光粉於烘烤後並無法均勻散 佈於發光一極體晶片的周圍，而影響螢光粉被激發的效率。 為了使發光二極體組件整體的發光效率增加，發光二 極體光電組件的製造商莫不極力的尋求解決方式，以克服 上述的問題。 【新型内容】 因此本新型的目的就是在提供一種發光二極體封裝結 構，用以提升發光二極體激發其周圍螢光粉的效率。 根據本新型之上述目的，一種發光二極體封裝結構， 將發光二極體晶片先形成一覆晶結構單體，再封裝入反射 器中。覆晶結構單體係-發光二極體晶片，以覆晶方式固 M280540 疋於一基板上’且覆蓋上一混合螢光粉之樹脂。此覆晶結 構單體以樹脂封裝於反射器的凹陷中。覆晶結構單體的設 計有效的增加了螢光粉被激發的效率。 由上述可知，應用本新型之發光二極體封裝結構，藉 由覆晶結構及均勻散佈螢光粉於晶片四周，有效的增加了 螢光粉被激發的效率，而提昇二極體發光組件整體的發光 效率。

【實施方式】 為了使二極體發光組件的整體發光效率更好，本新型 提出一種改良的發光二極體封裝結構。將發光二極體晶片 先形成一覆晶結構單體，再封裝入反射器中。覆晶結構單 體係一發光二極體晶片，以覆晶方式固定於一基板上，且 覆蓋上一混合螢光粉之樹脂。此覆晶結構單體有效的增加 了螢光粉被激發的效率。以下將藉由實施例說明本新型的 實施方式。 請參照第1圖，其繪示依照本新型一較佳實施例的一 種發光二極體之覆晶結構單體剖面圖。不同於習知封裝方 法一將發光二極體直接封裝入反射器中，本新型先將發光 二極體晶片先形成一覆晶結構單體1 〇〇，再封裝入反射器 中。覆晶結構單體100係一發光二極體晶片102,以覆晶方 式固定於一基板106上。發光二極體晶片102的電極102a 及102b分別與基板106上的導電區l〇6a及l〇6b接觸。發 光二極體晶片102的周圍覆蓋一混合螢光粉之樹脂層 M280540 104此合螢光粉之樹脂層l〇4係以模壓製程成型，使混合 ;的螢光粉得以均勻的散佈於發光二極體晶片丨〇2的 周圍。樹脂層1〇4的材質可以是環氧樹脂、壓克力、石夕膠 或上，材料的組合。此外，發光二極體晶#收以覆晶方 f固疋於一基孝反106上的結構，更使發光二極體晶片102 T發出更多的光激發均句散佈於其四周的榮光粉，進而 提昇二極體發光組件整體的發光效率。

、月多…、第2圖，其繪示依照本新型一較佳實施例的一 種發光一極體封褒結構的分解圖。.覆晶結構單體1〇〇接著 銲接於反射器m的㈣112内。反射器材質可以是環氧 樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化與、液晶高分子、陶究或 以上材質的任易組合。凹陷112可以鍍上—金屬反射層， 其材質可以是金、銀、銅、始、銘、錄、錫、鎮或以上材 質的任易組合。 "月參照第3圖，其繪示依照本新型一較佳實施例的一 種發光二極體封裝結構的剖面圖。覆晶結構單冑ι〇〇鲜接 於反射11 110的㈣112削灸，樹脂層114接著填入凹陷 射共乾。樹㈣U4的材質可以是環氧樹脂、壓克力、矽 膠或上述材料的組合。因為發光二極體晶片1〇2以覆晶方 式固定於基板106,使得其電極略及_(參照第！曰曰圖） 不會阻播光線，進而可以發出更多的光激發均勻散佈於其 四周樹脂層104内的螢光粉。 由上述本新型較佳實施例可知，應用本新型之發光二 極體封裝結構，藉由覆晶結構及㈣散料光粉於晶^ 周，有效的增加了螢光粉被激發的效率，而提昇二極體發 M280540 光組件整體的發光效率。 、j然本新型已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 型丄任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精 神=扼_ ’當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保 護辄圍當視後附之申料利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本新型之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 月b更明顯易懂’所附圖式之詳細說明如下： 第1圖係繪示依照本新型一較佳實施例的一種發光二 極體之覆晶結構單體剖面圖； 第2圖係繪示依照本新型一較佳實施例的一種發光二 極體封裝結構的分解圖；以及 第3圖係繪示依照本新型一較佳實施例的一種發光二 極體封裝結構的剖面圖。 【主要元件符號說明】 100:覆晶結構單體 l〇6a/106b :導電區 102·晶片 110:反射器 102a/102b :電極 112 :凹陷 104 :混合螢光粉之樹脂層 114 :樹脂層 10 6 :基板

Claims (1)

1. M280540 九、申請專利範圍： 1 · 一種發光二極體封裝結構，至少包含： 一反射器，具有一凹陷部； 一基板’銲接於該凹陷部内； 一發光二極體晶片，以霜曰 M復晶方式固定於該基板上； 一混合螢光粉之第一樹脂声 J 〃曰續’覆盍於該發光二極體晶 片之周圍；以及 一第二樹脂層’填人該凹陷部藉以封裝該發光二極體 晶片。 2. 如申明專利範圍第！項所述之發光二極體封裝社 構，其中該反射器材f係環氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦'口 氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或以上材質的任易組合。 3. 如申請專利範圍第！項所述之發光二極體封裝姓 構’其中該凹陷部更包含一金屬反射層，其材質係金、銀: 銅、鉑、鋁、鎳、錫、鎂或以上材質的任易組合。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體封裝結 構，其中該第-樹脂層係環氧樹脂、壓克力、石夕 厂° 材料的組合。 〃及上述 ;.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 M280540 構 材料第二物係環氧樹脂、壓克力，或上述 6.-種發光二極體封裝結構，至少包含： 一反射器，具有一凹陷部； 一基板，銲接於該凹陷部内； 一發光一極體晶片，固定於該基板上； -混合螢光粉之第一樹脂層，覆蓋於該發光二極體曰 片之周圍；以及 M B -第二樹脂層’填人該凹陷部藉以封裝該發光二極體 晶片。 7·如中請專利範圍帛6销述之發光二極體封裝社 構，其中該反射器材質係環氧樹脂、玻璃纖維、氧化欽、了 乳化飼、液晶高分子、陶£或以上材質的任易組合。 8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結 構，其中該凹陷部更包含一金屬反射層，其材質係金、銀二 銅、鉑、鋁、鎳、錫、鎂或以上材質的任易組合。1、 9. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝社 構，其中該第一樹脂層係環氧樹月旨、壓克力、石夕膠 材料的組合。 上述 1〇·如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結 M280540 構，其中該第二樹脂層係環氣樹脂、壓克力、石夕膠或上述 材料的組合。 11. 一種發光二極體封裝結構，至少包含： 一反射裔，具有一凹陷部· 一基板’銲接於該凹陷部内； 及 一發光二極體晶片’以覆晶方式固定於該基板上；以 一樹脂層，填入該凹陷部藉以封裝該發光二極體晶片。 12·如申請專利範圍第11項所述之發光二極體封裝 :構，其中，亥反射器材質係環氧樹脂、玻璃纖維 '氧化鈦、 礼化躬、液晶高分子、陶兗或以上材質的任易組合。 13·如申請專利範圍第11項所述之發光二極體封裝 結構，其中該凹陷部更包含一金屬反射層，其材質係金^ 銀、銅、始、銘、鎳、锡、鎮或以上材質的任易組合。 14.如申請專利範圍第π項所述之發光二極體封裝 〜構，其中δ亥樹脂層係環氧樹脂、壓克力、矽膠或上述材 料的組合。