TWM244577U - Bump transfer fixture - Google Patents

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TWM244577U
TWM244577U TW092214706U TW92214706U TWM244577U TW M244577 U TWM244577 U TW M244577U TW 092214706 U TW092214706 U TW 092214706U TW 92214706 U TW92214706 U TW 92214706U TW M244577 U TWM244577 U TW M244577U
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transfer
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solder
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TW092214706U
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Kwun-Yao Ho
Moriss Kung
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Via Tech Inc
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Description

M244577 五、創作說明（l) * 【新型所屬之技術領域】 本創作是有關於一種凸塊製程，且特別是有關於一種 凸塊轉移治具（Bump Transfer Fixture)。 【先前技術】 覆晶接合技術（Flip Chip Interconnect Technology ’間稱FC)乃是利用面陣列（area array )的 方式’將多個晶片墊（d i e p a d )配置於晶片（d i e )之主 動表面（act ive surface )上，並在晶片墊上形成凸塊 (b u m p )，接著將晶片翻覆（f 1丨p )之後，再利用這些凸 塊來分別電性及機械性連接晶片之晶片墊至承載器 一 (carrier )上的接合墊（c〇ntact )，使得晶片可經由凸 塊而電性連接至承載器，並經由承栽器之内部線路而電性H 連接至外界之電子裝置。值得注意的是，由於覆晶接合技 術（FC )係可適用於高腳數（High pin c〇unt )之晶片封 裝結構，並同％具有縮小晶片封裝面積及縮短訊號傳輪路 徑等諸多優點’所以覆晶接合技術目前已經廣泛地應用於 晶片封裝領域’常見應用覆晶接合技術之晶片封裝結構例 如有覆晶球格陣列型（Flip Chip BaU Gr~id Αιτπ， FC/BGA)及覆晶針格陣列型（Flip chip Pin Grid Array，FC/PGA )等型態之晶片封装結構。 第1 A〜1 F圖依γ序繪示習知一種凸塊轉移製程的流程示 意圖。請先參考第1 Α圖，提供一平板丨〇 ◦，以作為製作銲j 料凸塊1 2 0 (請參考第1 C圖）之基底支撐結構，而平板丨〇 〇之 材質例如為玻璃或塑膠，其具有一平坦表面丨〇2，接著請
11744twf.ptd
M244577 五、創作說明（2) 參考第1B圖，形成一圖案化之光阻層（photo-resist layer )110於平板100之平坦表面102上，此圖案化光阻層 1 1 0具有多個開口 1 1 2。接著請參考第1 C圖，形成多個銲料 凸塊1 2 0於圖案化光阻層1 1 0之開口 1 1 2中，並可迴銲銲料 凸塊1 2 0以形成各自獨立的球體狀凸塊於圖案化光阻層1 1 〇 之開口 1 1 2中。其中，形成銲料凸塊1 2 0的方式包括以印屌ij (printing)或電解電鍍（electrolytic plating)等濕 式處理的方式完成。 接著請參考第1 D圖，去除圖案化光阻層1 1 0以及殘留 於圖案化光阻層1 1 0之銲料1 1 4，而保留各自獨立的銲料凸 塊1 2 0於平板1 0 0上。接著請參考第1 E圖，放置一晶圓1 3 0 於平板1 0 0之上方，且平板1 0 0上之這些銲料凸塊1 2 0的位 置係分別對應於晶圓1 3 0之這些銲墊1 3 2的位置，之後迴銲 這些銲料凸塊1 2 0，使得銲料凸塊1 2 0轉移至晶圓1 3 0之銲 墊1 3 2上。最後請參考第1 F圖，在迴銲的過程中同時移除 平板1 0 0，由於晶圓1 3 0之銲墊1 3 2的沾附性較佳，所以這 些銲料凸塊1 2 0將脫離平板1 0 0，而分別連接至這些銲墊 1 3 2。因此，在晶圓1 3 0之銲墊1 3 2上的這些銲料凸塊1 2 0將 作為晶圓1 3 0之電性以及結構性連接一基板（未繪示）的 接點。 值得注意的是，上述之凸塊轉移製程具有下列缺點： (1 )在習知之凸塊轉移製程中，當利用印刷所形成 之銲料凸塊時，將使銲料凸塊之内部容易產生空孔（v 〇 i d )，這將會嚴重影響銲料凸塊於晶片封裝結構之可靠度。
11744twf.ptd 第7頁 M244577 五、創作說明（3) (2 )在習知之凸塊轉移製程中，當以印刷或電鍍來 製作銲料凸塊時，必須使用曝光及顯影等微影製程，來形 成上述之圖案化光阻層，因此增加製程成本且增加製作的 困難度。 (3 )在習知之凸塊轉移製程中，形成圖案化光阻層 之後，還必須加入多道濕式清洗處理的步驟，以便於將殘 留於晶圓之表面的溶劑去除，並且在形成銲料凸塊之後， 也必須將圖案化光阻層去除，因而導致製程的時間過於冗 長，且於濕式處理時所使用之溶劑極易污染環境。 【新型内容】 因此，本創作的目的就是在提供一種凸塊轉移治具，Φ 以簡化凸塊製程的步驟，並降低凸塊製作的成本。 為達本創作之上述目的，本創作提出一種凸塊轉移治 具，適於配置多個銲料凸塊，此凸塊轉移治具包括一轉移 板，此轉移板具有多個定位結構，其配置於轉移板之表 面，而每一定位結構適於定位這些銲料凸塊之一。 為達本創作之上述目的，本創作又提出一種凸塊轉移 治具，適於配置多個銲料凸塊，此凸塊轉移治具包括一轉 移板，此轉移板具有多個凹穴結構，其凹陷於轉移板之表 面，而每一凹穴結構適於容納這些銲料凸塊之一。 為達本創作之上述目的，本創作更提出一種凸塊轉移 治具，適於配置多個銲料凸塊，此凸塊轉移治具包括一轉 移板，此轉移板具有多個凸起結構，其突出於轉移板之表 面，而每一凸起結構適於沾附這些銲料凸塊之一。
11744twf.ptd 第8頁 M244577 五、創作說明（4) 基於上述，本創作因採用可快速轉移銲料凸塊之凸塊 轉移治具，因此不需使用習知之曝光及顯影等微影製程， 來製作圖案化光阻層，故可簡化製作銲料凸塊的步驟，且 不需進行濕式清洗處理等步驟，故可降低凸塊轉移製程的 時間以及成本。 為讓本創作之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 【實施方式】 [第一實施例] 請參考第2 A圖，其繪示本創作第一實施例之一種凸塊& 轉移治具的剖面示意圖，而第2 A〜2 D圖依序繪示本創作第 一實施例之一種凸塊轉移製程的流程示意圖。請先參考第 2A圖，提供一轉移板（transfer plate ) 200 ，此轉移板 2 0 0具有多個定位結構2 1 0 a，作為固定銲料凸塊2 2 0 (請參 考第2 B圖）之用。在第一實施例中，轉移板2 0 0之材質例 如為石夕(silicon )、石英（quartz)、金屬（metal)或 陶莞（c e r a m i c s )等，以作為製作銲料凸塊2 2 0之基底支 撐結構。此外，定位結構2 1 0 a例如為凹穴結構，其凹陷於 轉移板200之表面。 同樣請參考第2 A圖，上述的轉移板2 0 0可重複使用， 且不同規格的轉移板2 0 0可製作出不同尺寸及間距的銲料 凸塊2 2 0。此外，加深或加寬轉移板2 0 0之凹穴210a，或是 改變凹穴2 1 0 a的形狀，例如為球面狀或倒錐狀等的凹穴
11744t.wf.ptd 第9頁 M244577 五、創作說明（5) 2 1 0 a，均可作為轉移板2 0 0之定位結構2 1 0 a中。因此，利 用此種轉移板2 0 0所製作的銲料凸塊，其尺寸及體積均可 有效地控制，以提高這些銲料凸塊2 2 0於外觀上之一致 性。 接著請參考第2 B圖，形成多個銲料凸塊2 2 0於轉移板 2 0 0之凹穴2 1 0 a上，其中例如以浸潰（d i p p i n g )等的方 式，來將銲料填入於轉移板2 Ο 0之這些凹穴2 1 0 a中，來形 成這些銲料凸塊2 2 0。值得注意的是，凹穴2 1 0 a之内表面 例如形成一沾附層（s ο 1 d e r w e 11 i n g 1 a y e r ) 2 1 2 ，其材 質係如為銅、金或銀等金屬，以增加銲料凸塊2 2 0與凹穴 2 1 0 a之間的表面附著力。由於利用此種轉移板2 0 0所製作__ 的銲料凸塊2 2 0 ，其製程步驟簡單且快速，且不需使用習 知之曝光及顯影等微影製程，來製作圖案化光阻層，故可 有效地簡化製作銲料凸塊2 2 0的步驟，且不需進行濕式清 洗處理等步驟，故可降低凸塊轉移製程的時間以及成本。 此外，當銲料凸塊係以浸潰法所形成時，銲料凸塊2 2 0之 内部將不易產生空孔，進而提高銲料凸塊2 2 0於晶片封裝 結構之可靠度。 請參考第2 C圖，放置一承載器2 3 0於轉移板2 0 0之下 方，並反轉轉移板2 0 0，使得銲料凸塊2 2 0向下朝向承載器 2 3 0。在第一實施例中，承載器2 3 0例如為一晶圓或一基 板，而承載器2 3 0之表面上具有多個銲墊2 3 2 ，其分別對應 於轉移板2 0 0之凹穴2 1 0 a以及銲料凸塊2 2 0。接著熔融銲料 凸塊220，使得銲料凸塊220受重力之牽引而脫離凹穴
H744twf ,pt.d 第10頁 M244577 五、創作說明（6) 2 1 0 a，而銲料凸塊2 2 0在脫離凹穴2 1 0 a之後，可直接轉移 至承載器2 3 0之銲墊2 3 2上。最後，請參考第2 D圖，在完成 凸塊轉移製程之後，承載器2 3 0之銲墊2 3 2上將可分別形成 一銲料凸塊2 2 0。 請參考第2 C圖，在上述之凸塊轉移製程中，熔融銲料 凸塊2 2 0的方式包括以高溫熔融銲料凸塊2 2 0 ，或以雷射加 熱銲料凸塊2 2 0，以使銲料凸塊2 2 0呈液態狀。此外，熔融 之後的銲料凸塊2 2 0其内聚力將可減小其與轉移板2 0 0之凹 穴2 1 0 a之間的表面附著力，一直到銲料凸塊2 2 0對凹穴 2 1 0 a的附著力小於銲料凸塊2 2 0受重力的牽引力時，銲料 凸塊220將會自動脫離凹穴210a，而轉移至承載器2 3 0之銲 墊2 3 2上。當然，為了避免發生銲料凸塊2 2 0未掉落的情 況，亦可施加額外的外力以協助銲料凸塊2 2 0轉移至承載 器2 3 0上，而施加外力的方向最好是大致平行於銲料凸塊 2 2 0之重力的方向。另一種輔助轉移的方式，即是在轉移 板2 0 0反轉之後，縮小銲料凸塊2 2 0與承載器2 3 0之間的距 離，並使銲料凸塊2 2 0之頂部略微接觸到承載器2 3 0之銲墊 2 3 2，之後再拉開銲料凸塊2 2 0與承載器2 3 0之間的距離， 以協助銲料凸塊2 2 0受到銲墊2 3 2之附著力的作用，而成功 地轉移至鲜塾2 3 2上。 [第二實施例] 請參考第3 A圖，其繪示本創作第二實施例之一種凸塊Φ 轉移治具的剖面示意圖，而第3 A〜3 D圖依序繪示本創作第 二實施例之一種凸塊轉移製程的流程示意圖。請先參考第
11744twf .pt.d 第11頁 M244577 五、創作說明（7) 3A圖，提供一轉移板2 0 0 b，此轉移板2 0 0 b具有多個定位結 構2 10b，作為固定銲料凸塊2 2 0 a (請參考第3B圖）之用。 在本實施例中，轉移板2 0 0 b之材質例如為一矽基材、石 英、金屬或陶瓷等，以作為製作銲料凸塊2 2 0 a之基底支撐 結構。此外，轉移板2 0 0 b之定位結構2 1 0 b例如為多個錐體 所組成之凸起結構，其突起於轉移板2 0 0 b之表面，而錐體 之材質例如與轉移板2 0 0 b之材質相同，並以模製的方式一 併形成錐體於轉移板2 0 0 b上。另外，凸起結構2 1 0 b的尺 寸、間距均可適當的加寬或加長，而凸起結構2 1 0 b的形狀 例如為三角錐或圓錐狀之錐體。當然，除了錐體之外，亦 可使用其他形狀之定位結構來固定銲料凸塊2 2 0，例如樹 4 枝狀之凸起結構或針刺狀之凸起結構等均可使用在轉移板 2 0 0 b之定位結構2 10b中。 接著請參考第3 B圖，形成多個銲料凸塊2 2 0 a於轉移板 2 0 0 b之凸起結構2 1 0 b上，而銲料凸塊2 2 0 a例如以浸潰等方 式，來沾附銲料於轉移板2 0 0 b之凸起結構2 1 0 b上。值得注 意的是，凸起結構2 1 0 b之外表面例如形成一沾附層 (solder wetting layer ) 212，其材質係如為銅、金或 銀等金屬，以增加銲料凸塊2 2 0 a與錐體2 1 0 b之間的表面附 著力。 請參考第2 C圖，放置一承載器2 3 0於轉移板2 0 0 b之下 方，並反轉轉移板200b，使得銲料凸塊2 2 0 a向下朝向承載 器2 3 0。在本實施例中，承載器2 3 0例如為一晶圓或一基 板，而承載器2 3 0之表面上具有多個銲墊2 3 2，其分別對應
11744t.wf.ptd 第12頁 M244577 五、創作說明（8) 於轉移板2 0 0 b之錐體2 10b以及銲料凸塊2 2 0。接著熔融銲 料凸塊2 2 0 ，並使銲料凸塊2 2 0受重力之牽引而脫離錐體 2 1 0 b，而銲料凸塊2 2 0 a脫離錐體2 1 0 b之後，可直接轉移至 承載器2 3 0之銲墊2 3 2上。最後，請參考第3 D圖，在完成凸 塊轉移製程之後，承載器2 3 0之銲墊2 3 2上將可分別形成一 銲料凸塊2 2 0 a。 請參考第3 C圖，在上述之凸塊轉移製程中，熔融銲料 凸塊2 2 0 a的方式包括以高溫熔融銲料凸塊2 2 0 a或以雷射加 熱銲料凸塊2 2 0 a，以使銲料凸塊2 2 0 a呈液態狀。此外，熔 融之後的銲料凸塊2 2 0 a其内聚力將可減小其與轉移板2 0 0 b 之凸起結構2 1 0 b之間的表面附著力，直到銲料凸塊2 2 0 a對__ 凸起結構2 1 0 b的附著力小於銲料凸塊2 2 0 a受重力的牽引力 時，銲料凸塊2 2 0 a將脫離凸起結構2 1 0 b而轉移至承載器 2 3 0之銲墊2 3 2上。當然，第一實施例中所提之施加外力或 受到承載器2 3 0之銲墊2 3 2的附著力作用等輔助轉移的方 式，均可協助銲料凸塊2 2 0 a脫離凸起結構21 Ob而成功地轉 移至銲墊2 3 2上。 由以上之說明可知，本創作之凸塊轉移治具包括一轉 移板，此轉移板具有多個定位結構，其配置於轉移板之表 面，而每一定位結構適於定位這些銲料凸塊之一。其中， 定位結構例如為一凹穴結構或一凸起結構，而銲料凸塊可 容納於凹穴結構中或沾附於凸起結構上。由於本創作之凸Φ 塊轉移治具可快速製作銲料凸塊，且不需製作圖案化光阻 層以及進行濕式清洗處理等步驟，故可降低凸塊轉移製程
H744twf .pt.d 第13頁 M244577 五、創作說明（9) 的時間以及成本。 綜上所述，本創作之凸塊轉移治具具有下列優點： (1 ) 在本創作之凸塊轉移製程中，凸塊轉移治具之轉移板 可重複使用，以降低製程的成本。 (2 ) 在本創作之凸塊轉移製程中，銲料凸塊可輕易地附著 於轉移板之定位結構，即凹穴結構或凸起結構，以簡化製 作銲料凸塊之步驟及困難度。 (3 ) 在本創作之凸塊轉移製程中，熔融之後的銲料凸塊可 受到重力之牽引，而脫離轉移板之凹穴結構或凸起結構， 並快速地轉移至晶圓或基板之銲墊上。 (4 ) 在本創作之凸塊轉移製程中，銲料凸塊之内部不易產$ 生空孔，進而提高銲料凸塊於晶片封裝結構之可靠度。 雖然本創作已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本創作，任何熟習此技藝者，在不脫離本創作之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾5因此本創作之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11744t.wf.ptd 第14頁 M244577 圖式簡單說明 第1 A〜1 F圖依序繪示習知一種凸塊轉移製程的流程示 意圖。 第2 A〜2 D圖依序繪示本創作第一實施例之一種凸塊轉 移製程的流程示意圖。 第3 A〜3 D圖依序繪示本創作第二實施例之一種凸塊轉 移製程的流程不意圖。 【圖式標示說明】 1 0 0 :平板 1 0 2 :平坦表面 1 1 0 :圖案化光阻層 1 1 2 :開口 1 1 4 :銲料 1 2 0 :銲料凸塊 130 :晶圓 1 3 2 :銲墊 200 、 200b :轉移板 2 1 0 a、2 1 0 b :定位結構 2 1 ◦ a :凹穴結構 2 1 0 b :凸起結構 2 1 2 :沾附層 2 2 0、2 2 0 a :銲料凸塊 2 3 0 :承載器 2 3 2 :銲墊
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Claims (1)

  1. M244577 六、申請專利範圍 1. 一種凸塊轉移治具，適於配置複數個銲料凸塊，該 凸塊轉移治具至少包括： 一轉移板，具有複數個定位結構，其配置於該轉移板 之表面，而每一該些定位結構適於定位該些銲料凸塊之 -— 〇 2 ·如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該些定位結構係為凹穴結構。 3 .如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該些定位結構係為凸起結構。 4.如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為金屬。 4 5 ,如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為矽化物。 6 .如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為石央。 7.如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為陶瓷。 8，如申請專利範圍第1項所述之凸塊轉移治具，更包 括複數個沾附層，其分別配置於該些定位結構之表面。 9 . 一種凸塊轉移治具，適於配置複數個銲料凸塊，該 凸塊轉移治具至少包括： 一轉移板，具有複數個凹穴結構，其凹陷於該轉移板 之表面，而每一該些凹穴結構適於容納該些銲·料凸塊之
    11744t.wf. ptd 第16頁 M244577 六、申請專利範圍 1 〇 .如申請專利範圍第9項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為金屬。 Η β如申請專利範圍第9項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為矽化物。 1 2 .如申請專利範圍第9項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為石英。 1 3 .如申請專利範圍第9項所述之凸塊轉移治具，其中 該轉移板之材質係為陶瓷。 1 4 „如申請專利範圍第9項所述之凸塊轉移治具，更包 括複數個沾附層，其分別配置於該些凹穴結構之内表面。 1 5 . —種凸塊轉移治具，適於配置複數個銲料凸塊，4 該凸塊轉移治具至少包括： 一轉移板，具有複數個凸起結構，其突起於該轉移板 之表面，而每一該些凸起結構適於沾附於該些銲料凸塊之 -— 〇 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之凸塊轉移治具，其 中該轉移板之材質係為金屬。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項所述之凸塊轉移治具，其 中該轉移板之材質係為矽化物。 1 8 „如申請專利範圍第1 5項所述之凸塊轉移治具，其 中該轉移板之材質係為石英。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項所述之凸塊轉移治具，其 中該轉移板之材質係為陶瓷。 2 〇 .如申請專利範圍第1 5項所述之凸塊轉移治具，更
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7332424B2 (en) * 2004-08-16 2008-02-19 International Business Machines Corporation Fluxless solder transfer and reflow process
DE102006035864B4 (de) * 2006-08-01 2014-03-27 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Durchkontaktierung
US8048479B2 (en) * 2006-08-01 2011-11-01 Qimonda Ag Method for placing material onto a target board by means of a transfer board
US7786001B2 (en) * 2007-04-11 2010-08-31 International Business Machines Corporation Electrical interconnect structure and method
US8043893B2 (en) 2007-09-14 2011-10-25 International Business Machines Corporation Thermo-compression bonded electrical interconnect structure and method
US7868457B2 (en) * 2007-09-14 2011-01-11 International Business Machines Corporation Thermo-compression bonded electrical interconnect structure and method
US9312231B2 (en) * 2013-10-31 2016-04-12 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for high temperature semiconductor device packages and structures using a low temperature process
US10390440B1 (en) 2018-02-01 2019-08-20 Nxp B.V. Solderless inter-component joints
CN111883502B (zh) * 2020-08-03 2022-07-01 中国电子科技集团公司第三十八研究所 焊料微凸点阵列制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6294441B1 (en) * 1998-08-18 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US20040099959A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Hannstar Display Corp. Conductive bump structure

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