TWI849283B - 基板固定裝置 - Google Patents

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TWI849283B TW110103338A TW110103338A TWI849283B TW I849283 B TWI849283 B TW I849283B TW 110103338 A TW110103338 A TW 110103338A TW 110103338 A TW110103338 A TW 110103338A TW I849283 B TWI849283 B TW I849283B
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小林幸
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日商新光電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種經組態以將物件吸附及固持於其上的靜電夾盤。該靜電夾盤包括：物件裝置於其上的基體；設置於基體中之靜電電極；設置於基體中之複數個加熱元件；及設置於基體中之複數個電流控制元件，且其各者係與加熱元件中之對應的一者串聯連接。電流控制元件中之各者的操作係根據自基體外部朝電流控制元件中之對應的一者輻射的光來控制。

Description

基板固定裝置
本申請案主張2020年1月31日提出申請之日本專利申請案第2020-014639號的優先權，該案之全體內容以引用的方式併入本文。
本揭示係關於一種靜電夾盤及一種基板固定裝置。
在背景技藝中，用來製造半導體裝置之膜形成設備或電漿蝕刻設備具有在真空處理腔室中用來將晶圓準確地固持於其上的平台。例如，已提出一種藉由裝置於基底板上之靜電夾盤來吸附及固持晶圓的基板固定裝置作為此一平台。
作為基板固定裝置之一實例，存在一種具有其中設置用來調整晶圓溫度之加熱元件之結構的基板固定裝置。關於此基板固定裝置，例如，已提出一種於靜電夾盤中建置電阻器作為加熱元件及向電阻器施加電功率以使電阻器產生熱的方法，或一種將用作加熱元件之發光二極體配置成為具有固定列數及固定行數之規則陣列或以同心圓之直徑排列使得外部的同心圓較內部的同心圓具有更大數量之發光二極體的方法(例如，參見JP-A-2018-525813)。
然而，為於基板固定裝置中獨立地控制複數個加熱元件，需將大量用來控制的電線引出至靜電夾盤的外部。此外，經引出至靜電夾盤外部的電線需經由形成於基底板中之通孔(through hole)引出至外部。因此，隨著電線數目的增加，通孔的數目亦增加。換言之，歸因於電線數目的增加，基底板中被通孔佔據的面積增加，且用來設計基底板的自由度減小。
本揭示提供一種靜電夾盤，其即使係在將複數個加熱元件設置於靜電夾盤中的情況中亦可抑制用來設計基底板之自由度減小。
一特定具體例提供一種經組態以將物件吸附及固持於其上的靜電夾盤。
該靜電夾盤包括：基體，該物件裝置於其上；靜電電極，其設置於該基體中；複數個加熱元件，其設置於該基體中；及複數個電流控制元件，其設置於該基體中，且其各者係與加熱元件中之對應的一者串聯連接。
電流控制元件中之各者的操作係根據自基體外部朝電流控制元件中之對應的一者輻射的光來控制。
1:基板固定裝置
1A:基板固定裝置
1B:基板固定裝置
1X:基板固定裝置
10:基底板
10a:基底板10之上方面
10x:通孔
10y:通孔
15:絕緣層
20:黏著層
30:靜電夾盤
30B:靜電夾盤
30X:靜電夾盤
31:基體
31a:裝置面
31e:溫度可控區域
31x:凹部
31z:凹部
32:靜電電極
33:加熱元件
34:電流控制元件
36:佈線
37:通孔佈線
40:加熱元件
50:焊料
61:電線
62:電線
65:輸入/輸出電線
66:輸入/輸出電線
68:電線
69:電線
80:光纖
圖1係以簡化方式繪示根據第一具體例之基板固定裝置的橫截面示意圖；圖2係繪示界定於基體中之溫度可控區域的平面圖；圖3係分別示意性地繪示設置於溫度可控區域中之加熱元件的平面圖；圖4係繪示根據第一具體例在基板固定裝置中之加熱元件與電流控制元件間之電連接的圖；圖5係繪示電流控制元件之周邊部分之裝置結構的部分橫截面圖；圖6係部分放大橫截面圖，其中將圖5中之電流控制元件的周邊部分放大；圖7係以簡化方式繪示根據一比較例之基板固定裝置的橫截面示意圖；圖8係部分放大橫截面圖，其中將根據第一具體例之修改1在基板固定裝置中之電流控制元件的周邊部分放大；及圖9係以簡化方式繪示根據第一具體例之修改2之基板固定裝置的橫截面示意圖。
以下將參照圖式描述本揭示之一具體例。在各個圖式中，相似的組成部分將相應及各別地以相似的元件符號指示，且可能省略關於此等組成部分的重複說明。
(第一具體例)
圖1係以簡化方式繪示根據第一具體例之基板固定裝置的橫截面示意圖。參照圖1，基板固定裝置1具有作為主要組成元件的基底板10、黏著層20、靜電夾盤30及光纖80。基板固定裝置1係藉由裝置於基底板10之一面上的靜電夾盤30來吸附及固持作為吸附物件之基板(諸如晶圓)的裝置。
基底板10係經組態來將靜電夾盤30裝置於其上。基底板10係例如約20mm至40mm厚。例如，由鋁形成的基底板10可使用作為用來控制電漿的電極或其類似物。藉由供應至基底板10的預定高頻電功率，可控制用來在針對吸附於靜電夾盤30上之基板的電漿狀態碰撞中產生離子等的能量，以有效地蝕刻基板。
可將用來冷卻吸附於靜電夾盤30上之基板的惰性氣體引入其中的氣體供應路徑設置於基底板10中。當例如將諸如He或Ar之惰性氣體自基板固定裝置1之外部引入至氣體供應路徑中且供應至吸附於靜電夾盤30上之基板的背面時，基板可被冷卻。
可將冷凍劑流動路徑設置於基底板10中。冷凍劑流動路徑係例如環狀形成於基底板10內部的孔洞。例如，將諸如冷卻水或Galden之冷凍劑自基板固定裝置1之外部引入至冷凍劑流動路徑中。當冷凍劑於冷凍劑流動路徑中循環以冷卻基底板10時，吸附於靜電夾盤30上之基板可被冷卻。
靜電夾盤30係經組態來吸附及固持作為吸附物件之基板。靜電夾盤30的平面形狀係例如圓。作為藉由靜電夾盤30吸附之物件之基板的直徑係例如8、12或18英吋。
此處假定平面圖指示自基底板10之上方面10a之正向方向之物件的視圖，及平面形狀指示自基底板10之上方面10a之正向方向觀看之物件的形狀。
靜電夾盤30係透過黏著層20設置於基底板10之上方面10a上。黏著層20係例如聚矽氧系黏著劑。黏著層20係例如約0.1mm至2.0mm厚。黏著層20使基底板10及靜電夾盤30彼此黏著結合，且具有降低由陶瓷製成之靜電夾盤30及由鋁製成之基底板10間之熱膨脹係數差異所引起之應力的效果。
靜電夾盤30具有基體31、靜電電極32、複數個加熱元件33、複數個電流控制元件34及佈線36作為主要組成元件。基體31之上方面係吸附物件裝置於其上的裝置面31a。靜電夾盤30係例如Johnsen-Rahbek型靜電夾盤。然而，靜電夾盤30可替代地係庫倫力(Coulomb force)型靜電夾盤。
基體31係介電質。例如，使用諸如氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)之陶瓷作為基體31。基體31可包含兩種或更多種元素之氧化物作為輔助劑，該等元素係例如選自由矽(Si)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)及釔(Y)所組成之群。基體31係例如約5mm至10mm厚。基體31的相對介電常數(在1kHz下)係例如約9至10。
靜電電極32(其係例如薄膜電極)係建置於基體31中。當將靜電電極32連接至設置於基板固定裝置1外部之電源及自電源向靜電電極32施加預定電壓時，歸因於靜電力而在靜電電極32與晶圓之間產生吸附力。因此，晶圓可吸附及固持於靜電夾盤30之基體31的裝置面31a上。 當施加至靜電電極32之電壓較高時，吸附固持力較強。靜電電極32可具有單極形狀或雙極形狀。例如，使用鎢、鉬或其類似物作為靜電電極32之材料。
圖2係繪示界定於基體中之溫度可控區域的平面圖。如圖2所示，於平面圖中在基體31中界定可獨立地控制其溫度之複數個溫度可控區域31e。在圖2之實例中，界定三十個溫度可控區域31e。然而，可替代地將溫度可控區域31e之數目設定在約100至200之範圍內。此外，各個溫度可控區域31e可具有任何平面形狀。溫度可控區域31e不一定要實質上地區分成同心形狀，而係可例如實質上地區分成格柵形狀。
圖3係分別示意性地顯示設置於溫度可控區域中之加熱元件的平面圖。加熱元件33係建置於基體31中之加熱器，且當電流流入至加熱器中時，其產生熱以將基體31之裝置面31a加熱至預定溫度。
如圖3所示，將一個加熱元件33設置於各個溫度可控區域31e中。設置於溫度可控區域31e中之加熱元件33分別相互絕緣。經由改變流入至各個加熱元件33中之電流值，可獨立地改變加熱元件33所產生之熱量。以此方式，於基體31中界定複數個可獨立地控制其溫度之溫度可控區域31e及將加熱元件33分別設置於溫度可控區域31e中。藉由此配置，可均勻地加熱基體31之裝置面31a。
加熱元件33可例如將基體31之裝置面31a之溫度加熱至約50℃至200℃。例如，可使用鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、康史登銅(constantan)(Cu/Ni/Mn/Fe合金)或其類似物作為加熱元件33之材料。各 個加熱元件33係例如約20μm至100μm厚。加熱元件33可例如經形成為預定型態諸如鋸齒型態。
圖4係繪示根據第一具體例在基板固定裝置中之加熱元件及電流控制元件間之電連接的圖。如圖4所示，電流控制元件34係建置於基體31中，且一個加熱元件33與一個電流控制元件34串聯連接。電流控制元件34之各個光接收器係經暴露至基體31之外部，使得電流控制元件34之光接收器可自基體31之外部接收光。在圖4中，L指示自光纖80朝電流控制元件34之光接收器輻射的光(諸如雷射光或發光二極體之光)。
電流控制元件34係其操作藉由光接收來控制的元件。當光自基體31之外部輻射至電流控制元件34之光接收器上時，電流控制元件34導電以容許預定電流流入至連接至電流控制元件34的加熱元件33中，以致加熱元件33產生熱。電流控制元件34係例如光電晶體。然而，電流控制元件34可替代地為光電阻器(CdS電池)、太陽能電池或其類似物。電流控制元件34的尺寸係例如約3mm(長度)×3mm(寬度)×1mm(高度)。
在圖4之實例中，電流控制元件34係光電晶體。電流控制元件34具有連接至加熱元件33之一端的第一端子(射極)，及加熱元件33的另一端電連接至地面GND。電流控制元件34具有電連接至VDD(電源)的第二端子(集極)。較佳使用高度耐熱性光電晶體作為電流控制元件34。
連接至地面GND的電線61經引出至基板固定裝置1之外部。連接至電源VDD的電線62(VDD)經引出至基板固定裝置1之外部。 此外，一條光纖80被指派給一個電流控制元件34，且各條光纖80經引出至基板固定裝置1之外部。
電線61、電線62及光纖80經直接引出至基板固定裝置1之外部。或者，可將插座設置於基底板10上，使得電線61、電線62及光纖80可通過插座連接至基板固定裝置1之外部。
當光通過光纖80自基板固定裝置1之外部輻射於電流控制元件34之各個光接收器上時，電流控制元件34導電，從而容許電流流入至連接至電流控制元件34的加熱元件33中。以此方式，電流控制元件34可作用為開關以根據來自基板固定裝置1之外部的光進行開/關操作。加熱元件33產生的熱量可經由改變電流控制元件34的開-操作時間來改變。此外，加熱元件33產生的熱量可經由改變輻射於電流控制元件34上的光強度來改變。
雖然圖4中繪示三個加熱元件33及電流控制元件34之串聯電路，但加熱元件33及電流控制元件34之串聯電路係提供為與溫度可控區域31e的數目一樣多。當例如存在一百個溫度可控區域31e時，提供一百個加熱元件33及電流控制元件34之串聯電路。
圖5係繪示電流控制元件之周邊部分之裝置結構的部分橫截面圖。圖6係部分放大橫截面圖，其中將圖5中之電流控制元件的周邊部分放大。參照圖5及圖6，於基體31之下方面中形成向黏著層20之側面敞開的凹部31x及31z。
凹部31x係用來於其中設置電流控制元件34的凹部。該等凹部31x可提供為與電流控制元件34的數目一樣多。然而，可替代地於一 個凹部31x中設置複數個電流控制元件34。各個凹部31z係其中設置用來連接電線之焊料50的凹部。
佈線36係建置於基體31中。佈線36包括電流控制元件裝置墊、焊料連接墊、佈線圖案等。佈線36係以多層形成。設置於不同層中之佈線36的預定部分係經由通孔佈線37彼此連接。此外，佈線36之預定部分係經由通孔佈線37電連接至加熱元件33的預定部分。例如，可使用鎢(W)、鉬(Mo)或其類似物作為佈線36及通孔佈線37的材料。
佈線36之電流控制元件裝置墊係暴露於凹部31x內側。設置於凹部31x內側之電流控制元件34係例如覆晶裝置於佈線36之電流控制元件裝置墊上。
在基底板10及黏著層20中形成使光纖80穿過以與凹部31x相通的通孔10x。設置於凹部31x內側之電流控制元件34的光接收器面向黏著層20之側面，且於通孔10x中設置光可行進通過以輻射於電流控制元件34之光接收器上的光纖80。換言之，電流控制元件34之光接收器係設置在使電流控制元件34之光接收器可接收發射自光纖80之光的位置處。光纖80可藉由黏著劑或其類似物固定至通孔10x，或可通過設置於基底板10之下方面上的插座固定至基底板10。
佈線36之焊料連接墊分別暴露於凹部31z中。在基底板10及黏著層20中形成各用於使電線穿過的通孔10y以分別與凹部31z相通。設置於其中一個通孔10y內側的GND電線61係經由焊料50電連接至其中一個焊料連接墊。設置於另一個通孔10y內側的電源VDD電線62係經由另一焊料50電連接至另一個焊料連接墊。
電線61及62各具有例如其中導體以絕緣體包覆的結構。電線61及62之導體分別經由焊料50電連接至焊料連接墊。為增強電線61及62與基底板10之間的絕緣性質，較佳分別將絕緣層15設置於通孔10y之內壁上。例如，可使用樹脂、陶瓷或其類似物作為絕緣層15。
相當大的電流流入至GND電線61及電源VDD電線62中。因此，其中設置電線61及62各者之通孔10y的直徑較其中設置光纖80之通孔10x的直徑大。此外，電線61及62之直徑各較光纖80之直徑大。其中設置電線61、62之通孔10y的直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0012-1
5mm，及其中設置光纖80之通孔10x的直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0012-2
0.5mm。電線61、62之直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0012-3
4mm，及光纖80之直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0012-4
0.2mm。
將說明用來製造此一基板固定裝置1之方法。為製造基板固定裝置1，首先，藉由熟知之製造方法製造其中將靜電電極32、加熱元件33及佈線36建置於基體31中之靜電夾盤30，該方法包括於生坯片材中加工通孔之步驟，利用導電糊劑填充通孔之步驟，形成用作靜電電極之圖案之步驟，形成用作加熱元件之圖案之步驟，形成用作佈線之圖案之步驟，層壓及烘烤另一生坯片材之步驟，將表面平坦化之步驟等。
然後，形成自基體31之下方面朝基體31之裝置面31a凹陷之所需數目的凹部31x，以暴露出佈線36之電流控制元件裝置墊。此外，形成自基體31之下方面朝基體31之裝置面31a凹陷之所需數目的凹部31z，以暴露出佈線36之焊料連接墊。凹部31x及31z係例如藉由將穿孔生坯片材層壓於最下方面上之方法來形成。
接下來，例如，藉由覆晶裝置將電流控制元件34裝置於暴露於凹部31x內側之佈線36的電流控制元件裝置墊上。
接下來，使電線之導體部分通過焊料50連接至凹部31z內側的焊料連接墊。然後，將未固化的黏著層20形成於除形成凹部31x及31z之部分外之靜電夾盤30的下方面上。此外，製備其中形成用於供光纖80穿過之通孔10x、用於供電線61及62穿過之通孔10y、冷凍劑流動路徑、氣體供應路徑及其類似物的基底板10。然後，使電線穿過通孔10y。接著，使基底板10通過黏著層20連接至靜電夾盤30之下方面，及使黏著層20固化。使光纖80穿過通孔10x。經由前述步驟，完成圖1中所示之基板固定裝置1。
將藉由一比較例說明由構成基板固定裝置1之靜電夾盤30所達成的效果。
圖7係以簡化方式繪示根據比較例之基板固定裝置1X的橫截面示意圖。參照圖7，基板固定裝置1X與基板固定裝置1(見圖1等)之不同處在於靜電夾盤30係以靜電夾盤30X取代。
靜電夾盤30X具有基體31、靜電電極32、加熱元件33及佈線36作為主要組成元件。電流控制元件34並未建置於靜電夾盤30X中。在平面圖中以與圖2相似或相同的方式於基體31中界定複數個可獨立地控制其溫度之溫度可控區域31e。此外，在各個溫度可控區域31e中以與圖3相似或相同的方式設置一個加熱元件33。設置於溫度可控區域31e中之加熱元件33各別地彼此絕緣。經由改變流入至各個加熱元件33中之電流值，可獨立地改變加熱元件33所產生的熱量。
加熱元件33之一端通過佈線36彼此連接及接著連接至輸入/輸出電線65(IN1)。電線65(IN1)經引出至基板固定裝置1X之外部。加熱元件33之另一端分別連接至輸入/輸出電線66(IN2)。電線66(IN2)經引出至基板固定裝置1X之外部。電線65及電線66之總數係加熱元件33之數目+1。當例如存在100個加熱元件33時，電線65及電線66的總數係101條。
舉例來說，電線65及各電線66中之一者係連接至GND及電線65及電線66中之另一者係連接至電源。各加熱元件33產生的熱量可經由通過電線65(IN1)及電線66(IN2)在加熱元件之相對端之間施加的電壓值來改變。或者，可經由電線65及電線66在各加熱元件之相對端之間供應恆定電壓(脈衝電壓)，使得可經由改變供應電壓至加熱元件33期間的時間來改變加熱元件33產生的熱量。
由於加熱元件33之熱產生需要相當大的電流流入至電線65及電線66中，因此其中設置電線65、66之各個通孔10y的直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0014-5
5mm。此外，電線65、66之直徑係例如
Figure 110103338-A0305-02-0014-6
4mm。因此，隨電線65及電線66之總數的增加，基底板10中被通孔10y佔據的面積變得相當大而無法被忽略。
舉例來說，假定在根據圖7所示之比較例之基板固定裝置1X之結構的情況中，溫度可控區域31e的數目係100個。在此情況，於基板固定裝置與外部之間之電連接線的數目係100或更多條。換言之，需通過形成於基底板10中之通孔10y將100條或更多條電線引出至外部。在此 情況，如前所述，基底板10中由通孔10y所佔據的面積變得相當大以致其無法被忽略，且用來設計基底板10的自由度顯著地減小。
此外，在基板固定裝置1之情況中，需要與溫度控制區域31e相等數量的光纖80。然而，如前所述，其中設置電線61、62之各個通孔10y的直徑係約
Figure 110103338-A0305-02-0015-7
5mm，而其中設置光纖80之各個通孔10x的直徑係約
Figure 110103338-A0305-02-0015-8
0.5mm，其係通孔10y直徑的約十分之一。
因此，即使在於基底板10中提供大量通孔10x的情況中，與在基底板10中提供相同數目之通孔10y的情況相比，基底板10中由通孔10x所佔據之面積實質上地減小。換言之，即使在於基底板10中提供大量通孔10x的情況中，基板固定裝置1之靜電夾盤30亦可抑制用來設計基底板10之自由度的減小。
此外，如前所述，基板固定裝置1所電連接的外部僅由電源(VDD)及GND組成。因此，由於將基板固定裝置1連接至外部所需之組件數目的減少而可降低成本。此外，由於焊接點的數目顯著減少等，組裝困難度可大大地降低，以致可預期良率及可靠度的改良。由於靜電夾盤30係消耗性組件，因此經由改良良率所獲得的成本降低效果大。
此外，光纖80不需要與基底板10電絕緣。因此，於各個通孔10x中不需要絕緣材料或其類似物，其亦導致成本降低。
(第一具體例之修改1)
在第一具體例之修改1中顯示各個光纖之前端之位置向下縮回的一實例。在第一具體例之修改1中，可能省略關於與前述具體例中具有相同元件符號之彼等組成元件的說明。
圖8係部分放大橫截面圖，其中將根據第一具體例之修改1之基板固定裝置中之電流控制元件的周邊部分放大。
在圖8中，設置於凹部31x內側之電流控制元件34的光接收器面向黏著層20之側面，而以與圖6之情況類似或相同的方式接受經由光纖80輻射的光。
在圖6中，光纖80之前端係定位在形成於黏著層20中之通孔10x中。另一方面，在圖8中，光纖80之前端係定位在形成於基底板10中之通孔10x中，但並未進入形成於黏著層20中之通孔10x中。
由於基底板10與基體31之間之熱膨脹係數的差異，基體31一般會根據溫度條件而相對於基底板10於水平方向中位移。在此情況，黏著層20亦位移。因此，當光纖80之前端進入至形成於黏著層20中之通孔10x中時，光纖80之前端會承受諸如劣化的損傷。如圖8所示，將光纖80之前端定位在形成於基底板10中之通孔10x中，但並未進入形成於黏著層20中之通孔10x中。因此，可避免光纖80之前端承受諸如劣化的損傷。基體31相對於基底板10的位移量在朝向基體31之外周側上較大。因此，在設置於基底板10之外周側上的該等通孔10x中獲得尤其明顯的效果。
(第一具體例之修改2)
在第一具體例之修改2中顯示基板固定裝置1B作為實例。基板固定裝置1B設有靜電夾盤，其中將藉由自外部向其施加電壓來產生熱的另一加熱元件40建置於與基體31中之加熱元件33之層不同的層中。在第一具體例之修改2中，可能省略關於與前述具體例中具有相同元件符號之彼等組成元件的說明。
圖9係以簡化方式繪示根據第一具體例之修改2之基板固定裝置1B的橫截面示意圖。參照圖9，基板固定裝置1B與基板固定裝置1(見圖1等)之不同處在於靜電夾盤30係以靜電夾盤30B取代。此外，靜電夾盤30B與靜電夾盤30(見圖1等)之不同處在於加入加熱元件40、電線68及電線69。
在靜電夾盤30B中，將可獨立於加熱元件33控制其溫度之加熱元件40設置於與加熱元件33之層不同的層中。加熱元件40可例如在厚度方向上設置於靜電電極32與加熱元件33之間。加熱元件40(其係例如經形成為螺旋型態或其類似者的單一電阻器)係經設置為在複數個溫度可控區域31e上加熱基體31之整個裝置面31a。加熱元件40之材料係例如與加熱元件33之材料相似或相同。
加熱元件40之一端係連接至輸入/輸出IN1電線68。電線68經引出至基板固定裝置1B之外部。加熱元件40之另一端係連接至輸入/輸出IN2電線69。電線69經引出至基板固定裝置1B之外部。因此，存在一條電線68及一條電線69。
舉例來說，電線68及電線69中之一者係連接至地面GND，及電線68及電線69中之另一者係連接至電源。加熱元件40產生的熱量可 經由通過電線68及電線69在加熱元件40之相對端之間施加的電壓值來改變。或者，可通過電線68及電線69在加熱元件40之相對端之間供應恆定電壓(脈衝電壓)，使得加熱元件40產生的熱量可經由改變向加熱元件40施加電壓期間的時間來改變。
因此，加熱元件40可與加熱元件33分開地建置於基體31中。例如，使電流流入至加熱元件40中來加熱基體31之裝置面31a，及藉由加熱元件33僅加熱裝置面31a之未經充分加熱的部分。藉由此配置，可均勻地加熱基體31之整個裝置面31a。
在以上說明中，將加熱元件40設定為單一電阻器。然而，可將加熱元件40設定為複數個獨立的電阻器以獨立地控制複數個區域之溫度。
除半導體晶圓(諸如矽晶圓)外，例如，可舉用於製造液晶面板或其類似物之製程中之玻璃基板或其類似物作為經根據本揭示之基板固定裝置吸附之物件的實例。
雖然已詳細說明較佳具體例等，但本發明不受限於前述具體例等且可於前述具體例等中進行各種修改及取代而不脫離申請專利範圍之範疇。
1:基板固定裝置
10:基底板
10a:基底板10之上方面
10x:通孔
20:黏著層
30:靜電夾盤
31:基體
31a:裝置面
32:靜電電極
33:加熱元件
34:電流控制元件
36:佈線
61:電線
62:電線
80:光纖

Claims (5)

  1. 一種基板固定裝置，其包括：基底板；及靜電夾盤，其經由黏著層而載置於該基底板之一面上；該靜電夾盤包括：複數個加熱元件，其設置於該基體中；及電流控制元件，其設置於該基體中，其係與該等加熱元件之各者串聯連接且可藉由光來控制；該等電流控制元件之各者的之光接收器可自該基體之外部接收光，於該基底板，形成有自該基底板連通至該黏著層之通孔，於該通孔，配置有光纖，該光纖使輻射於該光接收器之光行進通過，該光纖之前端係定位在形成於該通孔的該基底板之部分。
  2. 如請求項1之基板固定裝置，其中，該等電流控制元件中之第一電流控制元件係與該等加熱元件中之第一加熱元件串聯連接；及根據朝該等電流控制元件中之該第一電流控制元件輻射的光，控制該第一電流控制元件之操作，從而容許電流流入至該第一加熱元件中。
  3. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中，該基體係區分成複數個區域，該等區域之溫度係經獨立地控制；及於該等區域之各者中設置有一個該加熱元件。
  4. 如請求項1或2之基板固定裝置，其中， 該電流控制元件係光電晶體。
  5. 如請求項1或2之基板固定裝置，其進一步包括：設置於該基體中之另一加熱元件；該另一加熱元件之位置在該靜電夾盤之厚度方向上不同於該等加熱元件之位置。
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