TWI843181B - 由ＰｄＣｕ合金所構成之氫滲透膜及藉由氫滲透膜進行之氫精製方法 - Google Patents
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Abstract
本發明有關由PdCu合金所構成之可利用於氫精製之氫滲透膜。該氫滲透膜之特徵係作為PdCu合金係由38.75質量%以上39.5質量%以下之Cu與其餘部分Pd及不可避免雜質所構成，於任意剖面中之β相的面積率為95%以上。本發明之氫滲透膜於150℃以上350℃以下之溫度範圍之任一溫度下具有2.0×10
-8mol/m･S･Pa
1/2以上之氫滲透係數φ。該氫滲透係數係高於迄今最適宜之Cu40質量%之PdCu合金膜之值，本發明係顯示優良的氫滲透性。
Description
本發明係有關使來自包含氫之氣體的氫選擇性滲透之氫滲透膜。尤其有關對於自過去所知之PdCu合金提高氫滲透性之氫滲透膜。
氫氣已於各種化合物之合成製程中廣泛利用於氫化源及還原劑等之各種領域。近年來，基於嚴重化之環境問題及能源問題，期待活用氫作為可再生的新能源。例如，已進展將氫作為直接燃料進行驅動之氫引擎及以氫作為燃料進行發電之燃料電池等之開發‧實用化。而且，為了有效利用氫作為能源，必須有效率且安全地進行其製造、供給。
氫氣之工業製造方法已知有各種方法，但任一方法所製造之氫氣均必須精製。例如，作為燃料電池用氫氣之製造法所著眼之烴等之有機系燃料之水蒸氣改質法中，所製造之改質氣體中除了主成分的氫以外，又包含一氧化碳、二氧化碳等。該等雜質由於成為使構成燃料電池電極之觸媒劣化之要因，故於使用前必須將改質氣體精製形成高純度之氫。作為該氫精製法，使用由具有氫滲透性之合金所成之氫滲透膜的氫滲透膜法已被實用化。於使用合金膜之氫精製中，可將純度99%之氫精製成純度99.99%以上之純度，並適於燃料電池用途等之高純度氫之精製。
因此，作為構成氫滲透膜之合金膜，已知有由利用Pd(鈀)所具有之選擇性氫滲透性之PdAg系合金及PdCu系合金等所成之Pd合金膜。尤其，由PdCu系合金所成之氫滲透膜，因氫脆化及耐蝕性所致之問題較少，故正進展實用化(專利文獻1、2、非專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-262262號公報
[專利文獻2]日本特開2008-12495號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]James Raphael Warren, “The Effect of Hydrogen on Palladium-Copper Based Membranes for Hydrogen Purification”, THE UNIVERSITY OF BIRMINGHAM,P22-29,37-80.
[發明欲解決之課題]
PdCu合金膜之氫滲透性，可於以bcc作為基礎之B2構造之β相之狀態下發揮。上述之Pd系合金中，Cu等之添加元素，具有促進自Pd合金之α相朝β相之相變(phase transformation)之作用。又，基於抑制因氫脆化所致之合金膜強度降低之觀點，Cu等之添加元素亦為必要。上述各先前文獻中，雖揭示廣範圍Cu濃度之PdCu系合金，但依據非專利文獻1，由Cu濃度為40質量%之PdCu合金所成之氫滲透膜的氫滲透性最高。
尤其，根據本發明人等之檢討，由PdCu系合金所成之氫滲透膜中，認為氫滲透性有改善之餘地。而且，如上述，氫被期待作為各種能源源之利用擴大，而就其有效利用上期望進一步提高精製能力。本發明係鑑於該背景者所成者，其目的係提供針對用於氫之製造‧精製之氫滲透膜，對於迄今之PdCu合金膜的氫滲透性更優異者。
[用以解決課題之手段]
本發明人等為了發現具有更高氫滲透性之氫滲透膜，而以PdCu合金為基礎，同時除了其組成之外更謀求合金膜剖面中之構成優化。如上述，PdCu合金中，於Cu濃度增加之同時亦促進朝β相之相變。但Pd合金之氫滲透能係由Pd承擔，認為若重視氫滲透性則較佳將β相中之Pd濃度極力增大。即，於PdCu合金之組成面之改良，認為於朝β相之相變之可能性與確保氫滲透性之平衡中存在適當範圍。
又，氫滲透膜係藉由使作為處理對象之氫混合氣體自一面滲透至另外一面而選擇性取出氫者。若考慮此作用機制，針對膜之剖面構成亦須檢討。PdCu合金中之氫滲透能若處於β相，則必須提高氫滲透膜之剖面中β相之佔有率。
基於該等考察，本發明人等針對PdCu合金膜，針對有效地產生於其合金組成及剖面中之相變之處理之兩者進行重新評估。其結果發現對於過去為最適宜之Cu濃度40質量%之PdCu合金，適用不同組成範圍之PdCu合金，同時在前述先前技術中未發現之低溫且加壓氫環境下進行熱處理，可獲得發揮適宜氫滲透性能之PdCu合金膜。該新穎的PdCu合金膜，對於迄今最佳化之Cu濃度40質量%之PdCu合金可明確地發揮適宜的氫滲透性。
亦即，解決上述課題之本發明係一種氫滲透膜，其特徵係由PdCu合金所構成之氫滲透膜，前述PdCu合金係由38.75質量%以上39.50質量%以下之Cu與其餘部分Pd及不可避免雜質所構成，於任意剖面中之β相的面積率為95%以上。以下，針對於本發明之氫滲透膜之構成與製造方法詳細說明。
(A)本發明之氫滲透膜之構成
(A-1)合金組成
本發明之氫滲透膜，係除後述之不可避雜質以外，係由Pd與Cu所成之2元系PdCu合金構成。作為具有氫滲透性之PdCu系合金膜，如上述先前技術，包含Cu以外之添加元素的合金膜為已知。本發明中，若刻意添加Cu以外之添加元素，則因Pd濃度降低而有產生氫滲透性降低之虞，為了防止此而採用2元系合金。因此，本發明中，適用Cu濃度為38.75質量%以上39.50質量%以下之PdCu合金之合金膜。本發明之PdCu合金膜，相對於過去認為最適宜之PdCu合金膜(Cu濃度為40質量%)，Pd濃度提高約1質量%。
Cu濃度設為38.75質量%以上39.50質量%以下之理由係可進行PdCu合金朝β相之相變，同時確保適宜的氫滲透性。若Cu濃度未達38.75質量%，則難以展現β相，即使藉由後述之熱處理亦難以展現充分量的β相。另一方面，若Cu濃度超過39.50質量%，則氫滲透性降低而成為與先前技術之差異少的性能。亦即，Cu濃度若設為前述範圍以外則成為氫滲透性不足之合金膜。該Cu濃度特佳為38.80質量%以上39.20質量%以下。
本發明之PdCu合金膜係以Pd及Cu構成，不含其他刻意添加元素，但容許含有不可避免雜質。作為不可避免雜質，可舉例Al、Fe、Pt等。該等合計較佳為500ppm以下。
(A-2)合金膜之剖面構成
本發明中，於由PdCu合金所成之合金膜之任意剖面中β相之面積率為95%以上。如上述，由於PdCu合金之氫滲透性於β相之狀態下展現，故為了確保合金膜之氫滲透能必須提高剖面方向之β相的比率。本發明中，藉由嚴格規定合金膜剖面之β相之比率，而確保其氫滲透性。而且，本發明中，作為具有適宜氫滲透性之合金膜，於任意剖面中β相之面積率為95%以上。所謂任意剖面，意指針對PdCu合金膜無論方向如何於任意選擇之剖面中均具備前述條件。面積率可藉由將PdCu合金膜之兩面(表背兩端)可被視認之區域作為觀察區域進行剖面觀察，由β相之面積相對於觀察區域之全體面積而算出。關於觀察區域，較佳係將包含PdCu合金膜之表背兩端，且包含相對於膜厚為10倍以上長度之寬之範圍設定為觀察區域。且，該任意剖面中β相之面積率更佳為98%以上，β相之面積率之上限較佳為100%。
作為針對PdCu合金膜之任意剖面檢測出β相之方法，可有效利用電子束背向散射繞射(Electron BackScattered Difraction:EBSD)進行解析。以EBSD，可取得合金膜剖面之每結晶粒之資訊，藉此可算出‧測定合金膜剖面之β相之分布‧面積率。
(A-2)合金膜之膜厚‧氫滲透性
構成本發明之氫滲透膜之PdCu合金膜之膜厚，較佳為1μm以上250μm以下。未達1μm時，有機械強度不足且處理性困難。又，超過250μm之膜厚，因氫滲透量變少故精製效率降低。且，關於本發明之PdCu膜之形狀則未特別限制。
本發明之氫滲透膜相對於先前技術，氫滲透性優異。具體而言，於150℃以上350℃以下之溫度區間之任意溫度中，可顯示2.0×10
-8mol/m･S･Pa
1/2以上之氫滲透係數φ。該氫滲透係數φ為針對迄今最優化之Cu濃度40質量%之PdCu合金膜以同樣條件測定之氫滲透係數的1.2倍以上。且，氫滲透係數φ係藉由下述式算出。
(B)本發明之氫滲透膜之製造方法
本發明之氫滲透膜可藉由準備上述組成之PdCu合金膜，將其以特定條件進行熱處理而製造。PdCu合金膜之製造方法，可根據其膜厚、尺寸等可適當選擇而無特別限定。薄膜狀之PdCu合金膜可利用濺鍍法、真空蒸鍍法、化學蒸鍍法、鍍敷法等之各種薄膜形成製程。且，可藉由將合金塊(鑄錠)軋延加工等而製造板狀、箔狀之PdCu合金膜。
藉由軋延法之PdCu合金膜之製造，可藉由熔解鑄造法製造PdCu合金鑄錠，將其適宜組合熱鍛造、熱軋延、冷軋延等予以加工可作成特定厚度之合金膜。關於由鑄錠加工為合金膜之步驟未特別限定。但是，由於PdCu合金中因導入加工變形而促進朝β相之相變，故作為最終加工步驟較佳以冷加工進行加工率65%以上85%以下之加工而製造PdCu合金膜。
接著，以各種製法製造之Cu濃度38.75質量%以上39.5質量%以下之PdCu合金膜，藉由於特定溫度範圍之熱處理而顯示β相之相變。作為該熱處理溫度，設為275℃以上350℃以下。前述組成範圍中之相變溫度(α相→β相)，推定為約300℃左右。未達275℃之熱處理，不產生朝β相之相變，或於膜剖面之β相之面積率難以成為95%以上。另一方面，已知β相於高溫下將分解成α相。本發明中之PdCu合金，於超過350℃時，有產生β相分解之傾向。本發明中，合金膜之任意剖面中β相之面積率必須為95%以上，且為了不產生β相分解並確保前述面積率，必須於350℃以下進行熱處理。
作為用以朝β相之相變之熱處理環境，較佳為含加壓氫環境。更佳為氫分壓為0.05MPaG以上1.0MPaG以下之環境。
針對熱處理時間，可根據PdCu合金膜之膜厚進行調整。因熱處理所致之β相生成係自PdCu合金膜之兩表面開始進行，並隨著處理時間於膜內部進展相變。本發明中，因必須將PdCu合金膜剖面之β相之面積率提高，故以考慮膜厚同時使相變產生至內部之方式確保充分的熱處理時間。上述較佳範圍之膜厚的PdCu合金膜，較佳設為5小時以上之熱處理時間。且，若於上述溫度範圍內進行熱處理則因難以產生β相之分解，故處理時間設為長時間不成問題。
(C)藉由本發明之氫滲透膜之氫精製方法及氫精製裝置
本發明之氫滲透膜可使來自包含氫之氣體(進料)的氫選擇性滲透而精製氫。亦即，本發明之氫精製方法，係藉由使包含氫之氣體透過氫滲透膜而精製氫之方法，其特徵為使用本發明之氫滲透膜作為前述氫滲透膜，將處理溫度設為100℃以上375℃以下，使前述氣體透過前述氫滲透膜。
PdCu合金膜之氫滲透係數因具有溫度依存性，故於氫精製中必須使利用氫滲透膜之處理溫度(使用溫度)適當。利用本發明之Cu濃度38.75質量%以上39.5質量%以下之PdCu合金膜之氫精製方法，將100℃以上375℃以下設為適宜的處理溫度。該溫度範圍中，本發明之PdCu合金膜相對於先前技術(Cu濃度40質量%)，可發揮更高的氫滲透係數。又，本發明之氫滲透膜，於超過375℃至約450℃為止之溫度區間可發揮與先前技術(Cu濃度40質量%)同等以上之氫滲透係數。但於超過375℃之溫度，因有產生β相分解使氫滲透係數降低之虞，故適宜的處理溫度上限設為375℃。且，所謂處理溫度係作為精製處理對象之含氫氣體與氫滲透膜接觸及透過之區域的溫度。處理溫度係藉由將含氫氣體之溫度、氫滲透膜之溫度、氫製造(精製)裝置內之環境溫度之至少任一者設為上述溫度範圍內而調整。
含氫氣體之精製中係對氫滲透膜之一面(1次側)供給作為處理對象之氣體。此時，藉由相對於氫滲透膜之另一面(2次側)提高1次側之壓力，而抽出透過氫滲透膜之精製氫。此時，關於1次側及2次側之壓力差未特別限制。
又，於利用本發明之PdCu合金膜之氫精製步驟中，亦可如上述般使用為了β相形成之熱處理後之PdCu合金膜，亦可於即將氫精製步驟之前進行熱處理。亦即，準備由38.75質量%以上39.5質量%以下之Cu及其餘部分Pd及不可避免雜質所成之PdCu合金膜，藉由將此PdCu合金膜於氫環境中以275℃以上350℃以下之溫度進行熱處理形成氫滲透膜，隨後設為處理溫度100℃以上375℃以下使前述氣體透過氫滲透膜。
以上之氫精製方法，係藉由應用本發明之氫滲透膜的氫精製裝置實施。該氫精製裝置之氫滲透膜以外之主要構成可與習知之氫精製裝置相同。且，將氫滲透膜設置於氫滲透裝置時，為了補強機械強度，亦可對氫滲透膜組合氣體滲透性之支撐體。作為支撐體，可使用金屬網及多孔質燒結材等。但，由於有時藉由氫滲透膜之厚度確保機械強度等故支撐體非必須。
[發明效果]
如以上說明，本發明之由PdCu合金所成之氫滲透膜，將其組成範圍嚴格規定於Cu濃度38.75質量%以上39.5質量%以下，同時明確出PdCu合金膜剖面中最佳之β相面積率。用以形成該β相之處理條件，並非應用迄今最佳的PdCu合金膜(Cu濃度40質量%)者，而是本發明之合金組成的PdCu合金膜所發現者。本發明之氫滲透膜，相對於過去的PdCu合金膜(Cu濃度40質量%)具有更高的氫滲透係數。
第1實施形態：以下，針對本發明之實施形態進行說明。本實施形態中，製造Cu濃度39.0質量%(Pd濃度61.0質量%)之PdCu合金膜，將其進行熱處理而製造氫滲透膜。此時，使熱處理溫度變化而製造複數之氫滲透膜，測定剖面之β相的面積率、氫滲透係數。
準備以熔解鑄造法製造之PdCu合金鑄錠，將鑄錠表面進行面削並洗淨後藉由冷軋延製造PdCu合金膜。加工步驟中，進行中間退火(600~900℃)同時進行複數次之冷軋延，以最終軋延之加工率85%製造厚度15μm之PdCu合金膜。將該PdCu合金膜以275℃、300℃、350℃、375℃之溫度進行熱處理促進β相之相變。熱處理係於0.05MPaG之氫中加熱24小時之條件進行。
針對熱處理後之PdCu合金膜，進行表面之XRD分析。XRD分析係以XRD分析裝置(MACScience M03XHF22)將X射線源設為Cu kα射線進行分析。
接著，將本實施形態製造之PdCu合金膜切斷並對剖面進行EBSD分析，測定觀察區域中剖面之β相之面積率。作為進行EBSD分析時之前處理，係對試料剖面進行使用0.25μm之鑽石糊膏之精加工研磨，進而以離子拋磨裝置(日立HITECH股份有限公司製IM4000)將表面進行拋磨。離子拋磨之條件，係以有階錐輥F2、加速0.1kV、放電1.5kV、離子束照射角度70度、偏心4mm、氬氣流量0.07cm3/min之條件拋磨表面20分鐘。
EBSD分析係使用超高解析能掃描電子顯微鏡(日立HITECH股份有限公司製SU-70、Oxford Instruments股份有限公司製NORDLYS-MAX3)。分析條件係節距0.2μmm、釘扎模式4×4、增益0、曝光時間自動、EBSD解算器設定、頻帶數12、霍夫分解能60。又，解析係FCC相(晶格常數3.7653Å)以反射器44進行，B2相以反射器43進行。接著，β相(晶格常數2.9662Å)之面積率係以於分析裝置所具備之圖像解析軟體進行測定。
圖1顯示以各熱處理溫度處理之氫滲透膜(PdCu合金膜)表面之XRD繞射圖型。又，圖2顯示各氫滲透膜剖面之EBSD分析之結果，其中圖2的A顯示在275℃時剖面全體為β相，圖2的B顯示在300℃時剖面全體為β相，圖2的C顯示在350℃時剖面中心部存在薄的α相，圖2的D顯示在375℃時剖面隨處存在α相。
參照圖1時，若基於XRD分析之結果，則可推定於任一熱處理溫度下PdCu合金膜均完成朝β相之相變且大致上以β相構成。然而，若觀察對於PdCu合金膜剖面之EBSD分析之結果，可確認於375℃之熱處理於內部生成α相。若考慮以275℃~350℃之熱處理使β相生成至內部，則認為於375℃之熱處理所觀察到之α相，係殘留未變相之α相，或暫時變相為β相之相於高溫下會再轉相成α相。圖3顯示PdCu合金膜之熱處理溫度與剖面中β相之面積率之關係。本實施形態中，可確認若為275℃~350℃之熱處理，則膜剖面之β相之面積率成為98%以上。
其次，針對於各溫度進行熱處理而製造之氫滲透膜(PdCu合金膜)測定氫之滲透係數。將所製造之氫滲透膜切出直徑21.3mm之圓形。將該氫滲透膜與不鏽鋼製金屬網(直徑18.4mm)一起以ICF34凸緣用墊片夾持製作樣本(有效面積2.08cm2)。將該樣本設置於樣本固持器。樣本固持器係具有相對於樣本(氫滲透膜)為1次側(氣體供給側)之空間與2次側(透過氣體側)之空間，同時具備用於氣體供給及氣體噴出之噴嘴的真空容器。
圖4顯示氫滲透係數之測定裝置之概略。將上述構成之樣本固持器設置於電爐，並連接至真空幫浦及各種氣體流量計之配管。於測定前將樣本固持器之1次側‧2次側抽真空後以氫置換。接著，將爐升溫至特定的測定溫度為止後，對氫滲透膜之1次側導入特定壓力之氫。接著，測定透過2次側之氫流量。所測定之透過氣體(氫)之流量係由供給側壓、透過側壓、氫滲透膜之膜厚算出滲透係數。本實施形態之測定條件如以下。
試驗溫度：320℃
供給氣體：氫(氫濃度99.99%)
1次側壓力：0.05MPa･G
2次側壓力：0MPa･G
試驗時間：2.5h
本實施形態製造之由PdCu合金所成之氫滲透膜(熱處理溫度：275℃、300℃、350℃、375℃)之氫滲透係數(測定溫度320℃)如以下。
由表1，可確認膜剖面中β相之面積率較低之PdCu合金膜(熱處理溫度375℃)之氫滲透係數大幅劣化。亦即就獲得氫滲透性優異之PdCu合金膜而言，必須使相變為β相直至膜內部。
接著，若一併考慮上述之XRD分析與EBSD分析之結果，則對於由PdCu合金膜所成之氫滲透膜之氫滲透性進行檢討時，可說是XRD分析不夠充足。XRD分析雖可掌握至測定對象之表面數μm左右之深度的構造，但無法測定至內部構造。該點，於以非專利文獻1為代表之先前的檢討例，於氫滲透膜之構造解析主要使用XRD分析。但是，認為此對於評價PdCu合金膜之真實特性尚稱不足。
第2實施形態：本實施形態係製造Cu濃度不同之PdCu合金膜，並檢討Cu濃度(Pd濃度)與氫滲透係數之關係。此處，與先前技術的Cu濃度40.0質量%(Pd濃度60.0質量%)之PdCu合金膜比較，並進行與該先前技術之氫滲透能之比較。
關於PdCu合金膜之製造，與第1實施形態相同，係調整合金鑄錠之組成並製造Cu濃度37質量%~41質量%(Pd濃度59質量%~63質量%)之PdCu合金膜。
本實施形態中，最初作為於預備檢討，係進行以應用先前技術的Cu濃度40.0質量%(Pd濃度60.0質量%)之PdCu合金膜中最佳熱處理溫度時之氫滲透性的確認為主體之檢討。根據非專利文獻1等，Cu濃度40.0質量%之PdCu合金膜以400℃之熱處理而發揮最佳之氫滲透性，故熱處理溫度設為400℃。
又，於本實施形態，所製造之PdCu合金膜不進行熱處理而加工成與第1實施形態相同之形狀製作樣本，並設置於氫滲透係數之測定裝置。接著，進行與第1實施形態同樣之測定前之設定後，將電爐升溫至用於β相變之熱處理溫度的400℃，與升溫開始同時導入氫氣(1次壓力0.3MPa)。自該升溫開始於PdCu合金膜進行朝β相之相變。伴隨朝β相之相變，以透過氣體流量計測定之氫流量增大。而且，於透過之氫流量安定後之階段進行氫滲透係數之測定。又，其他條件與第1實施形態相同。
將β相變之熱處理溫度設為400℃時之各種PdCu合金膜(Cu濃度37質量%~41質量%)之氫滲透係數之測定結果示於圖5。由圖5，可確認於400℃之熱處理，Cu濃度40.0質量%(Pd濃度60.0質量%)之PdCu合金膜顯示最大之氫滲透係數。其結果，與先前之報告例之結果相符。
另一方面，於Cu濃度為39質量%以下之PdCu合金膜(第1實施形態)之情況，於400℃之熱處理氫滲透係數變得極低。如於第1實施形態所確認，Cu濃度為39質量%之PdCu合金膜，於400℃之熱處理下殘留未變相之α相或暫時朝β相變之相於高溫下產生朝α相之再變相，可說與其結果對應。
因此，將熱處理溫度設為320℃對各PdCu合金膜進行熱處理，並測定該等之氫滲透係數。此檢討係將不進行與上述相同之熱處理之PdCu合金膜設置於測定裝置進行熱處理。首先加熱溫度設定於320℃予以升溫並導入氫氣。進行以320℃之加熱直至氫透過流量安定為止，確認流量安定後，升溫至400℃測定氫滲透係數。將該結果示於圖6。
由圖6可知藉由將熱處理溫度設為320℃下，Cu濃度39.0質量%(Pd濃度61.0質量%)之PdCu合金膜中展現明確的氫滲透性。於Cu濃度41質量%~39質量%(Pd濃度59質量%~61質量%)之範圍內，伴隨著Pd濃度之上升氫滲透係數增大。而且，可知氫滲透係數之最大值係相對於Cu濃度39.0質量%(Pd濃度61.0質量%)之PdCu合金膜的先前技術為1.3倍之值。且，該Cu濃度39.0質量%之PdCu合金膜之氫滲透係數，相對於上述以400℃熱處理之Cu濃度40.0質量%之PdCu合金膜的氫滲透係數亦同等為較高之值。
第3實施形態：本實施形態係針對與第1實施形態相同的PdCu合金膜(Cu濃度39.0質量%)調整用於β相生成之熱處理溫度而製造β相面積率不同之PdCu合金膜，並測定該等之氫滲透係數。本實施形態亦與第2實施形態相同，於測定裝置進行PdCu合金膜之朝β相之相變之熱處理(處理溫度275℃~375℃)，並測定其後之氫滲透係數。氫滲透試驗之測定溫度設為300℃。接著，於氫滲透係數測定後，取出PdCu合金膜進行EBSD分析並測定剖面之β相面積率。
圖7係顯示該試驗結果者，係顯示Cu濃度39.0質量%之PdCu合金膜之剖面中β相之面積率與氫滲透係數之關係之圖表。由圖7，可知PdCu合金膜之剖面中β相之面積率增加同時氫滲透係數上升。若以於第2實施形態檢討之先前的Cu濃度40質量%之PdCu合金膜之氫滲透係數為基準，可確認於本實施形態β相之面積率必須設為95%以上，特佳應設為98%以上。
第4實施形態：於本實施形態確認氫精製中處理溫度與氫滲透係數之關係。將第1實施形態之PdCu合金膜(Cu濃度39.0質量%)設置於測定裝置，並將試驗溫度設定於180℃~600℃測定氫滲透係數。本實施形態亦與第2實施形態相同，於測定裝置進行PdCu合金膜之朝β相相變之熱處理，隨後測定於各溫度之氫滲透係數。熱處理溫度設為300℃。又，為了對比亦針對Cu濃度40質量%之PdCu合金膜進行同樣測定(熱處理溫度設為400℃)。
將該測定結果示於圖8。作為氫精製中之處理溫度與氫滲透係數之關係，本實施形態之PdCu合金膜(Cu濃度39.0質量%)之氫滲透係數於300℃~350℃附近顯示峰值。相對於此先前例之PdCu合金膜(Cu濃度40.0質量%)於400℃附近具有氫滲透係數之峰值。若將本實施形態與先前例進行對比，則氫滲透係數顯示最大值之處理溫度不同，但可確認於100℃至450℃附近之間，本實施形態之PdCu合金膜顯示比先前例以上之更高氫滲透係數。尤其，直至350℃附近之溫度區域發揮更高的氫滲透係數，可確認為更佳的處理溫度。
由第2~第4實施形態之結果，可確認氫滲透係數最大程度提高的PdCu合金膜係可藉由設為Cu濃度39.0質量%附近之組成而獲得。該PdCu合金膜藉由適當的熱處理(朝β相之相變處理)可獲得比先前技術的Cu濃度40.0質量%之PdCu合金膜更高的氫滲透係數。
[產業上之可利用性]
本發明之由PdCu合金膜所成之氫滲透膜，Cu濃度為38.75質量%以上39.5質量%以下，而嚴格規定其組成範圍。又，藉由針對氫滲透膜之剖面提高朝β相之佔有率而確保氫滲透性。本發明相對以往被視為最佳之PdCu合金膜(Cu濃度40質量%)具有更高的氫滲透係數。氫除了於化學合成領域以外於近幾年亦被期待作為可再生的新能源而活用。本發明有助於對該等廣泛領域供給高純度之氫。
[圖1]係以各熱處理溫度製造之氫滲透膜(PdCu合金膜(39質量% Cu))表面之XRD繞射圖型。
[圖2]係以各熱處理溫度製造之氫滲透膜(PdCu合金膜(39質量% Cu))之剖面的EBSD輪廓。
[圖3]係顯示PdCu合金膜(39質量% Cu)之熱處理溫度與剖面之β相之面積率的關係之圖表
[圖4]係顯示於各實施形態使用之氫滲透係數之測定裝置的構成之圖。
[圖5]係顯示各種PdCu合金膜(Cu濃度37質量%~41質量%，熱處理溫度400℃)之氫滲透係數的測定結果之圖表。
[圖6]係顯示各種PdCu合金膜(Cu濃度37質量%~41質量%，熱處理溫度320℃)之氫滲透係數的測定結果之圖表。
[圖7]係顯示Cu濃度39.0質量%之PdCu合金膜之剖面中β相之面積率與氫滲透係數的關係之圖表。
[圖8]係顯示利用PdCu合金膜(Cu濃度39質量%、40質量%)之氫精製中於各處理溫度的氫滲透係數之測定結果的圖表。
Claims (7)
- 一種氫滲透膜，其係由PdCu合金所構成之氫滲透膜，前述PdCu合金係由38.75質量%以上39.2質量%以下之Cu與其餘部分Pd及不可避免雜質所構成，於任意剖面中之β相的面積率為95%以上。
- 如請求項1之氫滲透膜，其厚度為1μm以上250μm以下。
- 如請求項1或2之氫滲透膜，其於150℃以上350℃以下之溫度範圍之任一溫度下具有2.0×10-8mol/m．S．Pa1/2以上之氫滲透係數。
- 一種如請求項1至3中任一項之氫滲透膜之製造方法，其包含：準備由38.75質量%以上39.2質量%以下之Cu與其餘部分Pd及不可避免雜質所構成之PdCu合金膜之步驟，將前述PdCu合金膜於加壓含氫環境中以275℃以上350℃以下之溫度進行熱處理之步驟。
- 一種氫精製方法，其係藉由使含氫之氣體通過氫滲透膜而精製氫的方法，其特徵係使用如請求項1至3中任一項之氫滲透膜作為前述氫滲透膜，將處理溫度設為100℃以上375℃以下，使前述氣體透過前述氫滲透膜。
- 一種氫精製方法，其係藉由使含氫之氣 體通過氫滲透膜而精製氫的方法，其特徵係準備由38.75質量%以上39.5質量%以下之Cu與其餘部分Pd及不可避免雜質所構成之PdCu合金膜，於使前述含氫之氣體透過之前，將前述PdCu合金膜於氫環境中以275℃以上350℃以下之溫度進行熱處理，形成前述氫滲透膜，隨後，將處理溫度設為100℃以上375℃以下，使前述氣體透過前述氫滲透膜。
- 一種氫製造裝置，其具備如請求項1至3中任一項之氫滲透膜與支撐前述氫滲透膜之支撐體。
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