TWI840988B - 晶圓吸附裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種晶圓吸附裝置，其包含一底座，底座貫穿有一進氣孔；一導流環，其包含一環體及複數止滑塊，各止滑塊間隔凸設於環體的頂面，導流環設置於底座上；一導流蓋，其一側面內凹形成有複數流道，各流道的一端相連接，各流道的另一端朝向外側延伸且各流道為弧狀，導流蓋設置於導流環的環體內並固設於底座，各流道的一端與進氣孔相連通，導流蓋與導流環之間保持一間距；藉此當放置晶圓時，可達到降低與晶圓的接觸面，以減少晶圓磨損的機率，且利用吹氣之方式可進一步減少灰塵沾附於晶圓上，以保持晶圓之潔淨度。
Description
本發明係涉及一種晶圓吸附裝置，尤指一種利用吹氣方式使得晶圓可定位於其上之晶圓吸附裝置。
現有技術於半導體的濕式製程中，其中有一步驟是對晶背進行清洗作業，而清洗晶背時，需先將晶圓定位於一吸附盤上，而吸附盤是利用其頂面形成有複數吸氣孔，以吸氣孔的吸附力將晶圓吸附於其上，再旋轉吸附盤帶動晶圓轉動，於晶圓旋轉的過程中以清洗液噴灑於晶圓表面進行清洗作業。
然而，現有技術之吸附盤因為採用吸氣方式，故除了需形成有一定數量之吸附孔外，其與晶圓之接觸面亦需有一定之面積才能保持穩定，但與晶圓接觸面積越多時，尤其在動態旋轉的過程中，如果晶圓產生滑移現象，刮傷晶圓之機率更顯提升，如此將造成產品良率的下降；因此，現有技術的吸附盤，其整體構造存在有如前述的問題及缺點，實有待加以改良。
有鑒於現有技術的不足，本發明提供一種晶圓吸附裝置，其藉由於底座上設置導流環及導流蓋，達到可形成旋轉氣流並朝向晶圓吹氣使晶圓固定於其上之目的。
為達上述之發明目的，本發明所採用的技術手段為設計一種晶圓吸附裝置，其包含：
一底座，其貫穿有一進氣孔；一導流環，其包含一環體及複數止滑塊，該環體為一中空體且具有一環頂面、一環底面及一環內側面，該環內側面位於該環頂面及該環底面之間，各該止滑塊間隔凸設於該環頂面，該環頂面鄰近於外緣的一端形成有一環斜面，該環斜面朝向外側方向向上傾斜，該導流環以該環底面設置於該底座上；一導流蓋，其包含一蓋頂面、一蓋底面及一蓋環外側面，該蓋環外側面位於該蓋頂面及該蓋底面之間，該蓋底面內凹形成有複數流道，各該流道的一端相連接，各該流道的另一端朝向外側延伸並形成一開口，各該流道為弧狀，該導流蓋設置於該導流環的該環體內，並以該蓋底面固設於該底座，各該流道的一端與該進氣孔相連通，該蓋環外側面為弧面且與該環內側面保持一間距。
進一步而言，所述之晶圓吸附裝置，其中該環內側面為弧面，該環內側面與該蓋環外側面相互平行。
進一步而言，所述之晶圓吸附裝置，其中各該止滑塊由該環頂面的表面向上突出一高度。
本發明的優點在於，可達到降低晶圓與本發明的接觸面積，以減少晶圓因為滑移而導致磨損的機率，且利用吹氣之方式可進一步減少灰塵沾附於晶圓上，以保持晶圓之潔淨度。
10:底座
11:進氣孔
12:內座孔
13:外座孔
20:導流環
21:環體
211:環頂面
212:環底面
213:環內側面
214:環斜面
22:止滑塊
30:導流蓋
31:蓋頂面
32:蓋底面
33:蓋環外側面
34:流道
35:匯流區
36:出口
37:旋流區
40:晶圓
圖1係本發明之立體外觀圖。
圖2係本發明之分解圖。
圖3係本發明之導流蓋下視圖。
圖4係本發明之局部剖面圖。
圖5係本發明之剖面圖。
以下配合圖式以及本發明之較佳實施例，進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段。
請參閱圖1及圖2所示，本發明之晶圓吸附裝置，其包含一底座10、一導流環20及一導流蓋30。
底座10為圓形片體，其貫穿有一進氣孔11、複數內座孔12及複數外座孔13，該進氣孔11位於中央位置，各內座孔12及各外座孔13環繞間隔排列於進氣孔11周圍，但不以此為限，底座10之形式可依使用者需求作改變。
請參閱圖2及圖4所示，導流環20包含一環體21及複數止滑塊22，環體21為一中空體，其具有一環頂面211、一環底面212及一環內側面213，環內側面213位於環頂面211及環底面212之間，各止滑塊22間隔凸設於環頂面211，各止滑塊22由環頂面211的表面向上突出一高度，導流環20藉由複數鎖固件穿設於各外座孔13鎖固於環底面212，將導流環20固定於底座10上，在本實施例中，環內側面213為弧面，其自環底面212朝向環頂面211的方向向外傾斜，即如同一喇叭口之形狀，環頂面211鄰近於外緣的一端形成有一環斜面214，環斜面214朝向外側方向向上傾斜，但不以此為限，導流環20之形式可依使用者需求作改變。
請參閱圖2至圖4所示，導流蓋30包含一蓋頂面31、一蓋底面32及一蓋環外側面33，蓋環外側面33位於蓋頂面31及蓋底面32之間，蓋底面32內凹形成有複數流道34，各流道34的一端相連接形成一匯流區35，各流道34的另一端朝向外側延伸並形成一出口36，在本實施例中，各流道34為弧狀且較佳的數量為三個，各流道34彎曲的方向相同，前述所指彎曲的方向即正視各流道34
各出口36皆朝向逆時針方向的一側傾斜，但不以此為限，各流道34之數量及形式可依使用者需求作改變，導流蓋30設置於導流環20的環體21內，以複數鎖固件穿設於各內座孔12並鎖固於蓋底面32，將導流蓋30固定於底座10，位於各流道34一端的匯流區35與進氣孔11相連通，蓋環外側面33為弧面，蓋環外側面33與環內側面213相互平行且保持一間距，從上方視之導流蓋30與導流環20之間形成一環狀出氣孔，蓋環外側面33與環內側面213之間形成一旋流區37。
本發明使用時，請參閱圖2及圖5所示，可配合一晶圓40實施，晶圓40放置於各止滑塊22上，底座10連接一外部供氣裝置(圖式中未示)，外部供氣裝置將氣體自進氣孔11輸入，氣體流向匯流區35後，將發散至各流道34並從各出口36流出，而因為各出口36為斜向口，故位於旋流區37之氣體將沿著同方向流動形成旋轉氣流並向上吹出，而當氣體撞擊到晶圓40時，則會沿著晶圓40的底面朝向外側方向自環斜面214流出，而因為晶圓40下方的氣體流速較晶圓40上方之氣體流速快，故位於晶圓40上方之氣體壓力大於晶圓40下方之氣體壓力，使得晶圓40可定位於各止滑塊22上如同懸浮狀態，藉此相較於現有技術可達到降低晶圓40的接觸面，以減少晶圓40磨損的機率，且利用吹氣之方式可進一步減少灰塵沾附於晶圓40上，以保持晶圓40之潔淨度。
前述過程中，由於環斜面214可導引氣體往上方方向移動，故氣體可直接推抵晶圓40的底面進一步提供支撐力，藉此使得晶圓40的受力較為平均，提升晶圓40定位之穩定度及減少晶圓40產生形變之功效。
以上所述僅是本創作之較佳實施例而已，並非對本創作做任何形式上的限制，雖然本創作已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作技術方案的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾作為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本創作技術方案的內容，依據本創作的技術實質對以上實
施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本創作技術方案的範圍內。
20:導流環
21:環體
211:環頂面
214:環斜面
22:止滑塊
30:導流蓋
31:蓋頂面
Claims (3)
- 一種晶圓吸附裝置，其包含：一底座，其貫穿有一進氣孔；一導流環，其包含一環體及複數止滑塊，該環體為一中空體且具有一環頂面、一環底面及一環內側面，該環內側面位於該環頂面及該環底面之間，各該止滑塊間隔凸設於該環頂面，該環頂面鄰近於外緣的一端形成有一環斜面，該環斜面朝向外側方向向上傾斜，該導流環以該環底面設置於該底座上；一導流蓋，其包含一蓋頂面、一蓋底面及一蓋環外側面，該蓋環外側面位於該蓋頂面及該蓋底面之間，該蓋底面內凹形成有複數流道，各該流道的一端相連接，各該流道的另一端朝向外側延伸並形成一開口，各該流道為弧狀，該導流蓋設置於該導流環的該環體內，並以該蓋底面固設於該底座，各該流道的一端與該進氣孔相連通，該蓋環外側面為弧面且與該環內側面保持一間距。
- 如請求項1所述之晶圓吸附裝置，其中該環內側面為弧面，該環內側面與該蓋環外側面相互平行。
- 如請求項1或2所述之晶圓吸附裝置，其中各該止滑塊由該環頂面的表面向上突出一高度。
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|---|---|---|---|
| TW111138082A TWI840988B (zh) | 2022-10-06 | 2022-10-06 | 晶圓吸附裝置 |
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Citations (5)
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| Publication number | Publication date |
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