TWI835460B - 發光模組以及發光裝置 - Google Patents

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TWI835460B
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大陸商弘凱光電(江蘇)有限公司
弘凱光電股份有限公司
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Abstract

本發明提供了一種發光模組及具有其的發光裝置,該發光模組包括:基板、至少一發光晶片、第一光學感測器及透光保護層,基板具有位於相反兩側的第一表面和第二表面,第一表面上設有發光晶片和第一光學感測器,透光保護層設於第一表面上且包覆發光晶片和第一光學感測器,透光保護層用於導引部分發光晶片發出的光至第一光學感測器,第一光學感測器用於對發光晶片發出的光進行檢測,發光晶片用於根據第一光學感測器檢測到的結果而被調節發光。本發明提供的發光模組通過設置第一光學感測器即時監測各發光晶片發出的光,各發光晶片將根據光檢測結果即時進行差異化調整,從而保證發光顯示的均一性。

Description

發光模組以及發光裝置
本發明屬於發光顯示技術領域,更具體地說,是涉及一種發光模組以及發光裝置。
LED(light-emitting diode,LED)是半導體光源,LED的亮度會隨工作電流的增大而增大。透過混合藍光LED晶片的光、紅光LED晶片的光及綠光LED晶片的光將產生白光,但由於每顆LED晶片在點亮一段時間後,將會產生光衰減問題,且每顆LED晶片的光衰減幅度也不相同,因此對於以混光方式產生的白光會有色偏現象。
現有LED燈板中的LED晶片發光控制是通過驅動晶片在出廠前寫入一組固定的色溫補償曲線,由於受色溫補償曲線的斜率差異的影響,即使在同一塊燈板上也會產生光顏色差異,同時,由於燈板上每一顆LED晶片在點亮一段時間後光衰減的幅度也不相同,在一組固定的色溫補償曲線作用下,難以有效控制LED燈板出光畫面的均一性。
本發明的目的在於提供一種發光模組以及發光裝置,以解決現有技術中存在的LED出光顯示均一性差的技術問題。
為實現上述目的,第一方面,本發明一實施例提供一種發光模組,包括:基板、至少一發光晶片、第一光學感測器及透光保護層,所述基板具有位於相反兩側的第一表面和第二表面,所述第一表面上設有所述發光晶片和所述第一光學感測器,所述透光保護層設於所述第一表面上且包覆所述發光晶片和所述第一光學感測器,所述透光保護層用於導引部分所述發光晶片發出的光至所述第一光學感測器,所述第一光學感測器用於對所述發光晶片發出的光進行檢測,所述發光晶片用於根據所述第一光學感測器檢測到的結果而被調節發光。
可選地,所述至少一發光晶片包括藍光晶片、紅光晶片及綠光晶片,所述第一光學感測器為色彩感測器或光照感測器。
可選地,還包括反射層,所述反射層覆蓋所述透光保護層,所述反射層設有出光孔,所述出光孔暴露出所述透光保護層遠離所述第一表面的上表面的出光區,所述出光區暴露出所述發光晶片,所述反射層遮擋所述第一光學感測器。
可選地,還包括第二光學感測器,所述第二光學感測器設於所述第一表面上且被所述透光保護層覆蓋,所述第二光學感測器與所述第一光學感測器之間隔有所述反射層,所述第二光學感測器用於檢測外部環境光強,所述發光晶片用於根據所述第二光學感測器檢測到的結果而被調節發光,所述反射層的厚度大於或者等於0.15mm。
可選地,所述第一光學感測器遠離所述第一表面的感測表面到所述透光保護層遠離所述第一表面的上表面的距離大於或者等於0.15mm。
可選地,所述至少一發光晶片中高度最高的所述發光晶片遠離所述第一表面的出光表面不高於所述第一光學感測器遠離所述第一表面的感測表面。
可選地,所述發光晶片為垂直結構發光二極體晶片或水平結構發光二極體晶片,所述至少一發光晶片中高度最高的所述發光晶片的所述出光表面與所述第一光學感測器的所述感測表面的高度差大於或者等於0.05mm。
可選地,所述第一表面凹設置有凹槽,所述至少一發光晶片設於所述凹槽內。
可選地,所述至少一發光晶片中最鄰近所述第一光學感測器的所述發光晶片到所述第一光學感測器的距離大於或者等於0.15mm。
第二方面,本發明一實施例還提供一種發光裝置,所述發光裝置包括本發明第一方面提供的所述發光模組及驅動晶片,所述驅動晶片與所述第一光學感測器和所述發光晶片電連接,所述驅動晶片用於根據所述第一光學感測器檢測到的結果調節所述發光晶片的發光;或者所述驅動晶片與所述第一光學感測器、所述第二光學感測器和所述發光晶片電連接,所述驅動晶片用於根據所述第一光學感測器檢測到的結果及所述第二光學感測器檢測到的結果調節所述發光晶片的發光。
與現有技術相比,本發明第一方面提供的發光模組通過設置第一光學感測器即時監測各發光晶片發出的光,各發光晶片將根據光檢測結果即時進行差異化調整,從而保證發光顯示的均一性。
本發明第二方面提供的發光裝置由於採用了本發明第一方面提供的發光模組,該發光模組設置第一光學感測器即時監測發光晶片發出的光,驅動 晶片根據光檢測結果即時對發光晶片的發光進行差異化調節,使得發光裝置的發光顯示均一性更好。
1:基板
11:凹槽
2:發光晶片
2a:出光表面
21:藍光晶片
22:紅光晶片
23:綠光晶片
3:第一光學感測器
3a:感測表面
4:透光保護層
41:出光區
42:入光區
43:凸起部
5:反射層
51:出光孔
52:入光孔
6:第二光學感測器
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者來講,在不付出具進步性改變的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明一實施例提供的發光模組的俯視結構示意圖;圖2為圖1中A-A向剖面結構示意圖;圖3為本發明另一實施例提供的發光模組的剖面結構示意圖;圖4為本發明又一實施例提供的發光模組的剖面結構示意圖;圖5為本發明再一實施例提供的發光模組的剖面結構示意圖;以及圖6為本發明再一實施例提供的發光模組的俯視結構示意圖。
為了使本發明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,並不用於限定本發明。
需要說明的是,當元件被稱為“固定於”或“設置於”另一個元件,它可以直接在另一個元件上或者間接在該另一個元件上。當一個元件被稱為是“連 接於”另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或間接連接至該另一個元件上。
需要理解的是,術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係,僅是為了便於描述本發明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本發明的限制。
此外,術語“第一”、“第二”僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此,限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明的描述中,“多個”的含義是兩個或兩個以上,除非另有明確具體的限定。
請一併參閱圖1至圖6,現對本發明實施例第一方面提供的發光模組及發光裝置進行說明。
本發明實施例第一方面提供的發光模組包括:基板1、至少一發光晶片2、第一光學感測器3及透光保護層4。基板1具有第一表面和第二表面,第一表面和第二表面分別位於基板1相反的兩側,其中第一表面上設有發光晶片2和第一光學感測器3,透光保護層4也設置於第一表面上並且包覆發光晶片2和第一光學感測器3。發光晶片2用於通電後發光,透光保護層4用於導引部分發光晶片2發出的光至第一光學感測器3,第一光學感測器3用於對發光晶片2發出的光進行檢測,發光晶片2用於根據第一光學感測器3檢測到的結果而被調節發光。
本發明第一方面提供的發光模組,與現有技術相比,通過設置第一光學感測器3即時監測發光晶片2發出的光,並根據光檢測結果即時對發光晶片2的發光進行差異化調節,從而保證發光模組出光顯示的均一性。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,基板1的相反兩側為上下兩側,則第一表面和第二表面分別對應基板1的上表面和下表面。基板1為PCB(Printed Circuit Board)板;可以理解地,在其他實施例中,基板1也可以是陶瓷基板、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)基板或EMC(Epoxy Molding Compound)封裝基板。
在本發明一實施例中,請參閱圖1和圖2,至少一發光晶片2包括藍光晶片21、紅光晶片22及綠光晶片23,即藍光晶片21為發出藍色光的發光晶片,紅光晶片22為發出紅色光的發光晶片,綠光晶片23為發出綠色光的發光晶片。藍光晶片21、紅光晶片22和綠光晶片23組成一個發光單元,實現三原色混合成白光。可以理解地,在其他實施例中也可以只有一個發光晶片。可選地,發光晶片2為發光二極體(light-emitting diode,LED),發光二極體採用固體半導體為發光材料,具有節能、環保、顯色性與回應速度好的特點。可選地,藍光晶片21、紅光晶片22及綠光晶片23呈線型並列排布。請參見圖6,在其他實施例也可以是藍光晶片21、紅光晶片22及綠光晶片23呈品字形分佈,在此不作限定。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,第一光學感測器3靠近發光晶片2設置,以便第一光學感測器3能盡可能多地接收到發光晶片2發出的光及縮小發光模組體積。第一光學感測器3為色彩感測器。色彩感測器用於檢測各發光晶片2所發出的光中顏色光的配比及實際光強,在色彩感測器檢測到至少一發 光晶片2發出的光的顏色光配比及強度不符合預設值時,用以控制發光晶片2發光的驅動晶片將根據第一光學感測器3檢測到的結果調節發光晶片2的發光。可以理解地,在其他實施例中,第一光學感測器也可以是其他光學感測器,例如為光照感測器,用於檢測光照強度,在光照感測器檢測到發光晶片2發出的光的強度不符合預設值時,驅動晶片將根據第一光學感測器3檢測到的結果調節發光晶片2的發光。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,透光保護層4為灌封矽膠層。發光模組通過在發光晶片2和第一光學感測器3的外表面包覆一層透光保護層4,透光保護層4除了可以導引部分發光晶片2發出的光至第一光學感測器3外,也可以對發光晶片2和第一光學感測器3進行密封防水保護。而灌封矽膠層本身具有良好的防水防潮和抗老化性能,是良好的透明保護層。在其他實施例中,透光保護層4也可以是環氧樹脂、聚氨酯等透明度高的材料製成,在這裡不作贅述。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,發光模組還包括反射層5,反射層5覆蓋透光保護層4,反射層5用於將發光晶片2發出的光反射至第一光學感測器3及避免發光模組漏光。反射層5設有出光孔51,對應出光孔51在透光保護層4的上表面形成出光區41,即出光孔51暴露出透光保護層4的上表面的出光區41,透光保護層4的上表面為透光保護層4遠離基板1的第一表面的一側表面,出光區41暴露出發光晶片2,反射層5遮擋第一光學感測器3。可選地,出光區41對應發光晶片2設置,出光孔51的設置使得出光區41保持裸露,即出光區41的表面不設置其他擋光部件,以供發光晶片2發出的光出射到外部環境。與出光區41不同,反射層5遮擋第一光學感測器3,即第一光學感測器3上方的透光 保護層4的上表面被反射層5覆蓋,反射層5除了可以將發光晶片2發出的光反射至第一光學感測器3外,還可以用於阻擋外部環境的光線照向第一光學感測器3,避免外部環境的光線射入第一光學感測器3而造成干擾。在本實施例中,第一光學感測器3的上方被反射層5遮蓋。經試驗測試發現,在有反射層5遮擋第一光學感測器3時,當外部環境光線的入射光通量為發光晶片2的光通量的200%時,第一光學感測器3接收到的發光晶片2的全反射光通量會接近於第一光學感測器3接收到的外部環境光線的入射光通量;在第一光學感測器3的上方沒有覆蓋反射層5時,當外部環境光線的入射光通量為發光晶片2的光通量的35%時,第一光學感測器3接收到的發光晶片2的全反射光通量會接近於第一光學感測器3接收到的外部環境光線的入射光通量。此外,在透光保護層4表面覆蓋反射層5,且反射層5還設有出光孔51,出光孔51的設置可以有效限制出光區41的範圍,即發光模組的發光面範圍,又因發光面的尺寸大小與二次光學元件,例如二次透鏡的尺寸大小正相關,因此可以實現在終端上設計更小的二次光學元件。經試驗測試發現,在透光保護層4表面裸露沒有覆蓋反射層5時,對應發光晶片2的中心出光量僅有90%,在其他位置會有10%的雜散光,從而造成發光模組整體出光面積大;而在透光保護層4的表面覆蓋有反射層5時,對應發光晶片2的中心出光量可趨近100%,同時發光模組的出光面積僅為無反射層5時出光面積的一半。可以理解地,在其他實施例中,反射層5也可以設為部分遮擋第一光學感測器3,即第一光學感測器3的上方有一部分被反射層5遮擋,另一部分裸露,相比較而言,部分遮擋的方式沒有完全遮擋的方式防干擾性好。
在本發明一實施例中,請參閱圖3至圖5,考慮到發光模組應用在戶外時,由於戶外的光線強度高,導致發光晶片2無法有效顯色,因此,該實施例中發光模組還包括第二光學感測器6,第二光學感測器6也設於基板1的第一表面,且第二光學感測器6也被透光保護層4覆蓋,形成保護。可選地,包覆第二光學感測器6的這部分透光保護層4的表面也被反射層5覆蓋,反射層5還設有入光孔52,對應入光孔52在透光保護層4的上表面形成入光區42,即入光孔52暴露出透光保護層4的上表面的入光區42,入光區42暴露出第二光學感測器6,第二光學感測器6用於檢測外部環境光強,例如為環境光感測器,發光晶片2用於根據第二光學感測器6檢測到的結果而被調節發光。在本實施例中,借由第二光學感測器6感應外部環境光強,藉以調節發光晶片2,達到在一定光線下還能顯色的功能。具體地,入光區42對應第二光學感測器6設置,入光孔52的設置使得入光區42的表面保持裸露,即入光區42的表面不設置其他擋光部件,以供外部環境的光線,例如太陽光穿過透光保護層4進而被第二光學感測器6接收。具體地,發光晶片2、第一光學感測器3和第二光學感測器6並排設置在基板1的第一表面上。可選地,發光晶片2、第一光學感測器3和第二光學感測器6依次並排設置,第一光學感測器3靠近發光晶片2設置,第二光學感測器6靠近第一光學感測器3設置,以縮小發光模組的整體體積。可以理解地,在其他實施例中也可以為第二光學感測器6、發光晶片2和第一光學感測器3依次並排設置,即第二光學感測器6和第一光學感測器3分別位於發光晶片2的兩側。為了避免發光晶片2發出的光被第二光學感測器6接收而造成干擾,反射層5進一步延伸至第一光學感測器3和第二光學感測器6之間,以間隔開第一光學感測器3和第二光學感測器6,同時,反射層5還穿過透光保護層4並分 割透光保護層4。通常,反射層5的厚度越大,反射效果及遮擋環境光效果越好,可選地,為避免發光模組漏光,反射層5的厚度大於或者等於0.15mm,例如可以是0.15mm、0.2mm、0.25mm或0.3mm。
在本發明一實施例中,請參閱圖4,在透光保護層4的入光區42表面還設有凸起部43,凸起部43為透光保護層4向背離第一表面的一側凸起形成,形成的凸起部43延伸進入入光孔52中。凸起部43用於接收外部環境光線。可選地,凸起部43為半球形。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,第一光學感測器3的感測表面3a到透光保護層4的上表面的距離大於或者等於0.15mm,第一光學感測器3的感測表面3a為第一光學感測器3遠離基板1的第一表面的一側表面,透光保護層4的上表面也指的是遠離基板1的第一表面的一側表面,例如可以是0.15mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.4mm或0.5mm,以確保有足夠的光通道,讓部分發光晶片2的光能順利被反射層5反射或被透光保護層4全反射至第一光學感測器3的感測表面3a。通過將第一光學感測器3的感測表面到透光保護層4的上表面的距離設置為大於或者等於0.15mm,利於保證透光保護層4有效將部分發光晶片2發出的光導引至第一光學感測器3的感測表面3a。
在本發明一實施例中,請參閱圖2,考慮到發光晶片2的光線除了一部分要從出光區41發射到外部環境之外,還有一部分光線要在透光保護層4的導引下反射及全反射給第一光學感測器3以便進行識別檢測,因此至少一發光晶片2中高度最高的發光晶片2的出光表面2a不高於第一光學感測器3的感測表面3a,即在平穩置放發光模組時的垂直方向上,發光晶片2的出光表面2a低於第一光學感測器3的感測表面3a或者發光晶片2的出光表面2a與第一光學感測 器3的感測表面3a平齊。這裡,發光晶片2的出光表面2a為發光晶片2遠離基板1的第一表面的一側表面。可以預見,在發光晶片2和第一光學感測器3位於同一平面上時,發光晶片2的厚度不可高於第一光學感測器3的厚度,例如發光晶片2的厚度和第一光學感測器3的厚度相等或者發光晶片2的厚度小於第一光學感測器3的厚度。可選地,至少一發光晶片2包括藍光晶片21、紅光晶片22及綠光晶片23,其中藍光晶片21、紅光晶片22和綠光晶片23三者的厚度相等,且均小於第一光學感測器3的厚度。當然,在其他實施例中也可以是藍光晶片21、紅光晶片22和綠光晶片23三者的厚度均不相等,例如紅光晶片22的厚度大於藍光晶片21的厚度也大於綠光晶片23的厚度,但是紅光晶片22的厚度小於或者等於第一光學感測器3的厚度。在至少一發光晶片中高度最高的發光晶片2的出光表面2a低於第一光學感測器3的感測表面3a時,可選地,發光晶片2為水平結構發光二極體晶片或垂直結構發光二極體晶片,至少一發光晶片中高度最高的發光晶片2的出光表面2a與第一光學感測器3的感測表面3a的高度差大於或者等於0.05mm,讓部分發光晶片2的光能順利被反射層5反射或被透光保護層4全反射至第一光學感測器3的感測表面3a。相較水平結構發光二極體晶片,垂直結構發光二極體晶片具有亮度高、散熱快、光衰小及光色漂移小的優點。
在本發明一實施例中,請參閱圖5,在基板1上設有凹槽11,凹槽11為基板1的第一表面內凹形成,至少一發光晶片2設於凹槽11內。通過設置凹槽11,將發光晶片2設在凹槽11的底壁上,第一光學感測器3設在基板1的第一表面上,進一步拉大發光晶片2的出光表面2a與第一光學感測器3的感測表面3a之間的高度差。同時,設置凹槽11還有一個好處就是降低了對發光晶片2尺寸 的限制;例如發光晶片2的厚度可以是小於第一光學感測器3的厚度,也可以是發光晶片2的厚度等於第一光學感測器3的厚度,甚至發光晶片2的厚度大於第一光學感測器3的厚度,只要通過調節凹槽11的深度,使得發光晶片2的出光表面2a不高於第一光學感測器3的感測表面3a即可。因此,凹槽11的設置可以擴大發光晶片2的選型範圍。
在本發明一實施例中,至少一發光晶片2中最鄰近第一光學感測器3的發光晶片2到第一光學感測器3的距離大於或者等於0.15mm,例如可以是0.15mm、0.2mm、0.25mm或0.3mm。請參見圖2,至少一發光晶片2包括藍光晶片21、紅光晶片22及綠光晶片23,其中綠光晶片23最鄰近第一光學感測器3,即綠光晶片23到第一光學感測器3的距離大於或者等於0.15mm,讓部分發光晶片2的光能順利被反射層5反射或被透光保護層4全反射至第一光學感測器3的感測表面3a。
第二方面,本發明實施例還提供一種發光裝置,該發光裝置包括本發明實施例第一方面提供的發光模組及一驅動晶片(圖未示)。驅動晶片與第一光學感測器3和發光晶片2電連接,驅動晶片用於根據第一光學感測器3檢測到的結果調節發光晶片2的發光。
本發明實施例第二方面提供的發光裝置由於採用了本發明第一方面提供的發光模組,該發光模組設置第一光學感測器3即時監測發光晶片2發出的光,驅動晶片根據光檢測結果即時對發光晶片2的發光進行差異化調節,使得發光裝置的發光顯示均一性更好。
在本發明一實施例中,驅動晶片位於基板1上。具體地,驅動晶片位於基板1的第一表面上。在驅動晶片位於第一表面上時,透光保護層4同時包覆 在驅動晶片的外表面。可以理解地,在其他實施例中,驅動晶片也可以位於基板1的第二表面。
在本發明一實施例中,發光模組還包括第二光學感測器6時,驅動晶片與第一光學感測器3、第二光學感測器6以及發光晶片2電連接,驅動晶片用於根據第一光學感測器3檢測到的結果及第二光學感測器6檢測到的結果調節發光晶片2的發光,以使得發光晶片2同時還可以根據外部環境光強來調節發光。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,並不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發明的保護範圍之內。
1:基板
2:發光晶片
2a:出光表面
21:藍光晶片
22:紅光晶片
23:綠光晶片
3:第一光學感測器
3a:感測表面
4:透光保護層
41:出光區
5:反射層
51:出光孔

Claims (10)

  1. 一種發光模組,包括:一基板、至少一發光晶片、一第一光學感測器及一透光保護層,該基板具有位於相反兩側的一第一表面和一第二表面,該第一表面上設有該發光晶片和該第一光學感測器,該透光保護層設於該第一表面上且包覆該發光晶片和該第一光學感測器,該透光保護層用於導引部分該發光晶片發出的光至該第一光學感測器,該第一光學感測器用於對該發光晶片發出的光進行檢測,該發光晶片用於根據該第一光學感測器檢測到的結果而被調節發光。
  2. 如請求項1所述的發光模組,其中:該至少一發光晶片包括藍光晶片、紅光晶片及綠光晶片,該第一光學感測器為色彩感測器或光照感測器。
  3. 如請求項1所述的發光模組,還包括一反射層,該反射層覆蓋該透光保護層,該反射層設有一出光孔,該出光孔暴露出該透光保護層遠離該第一表面的一上表面的一出光區,該出光區暴露出該發光晶片,該反射層遮擋該第一光學感測器。
  4. 如請求項3所述的發光模組,還包括一第二光學感測器,該第二光學感測器設於該第一表面上且被該透光保護層覆蓋,該第二光學感測器與該第一光學感測器之間隔有該反射層,該第二光學感測器用於檢測外部環境光強,該發光晶片用於根據該第二光學感測器檢測到的結果而被調節發光,該反射層的厚度大於或者等於0.15mm。
  5. 如請求項1所述的發光模組,其中:該第一光學感測器遠離該第一表面的一感測表面到該透光保護層遠離該第一表面的一上表面的距離大於或者等於0.15mm。
  6. 如請求項1所述的發光模組,其中:該至少一發光晶片中 高度最高的該發光晶片遠離該第一表面的一出光表面不高於該第一光學感測器遠離該第一表面的一感測表面。
  7. 如請求項6所述的發光模組,其中:該發光晶片為垂直結構發光二極體晶片或水平結構發光二極體晶片,該至少一發光晶片中高度最高的該發光晶片的該出光表面與該第一光學感測器的該感測表面的高度差大於或者等於0.05mm。
  8. 如請求項7所述的發光模組,其中:該第一表面凹設置有一凹槽,該至少一發光晶片設於該凹槽內。
  9. 如請求項1所述的發光模組,其中:該至少一發光晶片中最鄰近該第一光學感測器的該發光晶片到該第一光學感測器的距離大於或者等於0.15mm。
  10. 一種發光裝置,包括如請求項1~3及5~9中任意一項所述的發光模組及一驅動晶片,該驅動晶片與該第一光學感測器和該發光晶片電連接,該驅動晶片用於根據該第一光學感測器檢測到的結果調節該發光晶片的發光;或者包括如請求項4所述的發光模組及該驅動晶片,該驅動晶片與該第一光學感測器、該第二光學感測器和該發光晶片電連接,該驅動晶片用於根據該第一光學感測器檢測到的結果及該第二光學感測器檢測到的結果調節該發光晶片的發光。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200515619A (en) * 2003-10-24 2005-05-01 Harvatek Corp Structure of light source for light emitting diode
TW201426967A (zh) * 2012-12-24 2014-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體模組之製造方法
TW201719248A (zh) * 2015-08-10 2017-06-01 艾克斯瑟樂普林特有限公司 具有微發光二極體前光之顯示器
TW201832355A (zh) * 2016-12-22 2018-09-01 美商亮銳公司 具有用於操作回授之感測器區段之發光二極體
US20180347773A1 (en) * 2015-12-09 2018-12-06 Osram Gmbh Light generation with light emitting diode and laser
US20200068679A1 (en) * 2013-01-02 2020-02-27 Austin Ip Partners Light emitting diode light structures
US20200314983A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical apparatus using multi-wavelength light
TW202101017A (zh) * 2019-03-02 2021-01-01 以色列商奧寶科技有限公司 微發光二極體發光檢查裝置及用於該裝置之光學濾波器之檢查裝置以及編入於製程之使用該裝置之微發光二極體發光檢查方法
TW202115625A (zh) * 2019-09-18 2021-04-16 澳洲國立大學 量子資訊處理裝置、組件、設備、系統和感測器
US20210216163A1 (en) * 2019-02-01 2021-07-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Apparatus integrated with display panel for tof 3d spatial positioning

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200515619A (en) * 2003-10-24 2005-05-01 Harvatek Corp Structure of light source for light emitting diode
TW201426967A (zh) * 2012-12-24 2014-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體模組之製造方法
US20200068679A1 (en) * 2013-01-02 2020-02-27 Austin Ip Partners Light emitting diode light structures
TW201719248A (zh) * 2015-08-10 2017-06-01 艾克斯瑟樂普林特有限公司 具有微發光二極體前光之顯示器
US20180347773A1 (en) * 2015-12-09 2018-12-06 Osram Gmbh Light generation with light emitting diode and laser
TW201832355A (zh) * 2016-12-22 2018-09-01 美商亮銳公司 具有用於操作回授之感測器區段之發光二極體
US20210216163A1 (en) * 2019-02-01 2021-07-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Apparatus integrated with display panel for tof 3d spatial positioning
TW202101017A (zh) * 2019-03-02 2021-01-01 以色列商奧寶科技有限公司 微發光二極體發光檢查裝置及用於該裝置之光學濾波器之檢查裝置以及編入於製程之使用該裝置之微發光二極體發光檢查方法
US20200314983A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical apparatus using multi-wavelength light
TW202115625A (zh) * 2019-09-18 2021-04-16 澳洲國立大學 量子資訊處理裝置、組件、設備、系統和感測器

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