TWI834238B - 半導體帶材磨削裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種半導體帶材磨削裝置。半導體帶材磨削裝置包括配置為支承半導體帶材的卡盤台、配置為磨削由卡盤台支承的半導體帶材的表面部分的磨削單元、以及配置為在將半導體帶材裝載到卡盤台上或從卡盤台卸載半導體帶材時修整磨削單元的修整單元。

Description

半導體帶材磨削裝置

本公開是關於一種半導體帶材磨削裝置。更具體地，本公開是關於一種用於磨削半導體帶材的保護模塑層以減小半導體帶材厚度的半導體帶材磨削裝置。

可藉由將半導體晶片結合在諸如印刷電路板或引線框架的基板上的晶片結合工序和使用諸如環氧樹脂的模塑樹脂來封裝半導體晶片的模塑工序來製造半導體帶材。

可使用半導體帶材磨削裝置來磨削和去除由模塑樹脂製成的保護模塑層的表面部分，以將半導體帶材的厚度減小到預定厚度。半導體帶材磨削裝置可包括用於支承半導體帶材的卡盤台和用於磨削和去除半導體帶材的表面部分的磨削單元。

本公開提供了一種能夠提高生產率的改進的半導體帶材磨削裝置。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置可包括：配置為支承半導體帶材的卡盤台，配置為磨削由卡盤台支承的半導體帶材的表面部分的磨削單元，以及配置為在將半導體帶材裝載到卡盤台上或從卡盤台卸載半導體帶材時修整磨削單元的修整單元。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括：配置為在磨削單元下方的處理區域和與處理區域隔開的裝卸區域之間水平移動卡盤台的第一水平驅動部，半導體帶材在該裝卸區域中進行裝載和卸載，以及配置為在處理區域和與處理區域隔開的備用區域之間水平移動修整單元的第二水平驅動部。

根據本公開的一些實施方式，第一水平驅動部和第二水平驅動部可配置為同軸移動卡盤台和修整單元。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括配置為在磨削半導體帶材時測量半導體帶材的厚度的厚度測量單元。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括配置為在磨削半導體帶材之後測量半導體帶材的厚度的第二厚度測量單元。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括配置為在磨削半導體帶材時或之後清潔半導體帶材的帶材清潔單元。

根據本公開的一些實施方式，磨削單元可包括用於磨削半導體帶材的表面部分的多個磨石、安裝有磨石的砂輪以及配置成旋轉砂輪的旋轉驅動部。在這種情況下，磨石可沿著砂輪的下邊緣部分周向佈置。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括設置在磨削單元下方並配置為清潔磨石的磨石清潔單元。

根據本公開的一些實施方式，修整單元可包括設置在砂輪下方的修整輪，以及配置為使修整輪旋轉的第二旋轉驅動部。

根據本發明一些實施方式，記錄砂輪ID資訊的資訊標籤可附接至砂輪，並且配置成讀取資訊標籤中記錄的砂輪ID資訊的讀取器可安裝在旋轉驅動部上。

根據本公開的一些實施方式，半導體帶材磨削裝置還可包括：配置成從配置為接收多個半導體帶材的料匣中抽出半導體帶材的帶材抽出單元，從料匣中抽出的半導體帶材放置其上並配置為真空吸附半導體帶材下表面的真空台，以及配置成拾取放置在真空台上的半導體帶材並將其轉移到卡盤台上的帶材輸送單元。

根據本公開的一些實施方式，真空台可配置為可沿垂直方向移動，帶材輸送單元可包括配置為可沿垂直方向移動並真空吸附半導體帶材的上表面以拾取半導體帶材的真空拾取器，藉由升高真空台和降低真空拾取器，半導體帶材可在緊密接觸於真空台和真空拾取器之間的狀態下從真空台轉移到真空拾取器。

根據如上記載的本公開的實施方式，對於磨削單元的修整步驟可在將半導體帶材裝載到卡盤台上或從卡盤台卸載半導體帶材時由修整單元執行。因此，不需要額外的時間來對磨削單元進行修整步驟，因此可極大地增加半導體帶材磨削裝置的每小時輸送量。進一步地，厚度測量單元可在磨削半導體帶材時即時測量半導體帶材的厚度，從而更精確地控制半導體帶材的厚度。此外，磨石清潔單元可在進行半導體帶材磨削步驟的同時進行磨石的清潔步驟，從而極大地減少了半導體帶材磨削工序所需的時間。結果，可極大地提高半導體帶材磨削裝置的生產率。

本公開的上述概述並不旨在描述本公開的每個所示實施方式或每個實施方式。下面的詳細描述和請求項更具體地舉例說明了這些實施方式。

在下文中，將參考圖式更詳細地描述本發明的實施方式。然而，本發明不限於以下描述的實施方式並且能夠以各種其他形式實施。提供以下實施方式並不是為了全面地完成本發明，而是為了向本領域技術人員充分表達本發明的範圍而提供。

本說明書中，當提及一個組件在另一個組件或層之上或連接至另一個組件或層時，它可直接在另一個組件或層之上或直接連接至另一個組件或層，或者也可存在居間的組件或層。與此不同，應理解，當提及一個組件直接位於另一個組件或層之上或直接連接至另一個組件或層時，這意味著不存在中間組件。此外，儘管在本發明的各個實施方式中使用諸如第一、第二和第三的術語來描述各個區域和層，但區域和層並不限於這些術語。

下面使用的術語僅用於描述具體實施方式，並不限制本發明。此外，除非本文另有定義，包括技術或科學術語在內的所有術語可具有與本領域技術人員通常理解相同的含義。

參考理想實施方式的示意圖來描述本發明的實施方式。因此，可從圖式的形式預期製造方法和／或允許誤差的變化。因此，本發明實施方式的描述並不局限於圖中的具體形式或區域，進一步包括形式上的偏差。這些區域可完全是示意性的，並且它們的形式可能不描述或描繪任何給定區域中的準確形式或結構，並且並不旨在限制本發明的範圍。

圖1是根據本公開的實施方式的半導體帶材磨削裝置的示意性俯視圖。

參照圖1，根據本公開的實施方式，半導體帶材磨削裝置100可用於磨削和去除半導體帶材10的表面部分，從而將半導體帶材10的厚度減小到預定厚度。具體地，半導體帶材10可藉由將半導體晶片結合在諸如印刷電路板或引線框架的基板上，然後使用諸如環氧樹脂的模塑樹脂在基板上形成保護模塑層來製造。半導體帶材磨削裝置100可用於磨削和去除半導體帶材10的保護模塑層的表面部分，使得半導體帶材10具有預定厚度。

半導體帶材磨削裝置100可包括用於支承半導體帶材10的卡盤台130，以及用於磨削和去除裝載在卡盤台130上的半導體帶材10的表面部分的磨削單元140。如圖1所示，例如，半導體帶材磨削裝置100可包括兩個卡盤台130和兩個磨削單元140。然而，卡盤台130和磨削單元140的數量可改變，因此本發明的範圍將不受此限制。

圖2是圖1所示的磨削單元與第一水平驅動部的示意性側視圖，圖3是圖1所示的磨削單元與第一水平驅動部的示意性正視圖，圖4是圖2所示的砂輪和磨石的示意性仰視圖。

參照圖2至圖4，磨削單元140可包括用於磨削半導體帶材10的表面部分的多個磨石142、其上安裝磨石142的砂輪144、以及用於使砂輪144旋轉的旋轉驅動部146。特別地，磨石142可安裝在砂輪144的下表面上，並且可沿著砂輪144的下邊緣部分在圓周方向上佈置。

根據本公開的實施方式，半導體帶材磨削裝置100可包括用於使卡盤台130沿水平方向移動的第一水平驅動部132，例如沿Y軸方向，如圖2所示。第一水平驅動部132可在設置於磨削單元140下方的處理區域（在該區域中執行半導體帶材10的磨削步驟）和在水平方向上與處理區域間隔開的裝卸載區域（在該區域中裝載和卸載半導體帶材10）之間水平移動卡盤台130。此外，第一水平驅動部132可使卡盤台130在處理區域中沿水平方向往復運動，以磨削半導體帶材10的表面部分。

儘管圖中未示出，半導體帶材磨削裝置100可包括用於使磨削單元140沿垂直方向移動的垂直驅動部（未示出）。垂直驅動部可藉由調整磨削單元140的高度來調整半導體帶材10的磨削厚度。或者，半導體帶材磨削裝置100可包括用於垂直地移動卡盤台130以調整半導體帶材10的高度的第二垂直驅動部（未示出）。

第一水平驅動部132可包括配置為可沿導軌134移動的第一可移動塊136，導軌134沿Y軸方向延伸，卡盤台130可設置在第一可移動塊136上。在這種情況下，雖然圖中未示出，但卡盤台130可具有多個真空孔以真空吸附半導體帶材10的下表面。

再次參照圖1，根據本公開的實施方式，半導體帶材磨削裝置100可包括在將半導體帶材10裝載到卡盤台130上或從卡盤台130上卸載半導體帶材10時對磨削單元140執行修整步驟的修整單元150。修整單元150可用於在執行磨削步驟時去除積聚在磨石142上的雜質並改善磨石142的表面狀況。

圖5是圖1所示修整單元與第二水平驅動部的示意性側視圖。

參照圖5，半導體帶材磨削裝置100可包括用於水平地移動修整單元150的第二水平驅動部160，以便在執行半導體帶材10的裝卸載步驟時如上所述執行修整步驟，即，在卡盤台130與磨削單元140間隔開時執行修整步驟。

例如，第二水平驅動部160可在處理區域和與處理區域隔開的備用區域之間水平地移動修整單元150。具體地，第二水平驅動部160可使修整單元150沿Y軸方向移動。也就是說，第一水平驅動部132和第二水平驅動部160可分別配置為同軸地移動卡盤台130和修整單元150。例如，第二水平驅動部160可包括配置為可沿導軌134移動的第二可移動塊162，導軌134沿Y軸方向延伸，修整單元150可設置在第二可移動塊162上。

修整單元150可藉由第二水平驅動部160移動以定位於磨削單元140下方，修整單元150可包括設置在磨削單元140下方以對應於砂輪144下表面的邊緣部分的修整輪152，和用於使修整輪152旋轉的第二旋轉驅動部156。在這種情況下，垂直驅動部可降低磨削單元140，使得至少一個磨石142與修整輪152形成接觸。可選地，半導體帶材磨削裝置100可包括用於調整修整輪152的高度的第三垂直驅動部（未示出）。

如上所述，在至少一個磨石142與修整輪152接觸的狀態下，旋轉驅動部146可使砂輪144以預定速度旋轉，並且第二旋轉驅動部156可使修整輪152以預定速度旋轉。藉由修整輪152的旋轉以及砂輪144的旋轉可改善磨石142的表面狀況。

同時，雖然圖中未示出，但是磨削單元140可配置為在執行磨削步驟和修整步驟時供應冷卻水以冷卻磨石142和去除雜質。例如，冷卻水可藉由旋轉驅動部146和砂輪144向磨石142供應。

再次參照圖3，可將資訊標籤148，例如記錄有砂輪144的ID資訊的RFID（射頻識別）標籤附接至砂輪144，並且用於讀取砂輪144記錄在資訊標籤148中的ID資訊的讀取器166可安裝在旋轉驅動部146上。在將半導體帶材10裝載到卡盤台130上之後，讀取器166可檢查安裝在旋轉驅動部146上的砂輪144是否適於磨削裝載的半導體帶材10。因此，可防止由不合適的砂輪執行半導體帶材10的磨削步驟的錯誤。特別地，砂輪144可拆卸地安裝在旋轉驅動部146上。因此，當不合適的砂輪安裝在旋轉驅動部146上時，可用新的合適的砂輪更換。

再次參照圖2，根據本公開的實施方式，半導體帶材磨削裝置100可包括用於清潔半導體帶材10的帶材清潔單元170。帶材清潔單元170可在執行半導體帶材10的磨削步驟時和／或之後將清潔液噴射到半導體帶材10上以去除半導體帶材10上的雜質。例如，可使用水作為清潔液，藉由以預定壓力噴射水可從半導體帶材10上充分地去除雜質。

進一步地，如圖3所示，磨石清潔單元174可設置在磨石單元140下方以清潔磨石142。磨石清潔單元174可向磨石142噴射清潔液以去除磨石142中的雜質。例如，可使用水作為清潔液，藉由以預定壓力噴射水可從磨石142中充分地去除雜質。

特別地，半導體帶材10可具有矩形板形狀，其具有長度和寬度，並且卡盤台130可具有對應於半導體帶材10的矩形塊形狀。此外，卡盤台130可設置在Y軸方向上，並且第一水平驅動部132可使卡盤台130和半導體帶材10沿卡盤台130和半導體帶材10的縱向方向，即沿Y軸方向移動。磨石清潔單元174可設置在卡盤台130運動路徑的一側，以將清潔液噴向磨石142。具體地，磨石清潔單元174可在執行半導體帶材10的磨削步驟時將清潔液噴向磨石142。此外，磨石清潔單元174可在執行磨石142的修整步驟時將清潔液噴向磨石142。

根據本公開的實施方式，如圖2所示，半導體帶材磨削裝置100可包括用於在對半導體帶材10執行磨削步驟時測量半導體帶材10的厚度的厚度測量單元178。具有與半導體帶材10的上表面接觸的測量頭的接觸式感測器可用作厚度測量單元178。例如，可從位於義大利本蒂沃利奧的MARPOSS購得的用於磨削機的通用測量儀UNIMAR ^TM可用作厚度測量單元178。厚度測量單元178可設置在磨削單元140沿Y軸方向的一側，以接觸方式測量半導體帶材10的厚度。如上所述，在執行半導體帶材10的磨削步驟時藉由厚度測量單元178可即時測量半導體帶材10的厚度，因此可更精確地進行半導體帶材10的厚度控制。

具體地，在對半導體帶材10執行粗磨步驟或半精加工步驟時，厚度測量單元178可即時測量半導體帶材10的厚度。然而，在對半導體帶材10執行精加工步驟時，測量頭可能與半導體帶材10隔開。具體地，當測量頭在對半導體帶材10進行精加工步驟時與半導體帶材10接觸時，在精加工步驟完成後，可能在半導體帶材10的上表面產生測量頭的接觸痕跡。因此，較佳在對半導體帶材10執行精加工步驟時將測量頭與半導體帶材10分開。

同時，諸如雷射測距感測器的非接觸式感測器可用作厚度測量單元178。然而，在這種情況下，測量精度可能由於供應到半導體帶材10上的磨削液和半導體帶材10的磨削步驟中產生的雜質而劣化。

此外，半導體帶材磨削裝置100可包括如圖5所示用於清潔厚度測量單元178的測量頭的刷子154。刷子154可用於去除測量頭上的雜質，並可配置為可藉由第二水平驅動部160來移動。例如，刷子154可連接到第二可移動塊162或第二旋轉驅動部156，第二水平驅動部160可使刷子154沿Y軸方向往復運動以從測量頭去除雜質。

再次參照圖1，半導體帶材磨削裝置100還可包括用於在半導體帶材10的磨削步驟執行之後測量半導體帶材10的厚度的第二厚度測量單元180。例如，第二厚度測量單元180可設置在磨削單元140和厚度測量單元178之間，並可在半導體帶材10的磨削步驟完成後測量半導體帶材10的厚度。

例如，雖然未詳細示出，但是第二厚度測量單元180可包括配置為可垂直移動以與半導體帶材10的上表面接觸的探針，並可藉由在探針與半導體帶材10的上表面接觸的狀態下測量探針的高度來計算半導體帶材10的厚度。作為另一示例，諸如雷射測距感測器的非接觸型感測器可用作第二厚度測量單元180。

同時，雖然未在圖中示出，但是第二厚度測量單元180可配置為可沿水平方向移動，例如沿X軸方向，以便在半導體帶材10的多個測量點測量半導體帶材10的厚度。例如，半導體帶材磨削裝置100還可包括用於使第二厚度測量單元180沿X軸方向移動的第三水平驅動部（未示出）。

此外，第二厚度測量單元180可在執行半導體帶材10的磨削步驟之前測量半導體帶材10的初始厚度，並可基於測量的初始厚度來預先確定半導體帶材10的磨削厚度。例如，雖然圖中未示出，但半導體帶材磨削裝置100可包括控制單元（未示出），用於控制磨削單元140、修整單元150、第一水平驅動部132和第二水平驅動部160、垂直驅動部等的操作，並且控制單元可基於測量的初始厚度預先確定半導體帶材10的磨削厚度。

根據本公開的實施方式，半導體帶材磨削裝置100可包括用於供應半導體帶材10的裝載單元102，以及用於在執行磨削工序之後卸載半導體帶材10的卸載單元188。例如，配置為接收多個半導體帶材的第一料匣50可設置在裝載單元102上，在完成磨削過程之後用於接收半導體帶材10的第二料匣52可設置在卸載單元188上。此外，半導體帶材磨削裝置100可包括配置為從第一料匣50中抽出半導體帶材10的帶材抽出單元104，從第一料匣50抽出的半導體帶材10放置其上、並配置為真空吸附半導體帶材10下表面的真空台116，和配置為拾取放置在真空台116上的半導體帶材10並將半導體帶材10輸送到卡盤台130上的帶材輸送單元120。

圖6和圖7是如圖1所示的真空台和帶材輸送單元的示意性正視圖。

參照圖6和圖7，真空台116可配置為可藉由台升降機118沿垂直方向移動。在由帶材抽出單元104從第一料匣50中抽出的半導體帶材10放置在真空台116上之後，真空台116可真空吸附半導體帶材10的下表面。例如，真空台116可具有矩形板形狀，並可具有用於真空吸附半導體帶材10下表面的多個真空孔（未示出）。

帶材抽出單元104可包括：用於推動容納在第一料匣50中的半導體帶材之一以便將其從第一料匣50中突出的推動器106，用於夾持從第一料匣50中伸出的半導體帶材10的夾具108，用於使夾具108沿水平方向（例如沿X軸方向）移動以將半導體帶材10輸送到真空台116上的夾具驅動部110（參見圖1），以及用於引導半導體帶材10在第一料匣50和真空台116之間移動的輸送軌112。

此外，雖然圖中未示出，但第一料匣50可配置為可藉由第一料匣驅動部（未示出）沿垂直方向移動，並且第一料匣驅動部可調節第一料匣50的高度以使待抽出的半導體帶材10的高度與推動器106相對應。

帶材輸送單元120可包括：配置為真空吸附半導體帶材10的上表面以拾取半導體帶材10的真空拾取器122，以及配置為移動真空拾取器122的拾取器驅動部124。拾取器驅動部124可使真空拾取器122旋轉以調整真空拾取器122的方向，並且可使真空拾取器122沿垂直方向和水平方向（X軸方向）移動。如圖1所示，帶材輸送單元120可包括兩個真空拾取器122。然而，由於真空拾取器122的數量可改變，本公開的範圍將不受此限制。

根據本公開的實施方式，在將半導體帶材10放置在真空台116上之後，可將半導體帶材10的下表面真空吸附到真空台116的上表面。因此，當半導體帶材10發生翹曲時，半導體帶材10可在真空台116上平整化，從而可容易地由真空拾取器122對半導體帶材10進行拾取。

特別地，如圖7所示，台升降機118可在半導體帶材10真空吸附在真空台116上之後升高真空台116，並且拾取器驅動部124可降低真空拾取器122使得真空拾取器122的下表面與半導體帶材10的上表面緊密接觸。結果，半導體帶材10的下表面和上表面可在真空台116和真空拾取器122之間緊密接觸，然後半導體帶材10可從真空台116轉移到真空拾取器122。因此，即使半導體帶材10的下表面由於半導體帶材相對較大程度的翹曲而沒有充分真空吸附在真空台116上，半導體帶材10也可緊密接觸於真空台116和真空拾取器122之間，因此，半導體帶材10能夠以足夠平坦的狀態傳送到真空拾取器122。

此外，拾取器驅動部124可移動真空拾取器122，使得半導體帶材10與卡盤台130緊密接觸，於是半導體帶材10可真空吸附在卡盤台130上。結果，即使在供應的半導體帶材10具有翹曲時，半導體帶材10也可以足夠平坦的狀態供應到卡盤台130上，因此可更均勻地執行半導體帶材10的磨削工序。

再次參照圖1，用於清潔由真空拾取器122拾取的半導體帶材10下表面的第一下部清潔單元128可設置在真空台116和卡盤台130之間。第一下部清潔單元128可噴射清潔液和／或清潔氣體到半導體帶材10的下表面上，因此，在半導體帶材10被裝載到卡盤台130上之前，可從半導體帶材10的下表面充分去除雜質。例如，水和空氣可分別用作清潔液和清潔氣體。

在磨削單元140執行磨削步驟之後，半導體帶材10可由真空拾取器122拾取，然後輸送到乾燥單元186。在這種情況下，用於從半導體帶材10的下表面去除雜質的第二下部清潔單元184可設置在卡盤台130和乾燥單元186之間。第二下部清潔單元184可將清潔液和／或清潔氣體噴射到半導體帶材10的下表面上以從其上去除雜質。此外，第二下部清潔單元184可將乾燥氣體噴射到半導體帶材10的下表面以使其乾燥。例如，水可用作清潔液，空氣可用作清潔氣體和乾燥氣體。

乾燥單元186可將乾燥氣體（例如空氣）噴射到半導體帶材10的上表面上。雖然圖中未示出，但是在乾燥單元186上乾燥的半導體帶材10可藉由帶材接收單元（未示出）接收在第二料匣52中。

根據如上記載的本公開的實施方式，修整單元150對磨削單元140的修整步驟可在將半導體帶材10裝載到卡盤台130上或從卡盤台130卸載半導體帶材10的同時執行。因此，不需要額外的時間來對磨削單元140執行修整步驟，因此可極大地增加半導體帶材磨削裝置100的每小時輸送量。此外，厚度測量單元178可在磨削半導體帶材10的同時即時測量半導體帶材10的厚度，從而更精確地控制半導體帶材10的厚度。此外，磨石清潔單元174可在進行半導體帶材10的磨削步驟的同時執行磨石142的清潔步驟，從而極大地減少了半導體帶材10的磨削工序所需的時間。結果，半導體帶材磨削裝置100的生產率可極大地改善。

儘管已經參照特定實施方式描述了本公開的示例實施方式，但是它們並不限於此。因此，本領域技術人員將容易理解，在不背離本公開由所附請求項限定的實質和範圍的情況下，可對其進行各種修改和改變。

10:半導體帶材 50:第一料匣 52:第二料匣 100:半導體帶材磨削裝置 102:裝載單元 104:帶材抽出單元 106:推動器 108:夾具 110:夾具驅動部 112:輸送軌 116:真空台 118:台升降機 120:帶材輸送單元 122:真空拾取器 124:拾取器驅動部 128:第一下部清潔單元 130:卡盤台 132:第一水平驅動部 134:導軌 136:第一可移動塊 140:磨削單元 142:磨石 144:砂輪 146:旋轉驅動部 148:資訊標籤 150:修整單元 152:修整輪 154:刷子 156:第二旋轉驅動部 160:第二水平驅動部 162:第二可移動塊 166:讀取器 170:帶材清潔單元 174:磨石清潔單元 178:厚度測量單元 180:第二厚度測量單元 184:第二下部清潔單元 186:乾燥單元 188:卸載單元

從以下結合圖式的描述中可更詳細地理解實施方式，其中：

圖1是根據本發明實施方式的半導體帶材磨削裝置的示意性俯視圖；

圖2是圖1所示的磨削單元與第一水平驅動部的示意性側視圖；

圖3是圖1所示的磨削單元與第一水平驅動部的示意性正視圖；

圖4是圖2所示的砂輪和磨石的示意性仰視圖；

圖5是圖1所示的修整單元與第二水平驅動部的示意性側視圖；和

圖6和圖7是圖1所示的真空台和帶材輸送單元的示意性正視圖。

雖然可對各種實施方式做出各種修改和替代形式，但其細節已在圖式中以示例的方式示出並將詳細描述。然而，應理解，本發明並不旨在將要求保護的發明限制於所描述的特定實施方式。相反，旨在涵蓋落入本發明由請求項限定的實質和範圍內的所有修改、等同物和替代物。

10:半導體帶材

50:第一料匣

52:第二料匣

100:半導體帶材磨削裝置

102:裝載單元

104:帶材抽出單元

110:夾具驅動部

116:真空台

120:帶材輸送單元

122:真空拾取器

124:拾取器驅動部

128:第一下部清潔單元

130:卡盤台

132:第一水平驅動部

140:磨削單元

150:修整單元

160:第二水平驅動部

178:厚度測量單元

180:第二厚度測量單元

184:第二下部清潔單元

186:乾燥單元

188:卸載單元

Claims (12)

1. 一種半導體帶材磨削裝置，包括：配置為支承半導體帶材的卡盤台；配置為磨削由所述卡盤台支承的半導體帶材的表面部分的磨削單元；配置為在將所述半導體帶材裝載到所述卡盤台上或從所述卡盤台卸載所述半導體帶材時修整所述磨削單元的修整單元；配置為在對所述半導體帶材進行磨削時測量所述半導體帶材的厚度的第一厚度測量單元；和配置為在對所述半導體帶材進行磨削後測量所述半導體帶材的所述厚度的第二厚度測量單元；其中所述第一厚度測量單元包括與所述半導體帶材的上表面接觸的測量頭，在執行所述半導體帶材的粗磨步驟時，藉由使所述測量頭與所述半導體帶材的所述上表面接觸而即時測量所述半導體帶材的所述厚度，且在執行所述半導體帶材的精加工步驟時，藉由使所述測量頭與所述半導體帶材保持隔開而不測量所述半導體帶材的所述厚度。
2. 如請求項1記載的半導體帶材磨削裝置，進一步包括：配置為在所述磨削單元下方的處理區域和與所述處理區域隔開的裝卸區域之間水平移動所述卡盤台的第一水平驅動部，所述半導體帶材在所述裝卸區域中進行裝載和卸載；和配置為在所述處理區域和與所述處理區域隔開的備用區域之間水平移動所述修整單元的第二水平驅動部。
3. 如請求項2記載的半導體帶材磨削裝置，其中所述裝卸區域和所述備用區域分別被設置在所述處理區域的兩側，且所述第一水平驅動部和所述第二水平驅動部配置為同軸移動所述卡盤台和所述修整單元。
4. 如請求項2記載的半導體帶材磨削裝置，進一步包括配置為可藉由所述第二水平驅動部移動且用於清潔所述測量頭的刷子，其中，所述第二水平驅動部水平地移動所述刷子以去除所述測量頭上的雜質。
5. 如請求項1記載的半導體帶材磨削裝置，其中所述第二厚度測量單元配置為可在水平方向上移動以在所述半導體帶材的多個測量點測量所述半導體帶材的所述厚度。
6. 如請求項1記載的半導體帶材磨削裝置，進一步包括配置為在磨削所述半導體帶材時或之後清潔所述半導體帶材的帶材清潔單元。
7. 如請求項1記載的半導體帶材磨削裝置，其中所述磨削單元包括：用於磨削所述半導體帶材的表面部分的多個磨石；磨石安裝在其上的砂輪；和配置成使所述砂輪旋轉的旋轉驅動部，其中所述磨石沿著所述砂輪的下邊緣部分周向佈置。
8. 如請求項7記載的半導體帶材磨削裝置，進一步包括設置在所述磨削單元下方的磨石清潔單元，其配置成清潔所述磨石。
9. 如請求項7記載的半導體帶材磨削裝置，其中所述修整單元包括： 設置在所述砂輪下方的修整輪；和配置成使所述修整輪旋轉的第二旋轉驅動部。
10. 如請求項7記載的半導體帶材磨削裝置，其中記錄有所述砂輪的ID資訊的資訊標籤附接至所述砂輪，並且配置成讀取所述資訊標籤中記錄的所述砂輪的ID資訊的讀取器安裝在所述旋轉驅動部上。
11. 如請求項1記載的半導體帶材磨削裝置，進一步包括：配置成從配置為接收多個半導體帶材的料匣中抽出所述半導體帶材的帶材抽出單元；其上放置有從所述料匣中抽出的所述半導體帶材並配置成真空吸附所述半導體帶材的下表面的真空台；和配置為拾取放置在所述真空台上的所述半導體帶材並將其輸送到所述卡盤台上的帶材輸送單元。
12. 如請求項11記載的半導體帶材磨削裝置，其中所述真空台配置為可沿垂直方向移動，所述帶材輸送單元包括配置為可沿垂直方向移動並真空吸附所述半導體帶材的上表面以拾取所述半導體帶材的真空拾取器，並且藉由升高所述真空台和降低所述真空拾取器，所述半導體帶材在緊密接觸於所述真空台和所述真空拾取器之間的狀態下從所述真空台轉移到所述真空拾取器。

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