TWI833845B - 探測裝置及探測裝置之調整方法 - Google Patents
探測裝置及探測裝置之調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI833845B TWI833845B TW108142679A TW108142679A TWI833845B TW I833845 B TWI833845 B TW I833845B TW 108142679 A TW108142679 A TW 108142679A TW 108142679 A TW108142679 A TW 108142679A TW I833845 B TWI833845 B TW I833845B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pedestal
- target
- control circuit
- detection device
- target mark
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 55
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
本發明係提供一種可降低探測裝置的裝置間機差之技術。
例示性實施型態相關之探測裝置係具有上照相機、下照相機、標靶組件及控制電路;上照相機係設置於晶圓對位單元;下照相機係設置於台座;標靶組件係設置於晶圓對位單元及台座中任一者;標靶組件係具備設置有標靶記號之端面;上照相機及下照相機中任一者係可拍攝標靶記號;控制電路會控制上照相機及下照相機的各動作;控制電路係使用可拍攝標靶組件之上照相機及下照相機中任一者來取得標靶記號的攝影影像;控制電路會依據所取得之攝影影像,而針對探測裝置所具有之複數物理參數當中的攝影影像所顯現之參數,來計算出特定的物理參數與攝影影像所顯現的值之對應關係。
Description
本揭示之例示性實施型態係關於一種探測裝置及探測裝置之調整方法。
在半導體晶圓的檢查中會使用探測裝置。探測裝置相關之技術已被揭示於例如專利文獻1等。專利文獻1所揭示之技術中係將光源部分別設置在會於攝影部的周圍各偏移例如90度的位置之4個部位來從4個方向照亮針尖。使得4個光源部中只有一個會依序成為發光狀態,便可獲得4個照射圖案。依據每個照射圖案之針尖的四個影像來選擇最適當的照射圖案。藉由所選擇之照射圖案來進行針尖的辨識。又,將每個照射圖案的影像合成而成為例如2值化影像後,便可取得4個2值化影像共通的明亮區域。所取得之區域可被辨識為針尖。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2003-270304號公報
本揭示係提供一種可降低探測裝置的裝置間機差之技術。
例示性實施型態中係提供一種探測裝置。探測裝置為用以檢查晶圓之裝置。探測裝置係具有上照相機、下照相機、標靶組件及控制電路。上照相機係設置於晶圓對位單元。下照相機係設置於配置在晶圓對位單元的下方且載置有晶圓之台座。標靶組件係設置於晶圓對位單元及台座中任一者。標靶組件係具有設置有標靶記號之端面。上照相機及下照相機中任一者係可拍攝標靶記號。控制電路會控制上照相機及下照相機的各動作。控制電路係使用可拍攝標靶組件之上照相機及下照相機中任一者來取得標靶記號的攝影影像。控制電路會依據所取得之攝影影像,而針對探測裝置所具有之複數物理參數當中的攝影影像所顯現之參數,來計算出特定的物理參數與攝影影像所顯現的值之對應關係。
依據一例示性實施型態,便能提供一種可降低探測裝置的裝置間機差之技術。
以下,針對各種例示性實施型態來加以說明。例示性實施型態中係提供一種探測裝置。探測裝置為用以檢查晶圓之裝置。探測裝置係具有上照相機、下照相機、標靶組件及控制電路。上照相機係設置於晶圓對位單元。下照相機係設置於配置在晶圓對位單元的下方且載置有晶圓之台座。標靶組件係設置於晶圓對位單元及台座中任一者。標靶組件係具有設置有標靶記號之端面。上照相機及下照相機中任一者係可拍攝標靶記號。控制電路會控制上照相機及下照相機的各動作。控制電路係使用可拍攝標靶組件之上照相機及下照相機中任一者來取得標靶記號的攝影影像。控制電路會依據所取得之攝影影像,而針對探測裝置所具有之複數物理參數當中的攝影影像所顯現之參數,來計算出特定的物理參數與攝影影像所顯現的值之對應關係。藉由如此般地使用標靶記號的拍攝影像,便可無關於探測裝置的裝置間機差來容易地進行為探測裝置所具有且顯現於拍攝影像之物理性參數相關的調整。
在例示性實施型態中,探測裝置係另具備照明部。照明部係可照明標靶記號。控制電路會計算照明部之輸出的設定值與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係。因此,在上照相機或下照相機所取得之拍攝影像中,便可取得亮度與照明部的輸出之對應關係。於是,便可進行對應於照明部的輸出之拍攝影像的亮度調整來使其在複數裝置中會成為相同條件。因此,便可無關於探測裝置的裝置間機差來進行調整。
在例示性實施型態中,探測裝置係另具備移動機構。移動機構係可移動台座。控制電路會使用移動機構來讓台座依序移動至預先設定的二個位置。控制電路會在二個位置處分別取得標靶記號的攝影影像。控制電路會計算出二個位置間之距離的實際尺寸,與所取得之二個攝影影像的各標靶記號之影像間的長度所相對應之畫素數之對應關係。於是,便可在藉由上照相機或下照相機所取得之拍攝影像中取得畫素數與實際尺寸之對應關係(例如單位畫素相對的實際尺寸)。因此,便可無關於探測裝置的裝置間機差來計算出拍攝影像所包含之影像的大小,或由影像之重心位置的移動量來計算出對應於該像之探測裝置之部位的實際尺寸。
在例示性實施型態中,探測裝置係另具備移動機構。移動機構係可移動台座。控制電路係具有攝影倍率相異的第1攝影模式及第2攝影模式。控制電路會使用移動機構來讓台座依序移動至第1攝影模式相對應的第1台座位置與第2攝影模式相對應的第2台座位置。控制電路會在第1台座位置及第2台座位置處分別取得標靶記號的拍攝影像。控制電路會計算出各第1台座位置及第2台座位置與所取得之二個攝影影像之各標靶記號的影像位置之對應關係。因此,便可無關於探測裝置的裝置間機差,而由拍攝影像來計算出第1台座位置與第2台座位置間的距離。可無關於探測裝置的裝置間機差,而使用拍攝影像來進行在每個攝影模式下所移動之台座的移動距離調整(針對每個攝影模式來調整台座的位置)。
在例示性實施型態中,探測裝置係另具備移動機構。移動機構係可移動台座。控制電路會使用移動機構來讓台座移動至對台座上的晶圓進行掃描之開始預定位置,並取得標靶記號的攝影影像。控制電路會計算出攝影影像內所預先設定的基準區域與所取得之攝影影像之標靶記號的影像位置之差異。基準區域為當台座位在掃描的適當開始位置之情況下,所取得之攝影影像中標靶記號的影像所被配置之區域。於是,便可無關於探測裝置的裝置間機差,而使用拍攝影像來計算出此時台座的掃描開始預定位置是從掃描的適當開始位置偏移多少程度(將開始預定位置調整為何種程度會成為適當的開始位置?)。若使用此計算結果,便可無關於探測裝置的裝置間機差,而由拍攝影像來使台座適當地移動至掃描的適當開始位置。
在例示性實施型態中,探測裝置係另具備吹氣裝置。標靶組件係設置於台座。吹氣裝置會朝標靶記號噴射空氣。因此,當標靶組件被設置於台座之情況,則吹氣裝置為了將塵埃從標靶組件的標靶記號去除,便可朝標靶記號來噴射空氣。
例示性實施型態中係提供一種探測裝置之調整方法。探測裝置係具有上照相機、下照相機及標靶組件。上照相機係設置於晶圓對位單元。下照相機係配置於晶圓對位單元的下方且設置於載置有晶圓之台座。標靶組件係具備設置有標靶記號之端面,且設置於晶圓對位單元及台座中任一者。該方法係使用可拍攝標靶組件之上照相機及下照相機中任一者來取得標靶記號的攝影影像。之後,依據所取得之攝影影像,而針對探測裝置所具有之複數物理參數當中的攝影影像所顯現之參數,來計算出特定的物理參數與攝影影像所顯現的值之對應關係。藉由使用標靶記號的拍攝影像,便可無關於探測裝置的裝置間機差來容易地進行為探測裝置所具有且顯現於拍攝影像之物理性參數相關的調整。
以下,參見圖式來針對各種例示性實施型態詳細地說明。此外,各圖式中,針對相同或相當的部分則賦予相同的符號。
參見圖1來加以說明探測裝置100的一構成例。參見圖2來針對圖1所示探測裝置100所具備之標靶組件(標靶組件1B、標靶組件2B)的構成加以說明。
探測裝置100係用以檢查晶圓之裝置。探測裝置100係具有晶圓對位單元1、上照相機1A、標靶組件1B、台座2、下照相機2A、探針卡3、探針3A、照明部4、控制電路Cnt及移動機構Tra。
晶圓對位單元1係設置有上照相機1A與標靶組件1B。上照相機1A係具有第1攝影鏡片1A1與第2攝影鏡片1A2。第1攝影鏡片1A1及第2攝影鏡片1A2係設置於晶圓對位單元1的表面SF1。第1攝影鏡片1A1及第2攝影鏡片1A2係光學性地連接於上照相機1A,且光學倍率不同。
第1攝影鏡片1A1及第2攝影鏡片1A2係可分別對應於攝影模式來分開使用。例如,第1攝影鏡片1A1可被使用在高倍率模式,第2攝影鏡片1A2可被使用在低倍率模式。
標靶組件1B係設置於晶圓對位單元1的表面SF1。表面SF1係面對台座2。第1攝影鏡片1A1與第2攝影鏡片1A2及標靶組件1B皆是面對台座2。
如圖2所示,標靶組件1B係具有突起部B2與標靶記號B3。一實施型態中,標靶組件1B可被固定在晶圓對位單元1的表面SF1。
突起部B2為例如略圓柱狀。
突起部B2的端面SFB為略圓形。端面SFB係面對台座2。端面SFB係被施予塗覆。藉由端面SFB的塗覆,當控制電路Cnt在照明部4的照明下來取得標靶組件1B的拍攝影像之情況,在預先設定之照明部4的輸出大小之範圍內,則拍攝影像的亮度等級便不會飽和。此外,亦可不對端面SFB進行塗覆,而是藉由照相機的感度調整來將拍攝影像的亮度等級調整為不會飽和。
端面SFB係設置有標靶記號B3。標靶記號B3係設置於例如端面SFB的中央。一實施型態中,標靶記號B3可為例如銷孔。下照相機2A係可拍攝標靶組件1B所具備之標靶記號B3。
回到圖1繼續說明。台座2係配置於晶圓對位單元1的下方。台座2的表面SF2可載置有晶圓W。台座2的表面SF2係面對晶圓對位單元1的表面SF1。
下照相機2A係設置於台座2。下照相機2A係可拍攝標靶組件1B。下照相機2A係具有第1攝影鏡片2A1與第2攝影鏡片2A2。第1攝影鏡片2A1及第2攝影鏡片2A2係設置於台座2。第1攝影鏡片2A1及第2攝影鏡片2A2係光學性地連接於下照相機2A,且光學倍率不同。第1攝影鏡片2A1及第2攝影鏡片2A2係可分別對應於攝影模式來分開使用。例如,第1攝影鏡片2A1可被使用在高倍率模式,第2攝影鏡片2A2可被使用在低倍率模式。
台座2亦可設置有標靶組件2B。標靶組件2B可具有與標靶組件1B相同的構成及功能。
當標靶組件2B被設置於台座2之情況,上照相機1A係可拍攝標靶組件2B所具備的標靶記號B3。探測裝置100可具備有分別將以下之說明中的下照相機2A、標靶組件1B分別讀取為上照相機1A、標靶組件2B所獲得之構成。
當標靶組件2B被設置於台座2之情況,探測裝置100可具有吹氣裝置5。吹氣裝置5為了將塵埃從標靶組件2B的標靶記號B3去除,會朝標靶組件2B的標靶記號B3噴射空氣。
照明部4可透過探測裝置100所設置的複數光源(圖示略)來照亮台座2上所載置的晶圓W、複數探針3A及標靶記號B3。探測裝置100所設置之上述複數光源可分別設置於例如上照相機1A的高倍率鏡片(例如第1攝影鏡片1A1)及低倍率鏡片(例如第2攝影鏡片1A2)的附近等。又,探測裝置100所設置之上述複數光源可分別設置於例如下照相機2A的高倍率鏡片(例如第1攝影鏡片2A1)及低倍率鏡片(例如第2攝影鏡片2A2)的附近等。照明部4可同步於對晶圓W實施掃描時上照相機1A的攝影時間點,而透過上照相機1A所設置之光源來進行閃光照射。
移動機構Tra係可移動晶圓對位單元1及台座2等。移動機構Tra係可特別地使台座2在探測室內移動於X、Y、Z及θ方向。
探針卡3係具有複數探針3A。複數探針3A係設置為可與台座2所載置之晶圓W的複數電極襯墊相接觸。
控制電路Cnt係具有CPU及ROM、RAM等的記憶體。藉由CPU會實施記憶體所儲存的各種電腦程式,則控制電路Cnt便會統括地控制探測裝置100之各部(例如上照相機1A、下照相機2A、移動機構Tra、照明部4)的動作。
控制電路Cnt會實施圖3的流程圖所示之方法MT。控制電路Cnt會實施例如各圖4~7所示之方法MT1~MT4中的至少一種方法來作為方法MT。各圖4~7所示之方法MT1~MT4為方法MT的具體例。
控制電路Cnt會在實施方法MT後,針對晶圓W的複數電極襯墊與複數探針3A來進行對位(針對台座2與探針卡3來進行對位)。此對位係使用台座2、移動機構Tra、下照相機2A、上照相機1A等來進行。晶圓W在此對位後會藉由台座2而被進行指標傳送。在此指標傳送後,會進行晶圓W所設置之各元件的電性特性檢查。
依據以上所說明之構成的探測裝置100,藉由使用標靶記號B3的拍攝影像,便可無關於探測裝置100的裝置間機差來容易地進行為探測裝置100所具有且顯現於拍攝影像之物理性參數相關的調整。
物理性參數可為例如照明部4的輸出(方法MT1)、拍攝影像的像素尺寸(方法MT2)。物理性參數進一步地可為台座2實際上在高倍率模式相對應之台座2的位置與低倍率模式相對應之台座2的位置間移動之距離(方法MT3)。物理性參數進一步地可為對晶圓W開始進行掃描時所配置之台座2的位置(適當的開始位置)(方法MT4)。
控制電路Cnt係如圖3所示般地會實施方法MT。方法MT係具有步驟ST1、ST2。控制電路Cnt在步驟ST1中,會使用可拍攝標靶組件2B或1B之上照相機1A及下照相機2A中任一者來取得標靶記號B3的拍攝影像。
控制電路Cnt在接續著步驟ST1之步驟ST2中會實施下述般之處理。亦即,控制電路Cnt會依據所取得之拍攝影像,而針對探測裝置100所具有之複數物理性參數當中的拍攝影像所顯現之參數,來計算上述般物理性參數與拍攝影像所顯現的值之對應關係。
控制電路Cnt可實施圖4的流程圖所示之方法MT1來作為方法MT。方法MT1係具有步驟SA1~SA10。
方法MT1中,控制電路Cnt會計算照明部4之輸出的設定值與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係。
參見圖4來更詳細地說明方法MT1。控制電路Cnt在步驟SA1中,會使設置有標靶組件1B之晶圓對位單元1移動至第1位置。第1位置係指在實施方法MT之情況下,可配置有晶圓對位單元1之預先設定的位置(以下的說明中亦相同)。控制電路Cnt在接續著步驟SA1之步驟SA2中,會將下照相機2A的攝影模式設定為低倍率模式。
在接續著步驟SA2之步驟SA3中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2移動至下照相機2A的每個攝影模式所設定之第2位置。第2位置係包含有高倍率模式相對應的位置與低倍率模式相對應的位置(以下的說明中亦相同)。
在接續著步驟SA3之步驟SA4中,控制電路Cnt會將照明部4的輸出設定設定為預先設定的最低值。照明部4的輸出可調整為包含有第1~第N等級(N為整數)之複數等級。當照明部4的輸出為第1個等級之情況,則照明部4的輸出便會對應於最低值。當照明部4的輸出為第N等級之情況,則照明部4的輸出便會對應於最高值。第1~第N等級的輸出範圍係被預先設定為不會讓拍攝影像的亮度飽和。在接續著步驟SA4之步驟SA5中,控制電路Cnt會判定照明部4的輸出設定是否超過預先設定的最高值。
當控制電路Cnt在步驟SA5中判定照明部4的輸出設定並未超過最高值之情況(步驟SA5:NO),便會轉移至步驟SA6。控制電路Cnt在步驟SA6中會使用照明部4來將照明照射在標靶記號B3並使用下照相機2A來取得標靶記號B3的拍攝影像。
在接續著步驟SA6之步驟SA7中,控制電路Cnt會計算照明部4之輸出的設定值與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係。在接續著步驟SA7之步驟SA8中,控制電路Cnt會使照明部4的輸出增加1個等級,並轉移至步驟SA5。重複步驟SA5~SA8直到照明部4的輸出成為第N等級為止。此外,照明部4的輸出亦可非為每次增加1個等級,當作為取得資料之解析度被容許的情況,則是一次增加多個等級(例如5個等級等)。
當控制電路Cnt在步驟SA5中判定照明部4的輸出設定已超過最高值之情況(步驟SA5:YES),便會轉移至步驟SA9。控制電路Cnt在步驟SA9中會判定下照相機2A的攝影模式是否為高倍率模式。
當控制電路Cnt在步驟SA9中判定下照相機2A的攝影模式為高倍率模式之情況(步驟SA9:YES),便會結束方法MT1的實施。當控制電路Cnt判定上照相機1A的攝影模式並非為高倍率模式之情況(步驟SA9:NO),則會轉移至步驟SA10。控制電路Cnt在步驟SA10中會將下照相機2A的攝影模式設定為高倍率模式並轉移至步驟SA3,且重複步驟SA3之後的各處理。
藉由方法MT1,來針對下照相機2A的各高倍率模式及低倍率模式,而在照明部4之輸出之預先設定的最低值到最高值之範圍內,來計算出照明部4之輸出的設定值(物理性參數)與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係。將此計算結果一範例顯示在圖8的線GA2及線GA3與圖9的線GA2及線GA3。將照明部4之輸出的最低值到最高值之範圍內,照明部4之輸出的設定值與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係一範例顯示在圖8的線GA2及線GA3。線GA2及線GA3所示之結果為使用標靶組件1B(及標靶組件2B)所獲得之結果一範例。圖8及圖9所示之橫軸係表示照明部4之輸出的設定值,縱軸係表示拍攝影像所顯現的亮度。
控制電路Cnt係可調整拍攝影像的亮度來進行拍攝影像的亮度調整,以使照明部4之輸出的設定值與拍攝影像所顯現的亮度之對應關係會成為和圖8及圖9的線GA1所示般相同(成比例般地)。
若使用方法MT1,則在藉由下照相機2A所取得之拍攝影像中,便可取得亮度與照明部4的輸出之對應關係。若使用藉由方法MT1所獲得之上述般的對應,便可進行照明部4的輸出相對應之拍攝影像的亮度調整來使複數裝置中會成為相同條件。於是,便可無關於探測裝置100的裝置間機差來進行調整。
控制電路Cnt係可實施圖5的流程圖所示之方法MT2來作為方法MT。方法MT2係具有步驟SB1~SB9。
在方法MT2中,控制電路Cnt係使用移動機構Tra來讓台座2依序移動至預先設定的二個位置,並分別在二個位置處取得標靶記號B3的拍攝影像。控制電路Cnt會計算二個位置間之距離的實際尺寸,與所取得之二個拍攝影像的各標靶記號B3之影像間的長度(二個標靶記號B3的中心或重心間的長度)所相對應之畫素數之對應關係。
參見圖5來更詳細地說明方法MT2。控制電路Cnt在步驟SB1中,會使用移動機構Tra來讓設置有標靶組件1B之晶圓對位單元1移動至第1位置。
在接續著步驟SB1之步驟SB2中,控制電路Cnt會將下照相機2A的攝影模式設定為高倍率模式或低倍率模式。在接續著步驟SB2之步驟SB3中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2移動至下照相機2A的每個攝影模式所設定之第3位置。
第3位置可為標靶記號B3的拍攝影像內,例如標靶記號B3的影像會配置在左上般之台座2的位置。第3位置係包含有高倍率模式相對應的位置與低倍率模式相對應的位置。
在接續著步驟SB3之步驟SB4中,控制電路Cnt當台座2位在第3位置之狀態下,會使用照明部4來將照明照射在標靶記號B3,並使用下照相機2A來取得標靶記號B3的拍攝影像。在接續著步驟SB4之步驟SB5中,控制電路Cnt會計算當台座2位在第3位置之狀態下所取得的拍攝影像所包含之標靶記號B3的影像位置。
在接續著步驟SB5之步驟SB6中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2移動至下照相機2A的每個攝影模式所設定之第4位置。
第4位置可為標靶記號B3的拍攝影像內,例如標靶記號B3的影像配置在右下般之台座2的位置。第4位置係包含有高倍率模式相對應的位置與低倍率模式相對應的位置。
在接續著步驟SB6之步驟SB7中,控制電路Cnt當台座2位在第4位置之狀態下,會使用照明部4來將照明照射在標靶記號B3,並使用下照相機2A來取得標靶記號B3的拍攝影像。在接續著步驟SB7之步驟SB8中,控制電路Cnt會計算當台座2位在第4位置之狀態下所取得的拍攝影像所包含之標靶記號B3的影像位置。
在接續著步驟SB8之步驟SB9中,會計算第3位置與第4位置間之距離的實際尺寸(物理性參數)與步驟SB5及步驟SB8中所計算出之標靶記號B3的二個像之位置間的長度所相對應之畫素數之對應關係。顯示第3位置與第4位置間之距離的實際尺寸之資料係被預先儲存在控制電路Cnt的ROM等記憶體。
若使用方法MT2,便可在藉由下照相機2A所取得之拍攝影像中取得畫素數與實際尺寸之對應關係(例如單位畫素相對的實際尺寸)。若使用藉由方法MT2所獲得之上述般的對應,便可無關於探測裝置100的裝置間機差來計算出拍攝影像所包含之影像的大小,或由影像之重心位置的移動量來計算出對應於該影像之探測裝置100之部位的實際尺寸。
控制電路Cnt係可實施圖6的流程圖所示之方法MT3來作為方法MT。方法MT3係具有步驟SC1~SC9。
在方法MT3中,控制電路Cnt係具有攝影倍率相異之下照相機2A的第1攝影模式及第2攝影模式。第1攝影模式為下照相機2A的高倍率模式或低倍率模式其中一者(例如高倍率模式)。第2攝影模式為下照相機2A的高倍率模式或低倍率模式其中一者(例如低倍率模式)。
控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2依序移動至第1攝影模式相對應的第1台座位置與第2攝影模式相對應的第2台座位置。控制電路Cnt會分別在第1台座位置及第2台座位置處取得標靶記號B3的拍攝影像。控制電路Cnt會計算各第1台座位置及第2台座位置與所取得之二個拍攝影像的各標靶記號B3之影像位置的對應關係。
參見圖6來更詳細地說明方法MT3。控制電路Cnt在步驟SC1中,會使用移動機構Tra來讓設置有標靶組件1B之晶圓對位單元1移動至第1位置。
在接續著步驟SC1之步驟SC2中,控制電路Cnt會將下照相機2A的攝影模式設定為第1攝影模式。在接續著步驟SC2之步驟SC3中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2移動至所設定之第1攝影模式或第2攝影模式相對應的第1台座位置或第2台座位置。
在接續著步驟SC3之步驟SC4中,控制電路Cnt會使用照明部4來將照明照射在標靶記號B3,並使用下照相機2A來取得標靶記號B3的拍攝影像。在接續著步驟SC4之步驟SC5中,控制電路Cnt在步驟SC4中會判定拍攝影像是否是由第1攝影模式來取得。
步驟SC5中,當控制電路Cnt判定拍攝影像是由第1攝影模式所取得之情況(步驟SC5:YES),便會轉移至步驟SC6。步驟SC6中,控制電路Cnt當台座2的位置是位在對應於第1攝影模式的第1台座位置之狀態下,會計算出步驟SC4中所取得的拍攝影像所包含之標靶記號B3的影像位置(影像的中心或重心,以下相同)。
在接續著步驟SC6之步驟SC7中,控制電路Cnt會將下照相機2A的攝影模式設定為第2攝影模式,並轉移至步驟SC3。
步驟SC5中,當控制電路Cnt判定拍攝影像並非由第1攝影模式所取得(亦即由第2攝影模式所取得)之情況(步驟SC5:NO),便會轉移至步驟SC8。步驟SC8中,控制電路Cnt當台座2的位置是位在對應於第2攝影模式的第2台座位置之狀態下,會計算出步驟SC4中所取得的拍攝影像所包含之標靶記號B3的影像位置。
在接續著步驟SC8之步驟SC9中,控制電路Cnt會計算各第1台座位置及第2台座位置與由各第1台座位置及第2台座位置所取得之二個拍攝影像的各標靶記號B3之影像位置的對應關係。
若使用方法MT3,便可取得下照相機2A的每個攝影模式下所移動之台座2的移動距離(物理性參數)與對應於該移動距離而顯現於拍攝影像的畫素數之對應關係。若使用藉由方法MT3所獲得之上述般的對應,便可無關於探測裝置100的裝置間機差,而由拍攝影像來計算出第1台座位置與第2台座位置間的距離。於是,便可無關於探測裝置100的裝置間機差,而使用拍攝影像來進行下照相機2A的每個攝影模式下所移動之台座2的移動距離調整(每個攝影模式之台座2的位置調整)。
控制電路Cnt係可實施圖7的流程圖所示之方法MT4來作為方法MT。方法MT4係具有步驟SD1~SD8。
方法MT4中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來讓台座2移動至對台座2上的晶圓W進行掃描之開始預定位置,並取得標靶記號B3的拍攝影像。控制電路Cnt會計算拍攝影像內所預先設定的基準區域與所取得之拍攝影像之標靶記號B3的影像位置之差異。基準區域為當台座2位在掃描的適當開始位置之情況下,所取得之拍攝影像中標靶記號B3的影像所被配置之區域。
參見圖7來更詳細地說明方法MT4。控制電路Cnt在步驟SD1中,會使用移動機構Tra來讓設置有標靶組件1B之晶圓對位單元1移動至第1位置。
在接續著步驟SD1之步驟SD2中,控制電路Cnt會將下照相機2A的攝影模式設定為高倍率模式或低倍率模式。在接續著步驟SD2之步驟SD3中,控制電路Cnt會使用移動機構Tra來將台座2移送至下照相機2A的每個攝影模式所設定之第5位置。
第5位置為對晶圓W開始進行掃描時配置有台座2之位置(適當的開始位置)相對應的位置,且為台座2對應於掃描的開始所實際移動之位置(開始預定位置)。為開始預定位置之第5位置係在開始掃描時配置有台座2之適當的開始位置,以及,雖是位在該開始位置附近卻是與該開始位置不同之位置中的任一者。
為掃描的開始預定位置之第5位置係包含有高倍率模式相對應的位置與低倍率模式相對應的位置。又,掃描的適當開始位置亦包含有高倍率模式相對應的位置與低倍率模式相對應的位置。
在接續著步驟SD3之步驟SD4中,控制電路Cnt會對晶圓W開始進行掃描。在接續著步驟SD4之步驟SD5中,控制電路Cnt會同步於照明部4最初的閃光照射來取得標靶記號B3的拍攝影像。
在接續著步驟SD5之步驟SD6中,控制電路Cnt會計算拍攝影像內所預先設定的基準區域與拍攝影像之標靶記號B3的影像位置之差異(對應關係),並轉移至步驟SD7。在步驟SD7中,控制電路Cnt會判定拍攝影像中標靶記號B3的影像是否位在基準區域。
當控制電路Cnt在步驟SD7中判定標靶記號B3的影像是位在基準區域之情況(步驟SD7:YES),便會結束方法MT4。當控制電路Cnt在步驟SD7中判定標靶記號B3的影像並未位在基準區域之情況(步驟SD7:NO),則會轉移至步驟SD8。
步驟SD8中,控制電路Cnt會調整台座2的位置(此時間點台座2會位在開始預定位置),來使標靶記號B3的影像在拍攝影像中會成為基準區域內(物理性參數),並轉移至步驟SD4。
若使用方法MT4,便可無關於探測裝置100的裝置間機差,而使用拍攝影像來計算出台座2之掃描的開始預定位置是從掃描的適當開始位置偏移多少程度(將開始預定位置調整為何種程度會成為適當的開始位置?)。若使用此計算結果,便可無關於探測裝置100的裝置間機差,而由拍攝影像來使台座2適當地移動至掃描的適當開始位置。
以上,雖已針對各種例示性實施型態來加以說明,但並未侷限於上述例示性實施型態,而亦可做各種省略、置換及變更。又,可組合不同例示性實施型態中的要素來形成其他例示性實施型態。例如,在例示性實施型態中,雖係構成為可移動晶圓對位單元1來加以說明,但並未侷限於此。本揭示中,應將在設置有上照相機之台座2的上方處面臨台座2之構成零件理解為晶圓對位單元。
由以上的說明應當可理解本揭示之各種例示性實施型態是因為說明的目而在本說明書中加以說明,可在未背離本揭示之範圍及要旨的範圍內來實施各種變更。因此,本說明書所揭示之各種例示性實施型態並非意在限定,真正的範圍與要旨係藉由所添附之申請專利範圍來加以顯示。
1:晶圓對位單元
100:探測裝置
1A:上照相機
1A1:第1攝影鏡片
1A2:第2攝影鏡片
1B:標靶組件
2:台座
2A:下照相機
2A1:第1攝影鏡片
2A2:第2攝影鏡片
2B:標靶組件
3:探針卡
3A:探針
4:照明部
5:吹氣裝置
B2:突起部
B3:標靶記號
Cnt:控制電路
GA1:線
GA2:線
GA3:線
MT:方法
MT1:方法
MT2:方法
MT3:方法
MT4:方法
SF1:表面
SF2:表面
SFB:端面
Tra:移動機構
圖1係顯示例示性實施型態相關之探測裝置的一構成例之圖式。
圖2係顯示圖1所示之標靶組件的一構成例之圖式。
圖3係顯示例示性實施型態相關之探測裝置的調整方法一範例之流程圖。
圖4係顯示圖3所示之調整方法的一具體例之流程圖。
圖5係顯示圖3所示之調整方法的一具體例之流程圖。
圖6係顯示圖3所示之調整方法的一具體例之流程圖。
圖7係顯示圖3所示之調整方法的一具體例之流程圖。
圖8係用以說明圖4所示探測裝置之調整方法的效果一範例之圖式。
圖9係用以說明圖4所示探測裝置之調整方法的效果一範例之圖式。
1:晶圓對位單元
100:探測裝置
1A:上照相機
1A1:第1攝影鏡片
1A2:第2攝影鏡片
1B:標靶組件
2:台座
2A:下照相機
2A1:第1攝影鏡片
2A2:第2攝影鏡片
2B:標靶組件
3:探針卡
3A:探針
4:照明部
5:吹氣裝置
Cnt:控制電路
SF1:表面
SF2:表面
Tra:移動機構
W:晶圓
Claims (8)
- 一種探測裝置,係用以檢查晶圓之探測裝置,具有:上照相機,係設置於晶圓對位單元;下照相機,係配置於該晶圓對位單元的下方,且設置於載置有晶圓之台座;標靶組件,係設置於該晶圓對位單元及該台座中任一者;控制電路,係控制該上照相機及該下照相機的各動作;以及移動機構,係能讓該台座移動;該標靶組件係具備設置有標靶記號之端面;該上照相機及該下照相機中任一者係可拍攝該標靶記號;該控制電路係使用可拍攝該標靶組件之該上照相機及該下照相機中任一者來取得該標靶記號的攝影影像,並依據所取得之攝影影像,而針對該探測裝置所具有之複數物理參數當中的攝影影像所顯現之參數,來計算出特定的物理參數與攝影影像所顯現的值之對應關係;該控制電路會使用該移動機構來讓該台座依序移動至預先設定的二個位置,並在該二個位置處分別取得該標靶記號的攝影影像,來計算出該二個位置間之距離的實際尺寸,與所取得之二個攝影影像的各該標靶記號之影像間的長度所相對應之畫素數之對應關係。
- 如申請專利範圍第1項之探測裝置,其另具備照明部;該照明部係可照明該標靶記號;該控制電路會計算該照明部之輸出的設定值與該攝影影像所顯現的亮度之對應關係。
- 如申請專利範圍第1或2項之探測裝置,其中該控制電路係具有攝影倍率相異的第1攝影模式及第2攝影模式,會使用該移動機構來讓該台座依序移動至該第1攝影模式相對應的第1台座位置與該第2攝影模式相對應的第2台座位置,並在該第1台座位置及該第2台座位置處分別取得該標靶記號的攝影影像,來計算出各該第1台座位置及該第2台座位置與所取得之二個攝影影像之各該標靶記號的影像位置之對應關係。
- 如申請專利範圍第1或2項之探測裝置,其中該控制電路係使用該移動機構來讓該台座移動至對該台座上的晶圓進行掃描之開始預定位置,並取得該標靶記號的攝影影像,來計算出攝影影像內所預先設定的基準區域與所取得之攝影影像之該標靶記號的影像位置之差異;該基準區域為當該台座位在該掃描的適當開始位置之情況下,所取得之攝影影像中該標靶記號的影像所被配置之區域。
- 如申請專利範圍第1或2項之探測裝置,其另具備吹氣裝置;該標靶組件係設置於該台座,該吹氣裝置會朝該標靶記號噴射空氣。
- 如申請專利範圍第3項之探測裝置,其另具備吹氣裝置;該標靶組件係設置於該台座,該吹氣裝置會朝該標靶記號噴射空氣。
- 如申請專利範圍第4項之探測裝置,其另具備吹氣裝置;該標靶組件係設置於該台座,該吹氣裝置會朝該標靶記號噴射空氣。
- 一種探測裝置之調整方法,係用以檢查晶圓之探測裝置的調整方法,該探測裝置係具有下照相機、標靶組件及移動機構,該下照相機係配置於晶圓對位單元的下方且設置於載置有晶圓之台座,該標靶組件係具備設置有標靶記號之端面,且設置於該晶圓對位單元及該台座中任一者,該移動機構係能讓該台座移動;該方法係使用該移動機構來讓該台座依序移動至預先設定的二個位置,使用可拍攝該標靶組件之該下照相機在該二個位置處分別取得該標靶記號的攝影影像,來計算出該二個位置間之距離的實際尺寸,與所取得之二個攝影影像的各該標靶記號之影像間的長度所相對應之畫素數之對應關係,以調整攝影影像的像素尺寸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-227355 | 2018-12-04 | ||
JP2018227355A JP7220554B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | プローブ装置、及び、プローブ装置の調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202032427A TW202032427A (zh) | 2020-09-01 |
TWI833845B true TWI833845B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170219625A1 (en) | 2014-09-30 | 2017-08-03 | Tokyo Electron Limited | Position accuracy inspecting method, position accuracy inspecting apparatus, and position inspecting unit |
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170219625A1 (en) | 2014-09-30 | 2017-08-03 | Tokyo Electron Limited | Position accuracy inspecting method, position accuracy inspecting apparatus, and position inspecting unit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100902170B1 (ko) | 표면형상 측정장치 | |
CN104416290B (zh) | 激光加工装置 | |
KR101241175B1 (ko) | 실장기판 검사장치 및 검사방법 | |
KR20070042840A (ko) | 영상 측정 장치 및 그 방법 | |
JP3203147U (ja) | ビジョンアライメント | |
JP2022183309A (ja) | ウエハ検査システム及び装置 | |
JP6431786B2 (ja) | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム | |
JP2017032369A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
CN108732189A (zh) | 一种晶圆芯片检测设备 | |
JP2016161312A (ja) | 表面形状測定装置のアライメント方法 | |
TWI833845B (zh) | 探測裝置及探測裝置之調整方法 | |
JP6643328B2 (ja) | リソグラフィ構造を生成するための光学系 | |
JP5208896B2 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
WO2014141380A1 (ja) | 部品実装機の部品認識システム | |
TW202032427A (zh) | 探測裝置及探測裝置之調整方法 | |
JP2007205828A (ja) | 光学画像取得装置、パターン検査装置、光学画像取得方法、及び、パターン検査方法 | |
KR101017300B1 (ko) | 표면형상 측정장치 | |
US20050157920A1 (en) | Machine vision system and method | |
JP3933060B2 (ja) | ボンディングワイヤ検査方法 | |
CN112710662A (zh) | 生成方法及装置、生成系统和存储介质 | |
KR101731029B1 (ko) | 고속 이미지 측정장치 | |
JP6530437B2 (ja) | 光コネクタ端面検査装置とその合焦画像データ取得方法 | |
TWI626421B (zh) | 直線度測定裝置及方法 | |
TWI824145B (zh) | 對準裝置、對準方法、微影裝置,及製造物品的方法 | |
KR102015384B1 (ko) | 투명면 및 반사면 검사 방법 및 장치 |