TWI831844B - 高電壓探針卡系統 - Google Patents

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威廉 A 方克
布萊安 J 魯特
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Abstract

一種用於測試一待測器件之測試總成包含一探針卡總成及經固定至該探針卡總成之一蓋。該探針卡總成包含一探針瓦管，該探針瓦管具有複數個開口。該探針瓦管包含複數根探針線，該複數根探針線包含一探針針部分及一探針尖端部分。一密封件經安置於該探針瓦管之一表面上且形成一加壓區域之一外周邊。該探針瓦管包含經形成於該加壓區域內之一絕緣層，該絕緣層經組態以將該探針針部分與該待測器件分開。該絕緣層包含一孔隙，該探針尖端部分延伸通過該孔隙以接觸該待測器件。該蓋包含一流體入口及一流體返回出口，該流體入口及該流體返回出口係與該探針瓦管之該複數個開口流體連通。

Description

高電壓探針卡系統
本發明大體上係關於用於一待測器件(諸如但不限於一半導體器件)之測試設備及系統。更具體言之，本發明係關於包含一探針卡之系統及裝置，該探針卡可與其他測試設備一起使用以對一半導體器件(諸如，一半導體晶圓或一微機電系統(MEMS)器件)進行電測試。
半導體行業持續需要接達一半導體晶圓上之許多電子器件。隨著半導體行業成長且器件變得更小及更複雜，必須在器件處於晶圓形式時，例如針對洩漏電流及極低操作電流對許多電氣器件(最常見的係半導體器件及晶圓上電互連)進行電氣測試。此外，通常需要在寬溫度及電壓範圍內評估電流及器件特性，以暸解溫度及電壓如何影響器件。而且，歸因於半導體技術之連續及快速變化，半導體器件及其等電接觸墊之尺寸不斷變小。
為了有效地量測處於晶圓形式之半導體器件，使用探針來接觸晶圓之表面上之導電墊。此等探針接著電連接至測試儀器。通常，額外電氣互連組件(諸如電路板)組成探針與測試儀器之間之連接之部分。為了最小化電氣量測之降級，探針及互連組件必須經設計以將量測信號與外部電氣干擾、通過介電材料之洩漏電流、寄生電容、容電雜訊、壓電雜訊及介電吸收等隔離。
因此，持續需要用於電探測諸如半導體晶圓之半導體器件之改良半導體測試設備。
本發明大體上係關於用於一待測器件(諸如但不限於一半導體器件)之測試設備及系統。更具體言之，本發明係關於包含一探針卡之系統及裝置，該探針卡可與其他測試設備一起使用以對一半導體器件(諸如，一半導體晶圓或一微機電系統(MEMS)器件)進行電測試。
在一實施例中，本文中揭示之系統及裝置可用於一待測器件之高電壓測試。在一實施例中，一高電壓測試可包含300伏或約300伏之施加或大於300伏之施加。在一實施例中，高電壓測試可包含大於300伏直至50,000伏或約50,000伏之施加。
描述例如在系統中可用於測試一半導體器件之測試設備。更特定言之，描述探針裝置，其可用於電探測諸如半導體晶圓之半導體器件。通常，探針裝置包含可相對於另一測試設備或組件(例如電路板)鎖定及解鎖之一探針芯，且其中探針芯具有一或多個探針，該一或多個探針可探測器件且電連接至可將信號從探針芯傳輸至例如其他測試設備之觸點。
在一實施例中，探針芯探針可係線針，其等可具有至其他測試設備之電連接及觸點。
揭示一種用於測試一待測器件之測試總成。該測試總成包含一探針卡總成及固定至該探針卡總成之一蓋。該探針卡總成包含一探針瓦管(tile)。探針瓦管包含複數個開口。該探針瓦管包含複數根探針線，該複數根探針線包含一探針針部分及一探針尖端部分。一密封件安置在該探針瓦管之一表面上。該密封件形成一加壓區域之一外周邊。該探針瓦管包含形成在該加壓區域內之一絕緣層。該絕緣層經組態以將該探針針部分與該待測器件分開。該絕緣層包含一孔隙，該探針尖端部分延伸通過該孔隙以接觸該待測器件。該蓋包含一流體入口及一流體返回出口。該流體入口及該流體返回出口與該探針瓦管之該複數個開口流體連通。
在一實施例中，該測試總成之該絕緣層可由與該測試總成之材料相容且能夠防止在電氣組件之間形成一將暸解之材料製成。在一實施例中，絕緣層可係聚醯亞胺薄片或類似物。
在一實施例中，該測試總成流體連接至一流體源，該流體源經組態以提供一溫度受控流體。在一實施例中，該溫度受控流體可從-65℃或約-65℃至300℃或約300℃。在一實施例中，可基於例如用於測試待測器件之期望測試溫度來選擇受控流體之溫度。
亦揭示一種探測待測器件之方法。該方法包含將一探針卡總成定位至一測試位置，其包含將一蓋保持至該探針卡總成。從一流體源提供一溫度受控流體至該蓋之一流體入口，該流體入口與該探針卡總成中之一或多個孔隙流體連通，從而在該探針卡總成與該待測器件之間之測試位置處形成一流體凹穴。探測該待測器件。經由該探針卡總成與一電路板之接觸以及該探針卡總成與該待測器件之接觸將信號傳輸至一測試設備，從而允許信號透過探針線及電路板傳送。
本發明大體上係關於用於一待測器件(諸如但不限於一半導體器件)之測試設備及系統。更具體言之，本發明係關於包含一探針卡之系統及裝置，該探針卡可與其他測試設備一起使用以對一半導體器件(諸如，一半導體晶圓或一微機電系統(MEMS)器件)進行電測試。
本文描述之測試設備及系統可特別適合於對包含高電壓之施加之一待測器件進行測試。
可藉由施加高電壓至半導體組件(諸如但不限於電晶體、二極體或類似物)來測試諸如半導體器件之待測器件。當進行測試時，存在可能存在於彼此附近之若干半導體組件。當施加高電壓(例如，300伏或約300伏或大於300伏)至此等組件時，存在可能在空氣中放電之將暸解產生之風險。期望降低產生火花之風險的改進方法。應暸解，此等電壓範圍係實例，且可變化超出所述範圍。在一實施例中，所施加之電壓可高達50,000伏或約50,000伏。
本發明之實施例提供一種用於一待測器件之測試總成，其包含使用一溫度及壓力受控流體流測試一區域之一加壓。
在一實施例中，流體可係一溫度受控流體流。
在一實施例中，流體可係一溫度受控及一壓力受控流體流。在一實施例中，控制溫度及壓力兩者可增強測試程序之可重複性及準確性。
在一實施例中，由於溫度及壓力受控流體流，可減少產生火花之一風險。
圖1A至圖1C展示可在一系統中用於測試諸如例如半導體器件(包含但不限於半導體晶圓或其他MEMS器件)之測試設備之一實施例。通常，可使用一電路板及一探針卡來電探測諸如一半導體晶圓之一半導體器件。探針卡接觸電路板。探針卡具有探針線，該等探針線可探測待測器件並將信號從探針卡傳輸至電路板。電路板將信號從探針卡傳輸至例如其他測試設備。
除非另外特別指示，否則將大致參考圖1A至圖1C。
圖1A至圖1C展示一探針卡10之一實施例。探針卡10具有一線導件16。一探針瓦管14係與線導件16連接。線導件16提供一凹槽圖案12以供探針線組態為用於(例如)接觸電路板之一接觸圖案。
複數根探針線30係由線導件16及探針瓦管14支撐。複數根探針線30包含探針線30A及探針線30B。複數根探針線30A通常係配置在探針卡10之邊角處，且與探針線30B距探針卡10之中心之一距離相比，延伸距探針卡10之中心更遠之一距離。即，探針線30B具有小於探針線30A之一半徑。探針線30A可被稱為高電壓探針線30A，而探針線30B可被稱為低電壓探針線30B。
探針線30A具有一特定方向，使得標準探針卡(例如，不期望用於高電壓測試)不會無意間接收到高電壓。在此一情形下，標準探針卡將不接觸電路板上之高電壓源。探針線30提供探針卡10之探測功能。各探針線30包含具有延伸通過探針瓦管14之一探針尖端33的探針針32。例如，探針針32及尖端33可經安置朝向探針瓦管14之中心，其中尖端通常在探針瓦管14之中心處(諸如在開口17處)自探針瓦管14曝露。應暸解，尖端33可被適當地配置成各種組態及各種針/尖端陣列，以容納一待測器件。
各探針線30包含一信號傳輸部分及從線導件16曝露之一選用防護部分。信號傳輸部分及防護部分在探針卡10之一側上，於線導件16之凹槽圖案12內形成一接觸圖案。信號傳輸部分及防護部分之接觸圖案匹配一電路板之接觸圖案。
對一線導件、探針瓦管及探針線之進一步描述及繪示係在待處理之美國專利第8,674,715號中，其全部內容係以引用的方式併入本文中。在一實施例中，探針瓦管14係由與線導件16不同之材料建構。例如，探針瓦管14係介電材料，且可係由(例如)陶瓷材料構成。
探針卡10亦包含在線導件16之凹槽圖案12所定位之處之另一側上，且因此在探針線30之接觸圖案所形成之處之另一側上之一連接器結構。
在所繪示之實施例中，一絕緣層50形成在探針瓦管14之一面向器件之表面上。在一實施例中，絕緣層50可係多層的。絕緣層50之一厚度t(圖1B)可變化。在一實施例中，絕緣層50可為5 μm或約5 μm或比5 μm厚。在一實施例中，絕緣層50可為5 μm或約5 μm至25 μm或約25 μm。在一實施例中，絕緣層50可為5 μm或約5 μm至25 μm或約25 μm。在一實施例中，絕緣層50可從25 μm或約25 μm至50 μm或約50 μm。絕緣層50之厚度可基於探針線30及探針尖端33之設計。例如，厚度t小於探針尖端33之一長度，使得探針尖端33延伸通過絕緣層50。若絕緣層50太薄，則絕緣層50可能不足以防止將暸解形成。若絕緣層50太厚，則可能需要重新設計探針尖端33以確保探針尖端33延伸通過絕緣層50。
絕緣層50可在探針針32及測試位點(在待測器件上)之間形成一障壁。即，絕緣層50可經安裝使得探針尖端33在絕緣層50與待測器件之間延伸，但探針之其餘特徵(例如，探針針32)藉由絕緣層50與待測器件屏蔽開。
在一實施例中，絕緣層50可由可防止將暸解產生之一材料形成。在一實施例中，絕緣層50可包含聚醯亞胺薄片。在一實施例中，聚醯亞胺薄片可係例如可從E.I. du Pont de Nemours and Company購得之Kapton®薄片。應暸解，此材料係一實例，且預期適合於根據本說明書中之原理起作用之其他材料。
探針瓦管14包含複數個孔隙60，一流體流(圖2A至圖2C中之F)可透過該複數個孔隙60提供至一測試位點。孔隙60之數目及孔隙60之幾何形狀不意欲係限制性的。可選擇孔隙60之數目及幾何形狀，以例如確保足夠流體被提供至流體凹穴(圖2A至圖2C中之流體凹穴140)。一密封件65安置在探針瓦管14之一面向測試之側上。密封件65可形成一流體凹穴(圖2A至圖2C中之140)之一周邊。可選擇密封件65之材料，使得密封件65可接觸待測器件而不造成損壞。在一實施例中，密封件65可係O形環。在一實施例中，O形環可係聚矽氧、陶瓷、聚四氟乙烯(PTFE)、合成橡膠、含氟聚合物彈性體或類似物。在一實施例中，O形環可具有一相對矩形橫截面。
圖2A至圖2C繪示根據一實施例之測試總成100之透視截面圖。測試總成100可用於例如進行待測器件之高電壓測試。在一實施例中，測試總成100可可替代地被稱為高電壓測試總成100或類似物。
測試總成100包含蓋105及探針卡總成10 (圖1)。蓋105藉由例如一接頭(諸如但不限於球窩接頭)連接至探針卡總成10。在所繪示之實施例中，蓋105提供「球」且探針卡總成10提供「窩」。應暸解，蓋可提供「窩」且探針卡總成可提供「球」。接頭可係除一球窩接頭以外之一連接。
在一實施例中，接頭可係蓋105及探針卡總成10藉由其可彼此連接/可彼此移除而無需額外工具之任何接頭。
蓋105與探針卡總成10之間之接頭係流體密封連接，使得經由蓋提供至正用探針卡總成10測試之一位點之流體流可接收流體流且防止流體從接頭洩漏。
除球窩接頭以外，亦可包含一閂鎖或其他鎖定特徵，以將蓋105維持於與探針卡總成10之一連接狀態。在一實施例中，閂鎖可提供蓋105與探針卡總成10之間相對於例如不包含閂鎖之一實施例增加之密封。
蓋105通常包含一流體入口110及一流體返回出口115。流體入口110可流體連接至流體源120。流體返回出口115亦可流體連接至流體源120。
在操作中，流體源120可提供一流體流F至流體入口110。可以一受控溫度及一受控流速提供來自流體源120之流體。在一實施例中，流體之溫度的範圍可從-65℃或約-65℃至300℃或約300℃。在此範圍內，可基於例如執行測試之期望溫度來選擇流體之溫度。溫度可能變化超出所述範圍。通常，隨著溫度增加，可能存在電弧作用之增大風險。隨著溫度變低，可能存在電弧作用之較小風險。
例如，可選擇受控流速以控制在待測器件200附近形成之一流體凹穴140之壓力。在一實施例中，流體之受控流速可從0或約0升/分鐘(LPM)至300或約300 LPM。在一實施例中，一標準操作流速可從30或約30 LPM至60或約60 LPM。在一實施例中，流體可係空氣。在一實施例中，流體可係清潔的乾燥空氣(CDA)、氮氣或類似物。在一實施例中，流體凹穴140之壓力可被控制。控制壓力可例如改良測試之可重複性。
在所繪示之實施例中，如由虛線箭頭Fo 所表示，來自流體返回出口115之流體可返回至流體源120。在一實施例中，流體返回出口115可包含一感測器，諸如但不限於一流速感測器、壓力傳感器或類似物，以監測離開流體返回出口115之流體之流速或壓力。量測可顯示給使用者，使得使用者可調整流體流。
密封件65形成一流體凹穴140之一周邊。在所繪示之實施例中，密封件65之形狀係圓形。將暸解，該形狀係一實例，且其他閉合形狀，諸如但不限於多邊形形狀(例如，正方形、矩形、三角形)或類似物。
透過孔隙60提供之流體流F可引發至流體凹穴140中的湍流並對流體凹穴140加壓。在所繪示之實施例中，展示待測器件200與密封件65之間之一間隙G。在一實施例中，間隙G可小於 1mm或約1 mm。即，在一實施例中，待測器件200與密封件65之間可能不存在間隙G (例如，密封件65與待測器件200之表面接觸)。
一溫度感測器125可被放置在蓋105中。將暸解，溫度感測器125的位置可被定位於流體入口110附近。通常，溫度感測器125可被安置在相對靠近探針卡總成10的下游位置，使得來自溫度感測器125的溫度讀數反映相對靠近待測器件之位置處的溫度。例如，此可確保更精確地控制(最終提供至探針尖端之位置之)流體流F的溫度。此放置可能係有利的，此係因為用於測試待測器件之溫度要求可能係使得一測試溫度應維持在與期望測試溫度相差正或負3度或約3度或更小之範圍內。
在一實施例中，溫度感測器125可被包含在流體源120上。
流體返回出口115可用於監測腔體內之一壓力。在一實施例中，流體可經由流體返回出口115離開蓋105。在一實施例中，一壓力傳感器130可係安置在與流體返回出口115流體連接之一位置中。在一實施例中，壓力傳感器130可係安置在用於探針測試總成之一控制器150上。壓力傳感器130可用於維持至少1巴錶壓或約1巴錶壓之壓力。壓力傳感器130可用來確保在流體凹穴140處維持一期望壓力。在一實施例中，壓力傳感器130亦可用作一安全機構。在此一實施例中，用於進行測試的控制器150可能無法在量測流體凹穴140中的期望壓力之前開始測試。例如，這可減少產生火花的機會。
態樣：
將暸解，態樣1至10中任一項可與態樣11至20中任一項組合。
態樣1. 一種用於測試一待測器件之測試總成，其包括：一探針卡總成，其包含：包含複數個開口之一探針瓦管；包含一探針針部分及一探針尖端部分之複數根探針線；經安置於該探針瓦管之一表面上之一密封件，該密封件形成一加壓區域之一外周邊；及經形成於該加壓區域內之一絕緣層，該絕緣層經組態以將該探針針部分與該待測器件分開，且包含一孔，該探針尖端部分延伸通過該孔隙以接觸該待測器件；及一蓋，其經固定至該探針卡總成，該蓋包含：一流體入口及一流體返回出口；該流體入口及該流體返回出口係與該探針瓦管之該複數個開口流體連通。
態樣2. 態樣1之測試總成，其中該絕緣層係聚醯亞胺薄片。
態樣3. 態樣1或2中任一項之測試總成，其中該密封件係一O形環。
態樣4. 態樣3之測試總成，其中該O形環係由聚矽氧、陶瓷、聚四氟乙烯(PTFE)、合成橡膠及含氟聚合物彈性體之一者製成。
態樣5. 態樣1至4中任一項之測試總成，其進一步包括一流體源，該流體源流體連接至該流體入口及該流體返回出口之一或多者。
態樣6. 態樣5之測試總成，其中該流體源經組態以提供一溫度受控流體至該流體入口。
態樣7. 態樣6之測試總成，其中該溫度受控流體之一溫度係從-65℃或約-65℃至300℃或約300℃。
態樣8. 態樣6或7中任一項之測試總成，其中該流體源經組態以按從0或約0升/分鐘(LPM)至300或約300 LPM之一流速提供該溫度受控流體。
態樣9. 態樣1至8中任一項之測試總成，其進一步包括安置在該蓋中之一溫度感測器。
態樣10. 態樣1至9中任一項之測試總成，其進一步包括一壓力傳感器。
態樣11. 一種探測待測器件之方法，其包括：將一探針卡總成定位至一測試位置中，其包含將一蓋保持至該探針卡總成；從一流體源提供一溫度受控流體至該蓋之一流體入口，該流體入口與該探針卡總成中之一或多個孔隙流體連通，從而在該探針卡總成與該待測器件之間之該測試位置處形成一流體凹穴；探測該待測器件；及經由該探針卡總成與一電路板之接觸及該探針卡總成與該待測器件之接觸將信號傳輸至一測試設備，從而允許信號透過探針線及電路板傳送。
態樣12. 態樣11之方法，其中該探針卡總成進一步包括用於在該測試位置處形成該流體凹穴之一密封件及一絕緣層。
態樣13. 態樣11或12中任一項之方法，其中該溫度受控流體係空氣。
態樣14. 態樣13之方法，其中該空氣係從-65°C或約-65°C至300°C或約300°C。
態樣15. 態樣11至14中任一項之方法，其中將該探針卡總成定位至該測試位置中包含維持該探針卡總成與該待測器件之間小於1 mm或約1 mm之一間隙。
態樣16. 態樣15之方法，其進一步包括將該探針卡總成與該待測器件之間之該間隙維持為50 μm或約50 μm。
態樣17. 態樣11至14中任一項之方法，其中將該探針卡總成定位至該測試位置中包含使該探針卡總成接觸至該待測器件。
態樣18. 態樣11至17中任一項之方法，其中提供該溫度受控流體包含按從0或約0升/分鐘(LPM)至300或約300 LPM之一流速提供該流體。
態樣19. 態樣11至18中之任一項之方法，其進一步包括一壓力傳感器，且使用該壓力傳感器監測該流體凹穴中之一壓力。
態樣20. 態樣11至19中任一項之方法，其進一步包括一溫度感測器，且監測該溫度受控流體之一溫度。
在本說明書中使用之術語旨在描述特定實施例，且不旨在係限制性的。除非另外明確指示，否則術語「一」、「一個」及「該」亦包含複數形式。當在本說明書中使用時，術語「包括(comprises及/或comprising)」指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在或添加。
關於前文描述，應暸解，可在不脫離本發明之範疇的情況下，尤其在所採用之建構材料及部件之形狀、大小及配置事項上進行詳細改變。本說明書及所描述之實施例僅係例示性的，其中本發明之真實範疇及精神由隨附發明申請專利範圍指示。
半導體器件非限制性
本發明特別適合於探測半導體器件，但本教示之使用不限於探測半導體器件。其他器件可應用於本發明教示。因此，儘管本說明書係關於探測「半導體」器件進行說明，但此術語應被廣義地解釋為包含探測任何合適器件。
10:探針卡 12:凹槽圖案 14:探針瓦管 16:線導件 17:開口 30:探針線 30A:探針線 30B:探針線 32:探針針 33:尖端 50:絕緣層 60:孔隙 65:密封件 100:測試總成 105:蓋 110:流體入口 115:流體返回出口 120:流體源 125:溫度感測器 130:壓力傳感器 140:流體凹穴 150:控制器 200:待測器件 F:流體流 Fo:虛線箭頭 G:間隙 t:厚度
參考形成本發明之一部分，且繪示其中可實踐本說明書中所描述之系統及方法之實施例之附圖。
圖1A至圖1C繪示根據一實施例之一探針卡總成之視圖。
圖2A至圖2C繪示根據一實施例之一測試總成之視圖。
通篇相似參考數字表示相似部分。
10:探針卡
12:凹槽圖案
14:探針瓦管
16:線導件
17:開口
30:探針線
30A:探針線
30B:探針線
32:探針針
33:尖端
50:絕緣層
60:孔隙
65:密封件

Claims (19)

  1. 一種用於測試一待測器件之測試總成，其包括：一探針卡總成，其包含：一探針瓦管，其包含複數個開口；複數根探針線，其等包含一探針針部分及一探針尖端部分；一密封件，其經安置於該探針瓦管之一表面上，該密封件形成一加壓區域之一外周邊；及一絕緣層，其經形成於該加壓區域內，該絕緣層經組態以將該探針針部分與該待測器件分開，且包含一孔，該探針尖端部分延伸通過該孔以接觸該待測器件；及一蓋，其經固定至該探針卡總成，該蓋包含：一流體入口及一流體返回出口；該流體入口及該流體返回出口係與該探針瓦管之該複數個開口流體連通。
  2. 如請求項1之測試總成，其中該絕緣層係聚醯亞胺薄片。
  3. 如請求項1之測試總成，其中該密封件係一O形環。
  4. 如請求項3之測試總成，其中該O形環係由聚矽氧、陶瓷、聚四氟乙烯(PTFE)、合成橡膠及含氟聚合物彈性體中之一者製成。
  5. 如請求項1之測試總成，進一步包括一流體源，該流體源流體經連接至該流體入口及該流體返回出口中之一或多者。
  6. 如請求項5之測試總成，其中該流體源經組態以提供一溫度受控流體至該流體入口。
  7. 如請求項6之測試總成，其中該溫度受控流體之一溫度係從-65℃至300℃。
  8. 如請求項6之測試總成，其中該流體源經組態以按從0升/分鐘(LPM)至300LPM之一流速提供該溫度受控流體。
  9. 如請求項1之測試總成，進一步包括經安置於該蓋中之一溫度感測器。
  10. 如請求項1之測試總成，進一步包括一壓力傳感器。
  11. 一種探測待測器件之方法，其包括：將一探針卡總成定位至一測試位置中，其包含將一蓋保持至該探針卡總成；從一流體源提供一溫度受控流體至該蓋之一流體入口，該流體入口係與該探針卡總成中之一或多個孔隙流體連通，從而在該探針卡總成與該待測器件之間之該測試位置處形成一流體凹穴； 探測該待測器件；及經由該探針卡總成與一電路板之接觸及該探針卡總成與該待測器件之接觸，將信號傳輸至一測試設備，從而允許信號透過探針線及該電路板傳送；其中該探針卡總成進一步包括用於在該測試位置處形成該流體凹穴之一密封件及一絕緣層。
  12. 如請求項11之方法，其中該溫度受控流體係空氣。
  13. 如請求項12之方法，其中該空氣係從-65℃至300℃。
  14. 如請求項11之方法，其中該將該探針卡總成定位至該測試位置中包含維持該探針卡總成與該待測器件之間小於1mm之一間隙。
  15. 如請求項14之方法，進一步包括將該探針卡總成與該待測器件之間之該間隙維持為50μm。
  16. 如請求項11之方法，其中該將該探針卡總成定位至該測試位置中包含使該探針卡總成接觸至該待測器件。
  17. 如請求項11之方法，其中該提供該溫度受控流體包含按從0升/分鐘(LPM)至300LPM之一流速提供該流體。
  18. 如請求項11之方法，進一步包括一壓力傳感器，及使用該壓力傳感器來監測該流體凹穴中之一壓力。
  19. 如請求項11之方法，進一步包括一溫度感測器，及監測該溫度受控流體之一溫度。
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