TWI577994B - 可變壓力四點塗覆探查針裝置及方法 - Google Patents

Description

可變壓力四點塗覆探查針裝置及方法 相關申請案交叉參考

本申請案依據35 U.S.C.§119(e)主張2012年3月1日提出申請之美國臨時專利申請案第61/605,612號之權益，該申請案以引用方式併入本文中。

本發明係關於一種其中探針之一橫向位置由經加壓流體控制之可變壓力探查針裝置。此外，本發明係關於一種其中用於探針之複數個針中之每一針塗覆有一電絕緣材料且其中探針之一縱向位移由經加壓流體控制之可變壓力探查針裝置。

舉例而言，在半導體應用中，四點探查針裝置用以量測導電層之薄片電阻。用於已知四點探查針裝置之針藉由具有單獨支承之鑽孔或藉由微定位控制及一氣隙(通常稱作微操縱器)而彼此隔離。美國專利第4,383,217號教示安置於一保持條帶中之鑽孔中之四個針。單獨支承方法由於針直徑、支承厚度及孔分離距離而限制針之間的最小間隙。微操縱器臂方法昂貴且不允許製造具有多個觸點之一完整探針頭總成。共同所有之美國專利第6,815,959號教示具有由安置於針之間的單獨絕緣材料薄片製成的間隔件之一探查針裝置中之四個針。間隔件使得組裝困難且間隔件之厚度用以限制可將針之間的間隙最小化至之 程度。已知組態亦妨礙替換一探查針裝置中之個別針或使得難以替換一探查針裝置中之個別針。

已知出於量測薄片電阻之目的而使用彈簧來朝向一導電層驅使一個四點探查針裝置且將其驅使至該導電層中。然而，除非彈簧係在探查針裝置之一或多個適當部分上確切地定中心，否則來自彈簧之力可使探查針裝置自相對於導電層之一所要定向偏斜。此外，彈簧之有用壽命通常限制為介於100至1,000次觸地之間。此外，為了使彈簧壓力變化，需要諸如調整螺桿等額外組件或者必須移除彈簧並用具有所要特性之另一彈簧替換該彈簧。

根據本文中所圖解說明之態樣，提供一種可變壓力探查針裝置，該可變壓力探查針裝置包含：一殼體，其帶有具有一第一縱向軸之一通道；一探針，其至少部分地安置於該通道中且包含經組態以量測一導電層之一性質之複數個探查針；及一流體壓力系統，其經組態以將經加壓流體供應至該通道以控制該探針在該通道內之一位置。該殼體或該探針係可位移的以使得該複數個探查針接觸該導電層。

根據本文中所圖解說明之態樣，提供一種可變壓力探查針裝置，該可變壓力探查針裝置包含：一殼體，其包含一壓力室及具有一第一縱向軸之一通道；一探針，其至少部分地安置於該通道中且包含經組態以量測一導電層之一性質之複數個探查針；及一流體壓力系統，其經組態以控制該壓力室中之流體壓力以使該探針沿平行於該第一縱向軸之一方向位移。

根據本文中所圖解說明之態樣，提供一種使用一可變壓力探查針裝置量測一導電層之一性質之方法，該可變壓力探查針裝置包含帶有具有一第一縱向軸之一通道之一殼體、一流體壓力系統及至少部分地安置於該通道中且具有複數個探查針之一探針，該方法包含：使用 該流體壓力系統將經加壓流體供應至該通道；藉助該經加壓流體控制該探針在該通道內之一位置；使該殼體或該探針位移以使得該複數個探查針接觸該導電層；及量測該導電層之一性質。

2-2‧‧‧線

3-3‧‧‧線

5‧‧‧區域

100‧‧‧可變壓力探查針裝置/裝置

102‧‧‧殼體

104‧‧‧探針

104A‧‧‧部分

104B‧‧‧部分

106‧‧‧流體壓力系統

108‧‧‧通道

110A‧‧‧探查針/針/各別鄰接探查針/其餘探查針

110B‧‧‧探查針/針/各別鄰接探查針/其餘探查針

110C‧‧‧探查針/各別鄰接探查針/針/其餘探查針

110D‧‧‧探查針/各別鄰接探查針/針/其餘探查針

112‧‧‧導電層/層

113‧‧‧晶圓

114‧‧‧圓柱形壁/壁

114A‧‧‧部分

114B‧‧‧部分

114C‧‧‧部分

114D‧‧‧部分

116‧‧‧開口/各別開口

118‧‧‧開口/各別開口

120‧‧‧輸入埠/埠

122‧‧‧通道

124‧‧‧輸出埠/埠

126‧‧‧通道

128A‧‧‧各別表面/表面/相對表面

128B‧‧‧各別表面/表面/相對表面

128C‧‧‧各別外圓周表面

130‧‧‧電絕緣塗層/塗層/各別塗層

132‧‧‧各別平面遠端表面/表面

134‧‧‧遠端部分/室/遠端端部

136‧‧‧壓力室/室

137‧‧‧埠

138‧‧‧密封裝置/裝置

140‧‧‧厚度/各別厚度

142‧‧‧間隙/間距/針間距

144‧‧‧電連接點/點

146‧‧‧量測系統/系統/控制系統

148‧‧‧界面

150‧‧‧厚度

152‧‧‧記憶體單元/單元

154‧‧‧處理器

156‧‧‧電腦

158‧‧‧電腦可讀指令

160‧‧‧操作

162‧‧‧計算

164‧‧‧量測值

200‧‧‧可變壓力探查針裝置/裝置

202‧‧‧彈性元件/元件

400‧‧‧系統

402‧‧‧安裝裝置/裝置

AD1/AD2‧‧‧方向

CD‧‧‧方向

LA1/LA2‧‧‧縱向軸/軸

RD1‧‧‧徑向方向/方向

參考隨附示意性圖式僅以舉例方式揭示各種實施例，在該等示意性圖式中對應參考符號指示對應部分，其中：圖1係一可變壓力探查針裝置之一示意圖；圖2係大體上沿著圖1中之線2-2之一示意性剖面圖；圖3係大體上沿著圖2中之線3-3之一示意性剖面圖；圖4係圖2中所展示之探查針之一細節；圖5係圖1中之區域5之一細節；圖6係圖1中之區域5之一端視圖；圖7係一可變壓力探查針裝置之一示意性剖面圖；圖8係圖1及圖7中所展示之控制系統之一示意性方塊圖；圖9係圖解說明使用一可變壓力探查針裝置量測一導電層之一性質之一方法之一流程圖；且，圖10係在一安裝裝置中具有至少兩個可變壓力探查針裝置之一系統之一等角視圖。

在開始時，應瞭解，不同繪製視圖上之相似繪製編號識別本發明之相同或功能上類似之結構元件。應理解，如所主張之本發明不限於所揭示之態樣。

此外，應理解，本發明不限於所闡述之特定方法、材料及修改且因此當然可發生變化。亦應理解，本文中所使用之術語僅係出於闡述特定態樣之目的且並非意欲限制本發明之範疇。

除非另外定義，否則本文中所使用之所有技術及科學術語皆具 有與熟習本發明所屬技術領域者通常所理解相同之意義。應理解，與本文中所闡述之彼等方法、裝置或材料類似或等效之任何方法、裝置或材料皆可用於實踐或測試本發明。

圖1係可變壓力探查針裝置100之一示意性剖面圖。

圖2係大體上沿著圖1中之線2-2之一示意性剖面圖。應依據圖1及圖2觀看下文。裝置100包含殼體102、探針104及流體壓力系統106。殼體102包含具有縱向軸LA1之通道108。探針104至少部分地安置於通道108中且包含經組態以量測晶圓113上之導電層112之一性質之複數個探查針110。有利地，流體壓力系統106經組態以將經加壓流體供應至通道108以控制探針104及探查針110在通道108內(舉例而言)正交於軸LA1之一位置，如下文進一步闡述。殼體102及/或探針104係可(舉例而言)沿方向AD1位移的，以使得複數個探查針110接觸導電層112。在一實例性實施例中，AD1平行於LA1且正交於層112。

導電層112可包含：一半導體基板之一植入區(諸如一超淺接面)；形成於一半導體基板上之一層(諸如一金屬化層)；或形成於一半導體基板上之一特徵(諸如一閘極電極)。導電層112亦可形成於具有大於大約200 mm之一直徑之一半導體基板上。導電層112亦可包含形成於具有大約200 mm至大約300 mm之一直徑之一玻璃基板上之一金屬膜。然而，應理解，導電層112可包含此項技術中已知之任何適當導電層。

圖3係大體上沿著圖2中之線3-3之一示意性剖面圖。應依據圖1至圖3觀看下文。在一實例性實施例中，殼體102包含形成通道108之圓柱形壁114，且壁114包含複數個開口116及複數個開口118。流體壓力系統106經組態以透過開口116供應經加壓流體且透過開口118排出經加壓流體。如下文進一步闡述，經加壓流體經配置以藉由在探針104與壁114之間形成一層來分離探針104與圓柱形壁114。亦即，經加壓 流體使探針104相對於軸LA1定向，舉例而言，使探針104之縱向軸LA2與軸LA1對準以達成軸LA2相對於層112之一正交定向。另外說明，經加壓流體控制探針104在通道108內正交於軸LA1之一位置。此外，經加壓流體使探針104在通道108中定中心且提供一流體緩衝/支承以促進探針104沿方向AD1及AD2(與AD1相反)之位移且減小探針104之外圓周上之摩擦力。

在一實例性實施例中，探查針110包含沿一圓周方向(舉例而言，方向CD)關於軸LA2對稱地安置之探查針110A、110B、110C及110D。藉由「圓周方向」，意指由圍繞軸LA2旋轉之一半徑之一端部定義之一方向。圓柱形壁114包含部分114A、114B、114C及114D。每一部分114A、114B、114C及114D沿徑向方向RD1與探查針110A、110B、110C或110D中之一各別者對準。舉例而言，部分114A沿方向RD1與針110A對準且部分114B沿方向RD1與針110B對準。藉由「徑向方向RD1」，意指正交於軸LA2之一方向。在一實例性實施例中，每一部分114A、114B、114C及114D包含相同數目個各別開口116及相同數目個各別開口118。因此，進出通道108之流體流及通道108內之流體壓力係關於探針104之外圓周平衡。

在一實例性實施例中，殼體102包含用於自流體壓力系統106接收經加壓流體之至少一個輸入埠120及將輸入埠120連接至開口116之複數個通道122。亦即，經加壓流體係經由埠120及通道122供應至通道108。在一實例性實施例中，殼體102包含用於自殼體102排出經加壓流體之至少一個輸出埠124及將埠124連接至開口118之複數個通道126。

圖4係圖2中所展示之探查針之一細節。

圖5係圖1中之區域5之一細節。

圖6係圖1中之區域5之一端視圖。應依據圖1至圖6觀看下文。探 查針110A、110B、110C及110D中之每一者包含面向各別鄰接探查針110A、110B、110C及110D之各別表面128A及128B。舉例而言，針110D包含分別面向探查針110C及110A之表面128B及128A之表面128A及128B，且針110B包含分別面向探查針110A及110C之表面128B及128A之表面128A及128B。各別表面128A及128B覆蓋有電絕緣塗層130且與各別鄰接探查針/塗層接觸。舉例而言，針110C之表面128A及128B之塗層130分別與探查針110B及110D之表面128B及128A之塗層130接觸。在一實例性實施例中，探查針110A、110B、110C及110D中之每一者係可相對於其餘探查針110A、110B、110C及110D平行於軸LA2獨立位移。亦即，每一探查針110A、110B、110C及110D在通道108內「浮動」。在一實例性實施例中，塗層130延伸至針之各別外圓周表面128C。應注意，該等圖未必係按比例的且出於圖解說明之目的可放大塗層130之厚度。

在一實例性實施例中，每一探查針110包含經配置以接觸導電層112之在針110之遠端部分134上之一各別平面遠端表面132。在共同所有之美國專利第6,815,959號中進一步闡述一探查針裝置之遠端平面表面，該專利全文併入本文中。

在一實例性實施例中，殼體102包含壓力室136且流體壓力系統106經組態以經由埠137控制室136中之流體壓力以使探針104沿方向AD1位移以接觸層112。舉例而言，室136中之增加之流體壓力沿方向AD1驅使探針104。隨著室136中之流體壓力減小，探針104之部分104A上之來自通道108中之流體之壓力克服來自室134之流體壓力沿方向AD2驅使探針104。

圖7係可變壓力探查針裝置200之一示意性剖面圖。關於裝置100之論述除如所述外亦適用於裝置200。在一實例性實施例中，裝置200包含彈性元件202，彈性元件202與殼體102及探針104嚙合以沿方向 AD1驅使探針104以接觸層112。元件202可係此項技術中已知之任何彈性元件，舉例而言一板片彈簧。如上文所述，通道108中之流體壓力/流體流使探針104定中心且使探針104與軸LA1對準。此定中心及對準力藉由彈性元件202抵消探針104之可能偏斜以使得達成及維持(舉例而言)LA2相對於導電層112之一所要正交定向。

在一實例性實施例中，彈性元件202位於室136中以增大藉由室136中之流體施加至探針104之壓力以使探針104沿方向AD1位移。

下文提供關於裝置100及200之進一步細節。下文之論述主要係關於裝置100；然而，應理解，該論述一般而言亦適用於裝置200。此項技術中已知之任何流體(包含但不限於全氟乙醚)可用於流體壓力系統106中。在一實例性實施例中，此項技術中已知之任何氣體用於流體壓力系統106中。氣體包含但不限於空氣、惰性氣體(諸如氨氣及氬氣)、惰性氣體之混合物及惰性氣體與其他氣體之混合物。在一實例性實施例中，塗層130係一金剛石塗層或Si₃N₄以提供電隔離及耐磨耗性且最小化鄰接針110上之塗層130之間的摩擦力。在一實例性實施例中，密封裝置138(舉例而言，一O型環)相對於探針(特定而言，部分104A)來密封通道108且亦提供通道108與室136之間的一密封。裝置138可由此項技術中已知之任何材料製成。

如上文所述，探查針110A、110B、110C及110D係可相對於彼此位移。因此，有利地，探查針可自探針104單獨地且獨立地安裝及移除。舉例而言，若一個針被損壞，則可替換該針而將其餘針留在原處。以相似方式，可根據針對一特定應用之所需參數將針容易地替換掉。通道108中之流體壓力驅使探查針110A、110B、110C及110D朝向軸LA2(亦即，朝向彼此)，從而維持探查針110A、110B、110C及110D之所要接觸及組態。

不同於上文所述之由安置於針之間的單獨絕緣材料薄片製成的 間隔件，具有厚度140之塗層130不需要係自支撐。因此，可有利地最小化鄰接針110之間的間隙或間距142以在出於結構目的而不需要額外塊體之情況下提供一所要電隔離及摩擦力減小。因此，由於表面128A及128B之組態(平行於軸LA2且正交於各別平面遠端表面132)、塗層130之相對薄度及驅使探查針110A、110B、110C及110D朝向軸LA2之通道108中之流體之徑向向內壓力，因此間隙142有利地減小至一最小值。舉例而言，間隙142實質上等於鄰接針110之塗層130之各別厚度140。在一實例性實施例中，間隙142係10微米。此外，通道108中之流體壓力藉由迫使相對表面128A及128B之各別塗層130變為接觸而減小針110之間距中之變化。

由於表面132係平面的，因此可在不弱化遠端端部134之情況下最小化表面之面積。在一實例性實施例中，表面132之一面積係一平方微米。

藉由控制室136中之流體壓力，達成對探針104上沿方向AD1之力的簡單、可預測且可重複控制(舉例而言)以出於量測層之一特性之目的而提供進入層112中之所要穿透度。因此，沿方向AD1之力可適於層112之特定物理特性(諸如硬度或厚度)及所要量測操作之參數(諸如進入層112中之穿透程度)。

在一實例性實施例中，探針104包含具有電連接點144之部分104B。點144可係此項技術中已知之任何類型之點，包含但不限於焊接點。點144經由界面148電連接至量測系統146，如此項技術中已知。應注意，為清晰起見已省略諸如佈線等細節。

在一實例性實施例中，裝置100及系統146用以量測層112之薄片電阻及/或厚度。在一實例性實施例中，裝置100及系統146用以量測層112之電阻率(其係一塊體性質)。當層之厚度150顯著大於針間距142時(舉例而言，當厚度係間距142的約5倍或5倍以上時)，電阻率適 用於層112。有利地，探針104之間距142之最小化使得能夠量測比已知探針可能的更薄之層之電阻率，從而擴大裝置100之效用。

圖8係圖1及圖7中所展示之控制系統146之一示意性方塊圖。在一實例性實施例中，系統146包含用於至少一個電腦156之記憶體單元152及處理器154。單元152經組態以儲存電腦可讀指令158。該處理器經組態以執行電腦可讀指令以視需要控制通道108之經加壓流體、室136中之流體壓力及殼體102之位移。該處理器經組態以執行電腦可讀指令以執行使用探針104執行量測操作所需之操作160(舉例而言，經由所指定針110施加所指定電流)及執行計算162以判定量測值164(舉例而言，層112之薄片電阻、厚度及/或電阻率之值)。記憶體單元152、處理器154及至少一個電腦156可係此項技術中已知之任何記憶體單元、處理器或電腦。

圖9係圖解說明使用一可變壓力探查針裝置(諸如裝置100或200)量測一導電層之一性質之一方法之一流程圖，該可變壓力探查針裝置包含：一殼體(諸如殼體102)，其帶有具有一第一縱向軸(諸如軸LA1)之一通道(諸如通道108)；一流體壓力系統(諸如流體壓力系統106)；及一探針(諸如探針104)，其至少部分地安置於通道中且具有經組態以量測導電層(諸如層112)之性質之複數個探查針(諸如針110)。儘管為清晰起見將圖8中之方法繪示為一帶編號步驟序列，但除非明確陳述否則不應依據編號推斷次序。

該方法在步驟300處開始。步驟302使用流體壓力系統將經加壓流體供應至通道。步驟306藉助經加壓流體控制探針在通道內正交於第一縱向軸之一位置。步驟312使殼體或探針位移以使得複數個探查針接觸導電層。步驟314藉助探針量測導電層之一性質。該方法以步驟316結束。

在一實例性實施例中，殼體包含一壓力室，諸如室136。步驟 308使用流體壓力系統控制壓力室中之流體壓力。步驟310藉助流體壓力使探針沿平行於第一縱向軸之一方向(諸如方向AD1)位移。

在一實例性實施例中：殼體包含形成通道之一圓柱形壁(諸如壁114)；圓柱形壁包含第一及第二複數個開口(諸如開口116及開口118)；探針包含一第二縱向軸(諸如軸LA2)；複數個探查針包含關於第二縱向軸對稱地安置之第一、第二、第三及第四探查針(諸如探查針110A、110B、110C及110D)；且圓柱形壁包含四個部分，每一部分沿正交於第一縱向軸之一方向與來自第一、第二、第三及第四探查針當中之一各別探查針對準。步驟304透過第一複數個開口供應經加壓流體且透過第二複數個開口排出流體。在一實例性實施例中，該每一部分包含來自第一複數個開口之相同數目個各別開口及來自第二複數個開口之相同數目個各別開口。

在一實例性實施例中：探針包含一第二縱向軸(諸如軸LA2)；複數個探查針包含關於第二縱向軸對稱地安置之第一、第二、第三及第四探查針(諸如探查針110A、110B、110C及110D)；第一、第二、第三及第四探查針中之每一者包含面向來自第一、第二、第三及第四探查針當中之各別鄰接探查針之各別第一及第二表面(諸如表面128A及128B)；針對第一、第二、第三及第四探查針中之該每一者，各別第一及第二表面覆蓋有一電絕緣材料之一塗層(諸如塗層130)。在一實例性實施例中，步驟306包含驅使探查針(諸如針110A、110B、110C及110D)變為彼此接觸以使得第一、第二、第三及第四探查針中之每一者與各別鄰接探查針非固定地嚙合。

圖10係在安裝裝置402中具有至少兩個可變壓力探查針裝置100或200之系統400之一等角視圖。應理解，僅裝置100、僅裝置200或裝置100與裝置200之一組合可安裝於裝置402中。安裝裝置402經組態以旋轉以使得裝置402中之裝置100或200中之一者之遠端表面定位於一 導電層(諸如層112)之一上部表面上。在共同所有之美國專利第6,815,959號中提供關於系統400之進一步細節，該專利全文併入本文中。

針對流體而言，可使用此項技術中已知之任何流體，包含但不限於全氟乙醚。在一實例性實施例中，針對流體而言，可使用此項技術中已知之任何氣體。

將瞭解，各種上文所揭示及其他特徵及功能或其替代物可被可期望地組合至諸多其他不同系統或應用中。可由熟習此項技術者隨後做出亦意欲由下文申請專利範圍囊括之其中各種目前無法預測或未預料到之替代、修改、變化或改良。

2-2‧‧‧線

5‧‧‧區域

100‧‧‧可變壓力探查針裝置/裝置

102‧‧‧殼體

104‧‧‧探針

104A‧‧‧部分

104B‧‧‧部分

106‧‧‧流體壓力系統/系統

108‧‧‧通道

110C‧‧‧探查針/各別鄰接探查針/針/其餘探查針

110D‧‧‧探查針/各別鄰接探查針/針/其餘探查針

112‧‧‧導電層/層

113‧‧‧晶圓

114‧‧‧圓柱形壁/壁

116‧‧‧開口/各別開口

118‧‧‧開口/各別開口

120‧‧‧輸入埠/埠

122‧‧‧通道

124‧‧‧輸出埠/埠

126‧‧‧通道

136‧‧‧壓力室/室

137‧‧‧埠

138‧‧‧密封裝置/裝置

144‧‧‧電連接點/點

146‧‧‧量測系統/系統/控制系統

148‧‧‧界面

AD1/AD2‧‧‧方向

LA1/LA2‧‧‧縱向軸/軸

Claims (20)

1. 一種可變壓力探查針裝置，其包括：一殼體，其包含具有一第一縱向軸之一通道；一探針，其至少部分地安置於該通道中且包含經組態以量測一導電層之一性質之複數個探查針；及，一流體壓力系統，其經組態以將經加壓流體供應至該通道以控制該探針在該通道內之一位置，其中：該殼體或該探針係可位移的以使得該複數個探查針接觸該導電層。
2. 如請求項1之裝置，其中：該流體壓力系統經組態以將該經加壓流體供應至該通道以控制該探針在該通道內正交於該第一縱向軸之一位置。
3. 如請求項1之裝置，其中：該殼體包含形成該通道且包含第一及第二複數個開口之一圓柱形壁；且，該流體壓力系統經組態以：透過該第一複數個開口供應該經加壓流體；且，透過該第二複數個開口排出該經加壓流體。
4. 如請求項3之裝置，其中：該探針包含一第二縱向軸；該複數個探查針包含沿一圓周方向關於該第二縱向軸對稱地安置之第一、第二、第三及第四探查針；該圓柱形壁包含四個部分，每一部分沿正交於該第一縱向軸之一方向與該等第一、第二、第三或第四探查針中之一各別者對準；且， 該每一部分包含：來自該第一複數個開口之相同數目個各別開口；及，來自該第二複數個開口之相同數目個各別開口。
5. 如請求項3之裝置，其中：該殼體包含：用於自該流體壓力系統接收該經加壓流體之至少一個輸入埠及將該至少一個輸入埠連接至該第一複數個開口之一第一複數個通道；及，用於自該殼體排出該經加壓流體之至少一個輸出埠及將該至少一個輸出埠連接至該第二複數個開口之一第二複數個通道。
6. 如請求項1之裝置，其中：該探針包含一第二縱向軸；該複數個探查針包含沿一圓周方向關於該第二縱向軸對稱地安置之第一、第二、第三及第四探查針；該等第一、第二、第三及第四探查針中之每一者包含面向來自該等第一、第二、第三及第四探查針當中之各別鄰接探查針之各別第一及第二表面；針對該等第一、第二、第三及第四探查針中之該每一者，該等各別第一及第二表面塗覆有一電絕緣材料且與用於該等各別鄰接探查針之該電絕緣材料接觸；且，該等第一、第二、第三及第四探查針中之該每一者係可相對於其餘第一、第二、第三及第四探查針、平行於該第二縱向軸而獨立位移。
7. 如請求項1之裝置，其中：該殼體包含形成該通道之一圓柱形壁；且， 該經加壓流體經配置以分離該探針與該圓柱形壁。
8. 如請求項1之裝置，其中：該複數個探查針包含四個探查針；且，每一探查針包含經配置以接觸該導電層之一各別平面遠端表面。
9. 如請求項1之裝置，其中：該殼體包含一壓力室；且，該流體壓力系統經組態以控制該壓力室中之流體壓力以使該探針沿平行於該第一縱向軸之一方向位移。
10. 如請求項1之裝置，其進一步包括：一彈性裝置，其與該探針嚙合且沿自該彈簧朝向該通道之一第一方向驅使該探針。
11. 如請求項1之裝置，其中：該流體包含一氣體。
12. 一種可變壓力探查針裝置，其包括：一殼體，其包含一壓力室及具有一第一縱向軸之一通道；一探針，其至少部分地安置於該通道中且包含經組態以量測一導電層之一性質之複數個探查針；及，一流體壓力系統，其經組態以控制該壓力室中之流體壓力以使該探針沿平行於該第一縱向軸之一方向位移。
13. 如請求項12之裝置，其中：該流體壓力系統經組態以將經加壓流體供應至該通道以控制該探針在該通道內正交於該第一縱向軸之一位置。
14. 如請求項13之裝置，其中：該探針包含一第二縱向軸；該複數個探查針包含關於該第二縱向軸對稱地安置之第一、 第二、第三及第四探查針；該等第一、第二、第三及第四探查針中之每一者包含：一各別第一表面，其塗覆有一電絕緣材料，與來自該等第一、第二、第三或第四探查針中之一者之一各別鄰接探查針接觸；及，一各別第二表面，其塗覆有該電絕緣材料，與來自該等第一、第二、第三或第四探查針中之另一者之一各別鄰接探查針接觸；且，該經加壓流體經配置以驅使該等第一、第二、第三及第四探查針變為彼此接觸。
15. 如請求項12之裝置，其進一步包括：一彈性裝置，其與該探針嚙合且沿自該彈簧朝向該通道之一方向驅使該探針。
16. 如請求項12之裝置，其中：該流體包含一氣體。
17. 一種使用一可變壓力探查針裝置量測一導電層之一性質之方法，該可變壓力探查針裝置包含帶有具有一第一縱向軸之一通道之一殼體、一流體壓力系統及至少部分地安置於該通道中且具有複數個探查針之一探針，該方法包括：使用該流體壓力系統將經加壓流體供應至該通道；藉助該經加壓流體控制該探針在該通道內之一位置；使該殼體或該探針位移以使得該複數個探查針接觸該導電層；且，藉助該探針量測該導電層之一性質。
18. 如請求項17之方法，其中：該殼體包含一壓力室，該方法進一步包括： 使用該流體控制該壓力室中之流體；及，藉助該流體壓力使該探針沿平行於該第一縱向軸之一方向位移。
19. 如請求項17之方法，其中：該探針包含一第二縱向軸；該複數個探查針包含關於該第二縱向軸對稱地安置之第一、第二、第三及第四探查針；該等第一、第二、第三及第四探查針中之每一者包含面向來自該等第一、第二、第三及第四探查針當中之各別鄰接探查針之各別第一及第二表面；且，針對該等第一、第二、第三及第四探查針中之該每一者，該等各別第一及第二表面塗覆有一電絕緣材料，該方法進一步包括：藉助該經加壓流體驅使該等第一、第二、第三及第四探查針變為彼此接觸。
20. 如請求項17之方法，其中：使用該流體壓力系統將經加壓流體供應至該通道包含：將經加壓流體供應至該通道；且，藉助該經加壓流體控制該探針在該通道內之該位置包含：藉助該經加壓流體控制該探針之該位置。