TWI830030B - 具有數位像素儲存的增量影像感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種增量影像感測器,其包含有像素的一種排列及對應於至少一個像素並被形成為一積體電路之一部分的複數個擷取電路。每一個擷取電路包括至少一個感測器電路,該感測器電路包含有一光感測器,該光感測器被組配成產生一感測器信號,VSIG,其取決於照明該至少一個像素之該光感測器的一光信號;至少一個類比到數位轉換,A/D,電路,其被組配成把一當前的VSIG轉換為一數位信號;至少一個數位儲存電路,其被組配成儲存對應於一前一VSIG之至少一個數位信號的一表示;至少一個數位比較電路,其被組配成把該儲存表示的該位準與該當前VSIG進行比較以檢測是否存在一改變的位準;以及至少一個數位輸出電路,其被組配成在該改變之位準的該情況下產生一事件輸出。該感測器電路被組配成改變其讀出特性的一類比功能以產生一相應改變的VSIG。

Description

具有數位像素儲存的增量影像感測器
發明領域
本發明涉及包含有複數個像素電路的一影像感測器。
發明背景
每個像素用一個ADC或每個像素的小子集用一個ADC之影像感測器係眾所周知的。這些通常被使用在重要的處理係在該像素中被進行的應用中(例如X射線粒子軌跡追踪或衛星成像)。
具有一單斜率ADC其中每一個像素包括一比較器的影像感測器係已知的,例如在2015年Reckleben等人的著作、在2010年Suarez等人的著作、以及在2010年 Chi 等人的著作。特別的是,Suarez等人的著作全局地為該像素排列建立一類比斜率及數位代碼並且為該素提供一數位代碼。
該數位值被儲存在該像素內並在樣本之間進行比較以產生事件變化資料的影像感測器係未知的。本發明能夠實現面積最佳化的小像素結構,其產生一高解析度及成本最佳化的感測器。
影像感測器,其中該前一照度位準的一表示被數位地儲存在像素中並且在樣本之間進行比較以產生事件變化資料,可從WO 2014/174498 A1中得知,而Itoh等人的著作,“4-Layer 3-D IC with a function of parallel signal processing”, Microelectronic engineering, vol 15, no. 1-4, 1991, 第187-190頁,則較早地提出了一種在概念上相關的結構,該結構具有與一固定位準之簡單的單一位元像素比較。
具有在該類比域中使用影像像素位準變化檢測、儲存及比較之事件產生的影像感測器係已知的,例如Chi等人的著作,“CMOS Camera With In-Pixel Temporal Change Detection and ADC”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 42, no. 10, 2007, 第2187-2196頁。在該類比域中的比較及儲存比起一數位方法來說提供有優點(例如緊緻的實現)也有缺點(例如逐漸的儲存劣化,包括有「熱像素」、對不匹配的敏感性、光到電轉換功能的靈活性降低)。
在像素之間共享電路的影像感測器係眾所周知的,例如 KR 2020-0029328 A。
頻閃效應的使用係眾所周知的,以及藉由在一干擾(不想要的信號)的一週期內平均或同步化來抑制諧波,例如 US 2015/358570 A1,其中該技術被應用於一相機中以檢測及同步化到一可變光源然後抑制對該光源的該響應。
WO 2020/080383 A1揭露了一種基於事件之動態視覺感測器,其具有一過濾器以基於相鄰像素的該事件狀態(單一位元)來忽略來自一個像素的事件。
T. Delbruck的著作“Frame-free dynamic digital vision”, Proceedings of the International Conference on Secure Life Electronics, Advanced Electronics for Quality Life and Society, 2008, 第21-26頁,揭露了基於該像素之最後一個事件的該時間戳、或相鄰像素的該時間戳從一動態視覺感測器過濾事件。該處理係在該像素陣列之外部被執行,需要以一種高運算成本的方式(32個位元的時間戳)來把該等事件傳輸到該陣列之外以進行後續的過濾。
EP 3 313 064 A1揭露了一種類比儲存動態視覺感測器,其中一個比較器輸入係該像素照度之該前一個值的一表示,其隨後被使用於比較。這可被視為來自該前一位準的類比反饋以控制該類比比較器的該後續功能,其被啟用(採樣),當一數位事件輸出被產生時。
EP 2 933 995 A1 解決了在次臨界值操作中使用電晶體之動態視覺感測器的該標準類比儲存實現方式中該等不匹配的課題。由於在這種電晶體模式下的操作只能在一有限的範圍內正常地工作,因此它們使用全局類比反饋給該整個陣列之該等擷取電路的該類比部分以獲得令人滿意的操作。
可能會有一增量影像感測器的需求,該增量影像感測器包含有一改善的像素電路,該像素電路具有在該像素中該前一照明強度之一表示的一數位儲存。
發明概要
這一種需求可由該等獨立請求項的技術主題來被滿足。在該等從屬請求項中定義了有利的實施例。 本發明實施例潛在的發想可特別地被解讀成係基於以下的觀察及認知:
CMOS(互補金屬氧化物矽)影像感測器在經最佳化的代工工序中以專業的加工工序被大量地生產。CMOS數位邏輯裝置採用經最佳化的代工工序被大量地生產。這兩種加工工序的該密度都在增加,尤其是該邏輯加工工序的密度。該增加的密度允許增加在一影像感測器中有關於像素電路的數位複雜性。
在一像素電路中一前一位準的數位儲存在該儲存的保真度方面及該被儲存位準的該後續處理方面中具有優勢。
由於冗餘資料的該傳播及處理係有限的,因此該等位準的本地處理在功率及面積方面具有效率優勢。
本發明揭露了一種結構及方法,其中數位轉換及儲存被合併在像素電路中,伴隨有在時間及位置上之該等差異的局部評估以及事件資訊的準備及傳播。
本發明被限定在獨立請求項中。從屬的請求項描述了其較佳的實施例。
本發明涉及一種增量影像感測器,其包含有像素的一種排列及對應於至少一個像素並被形成為積體電路一部分的複數個擷取電路。每一個擷取電路包括至少一個感測器電路,該感測器電路包含有一光感測器,該光感測器被組配成產生一感測器信號,VSIG,其取決於照明該至少一個像素之該光感測器的一光信號;以及至少一個類比到數位轉換電路,其被組配成產生對應於一當前VSIG 的一數位表示。至少一個數位儲存電路被組配來儲存至少一個前一VSIG的一表示。至少一個數位比較電路被組配來把該儲存之表示的該位準與該當前VSIG進行比較以檢測是否存在一改變的位準。至少一數位輸出電路被組配來在該改變的位準該情況下產生一事件輸出。該感測器電路被組配成改變其讀出特性的一類比功能以產生一相應改變的VSIG。 各種實施例可以優選地實現該等以下的特徵:
該至少一個感測器電路可被組配成接收一數位控制信號以數位式地控制該類比功能的一修改。
優選地,該數位控制信號係由該擷取電路之一數位部分內的一本地儲存的及/或計算的數位值所提供。
該類比功能的該數位控制可以在至少一個相應像素內提供一滯後功能。
該類比功能的該數位控制可以提供遍及至少一組像素的一滯後功能。
該感測器電路可被組配成從該數位儲存電路接收對應於該儲存數位位準、或相鄰像素之該儲存數位位準相對應的一反饋,而且其中該感測器電路可被組配成取決於該反饋來產生VSIG。
每一個擷取電路可被形成為一積體電路或為一積體電路的一部分。在整個說明書中,該擷取電路也可以被稱為像素電路。該至少一個感測器電路可以連續地或週期性地產生一感測器信號。該類比到數位轉換電路可把一當前的VSIG轉換為一數位信號。該數位儲存電路因此可以被組配來儲存對應於一前一VSIG之至少一個數位信號的一表示。一當前及一前一VSIG的該等數位表示可由該至少一個數位比較電路來進行比較。該前一VSIG,或該VSIG的數位表示可分別對應於在任何前一採樣週期中所產生並被儲存在該數位儲存電路中的一信號。它也可以從外部被提供並被儲存為一參考信號。此外,在該電路中可包含至少一條事件輸出線以輸出來自該增量影像感測器的該事件輸出。該至少一條事件輸出線也可以由多個數位輸出電路來共享。
優選地,每一個擷取電路在至少兩個像素之間被共享,其中優選地該等像素彼此相鄰。
優選地,該感測器電路被組配成基於以下關係中之一個來產生VSIG: a) 對該光強度的一線性相依性, b) 對該光強度之一非線性的、優選地係對數式的相依性,以及 c) 對該光強度之一非線性及一線性相依性的一種組合, 其中優選地該關係可改變的以回應於一控制信號。
可以從該像素陣列及擷取電路的外部來提供該控制信號。可能有一個控制信號用於該整個陣列,或更為針對性。
優選地,該感測器電路被組配成改變VSIG對該光強度的該相依性以回應於在操作期間的一控制信號,優選地係不時地改變,及/或該感測器電路被組配成改變VSIG對該光強度的該相依性以各別地針對至少一個像素或一像素子集回應於在操作期間的一控制信號。
該控制信號不時地變化可能係由於全局光強度或操作模式的一變化所造成的。可以提供用於不時地產生控制信號變化之一單獨的電路。
該影像該感測器更可以實現該等以下的特徵: a)該類比到數位轉換電路可以包含一比較器,其被組配來把該VSIG與該等以下掃描信號之一個進行比較: aa) 一掃描類比輸入信號,以及 ab) 循序掃描類比輸入信號,其中該等掃描類比信號的每一個提供一不同的差異函數, 其中優選地該輸入信號被提供給複數個轉換電路,及/或 b)該類比到數位轉換電路更可被組配來向至少一個像素提供與該掃描類比信號並行的至少一個數位代碼, ba)其中優選地,該數位代碼係一格雷編碼的數位信號,以及 bb)其中優選地,在該類比掃描信號與該數位代碼之間的該關係在一儲存斜坡與一比較斜坡之間被改變。
此外, a) 該掃描信號可能係一線性斜坡,或 b) 該掃描信號可能係一非線性斜坡,或 c) 該掃描信號可在操作期間被改變,及/或 d) 該掃描信號的一周期可在操作期間被改變,及/或 e) 在操作期間,該掃描信號的該等重複可能會被中斷一短周期或延長的周期,及/或 f) 該掃描信號的一重複率可從一或多個與照明該光感測器該光信號之一光源調變相對應的重複率中被選出,優選地以增加或抑制一事件輸出。
特別地是,在以上的f)項之下,該掃描信號的一重複率可從一或多個與照明該光感測器該光信號之一光源調變相對應的重複率中被選擇出,優選地以增加或抑制對一目標的響應,例如具有一給定頻率的該光源或以抑制對具有一給定頻率之干擾的一響應。
優選地,該影像感測器更包含至少一個參考像素,該參考像素被組配來設置該等掃描斜坡限制,其中優選地該至少一個參考像素被置於像素的該排列之外,及/或其中優選地該至少一個參考像素在參考條件之下被偏置。
優選地,該數位比較電路被組配成在該類比信號的該掃描期間與該儲存的位準進行比較,或該數位比較電路被組配成在該類比信號的該掃描之後與該儲存的位準進行比較。
「在該類比信號的該掃描期間」及「在該掃描類比信號期間」可以表示相同的過程。
特別的是,如果在該類比信號的該掃描期間進行該比較,則不需要儲存該A/D輸出值,只需儲存該比較的該結果。這導致更少的記憶體需求,但須更多的比較。如果在該類比信號的該掃描之後進行該比較,則不需要儲存該A/D輸出值。這增加了該記憶體需求,但會減少所需比較的該次數。
優選地, a) 該數位比較電路被組配成使用在該像素電路中的靜態邏輯來執行比較,或 b) 該數位比較電路被組配成使用在該像素電路中的動態邏輯來執行比較,及/或 c) 該數位比較電路被組配成執行具有一滯後的比較,及/或 d) 該數位比較電路被組配成執行需要在操作中不時地改變一差異的比較。
優選地,該輸出電路被組配成取決於在相鄰像素中該比較電路的該比較結果來產生一輸出,或該輸出電路被組配成在一種固定組配中或在操作期間會被改變的一種組配中取決相鄰像素的一函數來產生輸出,其中優選地該函數係一平均函數,及/或該輸出電路被組配成如果該比較之該比較的一變化率超過一特定的臨界值則產生一輸出。
優選地, a) 該輸出電路被組配成取決於在相鄰像素中的該輸出來產生一輸出,或 b) 該輸出電路被組配成取決於在相鄰像素中該等儲存的位準來產生一輸出,或 c) 該輸出電路被組配成取決於複數個儲存的值來產生一輸出。
優選地, a) 該輸出電路被組配成產生指出該改變位準之該方向的一事件輸出,及/或 b) 該輸出電路被組配成產生僅指出在一個方向上一改變位準的一事件輸出,及/或 c) 該輸出電路被組配成產生指出該改變位準之該大小一事件輸出,及/或 d) 該輸出電路被組配成產生指出在該改變位準之前及/或之後該照明強度的一事件輸出。
優選地, a) 該數位儲存電路被組配成在像素之該排列的輸出線上提供該儲存的數位表示,及/或 b) 該數位儲存電路被組配成在像素之該排列的輸出線上選擇性地為具有一事件輸出的像素提供該儲存的數位表示,及/或 c) 該數位儲存電路被組配成使用事件行線在輸出線上提供該儲存的數位表示,及/或 d) 該數位儲存電路被組配成把該儲存的數位表示寫入到該等像素,及/或 e) 該數位儲存電路被組配成從一資料流寫入該儲存的數位表示,及/或 f) 其中該數位儲存電路被組配成從作為一事件流的一資料流寫入該儲存的數位表示。
該等輸出線可被提供為單一條或多數條。它們也可以在該輸出電路之間被共享。也可被提供有一輸出電路。
此外,在該擷取電路中該儲存的數位表示也可以從該陣列外部被寫入。前一個輸出可被寫回到該等儲存的像素數位位準中以提供用於該電路的一變化參考。然後電路將只報告針對該參考的變化。通常影像資料將代表所有的像素。然而,一事件流僅包含變化,因此資料較少。因此,寫回一事件流允許有較低的資料率。
優選地,該A/D電路可接收來自該儲存數位位準、或相鄰像素之該儲存數位位準的反饋,並且可被組配成取決於該反饋來調整該輸出信號。
優選地,該感測器電路被組配成提供VSIG,及/或該影像感測器係由多個半導體層所構成,其中每一層針對該層的該功能被最佳化。
特別地是,VSIG的一類比表示或一類比位準可被提供並且直接從該電路或該陣列被讀出。
多組擷取電路可被連接到一共用的、或多條共用的事件輸出線。
一組擷取電路可以共用以下電路元件中的至少一個,(a)數位輸出電路,(b)數位比較電路,(c) 附加地數位儲存電路,(d)附加地類比到數位轉換電路。該等附圖係代表性的,共享元件的其他種組合方式並不被排除在外。
本發明還可以包括一種使用具有一掃描類比信號及一數位代碼之比較器來進行類比到數位轉換的實現方式。
本發明在一多矽層裝置上提供事件產生,這在上面所提及之Itoh等人的著作中並沒被揭露。
在影像感測器中像素之間共享電路(例如 KR 2020-0029328 A)對於欲產生一密集像素陣列及一高像素解析度的影像感測器設計來說至關重要。本發明以一種時間循序的方式使用數位儲存及事件運算,其特別地適用於在像素之間的該資源共享而不會降低性能。
此外,本發明把US 2015/358570 A1所揭露技術的使用擴展到動態視覺感測器,其中使用具有一全局定時的數位儲存及處理係有效的,並且在減少產生事件數量中的該影響對於該功耗及後續處理方面係重要的。
藉由像素內數位儲存所實現的本發明可基於在相鄰像素中該等儲存的數位位準(多個位元)來選擇性地產生事件。此選擇性過濾之一特定的組配可被使用來實現與由WO 2020/080383 A1所揭露之該單一位元過濾有相同的結果。
此外,與例如在上面所提及T. Delbruck的著作相比,由於用於降低時間戳複雜性的該A/D轉換技術,本發明具有一固有的時基,並且能夠在無需進一步傳輸的情況下對該等事件進行本地、數位、時間濾波。
本發明基於該儲存的數位位準或事件輸出來調變該等類比電路參數,因為這種反饋係以在數位控制下的開關被有效地實現(表面面積),這與上述EP 3 313 064 A1所揭露的內容不同。
與上述的EP 2 933 995 A1相比,本發明提出了基於該本地儲存像素數位位準或事件輸出來進行該等類比電路參數的調變,因為這種反饋係以在數位控制下的開關被有效地實現(表面面積)。這與 EP 2 933 995 A1的功能(局部像素)、實現方式(數位控制)及目的有所不同。
本發明利用數位像素內轉換及儲存的該等優點實現了一面積最佳化之(小的)像素結構,其產生高解析度及成本最佳化的感測器。
較佳實施例之詳細說明 圖1根據本發明示意性地圖示出一第一示例性組配。一增量影像感測器,也稱為影像感測器,包含像素的一種排列及至少一個擷取電路(1) 。該擷取電路(1)也可被稱為像素電路。該等電路被形成為一積體電路的一部分。每一個像素的該擷取電路(1)包含至少一個感測器電路(11),該感測器電路(11)包含有一光感測器,其取決於照明該至少一個像素之該光感測器的一光信號或該照明強度產生一感測器信號(VSIG),以及至少一個類比到數位轉換電路(12,A/D轉換器)。該數位轉換電路(12)可被連接到該感測器電路(11)的該輸出。至少一個數位儲存電路(13)被組配成儲存對應於一前一VSIG之至少一個數位信號的一表示。該數位儲存電路(13)可被連接到該A/D轉換器(12)的該輸出。至少一個數位比較電路(14)被組配成把該儲存表示的該位準與該當前的VSIG進行比較以檢測是否存在一改變的位準。該數位比較電路(14)可被連接到該數位儲存電路(13)的該輸出及A/D轉換器(12)的該輸出。至少一個數位輸出電路(15)或數位事件發生電路被組配成在該改變的位準的該情況下產生一事件輸出。該輸出電路(15)可被連接到該數位比較電路(14)的該輸出。
至少一條事件輸出線(16)可被包含在該像素電路(1)中或在該像素電路(1)之外以輸出來自該增量影像感測器的該事件輸出。該至少一條事件輸出線(16)也可以由多個數位輸出電路(15)所共享。
這個第一示例性像素組配使得能夠檢測在一間隔時間內一改變的照明強度。當該數位比較電路(14)檢測到在該儲存信號之該數位表示與在該間隔後該數位表示之間的一差異並且該差異滿足一給定的準則時,一事件被產生並且把該變化的該事實作為事件資訊被報告在該影像感測器的該輸出處。
該位準的一數位儲存在一系列的應用中可能係優選的,因為(i)該儲存的位準不會隨時間退化,(ii)該儲存電路(13)在實體上可以更小,(iii)該值可很容易地被使用於相鄰單元格中,(iv)該值可以更靈活地被使用來實現與其他像素或前一值的組合功能。
在一另外的示例性組配中,如在圖2中所示,該像素電路的部分在像素子集之間被共享。然後以一種時間循序的方式來執行該等共享元件的該使用。
圖2a展示出該事件產生電路(15)的該共享,圖2b展示出該事件產生電路(15)及數位比較電路(14)的該共享,圖2c展示出該事件產生電路(15)、數位比較電路(14)及該數位儲存電路(13)的該共享,圖2d展示出該事件產生電路(15)、數位比較電路(14)、該數位儲存電路(13)及A/D轉換電路(13)的該共享。
請注意,其他共享組配也係可能的,上面的列表並不排除這些可能性。也可以在一不同範圍上共享不同的功能,例如在4個像素上的該A/D轉換電路(12)及在16個像素上的該事件產生電路(15)。其他的組配也可能會是有利的。
本發明的一個示例性實施例把該光照明強度信號轉換為具有一線性關係的一類比電氣信號。該實施例在低光照位準下是有利的,其在一光電二極體模式上整合該電荷並且使用針對影像擷取應用被最佳化的商用標準電池。
本發明一另外的示例性實施例把該光照明強度信號轉換為具有一對數式關係的一類比電氣信號。該實施例在光照明信號的一高動態範圍方面係有利的,因為該輸出類比信號不會在一大範圍的照明強度上飽和。
本發明之另一個示例性實施例使了用轉換的一種組合,其使用了線性及對數函數,或類似的非線性函數組合作為一響應曲線。該實施例有利於實現良好的低光照明性能及一高動態範圍。一第一實施例使用具有一組合功能之一固定的組配。
一另外的示例性實施例允許一組配使得在操作期間針對像素的該完整排列來改變該響應曲線。這優選地可取決於該全局照明條件或該影像感測器應用的操作模式來執行。
一另外的示例性實施例允許一組配使得在操作期間獨立地針對像素子集來改變該響應曲線。這優選地可取決於局部照明條件或該影像感測器應用的關注焦點來執行。
在一個示例性實施例中,根據圖3,使用在該像素電路(1)中的一比較器及被施加到該像素電路的類比掃描信號來執行從類比(VSIG)到數位表示的該轉換。取決於該比較器輸出切換的該點,一數位表示被複製到該數位儲存電路(13) 。
在一衍生的實施例中,該類比掃描信號係一線性斜坡;在一另外的實施例中,該類比掃描信號係一非線性斜坡,例如一指數斜坡。
由於該掃描信號可被集中式地產生,一非線性斜坡的該實現方式係有利的,因為針對該電路之該額外的複雜性在該裝置上只需要一次即可,其提供了(i)一面積節省及(ii)用於所有像素之匹配的功能。
特別地是,該斜坡的該修改可被使用來補償該感測器電路(11)中的非理想特性,或補償在溫度或其他環境條件上的變化。
特別地是,可以藉由類比或數位構件進行修改。
特別地是,可以參考在該裝置上的測試單元格來執行該修改。這種實現方式係有利的,因為在該等測試單元格中所反映之非理想特性的該補償係自動的。
在一個示例性實施例中,對整個像素排列同時地提供相同的類比掃描斜坡。在一衍生出的實施例中,不同的類比掃描斜坡被套用到該排列的子集。
當該等感測器電路(11)的該等特性在遍及像素排列上做變化(故意的單元格變化或肇因於加工工序或光學組配)的情況下,使用不同的斜坡係有利的,並且這種變化可藉由提供不同的斜坡來被補償。
在一另外的實施例中,該類比掃描斜坡在操作期間根據該影像感測器的該操作模式不時地被修改。
在一個示例性的實施例中,一變化的數位代碼與該類比斜坡被同時地提供。被儲存在該數位儲存電路(13)中的該數位代碼係當該比較器輸出切換時之該數位代碼的該值。在一第一實施例中,該代碼係一種二進制代碼。
在一衍生出的實施例中,該數位碼係一格雷碼。一格雷碼係有利的,因為(i)不需要與該數位儲存裝置同步,因為一次只有一個邊緣發生變化,並且在該邊緣的任一側該碼都是有效的,並且(ii)該格雷碼在一個週期內具有較少的邊緣並且該功耗被降低。
在一衍生的實施例中,該類比及數位代碼掃描被循序地分開成儲存及比較掃描,或多次比較掃描。在該類比信號位準與該數位代碼之間的該關係在該參考掃描與比較掃描之間被變化。這種方法係有利的,因為在該像素中需要一更簡單的數位比較邏輯。這可能會減少所需的面積。
在一衍生的實施例中,針對不同的像素子集在該類比掃描位準與該數位代碼之間一不同關係被產生。
這種方法是有利的,因為一數位代碼可以以一數位電路在(i)計算或在(ii)定時中被變化。這提供了在產生多個類比斜坡方面中一面積的節省及改善的靈活性,並且能夠補償或改變像素該排列之子集合的功能。
在一個示例性的實施例中,在該類比掃描期間連續地執行在該儲存位準與該當前位準之間的該數位比較。該比較結果與該類比比較器輸出及該數位比較之該切換的該定時有關。在該實施例中,滯後的該實現方式,或差異化事件產生臨界值,係基於該相對定時來被執行的。
在一個示例性的實施例中,基於一時鐘在定時中的該變化被產生。在一另外的示例性實施例中,該變化係以在該像素電路內的一定時器電路被產生的。
在另一個示例性的實施例中,係在該類比電壓掃描之後執行在該儲存的位準與該當前位準之間的該數位比較。該實施例係有利的,其中該邏輯可重複地使用序向的元件,例如按位元的元件,其提供一矽面積的節省。
在一個示例性的實施例中,該序向邏輯係以靜態邏輯來被執行的。
在一另外的示例性實施例中,該序向邏輯係以動態邏輯來被執行的。
在一衍生的實施例中,利用來自該前一結果的反饋來執行該數位比較。這通常被使用來在該比較中實現滯後,並且有利於抑制雜訊及減少虛假事件。
在一衍生的實施例中,執行該數位比較及事件產生需要一不同的差異(>1)以便產生一事件。這可能有利於(i)減少該事件數量,或(ii)提高該事件產生的該解析度。
該所需的差異可能取決於(i)該信號位準(ii)該操作模式,例如感興趣的區域(iii)該等相鄰像素位準(iv)該等像素前一位準(v)該等像素前一事件(vi)相鄰像素的該等事件。
在一衍生的實施例中,低於一特定率的一事件產生率被抑制在該像素電路內。這是有利的,因為該資訊對於後續的影像處理不太有用,並且該事件抑制降低了該功率及處理的需求。
在一個示例性的實施例中,用於事件產生的該數位條件係取決於相鄰像素電路的該事件產生。例如,該操作能夠過濾事件以減少該虛假事件數量。
在一個示例性的實施例中,用於事件產生的該數位條件係取決於相鄰像素電路之該儲存的位準。例如,該操作能夠過濾該等事件以在一邊緣附近提供更高的靈敏度。
在一個示例性實施例中,用於事件產生的該數位條件係取決於該像素電路之多個儲存的位準。例如,該操作能夠過濾類比雜訊以減少虛假事件的數量。
在一個示例性的實施例中,該採樣率被選擇以與一干擾光源的該閃爍頻率同步。這係有利的,因為它允許抑制肇因於該光源所引起的事件。
在一個示例性實施例中,該事件輸出係一單一事件位元,例如上升事件、沒有事件。換句話說,該上升事件對應於一增加的光強度。
在一另外的實施例中,該事件輸出為兩位元,例如上升及下降。換言之,該事件輸出可以指出該光強度或該感測器信號VSIG係大於還是小於該儲存的光強度位準或儲存的VSIG。
在一另外的示例性實施例中,該事件輸出包括該變化大小的該數位表示。該實施例係有利的,因為它能夠從該事件資訊完美地重建該影像。
在另一個示例性的實施例中,該事件輸出包括在該改變之前及/或之後的該照明強度表示。在一個實施例中,還有可能可讀出在該像素陣列中該等儲存之值的位該準。
在一衍生的實施例中,來自一目標區域的該等數位儲存的值被選擇性地讀取,即經由隨機存取。
在另一個示例性的實施例中,該數位位準在該現有的共用事件輸出線上被讀取出。在一個實施例中,可以把該儲存的數位位準寫入到像素之該排列中以提供一新的或故意修改的參考以用於比較。在一衍生的實施例中,一資料流被寫入到該等儲存的數位位準中以故意地提供用於事件產生之一時間相依的參考。
在一相關衍生的實施例中,該資料流係類似於通常由該感測器所產生的一事件流。
在一個實施例中,該感測器電路(11)具有來自該儲存的數位位準、或該等相鄰像素之該儲存數位位準的一反饋,以調整該像素的該VSIG位準。該實施例可能有利於用最小的表面面積來實現,例如一滯後函數。
參考圖4a-c,一數位電晶體控制被實現為一MOS開關並在該控制信號中提供對雜訊的高度免疫。該數位控制信號的該儲存對劣化免疫。一種開關的組配使得能夠套用一明確限定的全局信號(例如電流或電壓),其提供一明確限定的本地效應,對於本地、區域關鍵之開關的該性能具有寬鬆的容限(高度不匹配係可接受的)。最小面積對於整合在一影像感測器像素中係特別重要的。
本發明之事件的該數位儲存及本地數位計算為該等讀出電路之該類比功能的一數位控制(調變)提供了基礎。
特別地是,在該實例類比像素電路中一代表性的開關(通常為MOS),展示出在信號vg的全局控制下切換由本地電晶體Q所產生之一電流的一實例,其中圖4a展示出該數位開關本地控制被連接到該數位儲存電路、圖4b展示出該數位開關本地控制被連接到該數位比較電路、以及圖4c展示出該數位開關本地控制被連接到該數位事件產生電路。
也就是說,在一實施例中,該數位開關本地控制可以由如在圖4a中所示的該數位儲存電路來提供。
在一實施例中,該數位開關本地控制可以由如在圖4b中所示的該數位比較電路來提供。
在一實施例中,該數位開關本地控制可以由如在圖4c中所示的該數位事件產生電路來提供。
在一個示例性的實施例中,比較器電路具有來自該儲存的數位位準或該等相鄰像素之儲存數位位準的一反饋,用以調整該比較器的該功能,通常為添加一偏移。該實施例可能有利於用最小的表面面積來實現,例如一滯後函數。
在一個示例性的實施例中,該採樣率係被電氣組配的或在操作中不時地被電氣改變的。
該功耗及事件產生率可能取決於該採樣率。降低該採樣率可在安靜的條件下實現一極低的功率模式。此外,一低的採樣率與整合的感測器電路(11)行為相結合可啟用在一低光照條件下的操作。
在一個示例性的實施例中,該採樣被完全中斷一延長的時間段。
該功耗及事件產生率可能取決於該採樣率。中斷該採樣一段時間,例如1秒,可實現非常低功耗的操作,但係肇因於該數位儲存保留了該記錄影像的保該真度。
在一個示例性的實施例中,可從該像素排列中讀出該類比信號位準(VSIG)。本實施例可以使用該共用的事件行線來被實現。
在一個示例性的實施例中,該影像感測器由多個半導體層所構成,其中每一層的該半導體加工工序類型針對該層的該功能被最佳化。這種實現方式係有利的,因為針對半導體加工工序之功能進行最佳化允許(i)在性能方面的提升,(ii)矽面積的減少以及隨後(ii)a )裝置尺寸的減少及(ii)b )裝置成本的降低。該改變的實體結構提高了針對(i)填充因子(ii)量子效率的光學性能,並減少了在控制信號線與該光感測器電路之間的電氣干擾。
該等複數個像素通常被組織成具有「行」及「列」的一種二維網格。需要說明的是,在不影響本發明的情況下,「行」及「列」的定義可以互換。還應被注意的是,映射到一個二維網格之其他幾何組配也是有可能的,而不影響本發明的適用性。
最後,應被注意的是術語「包含有」並不排除有其他的元件或步驟,並且「一」或「一個」不排除有複數個。此外,可以組合與不同實施例相關聯所描述的元件。還應當被注意的是,在該等請求項中的附圖標記不應被解讀為限制該等請求項的範圍。
1:像素電路 11:感測器電路 12:A/D轉換器 13:數位儲存電路 14:數位比較電路 15:數位事件產生電路 16:事件輸出線
本發明參考該等附圖被進一步地描述。其中,圖1至4展示出本發明的示例性實施例。
圖1根據本發明示意性地圖示出一增量影像感測器的一第一示例性組配。
圖2根據本發明示意性地圖示出一增量影像感測器之另外的示例性組配,其中圖2a展示出該事件產生電路的該共享,圖2b展示出該事件產生電路及數位比較電路的該共享,圖2c展示出該事件產生電路、數位比較電路及該數位儲存電路的該共享,圖2d展示出該事件產生電路、數位比較電路、該數位儲存電路及A/D轉換電路的該共享。
圖3圖示了一示例性的實施例,其中使用在一像素電路中的一比較器來執行從類比(VSIG)到數位表示的該轉換並且把一類比掃描信號施加到該像素電路。
圖4a-c根據本發明示意性地圖示出一增量影像感測器之另外的示例性組配。
在該等附圖中相同的參考號碼表示相同或相似的組件。因此冗餘的描述將被省略。
1:像素電路
11:感測器電路
12:A/D轉換器
13:數位儲存電路
14:數位比較電路
15:數位事件產生電路
16:事件輸出線

Claims (14)

  1. 一種增量影像感測器,其包含有經排列配置的數個像素以及對應於至少一個像素且被形成為一積體電路之一部分的複數個擷取電路,每一個擷取電路各包括有:至少一個感測器電路,其包含一光感測器,該光感測器被組配成可取決於照明該至少一個像素之該光感測器的一光信號而產生一感測器信號(VSIG);至少一個類比到數位轉換(A/D)電路,其被組配成可產生對應於一當前VSIG的一數位表示;至少一個數位儲存電路,其被組配成可儲存對應於一先前VSIG的至少一個數位信號之一表示;至少一個數位比較電路,其被組配成可將所儲存之該表示之位準與該當前VSIG進行比較,以檢測是否出現位準改變;以及至少一個數位輸出電路,其被組配成可在該位準改變的情況下產生一事件輸出,其中,該感測器電路被組配成可改變其讀出特性之一類比功能以產生相應的一經改變VSIG。
  2. 如請求項1之影像感測器,其中,該至少一個感測器電路被組配成可接收一數位控制信號以數位式地控制對該類比功能之修改,其中,該數位控制信號較佳係由在該擷取電路之一數位部分內之於本地儲存及/或計算的一數位值提供。
  3. 如請求項2之影像感測器,其中,該類比功能之該數位控制在相應的至少一個像素內提供一滯後功能。
  4. 如請求項2或3之影像感測器,其中,該類比功能之該數位控制提供橫跨至少一組像素的一滯後功能。
  5. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,該感測器電路被組配成可從該數位儲存電路接收對應於所儲存之該數位位準或數個相鄰像素之所儲存之該數位位準的一反饋,並且其中,該感測器電路被組配成可取決於該反饋來產生VSIG。
  6. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,每一個擷取電路係在至少兩個像素之間共享,其中,該等像素較佳係彼此相鄰。
  7. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,該感測器電路被組配成可基於下述關係其中一者來產生VSIG:a)對光強度的一線性相依性,b)對光強度之一非線性相依性,較佳係對數式相依性,以及c)對光強度之非線性與線性相依性的一種組合,其中,該關係較佳係可回應於一控制信號而改變的。
  8. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,該感測器電路被組配成可在操作期間回應於一控制信號而改變VSIG對該光強度之相依性,較佳係不時地改變,且/或其中,該感測器電路被組配成可個別地針對至少一個像素或一像素子集而在操作期間回應於一控制信號而改變VSIG對該光強度之相依性。
  9. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,a)其中,該類比到數位轉換電路包含一比較器,該比較器被組配成可將該VSIG與下述掃描信號其中一者作比較:aa)一掃描類比輸入信號,及ab)一連串掃描類比輸入信號,其中,該等掃描類比信號各提供不同的一差異函數,其中,該輸入信號較佳係針對複數個轉換電路而提供,且/或 b)其中,該類比到數位轉換電路進一步被組配成可向至少一個像素提供與該掃描類比信號並行的至少一個數位代碼,ba)其中,該數位代碼較佳係一格雷編碼數位信號,並且bb)其中,在該類比掃描信號與數該位代碼之間的關係在一儲存斜坡與一比較斜坡之間較佳係有所改變。
  10. 如請求項9之影像感測器,a)其中,該掃描信號係一線性斜坡,或b)其中,該掃描信號係一非線性斜坡,或c)其中,該掃描信號在操作期間被改變,且/或d)其中,該掃描信號之一周期在操作期間被改變,且/或e)其中,該掃描信號之重複可在操作期間被中斷一短時段或一延長時段,且/或f)其中,該掃描信號之一重複率係選自與照明該光感測器的該光信號之一光源調變相對應的一或多個重複率,較佳係可增加或抑制一事件輸出。
  11. 如請求項9之影像感測器,其中,該數位比較電路被組配成可在該類比信號之掃描期間內進行與所儲存之該位準的比較,或其中,該數位比較電路被組配成可在該類比輸入信號之掃描之後進行與所儲存之該位準的比較。
  12. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,a)其中,該數位比較電路被組配成可使用在該像素電路中的靜態邏輯來進行比較,或b)其中,該數位比較電路被組配成可使用該像素電路中的動態邏輯來進行比較,且/或c)其中,該數位比較電路被組配成可進行具有一滯後的比較,且/或 d)其中,該數位比較電路被組配成可進行需要在操作中被不時地改變的一差異的比較。
  13. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,該A/D電路接收來自所儲存之該數位位準或數個相鄰像素之所儲存之該數位位準的反饋,並被組配成可取決於該反饋來調整該輸出信號。
  14. 如請求項1至3中任一項之影像感測器,其中,該感測器電路被組配成可提供VSIG之一類比表示,且/或其中,該影像感測器係由多個半導體層所構成,其中,每一位準係針對該層之功能而被最佳化。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2962472T3 (es) * 2020-06-26 2024-03-19 Alpsentek Gmbh Sensor de imagen delta con almacenamiento de píxeles digital
EP3955566B1 (en) 2020-08-14 2023-06-07 Alpsentek GmbH Image sensor with configurable pixel circuit and method
EP4380180A1 (en) * 2022-11-29 2024-06-05 Kovilta Oy Sensor event generation circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3313064A1 (en) * 2016-10-20 2018-04-25 Chronocam Pixel circuit for detecting time-dependent visual data

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3275579B2 (ja) 1994-10-24 2002-04-15 日産自動車株式会社 イメージセンサ
AU2000274441A1 (en) * 2000-09-25 2002-04-08 Hamamatsu Photonics K.K. Optical measurement apparatus and method for optical measurement
JP3803924B2 (ja) * 2002-09-09 2006-08-02 本田技研工業株式会社 イメージセンサ
KR101331982B1 (ko) 2005-06-03 2013-11-25 우니페르지타에트 취리히 시간 의존적 이미지 데이터를 검출하기 위한 광 어레이
AT504582B1 (de) 2006-11-23 2008-12-15 Arc Austrian Res Centers Gmbh Verfahren zur generierung eines bildes in elektronischer form, bildelement für einen bildsensor zur generierung eines bildes sowie bildsensor
JP4420101B2 (ja) 2007-10-30 2010-02-24 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、並びにカメラシステム
WO2010035402A1 (ja) 2008-09-29 2010-04-01 パナソニック株式会社 信号生成回路、並びにこれを用いたシングルスロープ型adコンバータ及びカメラ
US8847169B2 (en) 2010-05-25 2014-09-30 The Hong Kong University Of Science And Technology Quantum-limited highly linear CMOS detector for computer tomography
JP5126305B2 (ja) 2010-07-02 2013-01-23 株式会社ニコン 固体撮像素子
WO2012047627A2 (en) * 2010-09-27 2012-04-12 Purdue Research Foundation System and method of extending the linear dynamic range of event counting
FR2976918B1 (fr) 2011-06-21 2014-01-24 Astrium Sas Detection de debris spatiaux
CN104272723B (zh) 2011-12-19 2018-08-21 苏黎世大学 特别用于将时变图像数据的取样亮度感测和异步检测相结合的光电阵列
ES2476115B1 (es) * 2012-12-11 2015-04-20 Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) Metodo y dispositivo para la deteccion de la variacion temporal de la intensidad luminosa en una matriz de fotosensores
WO2014174498A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) A novel cmos image sensor with event/change detection and reduced data redundancy
FR3009469B1 (fr) 2013-07-31 2016-11-25 Morpho Procede de synchronisation de plusieurs cameras d'un systeme de prise de vues, notamment un systeme de prise de vues stereoscopique et systeme de prise de vues pour la mise en œuvre dudit procede.
ES2811152T3 (es) * 2013-09-16 2021-03-10 Prophesee Circuito de píxel dinámico de un solo fotodiodo y método de funcionamiento del mismo
JP6272085B2 (ja) 2014-03-04 2018-01-31 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
JP6362091B2 (ja) * 2014-06-04 2018-07-25 キヤノン株式会社 撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
US20160093273A1 (en) 2014-09-30 2016-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic vision sensor with shared pixels and time division multiplexing for higher spatial resolution and better linear separable data
US9838635B2 (en) 2014-09-30 2017-12-05 Qualcomm Incorporated Feature computation in a sensor element array
US10728450B2 (en) 2014-09-30 2020-07-28 Qualcomm Incorporated Event based computer vision computation
WO2016099590A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Venkata Guruprasad Chirp travelling wave solutions and spectra
JP6440844B2 (ja) 2015-07-14 2018-12-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP2017046259A (ja) 2015-08-28 2017-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR102641558B1 (ko) 2016-03-04 2024-02-28 소니그룹주식회사 고체 촬상 소자, 구동 방법, 및 전자 기기
WO2017158483A1 (en) 2016-03-14 2017-09-21 Insightness Ag A vision sensor, a method of vision sensing, and a depth sensor assembly
US10469776B2 (en) 2016-04-04 2019-11-05 Prophesee Sample and hold based temporal contrast vision sensor
US9848141B2 (en) * 2016-05-10 2017-12-19 Semiconductor Components Industries, Llc Image pixels having processed signal storage capabilities
CN106162000B (zh) 2016-07-08 2019-03-15 上海芯仑光电科技有限公司 像素采集电路、图像传感器及图像采集系统
JP6530736B2 (ja) 2016-10-18 2019-06-12 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
CN115037896A (zh) 2016-12-30 2022-09-09 索尼先进视觉传感公司 动态视觉传感器结构
JP2018124786A (ja) 2017-01-31 2018-08-09 富士通株式会社 画像処理装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム
US10242268B2 (en) 2017-02-03 2019-03-26 Raytheon Company Pixel-based event detection for tracking, hostile fire indication, glint suppression, and other applications
WO2018161355A1 (zh) 2017-03-10 2018-09-13 华为技术有限公司 信号发射方法、信号接收方法、相关设备及系统
US10491231B2 (en) 2018-02-16 2019-11-26 Sensors Unlimited, Inc. Reconfigurable ADC architecture for imaging-based applications
US10969273B2 (en) 2018-03-19 2021-04-06 Facebook Technologies, Llc Analog-to-digital converter having programmable quantization resolution
EP3557767B1 (en) * 2018-04-19 2023-01-11 ams AG Light-to-digital converter arrangement and method for light-to-digital conversion
TWI801572B (zh) 2018-07-24 2023-05-11 南韓商三星電子股份有限公司 影像感測器、成像單元及生成灰階影像的方法
US11140349B2 (en) 2018-09-07 2021-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor incuding CMOS image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel
KR20200029328A (ko) * 2018-09-07 2020-03-18 삼성전자주식회사 Cis 픽셀 및 dvs 픽셀을 포함하는 이미지 센서
WO2020080383A1 (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び電子機器
JP2020088722A (ja) 2018-11-29 2020-06-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、および、撮像装置
JP7298277B2 (ja) 2019-04-25 2023-06-27 トヨタ自動車株式会社 イベントカメラ
EP3731516B1 (en) 2019-04-25 2024-05-29 Beijing RuisiZhixin Technology Co., Ltd. Delta vision sensor
WO2020229980A1 (en) * 2019-05-10 2020-11-19 Sony Advanced Visual Sensing Ag Event-based vision sensor using on/off event and grayscale detection ramps
CN113826379B (zh) * 2019-05-10 2024-06-04 索尼高级视觉传感股份公司 具有像素内数字改变检测的动态视觉传感器
CN112311964B (zh) * 2019-07-26 2022-06-07 华为技术有限公司 一种像素采集电路、动态视觉传感器以及图像采集设备
ES2962472T3 (es) * 2020-06-26 2024-03-19 Alpsentek Gmbh Sensor de imagen delta con almacenamiento de píxeles digital
EP3955566B1 (en) 2020-08-14 2023-06-07 Alpsentek GmbH Image sensor with configurable pixel circuit and method
EP4271913A1 (en) * 2020-12-31 2023-11-08 Lord Corporation Sensing system for detecting rubs events or wear of an abradable coating in turbo machinery

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3313064A1 (en) * 2016-10-20 2018-04-25 Chronocam Pixel circuit for detecting time-dependent visual data

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊 Y. M. Chi, U. Mallik, M. A. Clapp, E. Choi, G. Cauwenberghs and R. Etienne-Cummings "CMOS Camera With In-Pixel Temporal Change Detection and ADC," IEEE Journal of Solid-State Circuits vol. 42, no. 10, pp. 2187-2196 in IEEE Journal of Solid-State Circuits Oct. 2007 第1~2節 *

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