TWI827695B - 用於有機薄膜電晶體的uv圖案化聚合物摻合物 - Google Patents

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Abstract

本案提供一種聚合物摻合物，包括：與隔離聚合物摻合之有機半導體聚合物；用於生成活性基之至少一種光起始劑；及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑，使得有機半導體聚合物為二酮吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，稠合噻吩為經β取代的，且隔離聚合物具有非共軛主鏈。亦提供一種用於形成具有聚合物摻合物之有機半導體裝置之方法。

Description

用於有機薄膜電晶體的UV圖案化聚合物摻合物
本申請案根據專利法主張2018年10月12日申請之中國專利申請案序列號201811190154.6之優先權益，其內容為本申請案之依託且全文以引用方式併入本文中。
本揭露是關於作為有機薄膜電晶體(organic thin-film transistor; OTFT)之半導體層的UV圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物。
有機薄膜電晶體(organic thin-film transistor; OTFT)已作為需要高溫及高真空沉積過程之習知矽基技術以及複雜光微影術圖案化製程之替代方案獲得廣泛關注。半導體(亦即，有機半導體，OSC)層為可有效影響裝置效能之OTFT的一個重要組分。
製造無機TFT裝置陣列之傳統技術通常依賴於作為圖案化製程之光微影術。然而，光微影術通常涉及可能嚴重損害OSC層且導致裝置性能顯著劣化之在圖案轉移或者光阻劑去除期間之苛刻氧(O2 )電漿及侵蝕性顯影溶劑。
本揭露提供經改善之UV圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物及其用於有機薄膜電晶體之OSC層的用途。
在一些實施例中，聚合物摻合物包含：與隔離聚合物摻合之有機半導體聚合物；經組態以生成活性基之至少一種光起始劑；及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑，其中有機半導體聚合物為二酮吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中稠合噻吩為經β取代的，並且其中隔離聚合物具有非共軛主鏈。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，有機半導體聚合物以1重量%至99重量%之範圍存在；隔離聚合物以1重量%至99重量%之範圍存在；至少一種光起始劑以0.1重量%至5重量%之範圍存在；以及至少一種交聯劑以0.05重量%至10重量%之範圍存在。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，有機半導體聚合物以10重量%至50重量%之範圍存在。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，至少一種光起始劑以0.1重量%至2.0重量%之範圍存在；以及至少一種交聯劑以0.3重量%至5.0重量%之範圍存在。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，聚合物摻合物進一步包含：以0.05重量%至5重量%之範圍存在之抗氧化劑、潤滑劑、相容劑、或調平劑中之至少一者。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，有機半導體聚合物包含式1或式2重複單元、或其鹽、異構物、或類似物： 式1 式2 其中在式1及式2中：m為大於或等於一之整數；n為0、1、或2；R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、及R8 可獨立地為氫、經取代或未經取代之C4 或更大烷基、經取代或未經取代之C4 或更大烯基、經取代或未經取代之C4 或更大炔基、或C5 或更大環烷基；a、b、c、及d獨立地為大於或等於3之整數；e及f為大於或等於零之整數；X及Y獨立地為共價鍵、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、視情況經取代之稠合芳基或稠合雜芳基、炔烴或烯烴；以及A及B可獨立地為S或O，前提條件為：(i)R1 或R2 中之至少一者；R3 或R4 中之一者；R5 或R6 中之一者；及R7 或R8 中之一者為經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之炔基、或環烷基；(ii)若R1 、R2 、R3 、或R4 中之任一者為氫，則R5 、R6 、R7 、或R8 均不為氫；(iii)若R5 、R6 、R7 、或R8 中之任一者為氫，則R1 、R2 、R3 、或R4 均不為氫；(iv) e及f二者可均不為0；(v)若e或f為0，則c及d獨立地為大於或等於5之整數；以及(vi)聚合物具有一分子量，其中聚合物之分子量大於10,000。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，隔離聚合物為以下項中之至少一者：聚丙烯睛(PAN)、聚氯乙烯(PVC)、聚二氟亞乙烯(PVDF)、經烷基取代之聚丙烯睛(R-PAN)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠(SBR)、聚苯乙烯-共-丙烯腈、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚磺酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)、聚醯胺、聚苯硫醚、聚甲基丙烯酸甲酯-嵌段-聚丙烯酸丁酯(PMMA-b-PBA)、或其衍生物、其共聚物及其混合物。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，隔離聚合物包含不飽和C=C主鏈。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，至少一種光起始劑包含：1-羥基-環己基-苯基-酮(184)；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1 (369)；聯苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦(TPO)；2-異丙基噻噸酮(ITX)；1-[4-(苯基硫代) 苯基]-1,2-辛烷二酮2-(O-苯甲醯基肟) (HRCURE-OXE01)；2,2-二甲氧基-1,2-聯苯基乙烷-1-酮(BDK)；過氧化苯甲醯(BPO)；羥基乙醯苯(HAP)；2-羥基-2-甲基丙醯苯(1173)；2-甲基-4'-(甲基硫代)-2-嗎啉基丙醯苯(907)；2-苄基-2-(二甲基胺基)-4'-嗎啉基丁醯苯(IHT-PI 910)；4-(二甲基胺基)苯甲酸乙酯(EDB)；鄰苯甲醯苯甲酸甲酯(OMBB)；雙-(2,6 二甲氧基-苯甲醯)-苯基氧化膦(BAPO)；4-苯甲醯基-4’ 甲基聯苯基硫醚(BMS)；苯甲酮(BP)；1-氯-4-丙氧基噻噸酮(CPTX)；氯噻噸酮(CTX)；2,2-二乙氧基乙醯苯(DEAP)；二乙基噻噸酮(DETX)；苯甲酸2-二甲基胺基乙酯(DMB)；2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯苯(DMPA)；2-乙基蒽醌(2-EA)；對-N,N-二甲基-二甲基胺基苯甲酸乙酯(EDAB)；二甲基胺基苯甲酸2-乙基己酯(EHA)；4,4-雙-(二乙基胺基)-苯甲酮(EMK)；甲基苯甲酮(MBF)；4-甲基苯甲酮(MBP)；米其勒酮(Michler’s ketone，MK)；2-甲基-1-[4(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基丙酮(1) (MMMP)；4-苯基苯甲酮(PBZ)；2,4,6-三甲基-苯甲醯基-乙氧基苯基氧化膦(TEPO)；或其組合。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，至少一種交聯劑包含：異氰酸三烯丙酯(TAIC)、三羥甲基丙烷巰基丙酸酯(TRIS)、 異氰酸烯丙酯                   TVE MAcBPA                      TPGDA HDDA                TEGDVE 三VE酯                四VE酯 三硫醇1                     四硫醇1 三硫醇2                  四硫醇2 三硫醇3                        四硫醇3 六硫醇 十六硫醇 AE1               AE2            AE3 AE4                  AE5 AE6 AE7
在一些實施例中，一種形成有機半導體裝置之方法包含以下步驟：將有機半導體聚合物與隔離聚合物摻合於有機溶劑中以形成聚合物摻合物；使聚合物摻合物之薄膜沉積於基板上方；使薄膜暴露於使用光罩之UV光以形成圖案化薄膜；及使圖案化薄膜在溶劑中顯影以去除薄膜之未圖案化區域，其中有機半導體聚合物為二酮吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中稠合噻吩為經β取代的，並且其中隔離聚合物具有非共軛主鏈。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，方法進一步包含以下步驟：在沉積與暴露之間在50℃至200℃範圍之溫度下第一次加熱薄膜達10 s至10 min範圍之時間。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，方法進一步包含以下步驟：在顯影後在50℃至200℃範圍之溫度下第二次加熱圖案化薄膜達10 s至30 min範圍之時間。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，摻合步驟包含以下步驟：將有機半導體聚合物溶解於第一有機溶劑中以形成第一溶液；將隔離聚合物溶解於第二有機溶劑中以形成第二溶液；將第一溶液與第二溶液合併以形成聚合物摻合物。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，聚合物摻合物進一步包含：經組態以生成活性基之至少一種光起始劑；及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，有機半導體聚合物以1重量%至99重量%之範圍存在；隔離聚合物以1重量%至99重量%之範圍存在；至少一種光起始劑以0.1重量%至5重量%之範圍存在；以及至少一種交聯劑以0.05重量%至10重量%之範圍存在。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，沉積步驟包含以下步驟中之至少一者：旋塗；浸塗；噴塗；電沉積；凹凸面塗；電漿沉積；及輥塗、簾塗、及擠壓塗佈。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，暴露步驟包含以下步驟：使薄膜暴露於具有10 mJ/cm2 至600 mJ/cm2 範圍之能量之UV光達1 s至60 s範圍之時間。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，顯影步驟包含以下步驟：使薄膜之未圖案化區域暴露於包含以下項之溶劑達10 s至10 min範圍之時間：氯苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、二噁烷、對-二甲苯、間-二甲苯、甲苯、環戊酮、環己酮、乳酸甲酯、2-丁酮、2-戊酮、3-戊酮、2-庚酮、3-庚酮、苯甲醚、對稱三甲苯、十氫萘、丁基苯、環辛烷、四氫萘、氯仿、或其組合。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，方法進一步包含以下步驟：在基板上方形成閘電極；在基板上方形成閘介電層；在閘介電層上方形成圖案化源極及汲極層；及在圖案化源極及汲極層上方形成絕緣體層。
在可與其他態樣或實施例中之任一者組合之一個態樣中，隔離聚合物包含不飽和C=C主鏈或經組態以在UV光暴露之前或期間生成C=C主鏈。
現將詳細參考示範性實施例，此些實施例繪示於隨附圖式中。在有可能時，遍及圖式中相同元件符號將用於指相同或類似零件。圖式中之組件未必按比例繪製，重點在於繪示示範性實施例之原理。應理解，本申請案不限於說明書中陳述或圖式中繪示之詳情或方法。亦應理解，術語是僅出於描述之目的且不應視為具有限制性。
另外，此說明書中陳述之任何實例為說明性而非限制性的，並且僅陳述主張之發明的許多可能實施例中之一些實施例。本領域中通常遇到且熟悉此項技藝者清楚之條件及參數的種類的其他適合修改及改編屬本揭露之精神及範圍內。
作為官能材料之有機半導體可用於多種應用，包括例如列印電子學、有機電晶體(包括有機薄膜電晶體(OTFT)及有機場效應電晶體(OFET))、有機發光二極體(OLED)、有機積體電路、有機太陽能電池、及一次性感測器。有機電晶體可用於許多應用，包括智慧卡、安全標誌、及平板顯示器之底板。與無機對應體(諸如矽)相比，有機半導體可實質上減少成本。自溶液沉積OSC可形成快速大面積製造路徑，諸如各種列印方法及卷對卷製程。
有機薄膜電晶體為特別感興趣的，因為其製造製程與習知矽基技術相比複雜性較小。例如，OTFT通常依賴於低溫沉積及溶液加工，當與半導體共軛聚合物一起使用時，其可達成有價值的技術屬性，諸如與簡單書寫技術、通用低成本製造方法、及柔性塑料基板之相容性。OTFT之其他潛在應用包括柔性電子紙、感測器、記憶裝置(例如射頻識別卡(RFID))、用於供應鏈管理之遠程可控智慧標誌、大面積柔性顯示器、及智慧卡。
有機半導體(OSC)聚合物
OSC聚合物可用於產生有機半導體裝置。在一些實例中，聚合物摻合物包含有機半導體聚合物。在一些實例中，OSC聚合物具有完全共軛之主要主鏈。在一些實例中，OSC為二酮吡咯并吡咯(DPP)稠合噻吩聚合材料。在一些實例中，稠合噻吩為經β取代的。此OSC可含有稠合噻吩及二酮吡咯并吡咯單元二者。在一些實例中，OSC用於OTFT應用中。例如，OSC聚合物可包含式1或式2重複單元、或其鹽、異構物、或類似物： 式1 式2
其中在式1及式2中：m為大於或等於一之整數；n為0、1、或2；R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、及R8 可獨立地為氫、經取代或未經取代之C4 或更大烷基、經取代或未經取代之C4 或更大烯基、經取代或未經取代之C4 或更大炔基、或C5 或更大環烷基；a、b、c、及d獨立地為大於或等於3之整數；e及f為大於或等於零之整數；X及Y獨立地為共價鍵、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、視情況經取代之稠合芳基或稠合雜芳基、炔烴或烯烴；以及A及B可獨立地為S或O，前提條件為：(i)R1 或R2 中之至少一者；R3 或R4 中之一者；R5 或R6 中之一者；及R7 或R8 中之一者為經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之炔基、或環烷基；(ii)若R1 、R2 、R3 、或R4 中之任一者為氫，則R5 、R6 、R7 、或R8 均不為氫；(iii)若R5 、R6 、R7 、或R8 中之任一者為氫，則R1 、R2 、R3 、或R4 均不為氫；(iv) e及f二者可均不為0；(v)若e或f為0，則c及d獨立地為大於或等於5之整數；以及(iv)聚合物具有一分子量，其中聚合物之分子量大於10,000。
在一些實施例中，以式1或式2定義之OSC聚合物能夠在相對低溫度下實現簡單電晶體製造，這對於實現大面積機械柔性電子尤其重要。經β取代之OSC聚合物亦可有助於改善溶解度。
在一些實例中，OSC聚合物可包含式3或式4重複單元、或其鹽、異構物、或類似物： 式3 式4
在一些實例中，OSC之溶解度為0.5 mg/mL、1 mg/mL、2 mg/mL、3 mg/mL、4 mg/mL、5 mg/mL、或由彼等端點中之任何兩者限定之任何範圍。在一些實例中，OSC之溶解度在室溫下為1 mg/mL或更大。
在一些實例中，OSC之電洞遷移率為1 cm2 V−1 s−1 、2 cm2 V−1 s−1 、3 cm2 V−1 s−1 、4 cm2 V−1 s−1 、5 cm2 V−1 s−1 、10 cm2 V−1 s−1 、或由彼等端點中之任何兩者限定之任何範圍。電洞遷移率可等於或大於任何此等值。在一些實例中，OSC之電洞遷移率為1至4 cm2 V−1 s−1 。在一些實例中，OSC之電洞遷移率為2 cm2 V−1 s−1 。在一些實例中，OSC之電洞遷移率為2 cm2 V−1 s−1 或更大。
在一些實例中，OSC聚合物之開/關(On/Off)比率大於105 。在一些實例中，OSC聚合物之開/關(On/Off)比率大於106 。
在一些實例中，OSC聚合物在薄膜電晶體裝置中之閾值電壓為1 V、2 V、3V、4 V、5 V、10 V、或由彼等端點中之任何兩者限定之任何範圍。在一些實例中，OSC聚合物在薄膜電晶體裝置中之閾值電壓範圍為1 V至3 V。在一些實例中，OSC聚合物在薄膜電晶體裝置中之閾值電壓為2 V。
隔離聚合物
在一些實例中，聚合物摻合物包含與隔離聚合物摻合之OSC聚合物。在一些實例中，隔離聚合物為非共軛聚合物。在一些實例中，隔離聚合物具有非共軛主鏈及共軛側鏈。在一些實例中，隔離聚合物並非半導體聚合物。在一些實例中，隔離聚合物與OSC聚合物摻合以預防OSC氧化。
在一些實例中，隔離聚合物為以下項中之至少一者：聚丙烯睛(PAN)、經烷基取代之聚丙烯睛(R-PAN)、聚氯乙烯(PVC)、聚二氟亞乙烯(PVDF)、聚乙烯(PE)及其共聚物、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠(SBR)、聚苯乙烯-共-丙烯腈、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)之變異體、聚磺酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚醯胺、聚苯硫醚、彈性體嵌段共聚物(例如聚甲基丙烯酸甲酯-嵌段-聚丙烯酸丁酯(PMMA-b-PBA))、或其衍生物、共聚物、及混合物。在一些實例中，隔離聚合物為聚丙烯睛。在一些實例中，隔離聚合物為聚苯乙烯或其衍生物，其可實現OSC裝置之大規模生產及半導體之預聚集及更好對準。
在一些實例中，隔離聚合物之分子量為1,000、2,000、3,000、4,000、5,000、10,000、15,000、20,000、25,000、35,000、45,000、50,000、75,000、100,000、125,000、150,000、175,000、200,000、225,000、250,000、或由彼等端點中之任何兩者限定之任何範圍。在一些實例中，隔離聚合物之分子量為5,000或更大。在一些實例中，隔離聚合物之分子量為10,000或更大。在一些實例中，隔離聚合物之分子量為50,000與200,000之間。
光起始劑
光起始劑為光固化產品之關鍵性組分。基於自由基之光起始劑包括當暴露於UV光時啟動光聚合之反應性自由基。在一個實例中，下文展示了光起始劑TPO啟動硫醇-烯自由基聚合之機制。
在一些實例中，聚合物摻合物包含與隔離聚合物摻合之OSC聚合物及經組態以生成活性基之至少一種光起始劑。
在一些實例中，至少一種光起始劑包括：1-羥基-環己基-苯基-酮(184)；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1 (369)；聯苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦(TPO)；2-異丙基噻噸酮(ITX)；1-[4-(苯基硫代) 苯基]-1,2-辛烷二酮2-(O-苯甲醯基肟) (HRCURE-OXE01)；2,2-二甲氧基-1,2-聯苯基乙烷-1-酮(BDK)；過氧化苯甲醯(BPO)；羥基乙醯苯(HAP)；2-羥基-2-甲基丙醯苯(1173)；2-甲基-4'-(甲基硫代)-2-嗎啉基丙醯苯(907)；2-苄基-2-(二甲基胺基)-4'-嗎啉基丁醯苯(IHT-PI 910)；4-(二甲基胺基)苯甲酸乙基酯(EDB)；鄰苯甲醯苯甲酸甲酯(OMBB)；雙-(2,6 二甲氧基-苯甲醯)-苯基氧化膦(BAPO)；4-苯甲醯基-4’甲基聯苯基硫醚(BMS)；苯甲酮(BP)；1-氯-4-丙氧基噻噸酮(CPTX)；氯噻噸酮(CTX)；2,2-二乙氧基乙醯苯(DEAP)；二乙基噻噸酮(DETX)；苯甲酸2-二甲基胺基乙酯(DMB)；2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯苯(DMPA)；2-乙基蒽醌(2-EA)；對-N,N-二甲基-二甲基胺基苯甲酸乙酯(EDAB)；二甲基胺基苯甲酸2-乙基己酯(EHA)；4,4-雙-(二乙基胺基)-苯甲酮(EMK)；甲基苯甲酮(MBF)；4-甲基苯甲酮(MBP)；米其勒酮(MK)；2-甲基-1-[4(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基丙酮(1) (MMMP)；4-苯基苯甲酮(PBZ)；2,4,6-三甲基-苯甲醯基-乙氧基苯基氧化膦(TEPO)；或其組合。代表性光起始劑之結構展示於以下表I中。
184 369 TPO
ITX HRCURE-OXE01 BDK
BPO 3’-HAP 4’-HAP
表I
交聯劑
在一些實例中，聚合物摻合物包含與隔離聚合物摻合之OSC聚合物、經組態以生成活性基之至少一種光起始劑、及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑。
在一些實例中，交聯劑可為具有經由硫醇-烯點擊化學與隔離聚合物中之雙鍵反應之二或更多個硫醇基團的小分子或聚合物。在一些實例中，交聯劑可為具有經由加成反應與隔離聚合物中之雙鍵反應之二或更多個丙烯酸酯基團的小分子或聚合物。在一些實例中，交聯劑可為具有經由加成反應與隔離聚合物中之雙鍵反應之二或更多個乙烯基的小分子或聚合物。
在一些實例中，至少一種交聯劑包含：異氰酸三烯丙酯(TAIC)、三羥甲基丙烷巰基丙酸酯(TRIS)、 異氰酸烯丙酯                     TVE MAcBPA                   TPGDA HDDA                TEGDVE 三VE酯         四VE酯 三硫醇1                     四硫醇1 三硫醇2               四硫醇2 三硫醇3               四硫醇3 六硫醇 十六硫醇 AE1               AE2                AE3 AE4                  AE5 AE6 AE7
代表性交聯劑之結構展示於以下表II中。
TAIC TRIS
表II
聚合物摻合物
在一些實例中，包含OSC聚合物之裝置之效能可藉由將OSC聚合物與另一種聚合物摻合於一起來改善。在一些實例中，將OSC聚合物與隔離聚合物摻合於溶劑中。本文所揭示之OSC聚合物之一個優點在於，其可易於在非鹵化溶劑中加工。在一些實例中，非鹵化溶劑用於溶解OSC聚合物與隔離聚合物之混合物。在一些實例中，非鹵化溶劑為間 -二甲苯、鄰 -二甲苯、對 -二甲苯、甲苯、四氫萘、順式-十氫萘、反式-十氫萘、對稱三甲苯、環辛烷、雙環己基、或其組合。在一些實例中，可使用多於一種溶劑之混合物。
在一些實例中，隔離聚合物為聚苯乙烯，並且聚苯乙烯加上非鹵化溶劑能夠實現半導體之預聚集及更好對準。在一些實例中，隔離聚合物可為苯乙烯及其他單體之共聚物(例如苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、苯乙烯-丙烯酸酯等)。
在一些實例中，OSC聚合物與隔離聚合物之分子比率為95:5、90:10、85:15、80:20、75:25、70:30、65:35、60:40、55:45、50:50、45:55、60:40、65:35、70:30、75:25、80:20、85:15、90:10、95:5、或由彼等端點中之任何兩者限定之任何範圍。
在一些實例中，摻合物包含以下項中之至少一者：1重量%至99重量%、或5重量%至95重量%、或10重量%至90重量%範圍之OSC聚合物，諸如具有作為受體之DPP及作為施體之稠合噻吩的施體-受體-型OSC聚合物；1重量%至99重量%、或5重量%至95重量%、或10重量%至90重量%範圍之隔離聚合物，諸如具有來自主鏈或側鏈之自由基可固化位點或可易於在UV圖案化製程之前或原位 生成固化位點之隔離聚合物(例如含有C=C之聚合物，諸如SBS、SIS、SBR、某些丙烯酸聚合物等)；0.1重量%至5重量%範圍之光起始劑，諸如在UV暴露下生成活性自由基之彼等者(例如184、369、TPO、BPO、BDK等)；0.05重量%至5重量%範圍之交聯劑，諸如具有C=C鍵或硫醇作為固化位點之彼等者；及0.05重量%至5重量%範圍之添加劑，諸如抗氧化劑、潤滑劑、相容劑、調平劑等。
在一些實例中，摻合物包含以下項中之至少兩者：如上文所述之OSC聚合物、隔離聚合物、光起始劑、交聯劑、及添加劑。在一些實例中，摻合物包含以下項中之至少三者：如上文所述之OSC聚合物、隔離聚合物、光起始劑、交聯劑、及添加劑。在一些實例中，摻合物包含以下項中之至少四者：如上文所述之OSC聚合物、隔離聚合物、光起始劑、交聯劑、及添加劑。
OTFT 裝置製造
使用OTFT裝置之應用需要使有機半導體材料圖案化以預防相鄰裝置之間的非所欲高截止電流(off-current)及串電。如上文所解釋，光微影術為半導體裝置製造中之一般圖案化技術。然而，光微影術通常涉及可能嚴重損害OSC層且導致OTFT裝置性能顯著劣化的在圖案轉移或者光阻劑去除期間之苛刻O2 電漿及侵蝕性顯影溶劑。換言之，共軛有機材料傾向於在暴露於光時降解且光微影術中所用之化學物可對有機薄膜電晶體具有不良影響。因此，使用光微影術對有機半導體材料進行圖案化並不實際。此外，目前可用的具有光敏性側基之圖案化半導體聚合物需要耗時分子設計及合成。此些交聯聚合物亦可因聚合物交聯主鏈之有效共軛的減少而對OTFT裝置具有不良影響。
本申請案揭示與OSC聚合物摻合以實現OSC/隔離聚合物摻合物之UV圖案化以用於OTFT製造之光圖案化的包含C=C雙鍵之隔離聚合物。
硫醇-烯聚合為硫醇(例如OSC聚合物)與烯烴(例如隔離聚合物)之間的有機反應以形成硫化烷基。基於自由基之光起始劑形成當暴露於UV光時啟動光聚合之反應性自由基。這種類型的反應通常經由涉及啟動後之兩個步驟的自由基階式成長機制來進行，其中形成(反應1)中間體(例如以碳為中心之自由基)： 反應1：以碳為中心之自由基中間體形成
之後，在第一伸長步驟中，硫醇自由基加成到烯-官能基之碳(反應2)： 反應2：與C=C雙鍵之硫醇自由基反應 並且在第二伸長步驟中，藉由以碳為中心之自由基對硫醇基進行脫氫反應，形成了含硫自由基(反應3)： 反應3：脫氫反應
藉由自由基-自由基偶合發生終止(反應4A至4C)： 反應4A 反應4B 反應4C
藉由硫醇-烯反應進行之UV交聯可在空氣中有效進行，因為藉由對烷基進行O2 清除形成之過氧基自硫醇中萃取了氫原子。因此，在反應1之啟動步驟及反應2之第一伸長步驟之後，對烷基進行O2 清除能夠形成過氧基(反應5)： 反應5：對烷基進行O2 清除 使用過氧基自由基，接著自硫醇萃取氫原子(反應6)： 反應6：氫萃取
具體而言，光誘導之硫醇-烯反應促成均勻網狀結構，其確保內接圖案之高分辨率且允許奈米結構化聚合物網絡形成，其為電子組件(包括電阻器或電線)之有前景候選物。
第1A至1E圖繪示使用光阻劑之有機半導體摻合物之傳統圖案化技術100。在第一步驟(第1A圖)中，使摻合OSC聚合物之薄膜104沉積於基板102上方，隨後在第1B圖中在其上沉積光阻層106。視情況，可使薄膜104熱退火。光阻劑沉積可使用此項技術已知之製程諸如旋塗來進行。例如，將藉由在溶劑中溶解固體組分而變成液體形式之光阻劑倒入基板中，隨後在轉台上在高速下旋轉，從而產生所要膜。之後，所得抗蝕膜可經歷施用後烘烤製程(亦即軟烘烤或預烘烤)以去除過量溶劑乾燥光阻劑。
在第1C圖之步驟中，光阻層106暴露於穿過稱為光罩108且遠離光阻層106一定距離定位之母版的UV光112，以形成光阻層106之更高交聯部分110。暴露於UV光經操作以改變光阻劑在後續顯影劑溶劑溶液中之溶解度以用於在基板頂部形成圖案。在顯影劑前，抗蝕層可經歷暴露後烘烤。在第1D圖之步驟中，光阻層之圖案116經由消減型蝕刻114 (亦即O2 電漿乾燥蝕刻)轉移至薄膜104。圖案化光阻層116「抵抗」蝕刻且保護由光阻劑覆蓋之材料。當蝕刻完成時，剝離光阻劑(例如，使用有機或無機溶液，及乾燥(電漿)剝離)，使所要圖案118蝕刻成薄膜層。
然而，如上文所解釋，傳統光微影術製程諸如在圖案轉移期間之苛刻O2 電漿及侵蝕性光阻顯影劑溶劑及/或剝離溶劑之態樣可能嚴重損害OSC層且導致裝置效能顯著劣化。
第2A至2C圖繪示根據一些實施例之有機半導體摻合物之圖案化技術200。在第一步驟(第2A圖)中，使摻合OSC聚合物之薄膜204沉積於基板202上方。視情況，可使薄膜204熱退火。在一些實例中，沉積步驟包含以下項中之至少一者：旋塗；浸塗；噴塗；電沉積；凹凸面塗；電漿沉積；及輥塗、簾塗、及擠壓塗佈。
薄膜204經製備為上文所述之聚合物摻合物，其包含：與隔離聚合物摻合之有機半導體(OSC)聚合物；經組態以生成活性基之至少一種光起始劑；及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑，其中有機半導體聚合物為二酮吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中稠合噻吩為經β取代的，並且其中隔離聚合物具有非共軛主鏈。在一些實例中，摻合步驟包括以下步驟：將有機半導體聚合物溶解於第一有機溶劑中以形成第一溶液；將隔離聚合物溶解於第二有機溶劑中以形成第二溶液；將第一溶液與第二溶液合併以形成聚合物摻合物。有機半導體聚合物可在高溫(例如120℃)下在第一溶液中溶解隔夜；然而，隔離聚合物可在長期攪拌期間在此高溫下分解。因此，單獨製備第一溶液及第二溶液且隨後合併。在合併後，將交聯劑及光起始劑作為固體或作為含有此兩種組分之第三溶液添加到合併溶液中。
在一些實例中，OSC聚合物以1重量%至99重量%、或5重量%至95重量%、或10重量%至90重量%之範圍存在；隔離聚合物以1重量%至99重量%、或5重量%至95重量%、或10重量%至90重量%之範圍存在；至少一種光起始劑以0.1重量%至5重量%之範圍存在；以及至少一種交聯劑以0.05重量%至10重量%之範圍存在。在一些實例中，OSC聚合物以10重量%至50重量%、或10重量%至30重量%之範圍存在。在一些實例中，至少一種光起始劑以0.1重量%至2.0重量%、或0.1重量%至1.0重量%之範圍存在；以及至少一種交聯劑以0.3重量%至5.0重量%之範圍存在。在一些實例中，抗氧化劑、潤滑劑、相容劑、或調平劑中之至少一者以0.05重量%至5重量%之範圍存在。
在一些實例中，在使摻合OSC聚合物之薄膜沉積於基板上方之後且在使薄膜暴露於UV光之前，可在50℃至200℃範圍之溫度下加熱此薄膜達10 s至10 min範圍之時間以去除過量溶劑。
在第二步驟(第2B圖)中，使薄膜204暴露於穿過光罩206之UV光208以形成薄膜204之更高交聯部分210。在一些實例中，暴露步驟包含使薄膜暴露於具有10 mJ/cm2 至600 mJ/cm2 範圍(例如400 mJ/cm2 )之能量的UV光達1 s至60 s範圍(例如10 s)之時間。在一些實例中，UV光可具有300 mJ/cm2 至500 mJ/cm2 範圍之能量且可操作達5 s至20 s範圍之時間。
類似於第1A至1E圖中所述之光阻功能，暴露於UV光之步驟經操作以改變薄膜在後續顯影劑溶劑溶液中之溶解度以用於在基板頂部形成圖案。薄膜之內部光固化機制基於自由基起始劑及如反應1至6所述之作為固化位點之C=C雙鍵/硫醇來進行。與藉由光酸產生劑(PAG)啟動之陽離子交聯不同，自由基起始劑與來自周圍環境之少量濕氣及水分相容。
在第2C圖之步驟中，當光暴露完成時，使用預定溶劑212剝離薄膜204之未暴露於UV光208之部分，從而留下所要圖案214到薄膜層中。換言之，在溶劑中顯影較高交聯部分210以去除薄膜204之未圖案化區域。在一些實例中，顯影步驟包含使薄膜之未圖案化區域暴露於包含以下項之溶劑達10 s至10 min範圍之時間：氯苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、二噁烷、對-二甲苯、間-二甲苯、甲苯、環戊酮、環己酮、乳酸甲酯、2-丁酮、2-戊酮、3-戊酮、2-庚酮、3-庚酮、苯甲醚、對稱三甲苯、十氫萘、丁基苯、環辛烷、四氫萘、氯仿、或其組合。在一些實例中，顯影劑溶液包含氯苯、對-二甲苯、二噁烷、或其組合。
在一些實例中，在使圖案化薄膜在溶劑中顯影以去除薄膜之未圖案化區域之後，可在50℃至200℃範圍之溫度下加熱薄膜達10 s至30 min範圍之時間。
之後，OTFT裝置可藉由以下方式來完成：在基板上方形成圖案化閘電極；在基板上方形成圖案化閘介電層；在閘介電層上方形成圖案化源電極及汲電極；在源電極及汲電極及閘介電層上方形成圖案化有機半導體活性層；及在圖案化有機半導體活性層上方形成絕緣體層。(第3圖)。實例
本文所述之實施例將藉由以下實例進一步闡明。
實例 1 ：具有作為光起始劑之 369 及 / 或 ITX 及作為交聯劑之 TRIS 的 OSC/SBS 摻合物之光圖案化
未使用光阻劑即直接使OSC/SBS摻合物薄膜光圖案化。藉由首先旋塗到基板上且隨後暴露於經由光罩之UV光來形成圖案化薄膜。使膜之暴露區域交聯，同時藉由顯影溶劑去除未暴露區域(保持未交聯且可溶)，從而以負光度方式將光罩之圖案轉移至膜。
在一個實例中，將0.03克具有式4結構之OSC聚合物及0.07克苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)隔離聚合物單獨溶解於10 mL對二甲苯中，在室溫下攪拌2 h，並且隨後混合，以製備10 mg/mL溶液。接著，將1重量% (0.001克)三羥甲基丙烷巰基丙酸酯(TRIS) (CAS號33007-83-9)交聯劑、1重量% (0.001克) 2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉苯基)丁酮(369) (CAS號119313-12-1)光起始劑、及視情況1重量% (0.001克) 2-異丙基噻噸酮(ITX) (CAS號5495-84-1)光起始劑添加到OSC聚合物/SBS隔離聚合物溶液，並且攪拌2 min。
將溶液旋塗在基板上且在空氣中預烘烤，並且隨後在空氣中暴露於穿過光罩之365 nm UV光。之後，將膜浸漬在對-二甲苯顯影劑溶液中且在空氣中進行後烘烤。由於以上製程，在不使用光阻劑之情況下，製備圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物為用於OTFT之半導體層。製備條件概述於表1中，其中樣品1包括369及ITX光起始劑二者且樣品2僅包括369光起始劑。
樣品 1 2
式4 OSC聚合物(g) 0.03
SBS (g) 0.07
對-二甲苯(mL) 10
攪拌2 h RT
TRIS (g) (重量%) 0.001 (1%)
369 (g) (重量%) 0.001 (1%)
ITX (g) (重量%) 0.001 (1 %) ---
圖案化？ 是
表1
實例 2 ：具有不同光起始劑及作為交聯劑之 TRIS 的 OSC/SBS 摻合物之光圖案化
製備OSC/SBS摻合物薄膜且與實例1所述之製程類似地進行光圖案化，其光起始劑及濃度不同。製備條件概述於表2中。樣品3包括TPO光起始劑，樣品4a及4b分別包括0.5重量%及0.8重量% 369光起始劑，及樣品5a-5d分別包括0.3重量%、0.5重量%、0.8重量%、及1重量% HRCURE-OXE01光起始劑。
樣品 3 4a 4b 5a 5b 5c 5d
式4 OSC聚合物(g) 0.03
SBS (g) 0.07
對-二甲苯(mL) 10
攪拌隔夜 RT
TRIS (重量%) 1%
TPO (重量%) 1% --- ---
369 (重量%) --- 0.5% 0.8% ---
HRCURE-OXE01 (重量%) --- --- 0.3% 0.5% 0.8% 1%
圖案化？ 第4A圖 第4B圖 第4C圖 第4D圖 第4E圖 第4F圖 第4G圖
表2
在表2之光圖案化條件下，UV暴露能量由於光起始劑效率增加而減小，諸如HRCURE-OXE01及TPO。據觀測，未暴露區域中之未交聯SBS選擇性溶解且高比率交聯劑可在摻合聚合物膜之暴露部分中誘導更高光交聯度。此外，在逐漸增加比率之HRCURE-OXE01及369之情況下光圖案化膜之色比更大(參見第4B至4G圖)。因此，在不使用光阻劑之情況下，製備圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物作為用於OTFT之半導體層。
實例 3 ：具有不同顯影劑之 OSC/SBS 摻合物之光圖案化
製備OSC/SBS摻合物薄膜且與實例1所述之製程類似地進行光圖案化，其OSC聚合物及顯影劑溶液不同。製備條件概述於表3中。樣品6a及6b二者包括式3及式4 OSC聚合物分別與氯苯/1,4-二噁烷及對-二甲苯/1,4-二噁烷顯影劑溶液之混合物。樣品7a及7b二者包括式4 OSC聚合物分別與氯苯/1,4-二噁烷及對-二甲苯/1,4-二噁烷顯影劑溶液之混合物。
樣品 6a 6b 7a 7b
OSC (g) 式3/式4 OSC聚合物(0.009/0.021) 式4 OSC聚合物(0.03)
SBS (g) 0.07
氯苯(mL) 10
攪拌隔夜 RT
TRIS (重量%) 1%
HRCURE-OXE01 (重量%) 0.8%
浸漬 氯苯/二噁烷 對-二甲苯/二噁烷 氯苯/二噁烷 對-二甲苯/二噁烷
圖案化？ 第5A圖 (7/3) 第5B圖 (8/2) 第5C圖 (9/1) 第5D圖 (7/3) 第5E圖 (8/2) 第5F圖 (7/3) 第5G圖 (7/3)
表3
在表3之光圖案化條件下，研究氯苯/1,4-二噁烷及對-二甲苯/1,4-二噁烷溶劑混合物作為顯影劑。第5A至5C圖繪示具有氯苯/1,4-二噁烷顯影劑之樣品6a及6b之色比(具有比率7/3 (第5A圖)、8/2 (第5B圖)、及9/1 (第5C圖))，並且第5D及5E圖繪示具有對-二甲苯/1,4-二噁烷顯影劑之樣品6a及6b之色比(具有比率7/3 (第5D圖)、及8/2 (第5E圖))。第5F圖繪示具有氯苯/1,4-二噁烷顯影劑之樣品7a及7b之色比(具有比率7/3)，並且第5G圖繪示具有對-二甲苯/1,4-二噁烷顯影劑之樣品7a及7b之色比(具有比率7/3)。
據觀測在氯苯比率減小(亦即，更小)之情況下，光圖案化膜之色比更大(例如比較第5A圖與第5C圖)。亦據觀測在對-二甲苯比率減小(亦即，更小)之情況下，光圖案化膜之色比更大(例如比較第5D圖與第5E圖)。添加1,4-二噁烷減小了OSC於溶劑混合物中之溶解度且導致更多OSC保留在基板上。
實例 4 ： OSC/SBS 摻合物系統之裝置效能
第3圖繪示典型底部-閘底部-接觸OTFT之結構。將如本文所述之光交聯OSC/SBS摻合物膜作為有機半導體層併入到底部-閘底部-接觸OTFT中。使閘電極(例如金，Au)圖案化。在一些實例中，旋塗環氧化物閘絕緣體層且穿過光罩進行光圖案化。使源極/汲極(例如Au)圖案化。隨後將OSC/SBS摻合物溶液旋塗在基板上，在空氣中預烘烤，且隨後在空氣中暴露於穿過光罩之365 nm UV光。之後，將膜浸漬在對二甲苯顯影劑溶液中且在空氣中進行後烘烤。
第6圖比較如上文所製備及表4所概述之不同OTFT裝置的電特性。
樣品 8 9 10 11
式4 OSC聚合物： SBS 3:7
TRIS (重量%) 1% 1% 2% 1%
369 (重量%) 1%
ITX (重量%) 1% --- --- 1%
濃度(mg/mL) 10 20 20 20
裝置效能 弱 無 弱 無
表4
當溶液濃度為20 mg/mL (樣品10)時，在具有2重量% TRIS及1重量% 369之情況下，『開啟(On)』電流為0.6 nA (Vg = -15V)。當溶液濃度為10 mg/mL (樣品8)時，在具有1重量% TRIS、1重量% 369、及1重量% ITX之情況下，『開啟』電流為9 nA (Vg = -15V)。開啟-關閉電流比率為10-2 -10-3 ，其中開啟電壓範圍為-5V至5V。
第7圖比較如上文所製備及表5所概述之不同OTFT裝置的電特性。本文提供底部閘底部接觸OTFT之製造製程。光起始劑在UV光暴露下分解成活性基，其可誘導光聚合/交聯。研究不同光起始劑對裝置效能之影響。樣品12-14在空氣中暴露於穿過光罩之365 nm UV光(具有不同光起始劑)。樣品16及17在空氣中暴露於無光罩之365 nm UV光下(樣品16亦未以顯影溶劑浸漬)。樣品15未暴露於UV光下，亦未以顯影溶劑浸漬。
樣品 12 13 14 15 16 17
式4 OSC聚合物：SBS 3:7
TRIS (重量%) 1%
TPO (重量%) 0.8% --- --- --- --- ---
HRCURE-OXE01 (重量%) --- 0.5% --- 0.8% 0.8% 0.8%
369 (重量%) --- --- 0.8% --- --- ---
UV (365 nm，空氣)? 光罩 否 無光罩
浸漬於對-二甲苯？ 是 否 否 是
表5
在交聯劑(TRIS)相同且光起始劑不同(對於樣品12為TPO；對於樣品13及15-17為HRCURE-OXE01；且對於樣品14為369)之情況下，『開啟』電流為0.079 nA至24 nA (Vg = -15V)。開啟-關閉電流比率為10-2 -10-3 ，其中開啟電壓範圍為-5V至5V。
第8圖比較以OSC聚合物層製備、以顯影劑混合物剝離之底部-閘底部-接觸OTFT裝置之電特性。OSC聚合物膜在空氣中暴露於穿過光罩之365 nm UV光且隨後浸漬於包含氯苯及1,4-二噁烷之溶劑混合物中以顯影。表6概述製備程序。
樣品 18
式4 OSC聚合物：SBS (g) 0.03:0.07
氯苯(mL) 10
TRIS (重量%) 1%
HRCURE-OXE01 (重量%) 0.8%
浸漬 氯苯/二噁烷(7:3)
表6
當在混合溶劑中顯影時，尤其當『開啟』電流增加至181-438 nA (Vg = -15V)時，裝置效能顯著改善(如第8圖所示)。為了增加『開啟』電流(Vg = -15V)，研究溶劑混合物作為顯影劑。氯苯為OSC及SBS之良溶劑，而1,4-二噁烷為SBS之良溶劑，但為OSC之差溶劑。因此，與僅使用對二甲苯作為顯影劑之情況相比，更多OSC將保留在摻合膜中。至少出於此原因，當在混合溶劑中顯影時(對比在對於OSC及SBS而言良好的單一溶劑(例如氯苯)中)，裝置效能顯著改善。與先前實例(例如樣品12-14)相比，樣品18展示改善的裝置效能，尤其對於『開啟』電流而言。測試許多裝置(B1-4、B2-1、D1-1、及D2-4)且確認再現性。
實例 5 ： UV- 圖案化製程及 OTFT 製造程序
用於OSC/隔離聚合物摻合物之一般UV圖案化製程
在一些實例中，製程包含以下步驟：在溶液1中，將OSC聚合物溶解於適合有機溶劑中。為了確保完全溶解，可將混合物在高溫下加熱。例如，可將式4 OSC聚合物在120℃下溶解於對-二甲苯中達16 h。在溶液2中，將隔離聚合物以與OSC聚合物相同之溶劑溶解且在20-25℃下攪拌若干小時以確保完全溶解。隨後將溶液1及溶液2合併且隨後添加至少一種光起始劑、交聯劑及其他添加劑，進一步攪拌至合併若干分鐘以確保完全溶解。接著可在基板上沉積此合併物且隨後旋塗以獲得厚度10 nm至200 nm之聚合物膜(Schwan Technology® Easy Coater 6)。可使用共焦層掃描顯微鏡(CLSM) (Keyence Corporation® VK-X260K)來表徵旋塗薄膜之形態。
可在空氣中在高溫下烘烤此膜若干分鐘，例如在100℃下烘烤4 min，且隨後暴露於使用光罩之平行UV光，以使膜圖案化。在暴露後，將膜浸漬於適合顯影劑溶劑或溶劑混合物中以沖洗掉未圖案化區域。在以空氣吹幹圖案化膜之後，將圖案化膜再次在空氣中在高溫下烘烤若干分鐘，例如在100℃下烘烤10 min。
OTFT裝置之一般製造程序
在一些實例中，可如下形成底部閘底部接觸OTFT裝置：使金(Au)或銀(Ag)閘電極圖案化到基板上，隨後將介電質旋塗到基板上且處理以獲得閘介電層。在使Au或Ag源電極及汲電極圖案化後，可藉由如本文所述之圖案化材料及方法形成OSC層至10 nm至200 nm範圍之厚度。最後，定位絕緣體層。所形成OTFT裝置之一個實例展示於第3圖中。
因此，如本文所提供，揭示了經改善UV圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物及其用於有機薄膜電晶體之OSC層的用途以及製造包含UV圖案化摻合物之OTFT裝置之方法。
UV圖案化有機半導體/隔離聚合物摻合物及其製造方法之優點包括：(1)在空氣中直接進行圖案化，這是用於基於圖案化聚合物膜低成本製造OTFT裝置之工業應用高度希望的；(2)在產生具有高分辨率(例如10 µm × 10 µm)之微圖案化膜之條件(例如功率、時間等)下高度有效圖案化；及(3)使UV-可固化OSC摻合物直接圖案化以避免使用光阻劑，從而得到更有效且環境良性製程。UV圖案化之額外優點包括：(1)與使用超過80重量%之傳統方法相比，使用減少量的OSC聚合物(例如至10重量%至50重量%、或甚至10重量%至30重量%之範圍)，從而減少OTFT製造之材料成本；及(2)使用減少量的交聯劑及光起始劑(例如分別至1重量%與0.8重量%之範圍)，以使對OTFT裝置效能之不良副作用最小化。
此外，可調整OSC聚合物/隔離聚合物摻合物之UV圖案化。例如，UV圖案化調配物可經修改為具有(1)不同類型的基於施體-受體結構之OSC；及(2)不同類型及負載量之隔離聚合物、光起始劑、及交聯劑。亦可調整UV圖案化製程。例如，此製程可經修改為具有(1)UV燈之改變的UV暴露時間、波長、及功率；(2)旋塗及浸漬中用於達成所要UV圖案化之溶劑(例如單一溶劑或溶劑混合物)之改變的選擇；及(3)有助於獲得最佳OTFT效能之預烘烤及後烘烤步驟之改變的時間及溫度。
如本文所用，術語「大約」、「約」、「實質上」、及類似術語旨在具有與熟悉本揭露之主題所涉及之技術者常用且接受之用途一致之廣泛含義。熟悉此項技藝者查看本揭露應理解，此些術語旨在允許描述所述且主張之某些特性，而不會限制此些特性之範圍為所提供之精確數值範圍。因此，此些術語應理解為指示所述且主張之主題的虛幻或不合理修改或改變被認為處於本發明之所附申請專利範圍所述之範圍。
如本文所用，「可選」、「視情況」或類似術語旨在意謂隨後描述之事件或情況可能發生或可能不發生，且此描述包括事件或情況發生之實例及事件或情況未發生之實例。除非另外指示，否則如本文所用之不定冠詞「一(a/an)」及其對應定冠詞「該(the)」意指至少一個或一或多個。
本文提及元件之位置(例如「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」等)僅用於描述圖式中各元件之取向。應注意各元件之取向可根據其他示範性實施例而不同，且此等改變旨在由本揭露所涵蓋。
關於在本文中使用實質上任何複數及/或單數術語，熟悉此項技藝者可在上下文及/或應用適合時自複數轉換成單數及/或自單數轉換成複數。為了清晰起見，可在本文中明確陳述各種單數/複數變換。
熟習此項技藝者顯見在不背離主張之主題之精神或範疇之情況下，可做出各種修飾及變化。因此，除了根據所附申請專利範圍及其等效物，主張之主題不欲為限制性的。
100:傳統圖案化技術 102:基板 104:薄膜 106:光阻層 108:光罩 110:更高交聯部分 112:UV光 114:消減型蝕刻 116:光阻層之圖案 118:所要圖案 200:圖案化技術 202:基板 204:薄膜 206:光罩 208:UV光 210:更高交聯部分 212:預定溶劑 214:所要圖案
本揭露將結合附圖由以下實施方式得到更充分地理解，在圖式中：
第1A至1E圖繪示使用光阻劑之有機半導體摻合物之傳統圖案化技術。
第2A至2C圖繪示根據一些實施例之有機半導體摻合物之圖案化技術。
第3圖繪示根據一些實施例之示範性OTFT裝置。
第4A至4G圖繪示根據一些實施例之具有不同比率光起始劑的有機半導體摻合物之圖案化。
第5A至5G圖繪示根據一些實施例之具有不同比率有機溶劑混合物的有機半導體摻合物之圖案化。
第6圖繪示根據一些實施例之具有不同比率添加劑及溶液濃度之OTFT裝置效能。
第7圖繪示根據一些實施例之具有不同起始劑及處理之OTFT裝置效能。
第8圖繪示根據一些實施例之具有不同混合顯影溶劑之OTFT裝置效能。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:傳統圖案化技術
102:基板
104:薄膜
106:光阻層
108:光罩
110:更高交聯部分
112:UV光
114:消減型蝕刻
116:光阻層之圖案
118:所要圖案

Claims (19)

  1. 一種聚合物摻合物，包含：與一隔離聚合物摻合之一有機半導體聚合物；經組態以生成活性基之至少一種光起始劑；以及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑，其中該有機半導體聚合物為一二酮吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料，其中該稠合噻吩為經β取代的，其中該隔離聚合物包含C=C雙鍵及一非共軛主鏈，並且其中該有機半導體聚合物以1重量%至99重量%之一範圍存在，該隔離聚合物以1重量%至99重量%之一範圍存在，該至少一種光起始劑以0.1重量%至5重量%之一範圍存在以及該至少一種交聯劑以0.05重量%至10重量%之一範圍存在。
  2. 如請求項1所述之聚合物摻合物，其中：該有機半導體聚合物以10重量%至50重量%之一範圍存在。
  3. 如請求項1所述之聚合物摻合物，其中：該至少一種光起始劑以0.1重量%至2.0重量%之一範圍存在；以及該至少一種交聯劑以0.3重量%至5.0重量%之一範圍存在。
  4. 如請求項1所述之聚合物摻合物，進一步包含：抗氧化劑、潤滑劑、相容劑、或調平劑中之至少一者，其以0.05重量%至5重量%之一範圍存在。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之聚合物摻合物，其中該有機半導體聚合物包含式1或式2重複單元、或其鹽、異構物、或類似物：
    Figure 108136220-A0305-02-0051-1
    Figure 108136220-A0305-02-0051-2
     其中在式1及式2中： m為大於或等於一之一整數；n為0、1、或2；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、及R8可獨立地為氫、經取代或未經取代之C4或更大烷基、經取代或未經取代之C4或更大烯基、經取代或未經取代之C4或更大炔基、或C5或更大環烷基；a、b、c、及d獨立地為大於或等於3之整數；e及f為大於或等於零之整數；X及Y獨立地為共價鍵、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、視情況經取代之稠合芳基或稠合雜芳基、炔烴或烯烴；以及A及B可獨立地為S或O，前提條件為：i. R1或R2中之至少一者；R3或R4中之一者；R5或R6中之一者；及R7或R8中之一者為經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之炔基、或環烷基；ii. 若R1、R2、R3、或R4中之任一者為氫，則R5、R6、R7、或R8均不為氫；iii. 若R5、R6、R7、或R8中之任一者為氫，則R1、R2、R3、或R4均不為氫；iv. e及f二者不可均為0；v. 若e或f為0，則c及d獨立地為大於或等於5 之整數；以及vi. 該聚合物具有一分子量，其中該聚合物之該分子量大於10,000。
  6. 如請求項1至4中任一項所述之聚合物摻合物，其中該隔離聚合物為以下項中之至少一者：聚丙烯腈(PAN)、聚氯乙烯(PVC)、聚二氟亞乙烯(PVDF)、經烷基取代之聚丙烯睛(R-PAN)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠(SBR)、聚苯乙烯-共-丙烯腈、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚磺酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚醯胺、聚苯硫醚、聚甲基丙烯酸甲酯-嵌段-聚丙烯酸丁酯(PMMA-b-PBA)、或其衍生物、其共聚物及其混合物。
  7. 如請求項1至4中任一項所述之聚合物摻合物，其中該隔離聚合物包含一不飽和C=C主鏈。
  8. 如請求項1至4中任一項所述之聚合物摻合物，其中該至少一種光起始劑包含：1-羥基-環己基-苯基-酮(184)；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1(369)；聯苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯 基)氧化膦(TPO)；2-異丙基噻噸酮(ITX)；1-[4-(苯基硫代)苯基]-1,2-辛烷二酮2-(O-苯甲醯基肟)(HRCURE-OXE01)；2,2-二甲氧基-1,2-聯苯基乙烷-1-酮(BDK)；過氧化苯甲醯(BPO)；羥基乙醯苯(HAP)；2-羥基-2-甲基丙醯苯(1173)；2-甲基-4'-(甲基硫代)-2-嗎啉基丙醯苯(907)；2-苄基-2-(二甲基胺基)-4'-嗎啉基丁醯苯(IHT-PI 910)；4-(二甲基胺基)苯甲酸乙酯(EDB)；鄰苯甲醯苯甲酸甲酯(OMBB)；雙-(2,6二甲氧基-苯甲醯)-苯基氧化膦(BAPO)；4-苯甲醯基-4’甲基聯苯基硫醚(BMS)；苯甲酮(BP)；1-氯-4-丙氧基噻噸酮(CPTX)；氯噻噸酮(CTX)；2,2-二乙氧基乙醯苯(DEAP)；二乙基噻噸酮(DETX)；苯甲酸2-二甲基胺基乙酯(DMB)；2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯苯(DMPA)；2-乙基蒽醌(2-EA)；對-N,N-二甲基-二甲基胺基苯甲酸乙酯(EDAB)；二甲基胺基苯甲酸2-乙基己酯(EHA)；4,4-雙-(二乙基胺基)-苯甲酮(EMK)；甲基苯甲酮(MBF)；4-甲基苯甲酮(MBP)；米其勒酮(MK)；2-甲基-1-[4(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基丙酮(1)(MMMP)；4-苯基苯甲酮(PBZ)；2,4,6-三甲基-苯甲醯基-乙氧基苯基氧化膦(TEPO)；或其組合。
  9. 如請求項1至4中任一項所述之聚合物摻合物，其中該至少一種交聯劑包含：異氰酸三烯丙酯(TAIC)、三羥甲基丙烷巰基丙酸酯(TRIS)、
    Figure 108136220-A0305-02-0055-3
    Figure 108136220-A0305-02-0056-4
    Figure 108136220-A0305-02-0057-5
     AE6
    Figure 108136220-A0305-02-0058-6
  10. 一種形成一有機半導體裝置之方法，該方法包含以下步驟：將一有機半導體聚合物與一隔離聚合物摻合於一有機溶劑中以形成一聚合物摻合物；使該聚合物摻合物之一薄膜沉積於一基板上方；使該薄膜暴露於使用一光罩之UV光以形成一圖案化薄膜；以及在一溶劑中顯影該圖案化薄膜以去除該薄膜之一未圖案化區域，其中該有機半導體聚合物為一二酮吡咯并吡咯-稠 合噻吩聚合材料，其中該稠合噻吩為經β取代的，其中該隔離聚合物具有一非共軛主鏈以及該隔離聚合物包含C=C雙鍵或經組態以生成C=C雙鍵，並且其中該有機半導體聚合物以1重量%至99重量%之一範圍存在以及該隔離聚合物以1重量%至99重量%之一範圍存在。
  11. 如請求項10所述之方法，進一步包含以下步驟：在該沉積與暴露之間在50℃至200℃之一範圍之一溫度下第一次加熱該薄膜達10s至10min之一範圍之一時間。
  12. 如請求項11所述之方法，進一步包含以下步驟：在該顯影之後在50℃至200℃之一範圍之一溫度下第二次加熱該圖案化薄膜達10s至30min之一範圍之一時間。
  13. 如請求項10所述之方法，其中該摻合包含以下步驟：將該有機半導體聚合物溶解於一第一有機溶劑中以形成一第一溶液；將該隔離聚合物溶解於一第二有機溶劑中以形成一第二溶液； 將該第一溶液與該第二溶液合併以形成一聚合物摻合物。
  14. 如請求項10所述之方法，其中該聚合物摻合物進一步包含：經組態以生成活性基之至少一種光起始劑；以及包含C=C鍵、硫醇、或其組合之至少一種交聯劑，其中該至少一種光起始劑以0.1重量%至5重量%之一範圍存在以及該至少一種交聯劑以0.05重量%至10重量%之一範圍存在。
  15. 如請求項10所述之方法，其中該沉積步驟包含以下步驟中之至少一者：旋塗；浸塗；噴塗；電沉積；凹凸面塗；電漿沉積；及輥塗、簾塗、及擠壓塗佈。
  16. 如請求項10所述之方法，其中該暴露步驟包含以下步驟：使該薄膜暴露於具有10mJ/cm2至600mJ/cm2之一範圍之一能量的UV光達1s至60s之一範圍之一時間。
  17. 如請求項10所述之方法，其中該顯影步驟包含以下步驟：使該薄膜之該未圖案化區域暴露於包含以下項之一溶劑達10s至10min之一範圍之一時間：氯苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、 二噁烷、對-二甲苯、間-二甲苯、甲苯、環戊酮、環己酮、乳酸甲酯、2-丁酮、2-戊酮、3-戊酮、2-庚酮、3-庚酮、苯甲醚、對稱三甲苯、十氫萘、丁基苯、環辛烷、四氫萘、氯仿，或其組合。
  18. 如請求項12所述之方法，進一步包含以下步驟：在該基板上方形成一閘電極；在該基板及該閘電極上方形成一閘介電層；在該閘介電層上方形成一圖案化源極及汲極層；以及在該圖案化源極及汲極層上方形成一絕緣體層。
  19. 如請求項10至18中任一項所述之方法，其中該隔離聚合物包含一不飽和C=C主鏈或經組態以在該UV光暴露之前或期間生成C=C主鏈。
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