TWI826654B - 背面研磨用黏著薄片及半導體晶圓之製造方法 - Google Patents

背面研磨用黏著薄片及半導體晶圓之製造方法 Download PDF

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津久井友也
金井朋之
齊藤岳史
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日商電化股份有限公司
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Abstract

提供一種背面研磨用黏著薄片，能夠在適當保護設於半導體晶圓的凸部的同時適當進行背面研磨。 根據本發明，可提供一種黏著薄片，其係具有凸部的半導體晶圓的背面研磨用黏著薄片，其具備非黏著性的墊層、以及設於前述墊層上的黏著劑層，前述黏著劑層具有直徑小於前述半導體晶圓直徑的開口部，使前述半導體晶圓的外周部貼合於前述黏著劑層而使前述半導體晶圓的凸部配置於前述開口部內，在前述半導體晶圓貼合於前述黏著劑層的狀態下，被構成為前述凸部被前述墊層所保護，滿足以下條件(1)~(2)中至少一項： (1)前述墊層是使用根據JIS Z 1702之啞鈴進行衝孔，被構成為以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力為2~30N/10mm； (2)前述墊層是由熔體流動速率(JIS K 7210、125℃/10.0kg荷重)為0.2~30g/10min、熔點為60~110℃的熱塑性樹脂構成。

Description

背面研磨用黏著薄片及半導體晶圓之製造方法
本發明係關於背面研磨用黏著薄片及使用其之半導體晶圓之製造方法。
在處理半導體晶圓時，會貼合黏著薄片以保護其免受損壞。例如，當處理半導體晶圓時的背面研磨(背磨)步驟，貼合黏著薄片，而保護圖案面。從對具有突出電極(凹凸)等凹凸的圖案面的黏著性、以及圖案面的保護的可靠性的觀點而言，要求黏著薄片對圖案面的凹凸具有追隨性(台階追隨性)。
為了使黏著薄片具有追隨性，在市場上通常是增加黏著劑的厚度或在基材膜和黏著劑之間設置具有緩衝性能的柔軟樹脂層，但是圖案面如果不規則性較大，則缺乏追隨性的風險和殘留黏著劑的風險會增加。
在專利文獻1中，黏著薄片被構成為在基材片的一面上具有直徑比要貼附的半導體晶圓的外徑還小的非黏著部、和圍繞該非黏著部的黏著部，藉由將黏著部在23℃的黏著力設定為500mN以上，而防止黏著劑的殘留，並且防止保護功能的降低。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1　日本專利特開2013-211438號公報
[發明所欲解決的問題]
專利文獻1的構成中，是在僅使設於半導體晶圓的突出電極的前端抵接於基材薄片的狀態下，進行半導體晶圓的背面研磨，故背面研磨時過大的負載施加於突出電極，而有突出電極受損的疑慮。
本發明是鑑於這樣的情況而完成的，以提供一種背面研磨用黏著薄片，能夠在適當保護設於半導體晶圓的凸部的同時適當進行背面研磨。 [解決問題的手段]
根據本發明，可提供一種黏著薄片，其係具有凸部的半導體晶圓的背面研磨用黏著薄片，其具備非黏著性的墊層、以及設於前述墊層上的黏著劑層，前述黏著劑層具有直徑小於前述半導體晶圓直徑的開口部，使前述半導體晶圓的外周部貼合於前述黏著劑層而使前述半導體晶圓的凸部配置於前述開口部內，在前述半導體晶圓貼合於前述黏著劑層的狀態下，被構成為前述凸部被前述墊層保護，滿足以下條件(1)~(2)中至少一項： (1)前述墊層是使用根據JIS Z 1702之啞鈴進行衝孔，被構成為以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力為2~30N/10mm； (2)前述墊層是由熔體流動速率(JIS K 7210、125℃/10.0kg荷重)為0.2~30g/10min、熔點為60~110℃的熱塑性樹脂構成。
本發明人等進行了認真研究，發現在黏著薄片的墊層的拉伸應力屬於上述範圍或構成黏著薄片的墊層的熱塑性樹脂的MFR及黏度屬於上述範圍的前提下，將半導體晶圓的外周部貼合於黏著劑層而使半導體晶圓的凸部配置於黏著劑層的開口部內，且在用墊層保護半導體晶圓的凸部的狀態下進行背面研磨，藉此可在適當保護設於半導體晶圓的凸部的同時適當進行背面研磨，從而完成了本發明。
以下例示本發明的各種實施形態。以下示出的實施形態可以相互結合。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述凸部藉由埋入前述墊層而受保護。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述半導體晶圓是在減壓下貼合於前述黏著劑層。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述墊層的厚度為50~300μm、前述黏著劑層的厚度為1~100μm。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，在前述墊層側積層硬化性樹脂和支撐膜而使用。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述硬化性樹脂的硬化前黏度為100~3000mPa･s、前述硬化性樹脂的硬化後的蕭氏D硬度為5~72。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，若前述凸部的高度為Td(μm)，則前述硬化性樹脂的厚度為(Td+20)~(Td+200)μm。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述黏著薄片具備含有前述硬化性樹脂的硬化性樹脂層、和前述支撐膜，前述硬化性樹脂層在前述黏著劑層的相反側面設於前述墊層和前述支撐膜之間。 較佳的是如前述記載之黏著薄片，其中，前述黏著薄片具備以圍繞前述硬化性樹脂層的方式設置的硬化樹脂層。 較佳的是一種半導體晶圓之製造方法，其係使用如前述記載之黏著薄片的半導體晶圓之製造方法，其具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、切斷步驟、樹脂硬化步驟、研磨步驟、剝離步驟，在前述框貼附步驟，將前述黏著薄片貼附於環形框，在前述晶圓貼附步驟，在設有前述半導體晶圓的凸部的面將前述黏著薄片在減壓下貼附於半導體晶圓的外周部，在前述切斷步驟，沿著前述半導體晶圓的外周切斷前述黏著薄片，在前述樹脂硬化步驟，使前述墊層抵接於硬化性樹脂的狀態下硬化前述硬化性樹脂，在前述研磨步驟，研磨前述半導體晶圓的背面，在前述剝離步驟，從前述半導體晶圓剝離前述黏著薄片，滿足以下條件(A)~(B)中至少一項：(A)滿足前述條件(1)；(B)滿足前述條件(2)且具備將前述墊層加溫至60~150℃的加溫步驟。 較佳的是如前述記載之半導體晶圓之製造方法，其中，前述墊層是使用根據JIS Z 1702之啞鈴進行衝孔，被構成為以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力為2~30N/10mm。 較佳的是如前述記載之半導體晶圓之製造方法，其中，前述硬化性樹脂的硬化前黏度為100~3000mPa･s、前述硬化性樹脂的硬化後的蕭氏D硬度為5~72。 較佳的是如前述記載之半導體晶圓之製造方法，其中，在前述晶圓貼附步驟與前述樹脂硬化步驟之間具備按壓步驟，在前述按壓步驟，使前述黏著薄片與供給於支撐膜上的前述硬化性樹脂在面對面的狀態下，使前述黏著薄片移動藉此拉開前述硬化性樹脂。
[具體實施形態]
以下說明本發明的實施形態。以下示出的實施形態中的各種特徵事項可以互相組合。並且，各特徵事項可獨立地使發明成立。
1.第1實施形態 1-1.黏著薄片 用圖1A~圖2E說明本發明第1實施形態的黏著薄片10。本實施形態的黏著薄片10為用於研磨具有凸部的半導體晶圓背面的黏著薄片，是預設為以無加溫利用的「無加溫」型。本實施形態的黏著薄片10具備非黏著性墊層1、和設於該墊層1上的黏著劑層2，使用於研磨具有凸部5的半導體晶圓4的背面4b。該黏著薄片10可在墊層1側積層硬化性樹脂8和支撐膜7而使用。以下說明各構成。
>墊層1> 墊層1是用以保護半導體晶圓4的凸部5的層，被構成為拉伸應力為2~30N/10mm。拉伸應力為2N/10mm以上時黏著薄片10的可操作性良好。拉伸應力為30N/10mm以下時半導體晶圓4的凸部5易於埋入墊層1而可適當保護凸部5。墊層1的拉伸應力較佳為3~15N/10mm。拉伸應力表示使用根據JIS Z 1702之啞鈴，對墊層1進行衝孔，以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力。
墊層1的厚度較佳為50~300μm，更佳為50~100μm。
墊層1較佳為由熱塑性樹脂構成。該熱塑性樹脂的組成沒有特別限定，可使用：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯的三元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等單體及/或複合體的羧基以鈉離子、鋰離子、鎂離子等金屬離子交聯而成的離子聚合物樹脂；於聚丙烯樹脂中混合苯乙烯-丁二烯共聚合橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合橡膠、乙丙橡膠等而得到的軟質聚丙烯樹脂；聚胺甲酸酯、低密度聚乙烯、乙烯-丙烯嵌段共聚物、乙烯-丙烯無規共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-1辛烯共聚物、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-苯乙烯-二烯共聚物、聚丁烯等。其中，較佳為乙烯-苯乙烯共聚物。
上述熱塑性樹脂的重均分子量(Mw)較佳為10,000~1,000,000，更佳為30,000~500,000。還有，重均分子量是採用凝膠滲透層析法(GPC)作為經聚苯乙烯換算的重均分子量測得的值。具體而言如下所述。 裝置：SYSTEM-21 Shodex(昭和電工社製) 管柱：直列3根PL gel MIXED-B 溫度：40℃ 檢測：示差折射率 溶劑：四氫呋喃 濃度：2質量% 標準曲線：使用標準聚苯乙烯(PL公司製)而進行製作。
>黏著劑層2> 黏著劑層2是用以將黏著薄片10貼合於半導體晶圓4的層，由黏著劑形成。黏著劑層2具有直徑小於半導體晶圓4的直徑的開口部2a。也就是說，黏著劑層2被形成為環狀。開口部2a是未設有黏著劑的部位，直徑小於半導體晶圓4的直徑。開口部2a的直徑/半導體晶圓4的直徑較佳為0.950~0.995，更佳為0.960~0.990。
半導體晶圓4的外周部4a貼合於黏著劑層2而使半導體晶圓4的凸部5配置於開口部2a內。由此，因凸部5不接觸黏著劑，可防止黏著劑殘留於凸部5。
黏著劑層2的寬度較佳為10~100mm，更佳為30~70mm。黏著劑層2的厚度較佳為1~100μm，更佳為5~50μm。
黏著劑較佳為丙烯酸系黏著劑，其組成沒有特別限定，例如可列舉：(甲基)丙烯酸丁酯、2-(甲基)丙烯酸丁酯、t-(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸芐酯、二甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、丙烯醯啉、丙烯酸異莰酯等(甲基)丙烯酸單體；或者是含官能基的單體，可列舉：具有羥基的(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、及(甲基)丙烯酸2-羥丁酯等；具有羧基的(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-二醇酸、及桂皮酸等；具有環氧基的烯丙基縮水甘油醚、及(甲基)丙烯酸縮水甘油醚等。黏著劑較佳摻合硬化劑。作為硬化劑，可列舉多官能異氰酸酯硬化劑或多官能環氧硬化劑等。若硬化劑與官能基反應，可藉由獲取以官能基為基點的交聯結構而提高黏著劑的凝聚力抑制殘留黏著劑。另外，也可使用：1,2-聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、前述氫化物、1,4-聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚異戊二烯末端(甲基)丙烯酸酯、聚酯系胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚系胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、雙A型環氧(甲基)丙烯酸酯等將低聚物/高分子於末端或側鏈進行一個以上(甲基)丙烯醯化而成的(甲基)丙烯酸酯。
可藉由一般的例如刮刀塗布(comma coating)、凹版塗布、輥塗布、網版塗布(screen coating)等塗布方式將黏著劑塗布於墊層1上或剝離膜上，轉印於墊層1而形成黏著劑層2。
>半導體晶圓4> 半導體晶圓4具有凸部5。凸部5為向半導體晶圓4的突出的任意結構體。作為凸部5的例可列舉突出電極和具有凹凸的電路的凸部等。
作為半導體晶圓4，除矽晶圓之外還可列舉：鍺晶圓、鎵-砷化物晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷化物-鋁晶圓等。半導體晶圓4的直徑較佳為1~16吋，更佳為4~12吋。半導體晶圓4的厚度沒有特別限制，較佳為500~800μm，更佳為520~775μm。
凸部5的高度較佳為10~500μm，更佳為100~300μm。凸部5較佳為由焊料形成。
半導體晶圓4較佳具有未設有凸部5的外周部4a。外周部4a的寬度較佳為1.0~3.0mm，更佳為1.5~2.5mm。
作為使用具有凸部5的半導體晶圓4的最終製品，可列舉：邏輯用、儲存器用、感測器用、電源用等的電子零件。
>硬化性樹脂8> 硬化性樹脂8是由能量線(例如：紫外線)或熱等刺激硬化的樹脂。硬化性樹脂8配置於墊層1與支撐膜7之間。
硬化性樹脂8的硬化前黏度為100~3000mPa･s，較佳為200~1000mPa･s。黏度為100mPa･s以上時，硬化性樹脂8為點接觸而非表面接觸，可抑制在按壓步驟中氣泡的混入，研磨性優異。黏度為3000mPa･s以下時，當硬化性樹脂8在相鄰的凸部5之間流動時，不易混入氣泡，因此研磨性優異。黏度是使用E型黏度計在23℃及50rpm的條件進行測定。
硬化性樹脂8，其硬化後的蕭氏D硬度較佳為5~72，更佳為5~70，再佳為10~60。蕭氏D硬度為5以上時，由於凸部5的保持性高而研磨性優異。蕭氏D硬度為72以下時，從半導體晶圓4剝離黏著薄片10時容易彎曲黏著薄片10。蕭氏D硬度是根據JIS K 6253的條件進行測定。
硬化性樹脂8較佳為光硬化性樹脂，更佳為紫外線硬化性樹脂。
硬化性樹脂8較佳為以丙烯酸系樹脂為基礎的樹脂，其組成沒有特別限定，例如可列舉：(甲基)丙烯酸丁酯、2-(甲基)丙烯酸丁酯、t-(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸肉荳蔻酯、(甲基)丙烯酸肉十六烷基、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸芐酯、二甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、丙烯醯啉、丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-二醇酸、桂皮酸、烯丙基縮水甘油醚、(甲基)丙烯酸縮水甘油醚、二甲基丙烯醯胺二乙基丙烯醯胺、丙烯醯啉、丙烯酸異莰酯等。另外，作為2官能(甲基)丙烯酸酯單體，可列舉：1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基丙二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、硬脂酸改性季戊四醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基二乙氧基苯基)丙烷、 2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基丙氧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基四乙氧基苯基)丙烷等。作為3官能(甲基)丙烯酸酯單體，可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三[(甲基)丙烯醯氧基乙基]異氰脲酸酯等。作為4官能以上的(甲基)丙烯酸酯單體，可列舉：二羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。另外，可列舉：1,2-聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、前述氫化物、1,4-聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚異戊二烯末端(甲基)丙烯酸酯、聚酯胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、雙A型環氧(甲基)丙烯酸酯等將低聚物/高分子於末端或側鏈進行一個以上(甲基)丙烯醯化而成的(甲基)丙烯酸酯。其中，較佳為含有1,2-氫化聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、二乙基丙烯醯胺的硬化性樹脂，因其可提高墊層1與支撐膜7的接著性。
硬化性樹脂8的硬化收縮率較佳為7%以下。
若凸部5的高度為Td(μm)，則硬化性樹脂8的厚度較佳為(Td+20)~(Td+200)μm，更佳為(Td+50)~(Td+150)μm。
>支撐膜7> 支撐膜7為可支撐硬化性樹脂8的任意薄膜，除了可由乙烯-醋酸乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯等聚烯烴類形成之外，還可由聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯纖維、聚醯亞胺等形成。
支撐膜7的厚度較佳為10~300μm，更佳為30~250μm。
1-2.半導體晶圓之製造方法 用圖1A~圖2E說明使用黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法。該製造方法具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、切斷步驟、按壓步驟、樹脂硬化步驟、研磨步驟、剝離步驟。實施這些步驟的順序沒有特別限定，也可以根據需要更改順序。以下，說明各步驟。
>框貼附步驟> 如圖1A~圖1B所示，框貼附步驟中黏著薄片10貼附於環形框3。環形框3具有開口部3a，開口部3a的直徑大於黏著劑層2的開口部2a，環形框3可貼附於黏著劑層2。由此，黏著薄片10穩定保持於環形框3，容易處理黏著薄片10。
>晶圓貼附步驟> 如圖1B~圖1C所示，晶圓貼附步驟中在設有半導體晶圓4的凸部5的面將黏著薄片10在減壓下貼附於半導體晶圓4的外周部4a。半導體晶圓4貼合於黏著劑層2的貼附面的寬度較佳為1.0~3.0mm，更佳為1.5~2.5mm。
該步驟可在減壓室16內藉由將半導體晶圓4貼附於黏著薄片10而進行。減壓室16內的壓力只要低於大氣壓即可，較佳為50kPa以下，更佳為10kPa以下，再佳為1kPa以下。減壓室16內壓力的下限沒有特別限定，例如為10Pa。
像這樣，藉由在這種減壓下將半導體晶圓4貼附於黏著薄片10，由半導體晶圓4和黏著薄片10所包圍的密閉空間2b內部會成為減壓的狀態。
若在此狀態下從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10放到大氣壓，則如圖1D所示，墊層1被大氣壓推壓而進入密閉空間2b內。因此，呈現凸部5埋入墊層1的狀態，凸部5受墊層1保護。凸部5被埋入的部位的高度/凸部5整體的高度之比較佳為0.2~1，更佳為0.5~1，再佳為0.8~1。
>切斷步驟> 如圖1D~圖2A所示，切斷步驟中，沿著半導體晶圓4的外周切斷黏著薄片10。由此，貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10從環形框3分離。
>按壓步驟> 如圖2A~圖2B所示，按壓步驟中，使黏著薄片10與供給於支撐膜7上的硬化性樹脂8在面對面的狀態下，使黏著薄片10移動藉此拉開硬化性樹脂8。
一個例子中，半導體晶圓4被吸附於具有減壓孔6a的減壓單元6，在此狀態下將黏著薄片10按壓於硬化性樹脂8。在此狀態下，使黏著薄片10沿著支撐膜7的表面移動從而拉開硬化性樹脂8。
>樹脂硬化步驟> 如圖2B~圖2C所示，樹脂硬化步驟中，使墊層1抵接於硬化性樹脂8的狀態下硬化硬化性樹脂8。
一個例子中，將紫外線等能量線9通過支撐膜7而照射於硬化性樹脂8，藉此可硬化硬化性樹脂8。由此，黏著薄片10穩定保持於支撐膜7上。
>研磨步驟> 如圖2C~圖2D所示，研磨步驟中，研磨半導體晶圓4的背面4b。
半導體晶圓4的背面4b為設有凸部5的面的相反側的面。晶圓背面的研磨加工方式沒有特別限定，採用已知的研磨方式。研磨較佳在對晶圓和磨刀石(鑽石等)澆水而冷卻的同時進行。薄型化的晶圓的厚度較佳為300μm以下，更佳為50μm以下。
背面研磨時，半導體晶圓4面內方向的荷重施加於凸部5故而凸部5易破損。然而，本實施形態中，由於凸部5的至少一部分埋入墊層1及經硬化的硬化性樹脂8 ，凸部5由墊層1及經硬化的硬化性樹脂8穩定支撐而凸部5不易受損。還有，硬化性樹脂8可省略，此時凸部5由墊層1支撐。
>剝離步驟> 如圖2D~圖2E所示，剝離步驟中，從半導體晶圓4剝離黏著薄片10。向黏著薄片10遠離半導體晶圓4的方向彎曲黏著薄片10，由此可進行黏著薄片10的剝離。
由此，完成半導體晶圓4的背面研磨步驟。使用凸部5接觸黏著劑的形態的黏著薄片進行背面研磨時，會有黏著劑附著於凸部5的情況，但本實施形態中，由於凸部5不接觸黏著劑層2，故可抑制黏著劑附著於凸部5。
2.第2實施形態 2-1.黏著薄片 第1實施形態中黏著薄片10係由墊層1和黏著劑層2構成，而如圖3所示，第2實施形態中黏著薄片10則進一步具備硬化性樹脂層12和支撐膜7。
硬化性樹脂層12為未硬化，由與第1實施形態相同的硬化性樹脂構成。支撐膜7與第1實施形態的支撐膜7相同。硬化性樹脂層12的周圍設有環狀的硬化樹脂層22。硬化樹脂層22可藉由使硬化硬化性樹脂硬化而形成。若凸部5的高度為Td(μm)，則硬化性樹脂層12及硬化樹脂層22的厚度較佳為(Td+20)~(Td+ 200)μm，更佳為(Td+50)~(Td+150)μm。
在此，使用圖4A~圖4C說明本實施形態的黏著薄片10的製造方法。 首先，如圖4A所示，在支撐膜7上按照順序積層硬化性樹脂層12、墊層1、黏著劑層2、剝離線13形成積層體。剝離線13是為了保護黏著劑層2者，在使用黏著薄片10時剝離。面罩14是在被面罩14遮蓋的區域用以屏蔽能量線9者。
接下來，將面罩14配置於剝離線13上，透過面罩14對硬化性樹脂層12照射能量線9。面罩14是在被面罩14遮蓋的區域用以屏蔽能量線9者。由此，如圖4B所示，未被面罩14遮蓋的區域中硬化性樹脂層12硬化而成為硬化樹脂層22。由硬化樹脂層22使支撐膜7與墊層1結合。另外，由支撐膜7、硬化樹脂層22和墊層1所包圍的空間內設有硬化性樹脂層12。還有，可將面罩14配置於支撐膜7側，從支撐膜7側進行能量線9的照射。
接下來，如圖4C所示，沿著黏著劑層2的周緣切斷積層體而藉此得到本實施形態的黏著薄片10。
2-2.半導體晶圓之製造方法 用圖5A~圖6D說明使用本實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法。該製造方法具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、樹脂硬化步驟、切斷步驟、研磨步驟、剝離步驟。實施這些步驟的順序沒有特別限定，也可以根據需要更改順序。以下，說明各步驟。以下說明中，與第1實施形態共通的部分不再重複說明。
>框貼附步驟> 如圖5A~圖5B所示，框貼附步驟中，與第1實施形態相同地將黏著薄片10貼附於環形框3。
>晶圓貼附步驟> 如圖5B~圖5C所示，晶圓貼附步驟中，與第1實施形態相同地在設有半導體晶圓4的凸部5的面將黏著薄片10在減壓下(在減壓室16)貼附於半導體晶圓4的外周部4a。藉由在減壓下將半導體晶圓4貼附於黏著薄片10，由半導體晶圓4和黏著薄片10所包圍的密閉空間2b內會成為減壓的狀態。
若在此狀態下從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10放到大氣壓，則如圖5D所示，墊層1被大氣壓推壓而進入密閉空間2b內。由此，凸部5成為埋入墊層1的狀態，凸部5受墊層1保護。
>樹脂硬化步驟> 如圖6A~圖6B所示，樹脂硬化步驟中，墊層1抵接於硬化性樹脂層12的狀態下硬化硬化性樹脂層12。
一個例子中，用按壓單元26將半導體晶圓4按壓於硬化性樹脂層12的狀態下，將紫外線等能量線9通過支撐膜7而照射於硬化性樹脂層12，藉此可硬化硬化性樹脂層12。由此，硬化性樹脂層12成為硬化樹脂層22，可穩定保持墊層1。還有，可將第1實施形態的減壓單元6作為按壓單元26使用。
>切斷步驟> 如圖6B~圖6C所示，切斷步驟中，沿著半導體晶圓4的外周切斷黏著薄片10。由此，貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10從環形框3分離。
>研磨步驟> 如圖6C所示，研磨步驟中，與第1實施形態相同地研磨半導體晶圓4的背面4b。
>剝離步驟> 如圖6C~圖6D所示，剝離步驟中，與第1實施形態相同地從半導體晶圓4剝離黏著薄片10。
3.第3實施形態 3-1.黏著薄片 本實施形態的黏著薄片10的基本構成與第1實施形態相同，但本實施形態的黏著薄片10是預設為經加溫利用的「有加溫」型。本實施形態的黏著薄片10中，構成墊層1的熱塑性樹脂與第1實施形態不同。
構成本實施形態的墊層1的熱塑性樹脂的熔體流動速率(MFR)為0.2~30g/10min。MFR為0.2g/10min以上時，對於凸部5的追隨性優異，研磨性變良好。MFR為30g/10min以下時，對於凸部5的追隨性變得過高，剝離性優異。MFR較佳為0.3~20g/10min。MFR是以JIS K7210、125℃/10.0kg荷重的條件測定的。
熱塑性樹脂的熔點為60~110℃。熔點為60℃以上時，對於凸部5的追隨性不會變得過高，剝離性優異。熔點為100℃以下時，對於凸部5的追隨性優異，研磨性變得良好。熔點較佳為70~90℃。熔點以根據JIS K7121的條件測定。
墊層1的厚度較佳為50~300μm，更佳為70~250μm。
上述熱塑性樹脂的組成沒有特別限定，可使用：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯的三元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等單體及/或複合體的羧基以鈉離子、鋰離子、鎂離子等金屬離子交聯而成的離子聚合物樹脂；於聚丙烯樹脂中混合苯乙烯-丁二烯共聚合橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合橡膠、乙烯-丙烯橡膠等而得到的軟質聚丙烯樹脂；低密度聚乙烯、乙烯-丙烯嵌段共聚物、乙烯-丙烯無規共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-1辛烯共聚物、聚丁烯等。其中，較佳為離子聚合物樹脂。
上述熱塑性樹脂的重均分子量(Mw)較佳為10,000~1,000,000，更佳為50,000~500,000。
上述熱塑性樹脂的軟化溫度(JIS K7206)較佳為45~85℃，更佳為55~75℃。
上述熱塑性樹脂的熔點(JIS K7121)較佳為60~110℃，更佳為80~100℃。
上述熱塑性樹脂的熔體流動速率(MFR)(JIS K7210、125℃/10.0kg荷重)較佳為0.2~30g/10min，更佳為0.3~10g/10min。
3-2.半導體晶圓之製造方法 說明使用本實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法。該製造方法具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、加溫步驟、切斷步驟、樹脂硬化步驟、研磨步驟、剝離步驟。實施這些步驟的順序沒有特別限定，也可以根據需要更改順序。以下，說明各步驟。以下說明中對於第1實施形態的共同部分不重複說明。另外，關於框貼附步驟、切斷步驟、樹脂硬化步驟、研磨步驟、剝離步驟的說明與第1實施形態相同，此處不進行重複。
>晶圓貼附步驟･加溫步驟> 如圖1B~圖1C所示，晶圓貼附步驟中，與第1實施形態相同地在設有半導體晶圓4的凸部5的面將黏著薄片10在減壓下貼附於半導體晶圓4的外周部4a。
若在此狀態下從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10放到大氣壓，則墊層1被大氣壓推壓而試圖進入密閉空間2b。墊層1在不加溫的狀態下剛性高，墊層1幾乎不進入密閉空間2b。另一方面，加溫步驟中，若將墊層1加溫至60~150℃則墊層1被軟化，如圖1D所示墊層1進入密閉空間2b內。由此，凸部5成為埋入墊層1的狀態，凸部5由墊層1保護。凸部5被埋入部位的高度/凸部5整體的高度的比較佳為0.2~1，更佳為0.5~1，再佳為0.8~1。墊層1的加溫溫度較佳為80~120℃。墊層1的加溫時間較佳為3~120秒，更佳為5~60秒。
墊層1的加溫可在半導體晶圓4貼附於黏著薄片10之前進行，也可在貼附之後進行。另外，該加溫可在減壓室16內進行，也可在減壓室16外進行。
4.第4實施形態 4-1.黏著薄片 本實施形態的黏著薄片10的基本構成與第2實施形態相同，但本實施形態的黏著薄片10是預設為經加溫利用的「有加溫」型。本實施形態的黏著薄片10中構成墊層1的熱塑性樹脂與第2實施形態不同，是與第3實施形態說明中相同的熱塑性樹脂。
4-2.半導體晶圓之製造方法 說明使用本實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法。該製造方法具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、加溫步驟、樹脂硬化步驟、切斷步驟、研磨步驟、剝離步驟。實施這些步驟的順序沒有特別限定，也可以根據需要更改順序。以下，說明各步驟。以下說明中，對於第2實施形態的共同部分不重複說明。另外，對於框貼附步驟、樹脂硬化步驟、切斷步驟、研磨步驟、剝離步驟的說明與第1實施形態相同，此處不進行重複。
>晶圓貼附步驟･加溫步驟> 如圖5B~圖5C所示，晶圓貼附步驟中，與第1實施形態相同地在設有半導體晶圓4的凸部5的面將黏著薄片10在減壓下(在減壓室16)貼附於半導體晶圓4的外周部4a。藉由在減壓下將半導體晶圓4貼附於黏著薄片10，由半導體晶圓4和黏著薄片10所包圍的密閉空間2b內會成為減壓的狀態。
若在此狀態下將墊層1加溫至60~150℃，從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10放到大氣壓，則如圖5D所示，墊層1被大氣壓推壓進入密閉空間2b內。由此，凸部5成為埋入墊層1的狀態，凸部5被墊層1保護。 [實施例]
1.黏著薄片(無加溫型)的實施例 使用與第1實施形態相同構成的黏著薄片10，按照如下所述改變熱塑性樹脂的拉伸應力、UV硬化樹脂的黏度及蕭氏硬度，進行半導體晶圓4的背面研磨，並評價此時的凹凸追隨性、氣泡混入、剝離性、研磨性(TTV)、可操作性、及綜合判斷。
[表1]
表1 實施例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
熱塑性樹脂 拉伸應力 (N/10mm) 2 3 15 30 3 3 3 3 3 3 3 3
UV硬化樹脂 黏度(mPa･s) 470 470 470 470 110 230 1270 2850 580 620 240 220
蕭氏D硬度 15 15 15 15 58 44 13 11 5 11 61 72
評價 凹凸追隨性 ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
氣泡混入 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎
剝離性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
研磨性(TTV) ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎
可操作性 ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
綜合判斷 ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○
[表2]
表2 比較例
1 2
熱塑性樹脂 拉伸應力 (N/10mm) 1 40
UV硬化樹脂 黏度(mPa･s) 470 470
蕭氏D硬度 15 15
評價 凹凸追隨性 ◎ ×
氣泡混入 ◎ ◎
剝離性 ◎ ◎
研磨性(TTV) ◎ ◎
可操作性 × ◎
綜合判斷 × ×
1-1.黏著薄片10的製造 藉由在墊層1上形成具有開口部2a的環狀黏著劑層2而製造實施例、比較例的黏著薄片10。構成墊層1的熱塑性樹脂係使用根據JIS Z 1702之啞鈴，對墊層1進行衝孔，適宜改變以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉伸25%時的拉伸應力成為表1~表2所示的值。
熱塑性樹脂的組成為乙烯-苯乙烯共聚物，藉由改變乙烯單體單元和苯乙烯單體單元的各構成單元的含量比例而改變拉伸應力。 構成黏著劑層2的黏著劑的組成為1,2-氫化聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
墊層1的厚度為50μm。黏著劑層2的厚度為10μm，黏著劑層2的寬度為37mm。
1-2.半導體晶圓的背面研磨 使用上述製作的黏著薄片10，藉由以下方法研磨半導體晶圓4的背面。
首先，將黏著薄片10貼附於環形框3。 接下來，在設有半導體晶圓4的凸部5的面，將黏著薄片10在減壓室16內貼附於半導體晶圓4的外周部4a。作為半導體晶圓4，使用了直徑8吋、厚度725μm且於外周的3.0mm以外的區域形成有高度230μm的凹凸(突出電極)的晶圓。半導體晶圓4貼合於黏著劑層2的貼附面的寬度為2.0mm。減壓室16內的壓力為100Pa。
接下來，從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10。
接下來，沿著半導體晶圓4的外周切斷黏著薄片10，從黏著薄片10分離環形框3。
接下來，使黏著薄片10與供給於支撐膜7上的硬化性樹脂8在面對面的狀態下，使黏著薄片10向支撐膜7的面內方向移動藉此拉開硬化性樹脂8。硬化性樹脂8使用了具有表1所示的黏度及蕭氏D硬度的硬化性樹脂。硬化性樹脂8的硬化前黏度係使用E型黏度計在23℃及50rpm的條件下測定。硬化性樹脂8的硬化後的蕭氏D硬度係以JIS K 6253條件測定。
硬化性樹脂8的組成係由1,2-氫化聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、二乙基丙烯醯胺構成，藉由改變各構成成分而改變黏度及蕭氏D硬度。
接下來，以將墊層1抵接於硬化性樹脂8的狀態硬化硬化性樹脂8。硬化性樹脂8是從支撐膜7側對硬化性樹脂照射365nm的波長的累計光量為2000mJ/cm2 的紫外線進行硬化的。
接下來，研磨半導體晶圓4的背面，直到半導體晶圓4的厚度成為200μm。背面研磨係使用研磨機(DISCO公司製的背面研磨機DFG-841)進行。
>剝離步驟> 接下來，從半導體晶圓4剝離黏著薄片10。
1-3.評價 利用以下方式評價凹凸追隨性、氣泡混入、剝離性、研磨性(TTV)、可操作性、及綜合判斷。評價結果示於表1~表2。
>凹凸追隨性> 根據以下基準，由追隨率(追隨率=(墊層1追隨於凹凸間的距離/凹凸的高度))，評價凹凸追隨性。 ◎：追隨率80%以上 ○：追隨率71~79% ×：追隨率70%以下
>氣泡混入> 根據以下基準，由φ1mm以上的氣泡的數量，評價氣泡混入。 ◎：氣泡的數量10個以下 ○：氣泡的數量11~30個 ×：氣泡的數量31個以上
>剝離性> 根據以下基準，由根據JIS Z 0237測定到的對矽晶圓鏡面的黏著力，評價剝離性。 ◎：黏著力1.0N/20mm以下 ○：黏著力1.1~2.0N/20mm ×：黏著力2.1N/20mm以上
>研磨性(TTV)> 根據以下基準，使用SemDex(厚度精度測定裝置、ISIS公司製)測定晶圓表面的厚度精度，評價研磨性(TTV：最大厚度-最小厚度)。 ◎：TTV 5μm以下 ○：TTV 6~15μm ×：TTV 16μm以上
>可操作性> 根據以下基準，測定將黏著薄片10貼合於半導體晶圓4時的貼附面的寬度，由與設定寬度之間的差，評價可操作性。 ◎：設定寬度-貼附面的寬度-0.5mm以上且+0.5mm以下 ○：設定寬度-貼附面的寬度-1.0mm以上且小於-0.5mm、大於+0.5mm且+1.0mm以下 ×：設定寬度-貼附面的寬度小於-1.0mm、大於+1.0mm
>綜合判斷> 根據以下基準，進行綜合判斷。 ◎：在所有項目中為◎ ○：在任一項目中為○，且不包括× ×：在任一項目中為×
1-4.考察 在所有的實施例中，所有評價項目中得到了優異的結果。另一方面，在所有的比較例中，至少一項評價項目沒有得到滿意的結果。
2.黏著薄片(有加溫型)的實施例 使用與第3實施形態相同構成的黏著薄片10，如下所述改變熱塑性樹脂的MFR及熔點、UV硬化樹脂的黏度及蕭氏硬度，研磨半導體晶圓4的背面，評價此時的凹凸追隨性、氣泡混入、剝離性、研磨性(TTV)、及綜合判斷。
[表3]
表3 實施例
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
熱塑性樹脂 MFR (g/10min) 0.2 0.3 11 18 28 3 5 7 2 7 7 7 7 7 7 7 7
熔點 (℃) 89 86 84 83 88 62 72 92 107 84 84 84 84 84 84 84 84
UV硬化樹脂 黏度(mPa･s) 470 470 470 470 470 470 470 470 470 110 230 1270 2850 580 620 240 220
蕭氏D硬度 15 15 15 15 15 15 15 15 15 58 44 13 11 5 11 61 72
評價 凹凸追隨性 ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
氣泡混入 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎
剝離性 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
研磨性(TTV) ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎
綜合判斷 ○ ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○
[表4]
表4 比較例
3 4 5 6
熱塑性樹脂 MFR(g/10min) 0.1 33 1 25
熔點(℃) 90 91 53 114
UV硬化樹脂 黏度(mPa･s) 470 470 470 470
蕭氏D硬度 15 15 15 15
評價 凹凸追隨性 × ◎ ◎ ×
氣泡混入 ◎ ◎ ◎ ◎
剝離性 ◎ × × ◎
研磨性(TTV) × ◎ ◎ ×
綜合判斷 × × × ×
2-1.黏著薄片10的製造 藉由在墊層1上形成具有開口部2a的環狀黏著劑層2而製造實施例、比較例的黏著薄片10。構成墊層1的熱塑性樹脂改變MFR及熔點使其成表3~表4所示的值。
熱塑性樹脂的組成為乙烯-甲基丙烯酸共聚物的金屬離子交聯，藉由改變共聚物組成及重均分子量而改變MFR及熔點。 構成黏著劑層2的黏著劑的組成為1,2-氫化聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
墊層1的厚度為150μm。黏著劑層2的厚度為10μm，黏著劑層2的寬度為37mm。
2-2.半導體晶圓的背面研磨 使用以上製作的黏著薄片10，利用以下方法研磨半導體晶圓4的背面。
首先，將黏著薄片10貼附於環形框3。 接下來，在設有半導體晶圓4的凸部5的面將黏著薄片10在減壓室16內貼附於半導體晶圓4的外周部4a。作為半導體晶圓4，使用了直徑8吋、厚度725μm且於外周的3.0mm以外的區域形成有高度230μm的凹凸(突出電極)的晶圓。半導體晶圓4貼合於黏著劑層2的貼附面的寬度為2.0mm。減壓室16內的壓力為100Pa。在減壓室16內將墊層1加溫至100℃。
接下來，從減壓室16取出貼附有半導體晶圓4的黏著薄片10。
接下來，沿著半導體晶圓4的外周切斷黏著薄片10，從黏著薄片10分離環形框3。
接下來，使黏著薄片10與供給於支撐膜7的硬化性樹脂8在面對面的狀態下，使黏著薄片10向支撐膜7的面內方向移動藉此拉開硬化性樹脂8。硬化性樹脂8使用了具有表3所示的黏度及蕭氏D硬度的硬化性樹脂。硬化性樹脂8的硬化前黏度係使用E型黏度計在23℃及50rpm的條件下測定。硬化性樹脂8的硬化後的蕭氏D硬度係以根據JIS K 6253的條件測定。
硬化性樹脂8的組成係由1,2-氫化聚丁二烯末端胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、二乙基丙烯醯胺構成，藉由改變各構成成分而改變黏度及蕭氏D硬度。
接下來，在墊層1抵接於硬化性樹脂8的狀態下硬化硬化性樹脂8。硬化性樹脂8是從支撐膜7側對硬化性樹脂照射365nm的波長的累計光量為2000mJ/cm2 的紫外線硬化硬化性樹脂。
接下來，研磨半導體晶圓4的背面從而使半導體晶圓4的厚度成為200μm。背面研磨使用研磨機(DISCO公司製的背面研磨機DFG-841)進行。
>剝離步驟> 接下來，從半導體晶圓4剝離黏著薄片10。
2-3.評價 利用以下方法評價凹凸追隨性、氣泡混入、剝離性、研磨性(TTV)及綜合判斷。評價基準如「1-3.評價」的說明。評價結果示於表3~表4。
2-4.考察 在所有的實施例中，所有評價項目係得到了優異的結果。另一方面，在所有的比較例中，至少一項評價項目沒有得到滿意的結果。
1:墊層 2:黏著劑層 2a:開口部 2b:密閉空間 3:環形框 3a:開口部 4:半導體晶圓 4a:外周部 4b:背面 5:凸部 6:減壓單元 6a:減壓孔 7:支撐膜 8:硬化性樹脂 9:能量線 10:黏著薄片 12:硬化性樹脂層 13:剝離線 14:面罩 16:減壓室 22:硬化樹脂層 26:按壓單元
[圖1]圖1A~圖1D為使用本發明的第1及第3實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法的截面圖。 [圖2]圖2A~圖2E為使用本發明的第1及第3實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法的截面圖。 [圖3]為本發明的第2及第4實施形態的黏著薄片10的截面圖。 [圖4]圖4A~圖4C為本發明的第2及第4實施形態的黏著薄片10的製造方法的截面圖。 [圖5]圖5A~圖5D為使用本發明的第2及第4實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法的截面圖。 [圖6]圖6A~圖6D為本發明的第2及第4實施形態的黏著薄片10的半導體晶圓之製造方法的截面圖。
無。

Claims (13)

  1. 一種黏著薄片，其係具有凸部的半導體晶圓的背面研磨用黏著薄片，其具備非黏著性的墊層、以及設於該墊層上的黏著劑層， 該黏著劑層具有直徑小於該半導體晶圓直徑的開口部，使該半導體晶圓的外周部貼合於該黏著劑層而使該半導體晶圓的凸部配置於該開口部內， 在該半導體晶圓貼合於該黏著劑層的狀態下，被構成為該凸部被該墊層保護， 滿足以下條件(1)~(2)中至少一項： (1)該墊層是使用根據JIS Z 1702之啞鈴進行衝孔，被構成為以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力為2~30N/10mm； (2)該墊層是由熔體流動速率(JIS K 7210、125℃/10.0kg荷重)為0.2~30g/10min、熔點為60~110℃的熱塑性樹脂構成。
  2. 如請求項1之黏著薄片，其中，該凸部藉由埋入該墊層而受保護。
  3. 如請求項1或2之黏著薄片，其中，該半導體晶圓是在減壓下貼合於該黏著劑層。
  4. 如請求項1或2之黏著薄片，其中，該墊層的厚度為50~300μm、該黏著劑層的厚度為1~100μm。
  5. 如請求項1或2之黏著薄片，其中，在該墊層側積層硬化性樹脂和支撐膜而使用。
  6. 如請求項5之黏著薄片，其中，該硬化性樹脂的硬化前黏度為100~3000mPa･s，該硬化性樹脂的硬化後的蕭氏D硬度為5~72。
  7. 如請求項5之黏著薄片，其中，若該凸部的高度為Td(μm)，則該硬化性樹脂的厚度為(Td+20)~(Td+200)μm。
  8. 如請求項5之黏著薄片，其中， 該黏著薄片具備含有該硬化性樹脂的硬化性樹脂層、和該支撐膜， 該硬化性樹脂層在與該黏著劑層的相反側的面設於該墊層與該支撐膜之間。
  9. 如請求項8之黏著薄片，其中， 該黏著薄片具備以圍繞該硬化性樹脂層的方式設置的硬化樹脂層。
  10. 一種半導體晶圓之製造方法，其係使用如請求項1至9中任一項之黏著薄片的半導體晶圓之製造方法，其具備框貼附步驟、晶圓貼附步驟、切斷步驟、樹脂硬化步驟、研磨步驟、剝離步驟， 在該框貼附步驟，將該黏著薄片貼附於環形框， 在該晶圓貼附步驟，在設有該半導體晶圓的凸部的面將該黏著薄片在減壓下貼附於半導體晶圓的外周部， 在該切斷步驟，沿著該半導體晶圓的外周切斷該黏著薄片， 在該樹脂硬化步驟，使該墊層抵接於硬化性樹脂的狀態下硬化該硬化性樹脂， 在該研磨步驟，研磨該半導體晶圓的背面， 在該剝離步驟，從該半導體晶圓剝離該黏著薄片， 滿足以下條件(A)~(B)中至少一項： (A)滿足該條件(1)； (B)滿足該條件(2)且具備將該墊層加溫至60~150℃的加溫步驟。
  11. 如請求項10之半導體晶圓之製造方法，其中， 該墊層是使用根據JIS Z 1702之啞鈴進行衝孔，被構成為以標線間距離40mm、拉伸速度300mm/min拉長25%時的拉伸應力為2~30N/10mm。
  12. 如請求項10或11之半導體晶圓之製造方法，其中， 該硬化性樹脂的硬化前黏度為100~3000mPa･s、該硬化性樹脂的硬化後的蕭氏D硬度為5~72。
  13. 如請求項10或11之半導體晶圓之製造方法，其中， 在該晶圓貼附步驟與該樹脂硬化步驟之間具備按壓步驟， 在該按壓步驟，使該黏著薄片與供給於支撐膜上的該硬化性樹脂在面對面的狀態下，使該黏著薄片移動藉此拉開該硬化性樹脂。
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