TWI824887B - 顯示面板 - Google Patents

顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI824887B
TWI824887B TW111148376A TW111148376A TWI824887B TW I824887 B TWI824887 B TW I824887B TW 111148376 A TW111148376 A TW 111148376A TW 111148376 A TW111148376 A TW 111148376A TW I824887 B TWI824887 B TW I824887B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting
inorganic light
emitting diode
display panel
Prior art date
Application number
TW111148376A
Other languages
English (en)
Inventor
郭志徹
李錫烈
林雨潔
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW111148376A priority Critical patent/TWI824887B/zh
Priority to CN202310478331.5A priority patent/CN116454111A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI824887B publication Critical patent/TWI824887B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2340/00—Aspects of display data processing
    • G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

一種顯示面板，包括電路基板、多個單色發光列以及多個雙色發光列。各單色發光列包括沿著第一方向排列的多個第一無機發光二極體。第一無機發光二極體電性連接至電路基板。雙色發光列與該些單色發光列沿著第二方向交替排列，各雙色發光列包括沿著第一方向交替排列的多個第二無機發光二極體以及多個第三無機發光二極體。第二無機發光二極體以及第三無機發光二極體電性連接至該電路基板，其中該第一方向垂直於該第二方向。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板。
微型發光二極體(micro light emitting diode)是一種電致發光的半導體元件，具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快、可靠性高等優點。一般而言，微型發光二極體包括堆疊的N型半導體層以及P型半導體層，N型半導體層以及P型半導體層分別透過電極而電性連接至不同的訊號線。
隨著科技的進步，市場對顯示裝置的解析度的需求逐年上升。為了提升微型發光二極體顯示裝置的解析度，相同面積的顯示裝置中需要設置更多的微型發光二極體，導致顯示裝置的成本上升。
本發明提供一種顯示面板，具有提高解析度並降低生產成本的優點。
本發明的至少一實施例提供一種顯示面板。顯示面板包 括電路基板、多個單色發光列以及多個雙色發光列。各單色發光列包括沿著第一方向排列的多個第一無機發光二極體。第一無機發光二極體電性連接至電路基板。雙色發光列與該些單色發光列沿著第二方向交替排列，各雙色發光列包括沿著第一方向交替排列的多個第二無機發光二極體以及多個第三無機發光二極體。第二無機發光二極體以及第三無機發光二極體電性連接至該電路基板，其中該第一方向垂直於該第二方向。
10A~10G:顯示面板
100A~100G:無機發光二極體
110:第一半導體層
112,122,132:第一部分
114,124,134:第二部分
120:第二半導體層
120a:主體部
120b:隔離結構
122g:凹槽
130:發光層
140:絕緣層
150:基板
160:隔離結構
200:電路基板
202:基底
204:第一絕緣層
206:第二絕緣層
208:第三絕緣層
210:開關元件
212:半導體層
214:閘極
216:第一源極/汲極
218:第二源極/汲極
222:接墊
224:共用訊號線
232,234:電連接件
D1:第一方向
D2:第二方向
DC:雙色發光列
E1:第一電極
E2:第二電極
L1:第一無機發光二極體
L2:第二無機發光二極體
L3:第三無機發光二極體
LR,LR1,LR2:發光區
PX1,PX2,PX3,PX4,PXA,PXB:畫素
PXA1,PXA2,PXA3,PXA4:畫素陣列
SC:單色發光列
SC1:第一單色發光列
SC2:第二單色發光列
SC3:第三單色發光列
圖1A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖1B是圖1A的無機發光二極體的上視示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖3B是圖3A的無機發光二極體的上視示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖5A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖5B是圖5A的無機發光二極體的上視示意圖。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖6B是圖6A的無機發光二極體的上視示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的一比較例的一種顯示面板的上視示意圖。
圖9是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
圖10是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
圖11是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10A的剖面示意圖。圖1B是圖1A的無機發光二極體100A的上視示意圖。在本實施例中，顯示面板10A包括不同顏色的多個無機發光二極體，在本實施例中，以其中一個無機發光二極體100A為例進行說明。
請參考圖1A與圖1B，顯示面板10A包括電路基板200 以及電性連接至電路基板200的無機發光二極體100A。電路基板200包括基底202、第一絕緣層204、第二絕緣層206、第三絕緣層208、多個開關元件210、接墊222以及共用訊號線224。
開關元件210包括半導體層212、閘極214、第一源極/汲極216以及第二源極/汲極218。半導體層212位於基底202上。第一絕緣層204位於半導體層212上。閘極214位於第一絕緣層204上，且重疊於半導體層212。第二絕緣層206位於閘極214以及第一絕緣層204上。第一源極/汲極216以及第二源極/汲極218位於第二絕緣層206上，且電性連接至半導體層212。
在本實施例中，開關元件210為頂部閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，開關元件210為底部閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的開關元件。
第三絕緣層208位於第一源極/汲極216以及第二源極/汲極218上。接墊222以及共用訊號線224位於第三絕緣層208，其中接墊222電性連接至開關元件210的第一源極/汲極216。
無機發光二極體100A包括第一半導體層110、第二半導體層120、發光層130、絕緣層140、兩個第一電極E1以及一個第二電極E2。
第一半導體層110以及第二半導體層120互相重疊，且為不同摻雜類型的半導體。舉例來說，第一半導體層110與第二半導體層120中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。第一半導體層110與第二半導體層120的材料例如包括 氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一半導體層110位於第二半導體層120與電路基板200之間。
發光層130位於第一半導體層110與第二半導體層120之間。發光層130例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：單量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其他的量子井，P型摻雜的半導體層提供的電洞與N型摻雜的半導體層提供的電子可以在發光層130結合，並以光的模式釋放出能量。在一些實施例中，發光層130的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵、砷化鎵、磷化鋁鎵銦、砷化銦鋁鎵或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料。
絕緣層140覆蓋第一半導體層110的側壁、發光層130的側壁與第二半導體層120的側壁。在本實施例中，絕緣層140還覆蓋第二半導體層120的底面，但本發明不以為限。
在本實施例中，第一半導體層110包括彼此分離的第一部分112與第二部分114，且發光層130包括彼此分離的第一部分132與第二部分134。第一部分132位於第一部分112與第二半導體層120之間，且第二部分134位於第二部分114與第二半導體層120之間。
兩個第一電極E1電性連接第一半導體層110。在本實施例中，絕緣層140具有重疊於第一部分112與第二部分114的頂 面的兩個孔洞，且兩個第一電極E1透過絕緣層140的孔洞而分別連接至第一部分112與第二部分114。
第二電極E2電性連接第二半導體層120。在本實施例中，其中第二半導體層120包括凹槽122g，凹槽122g位於第一部分112與第二部分114之間。絕緣層140具有位於凹槽122g的孔洞，第二電極設置於凹槽122g中，且透過絕緣層140的孔洞而連接至第二半導體層120。
兩個第一電極E1分別透過兩個導電連接件232而電性連接至兩個接墊222，並透過接墊222而連接至不同個開關元件210。第二電極E2透過導電連接件234而電性連接至共用訊號線224。
在本實施例中，無機發光二極體100A包括互相分離的兩個發光區LR1、LR2。兩個發光區LR1、LR2可以透過不同個開關元件210而獨立運作。換句話說，可以單獨點亮發光區LR1或發光區LR2。在一些實施例中，發光區LR1、LR2分別重疊於不同的畫素PXA、PXB，也可以說部分的無機發光二極體100A屬於畫素PXA，且部分的無機發光二極體100A屬於畫素PXB。在本實施例中，第二半導體層120從畫素PXA延伸至畫素PXB。第一半導體層110的第一部分112以及發光層130的第一部分132重疊於畫素PXA，且第一半導體層110的第二部分114以及發光層130的第二部分134重疊於畫素PXA。
由於畫素PXA、PXB可以共用無機發光二極體100A，因 此可以減少顯示面板10A中的無機發光二極體100A的數量，藉此降低顯示面板10A的生產成本。
圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10B的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖2的顯示面板10B與圖1A的顯示面板10A的差異在於：在顯示面板10B中，無機發光二極體100B更包括基板150。
無機發光二極體100B包括第一半導體層110、第二半導體層120、發光層130、絕緣層140、兩個第一電極E1、一個第二電極E2以及基板150。第二半導體層120、發光層130以及第一半導體層110依序堆疊於基板150上。在一些實施例中，基板150例如為砷化鎵(GaAs)基板、砷化鎵鋁(AlGaAs)基板、磷化鎵(GaP)基板、磷化銦(InP)基板、藍寶石(Sapphire)基板、碳化矽(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板、矽基氮化鎵(GaN-on-Si)或其他適用於磊晶製程的生長基板。
在一些實施例中，圖2的無機發光二極體100B為迷你發光二極體(mini-LED)，而圖1A的無機發光二極體100A為微型發光二極體(micro-LED)，迷你發光二極體與微型發光二極體的差別主要在於前者具有原生基板如藍寶石基板而後者無。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面 示意圖。圖3B是圖3A的無機發光二極體的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3A和圖3B的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3A的顯示面板10C與圖1A的顯示面板10A的差異在於：在顯示面板10C中，無機發光二極體100C的第二半導體層120包括隔離結構120b。此外，在顯示面板10C中，第二半導體層120位於第一半導體層110與電路基板200之間。
在本實施例中，第二半導體層120包括主體部120a以及隔離結構120b。隔離結構120b是經蝕刻而形成的溝渠或經離子布植而形成的摻雜區。此種隔離結構120b亦揭述於例如美國專利公告第10652963號。透過隔離結構120b的設置，可以形成互相分離的兩個發光區LR1、LR2。兩個發光區LR1、LR2可以透過不同個開關元件210而獨立運作。換句話說，可以單獨點亮發光區LR1或發光區LR2。在一些實施例中，發光區LR1、LR2分別重疊於不同的畫素PXA、PXB，也可以說部分的無機發光二極體100C屬於畫素PXA，且部分的無機發光二極體100C屬於畫素PXB。
在一些實施例中，當隔離結構120b是溝渠時，可以於隔離結構120b中填入其他絕緣材料，藉此提升隔離結構120b的電隔離效果。
圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10D的剖 面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3A和圖3B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的顯示面板10D與圖3A的顯示面板10C的差異在於：在顯示面板10D中，無機發光二極體100D更包括基板150。
無機發光二極體100D包括第一半導體層110、第二半導體層120、發光層130、絕緣層140、兩個第一電極E1、一個第二電極E2以及基板150。第一半導體層110、發光層130以及第二半導體層120依序堆疊於基板150上。
在一些實施例中，圖4的無機發光二極體100D為迷你發光二極體，而圖3A的無機發光二極體100C為微型發光二極體。
圖5A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10E的剖面示意圖。圖5B是圖5A的無機發光二極體100E的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5A和圖5B的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5A的顯示面板10E與圖4的顯示面板10D的差異在於：在顯示面板10E中，無機發光二極體100E包括隔離結構160，且隔離結構160將第一半導體層110、發光層130以及第二半導體層120皆分成兩部分。
無機發光二極體100E包括第一半導體層110、第二半導體層120、發光層130、絕緣層140、兩個第一電極E1、一個第二電極E2、基板150(圖5B省略繪示)以及隔離結構160。第一半導體層110包括互相分離的第一部分112以及第二部分114，第二半導體層120包括互相分離的第一部分122以及第二部分124，發光層130包括互相分離的第一部分132以及第二部分134。第一部分112、第一部分122以及第一部分132重疊於畫素PXA，且第二部分114、第二部分124以及第二部分134重疊於畫素PXB。
隔離結構160位於第一部分112以及第二部分114之間、第一部分122以及第二部分124之間以及第一部分132以及第二部分134之間。在一些實施例中，隔離結構160延伸至基板150的表面。在一些實施例中，隔離結構160包括絕緣材料，藉此提升隔離結構160的電隔離效果。透過隔離結構160的設置，可以形成互相分離的兩個發光區LR1、LR2。兩個發光區LR1、LR2可以透過不同個開關元件210而獨立運作。換句話說，可以單獨點亮發光區LR1或發光區LR2。在一些實施例中，發光區LR1、LR2分別重疊於不同的畫素PXA、PXB，也可以說部分的無機發光二極體100E屬於畫素PXA，且部分的無機發光二極體100E屬於畫素PXB。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10F的剖面示意圖。圖6B是圖5A的無機發光二極體100F的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6A與圖6B的實施例沿用圖3A與圖3B的 實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6A的顯示面板10F與圖3A的顯示面板10C的差異在於：在顯示面板10F中，無機發光二極體100F並沒有透過隔離結構而形成互相分離的兩個發光區。在無機發光二極體100F中，一個發光區LR重疊於不同的畫素PXA、PXB，也可以說部分的無機發光二極體100F屬於畫素PXA，且部分的無機發光二極體100F屬於畫素PXB。
請參考圖6A，在本實施例中，無機發光二極體100F僅具有一個發光區LR。在本實施例中，無機發光二極體100F的兩個第一電極E1分別透過兩個導電連接件232而電性連接至兩個接墊222，並透過接墊222而連接至不同個開關元件210。雖然兩個開關元件210都可以點亮發光區LR，但可以透過開關元件210調整發光區LR的亮度。舉例來說，同時開啟兩個開關元件210時的亮度大於只有開啟一個開關元件210時的亮度。兩個開關元件210可以在不同時間開啟或關閉。
圖7是依照本發明的一實施例的一種顯示面板10G的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6A和圖6B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖7的顯示面板10G與圖6A的顯示面板10F的差異在於：在顯示面板10G中，無機發光二極體100G更包括基板150。
無機發光二極體100G包括第一半導體層110、第二半導體層120、發光層130、絕緣層140、兩個第一電極E1、一個第二電極E2以及基板150。第一半導體層110、發光層130以及第二半導體層120依序堆疊於基板150上。
圖8是依照本發明的一比較例的一種顯示面板的上視示意圖。為了方便說明，圖8繪示出顯示面板中的畫素陣列PXA1，並省略其他構件。
請參考圖8，顯示面板包括多條第一單色發光列SC1、多條第二單色發光列SC2以及多條第三單色發光列SC3。
第一單色發光列SC1包括沿著第一方向D1排列的多個第一無機發光二極體L1。第二單色發光列SC2包括沿著第一方向D1排列的多個第二無機發光二極體L2。第三單色發光列SC3包括沿著第一方向D1排列的多個第三無機發光二極體L3。第一單色發光列SC1、第二單色發光列SC2以及第三單色發光列SC3沿著第二方向D2交替排列。第一方向D1垂直於第二方向D2。
第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3分別是不同顏色的發光二極體。舉例來說，第一無機發光二極體L1為綠色發光二極體，第二無機發光二極體L2為藍色發光二極體，且第三無機發光二極體L3為紅色發光二極體。
在比較例中，第一單色發光列SC1、第二單色發光列SC2以及第三單色發光列SC3構成畫素陣列PXA1。畫素陣列PXA1包括多個畫素PX1，每個畫素PX1包括對應的一個第一無機發光二極體L1、對應的一個第二無機發光二極體L2以及對應的一個第三無機發光二極體L3。
圖9是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。為了方便說明，圖9繪示出顯示面板中的畫素陣列PXA2，並省略其他構件。
圖9的畫素陣列PXA2與圖8的畫素陣列PXA1的差異在於：畫素陣列PXA2包括多個單色發光列SC以及多個雙色發光列DC，而畫素陣列PXA1包括第一單色發光列SC1、第二單色發光列SC2以及第三單色發光列SC3。
請參考圖9，單色發光列SC以及雙色發光列DC設置於電路基板(未繪出)上。雙色發光列DC與單色發光列SC沿著第二方向D2交替排列。
單色發光列SC包括沿著第一方向D1排列的多個第一無機發光二極體L1。第一無機發光二極體L1電性連接至電路基板。
雙色發光列DC包括沿著第一方向D1交替排列的多個第二無機發光二極體L2以及多個第三無機發光二極體L3。第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3電性連接至電路基板。
在本實施例中，單色發光列SC以及雙色發光列DC構成 畫素陣列PXA2。畫素陣列PXA2包括多個畫素PX2，每個畫素PX2包括對應的一個第一無機發光二極體L1、對應的半個第二無機發光二極體L2以及對應的半個第三無機發光二極體L3。
在本實施例中，雙色發光列DC中的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自皆在第二方向D2上橫跨相鄰的兩行畫素PX2。
在圖9的畫素陣列PXA2中，在第二方向D2上相鄰的兩行畫素PX2可以共用第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。基於前述，畫素陣列PXA2中的畫素PX2的面積可以減少，藉此可以提升顯示面板的解析度。此外，還可以減少第二無機發光二極體L2及第三無機發光二極體L3所需的數量，藉此減少顯示面板的生產成本。
在一些實施例中，圖9的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自的結構可以等於圖1A至圖7中任一實施例中的無機發光二極體100A~100G的結構，可以透過調整無機發光二極體100A~100G中的第一半導體層110、第二半導體層120以及發光層130的材料，來獲得不同顏色的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。
當第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3等於圖1A至圖5中任一實施例中的無機發光二極體100A~100E的結構時，各第二無機發光二極體L2包括互相分離的兩個發光區，且各第三無機發光二極體L3包括互相分離的兩個發光區。第 二無機發光二極體L2中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX2，且第三無機發光二極體L3中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX2。
在一些實施例中，第一無機發光二極體L1為綠色發光二極體，第二無機發光二極體L2為藍色發光二極體，且第三無機發光二極體L3為紅色發光二極體。在一些實施例中，各第三無機發光二極體L3的發光區面積大於或等於各第一無機發光二極體L1的發光區面積以及各第二無機發光二極體L2的發光區面積。舉例來說，第一無機發光二極體L1的發光區面積約等於第二無機發光二極體L2的發光區面積的一半，且第三無機發光二極體L3的發光區面積大於或等於第二無機發光二極體L2的發光區面積。由於紅色發光二極體的發光效率較差，藉由增加紅色發光二極體的發光區面積，可以改善紅光不足的問題。
圖10是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。為了方便說明，圖10繪示出顯示面板中的畫素陣列PXA3，並省略其他構件。
圖10的畫素陣列PXA3與圖9的畫素陣列PXA2的差異在於：畫素陣列PXA2中的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自在第二方向D2上橫跨相鄰的兩行畫素PX2，而畫素陣列PXA3中的第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3則是各自在第一方向D1上橫跨相鄰的兩列畫素PX3。
在本實施例中，單色發光列SC以及雙色發光列DC構成畫素陣列PXA3。畫素陣列PXA3包括多個畫素PX3，每個畫素PX3包括對應的半個第一無機發光二極體L1、對應的半個第二無機發光二極體L2以及對應的半個第三無機發光二極體L3。
在圖10的畫素陣列PXA3中，在第一方向D1上相鄰的兩列畫素PX3可以共用第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。基於前述，畫素陣列PXA3中的畫素PX3的面積可以進一步減少，藉此可以提升顯示面板的解析度。此外，還可以減少第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2及第三無機發光二極體L3所需的數量，藉此減少顯示面板的生產成本。
在一些實施例中，圖10的第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自的結構可以等於圖1A至圖7中任一實施例中的無機發光二極體100A~100G的結構，可以透過調整無機發光二極體100A~100G中的第一半導體層110、第二半導體層120以及發光層130的材料，來獲得不同顏色的第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。
當第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3等於圖1A至圖5中任一實施例中的無機發光二極體100A~100E的結構時，各第一無機發光二極體L1包括互相分離的兩個發光區，各第二無機發光二極體L2包括互相 分離的兩個發光區，且各第三無機發光二極體L3包括互相分離的兩個發光區。第一無機發光二極體L1中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX3，第二無機發光二極體L2中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX3，且第三無機發光二極體L3中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX3。
在一些實施例中，第一無機發光二極體L1為綠色發光二極體，第二無機發光二極體L2為藍色發光二極體，且第三無機發光二極體L3為紅色發光二極體。在一些實施例中，第一無機發光二極體L1的發光區面積約等於第二無機發光二極體L2的發光區面積，且第三無機發光二極體L3的發光區面積大於或等於第一無機發光二極體L1的發光區面積。由於紅色發光二極體的發光效率較差，藉由增加紅色發光二極體的發光區面積，可以改善紅光不足的問題。
圖11是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。為了方便說明，圖11繪示出顯示面板中的畫素陣列PXA4，並省略其他構件。
圖11的畫素陣列PXA4與圖10的畫素陣列PXA3的差異在於：畫素陣列PXA3中的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自在第一方向D1上橫跨相鄰的兩列畫素PX3，而畫素陣列PXA4中的第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體則是L3各自在第二方向D2上橫跨相鄰的兩行畫素PX4。
在本實施例中，單色發光列SC以及雙色發光列DC構成 畫素陣列PXA4。畫素陣列PXA4包括多個畫素PX4，每個畫素PX4包括對應的半個第一無機發光二極體L1、對應的半個第二無機發光二極體L2以及對應的半個第三無機發光二極體L3。
在圖11的畫素陣列PXA3中，在第一方向D1上相鄰的兩列畫素PX4可以共用第一無機發光二極體L1，而在第二方向D2上相鄰兩行畫素PX4則可以共用第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。
在一些實施例中，圖11的第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3各自的結構可以等於圖1A至圖7中任一實施例中的無機發光二極體100A~100G的結構，可以透過調整無機發光二極體100A~100G中的第一半導體層110、第二半導體層120以及發光層130的材料，來獲得不同顏色的第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3。
當第一無機發光二極體L1、第二無機發光二極體L2以及第三無機發光二極體L3等於圖1A至圖5中任一實施例中的無機發光二極體100A~100E的結構時，各第一無機發光二極體L1包括互相分離的兩個發光區，各第二無機發光二極體L2包括互相分離的兩個發光區，且各第三無機發光二極體L3包括互相分離的兩個發光區。第一無機發光二極體L1中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX4，第二無機發光二極體L2中的兩個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX4，且第三無機發光二極體L3中的兩 個發光區例如分別重疊於相鄰的畫素PX4。
D1:第一方向
D2:第二方向
DC:雙色發光列
L1:第一無機發光二極體
L2:第二無機發光二極體
L3:第三無機發光二極體
PX3:畫素
PXA3:畫素陣列
SC:單色發光列

Claims (10)

  1. 一種顯示面板，包括：一電路基板；多個單色發光列，各該單色發光列包括沿著一第一方向排列的多個第一無機發光二極體，且該些第一無機發光二極體電性連接至該電路基板；以及多個雙色發光列，該些雙色發光列與該些單色發光列沿著一第二方向交替排列，各該雙色發光列包括沿著該第一方向交替排列的多個第二無機發光二極體以及多個第三無機發光二極體，且該些第二無機發光二極體以及該些第三無機發光二極體電性連接至該電路基板，其中該第一方向垂直於該第二方向。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該第二無機發光二極體包括：互相重疊的一第一半導體層以及一第二半導體層；兩個第一電極，電性連接該第一半導體層；以及一第二電極，電性連接該第二半導體層。
  3. 如請求項2所述的顯示面板，其中各該第二無機發光二極體更包括：一隔離結構，將該第一半導體層以及該第二半導體層皆分成兩部分。
  4. 如請求項2所述的顯示面板，其中該第二半導體層包括一隔離結構，該隔離結構為一溝渠或一摻雜區。
  5. 如請求項2所述的顯示面板，其中該第一半導體層包括一第一部分與一第二部分，且該兩個第一電極分別連接至該第一部分與該第二部分。
  6. 如請求項5所述的顯示面板，其中該第二半導體層包括一凹槽，該凹槽位於該第一部分與該第二部分之間，且該第二電極設置於該凹槽中。
  7. 如請求項2所述的顯示面板，其中該些雙色發光列與該些單色發光列構成一畫素陣列，該畫素陣列包括多個畫素，且各該畫素包括對應的半個第一無機發光二極體、對應的半個第二無機發光二極體以及對應的半個第三無機發光二極體。
  8. 如請求項2所述的顯示面板，其中該第二電極電性連接至一共用訊號線，且該兩個第一電極分別連接至兩個開關元件。
  9. 如請求項2所述的顯示面板，其中該些第一無機發光二極體為綠色發光二極體，該些第二無機發光二極體為藍色發光二極體，且該些第三無機發光二極體為紅色發光二極體，且各該第三無機發光二極體的發光區面積大於或等於各該第一無機發光二極體的發光區面積以及各該第二無機發光二極體的發光區面積。
  10. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該第二無機發光二極體包括互相分離的兩個發光區，且各該第三無機發光二極體包括互相分離的兩個發光區。
TW111148376A 2022-12-16 2022-12-16 顯示面板 TWI824887B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111148376A TWI824887B (zh) 2022-12-16 2022-12-16 顯示面板
CN202310478331.5A CN116454111A (zh) 2022-12-16 2023-04-28 显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111148376A TWI824887B (zh) 2022-12-16 2022-12-16 顯示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI824887B true TWI824887B (zh) 2023-12-01

Family

ID=87127341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111148376A TWI824887B (zh) 2022-12-16 2022-12-16 顯示面板

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN116454111A (zh)
TW (1) TWI824887B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM511681U (zh) * 2015-08-05 2015-11-01 Harvatek Corp 顯示裝置及其發光陣列模組
TWI707466B (zh) * 2019-07-23 2020-10-11 國立中興大學 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
US20210398480A1 (en) * 2019-02-25 2021-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
TW202213309A (zh) * 2020-09-18 2022-04-01 隆達電子股份有限公司 發光陣列結構及顯示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM511681U (zh) * 2015-08-05 2015-11-01 Harvatek Corp 顯示裝置及其發光陣列模組
US20210398480A1 (en) * 2019-02-25 2021-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
TWI707466B (zh) * 2019-07-23 2020-10-11 國立中興大學 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
TW202213309A (zh) * 2020-09-18 2022-04-01 隆達電子股份有限公司 發光陣列結構及顯示器

Also Published As

Publication number Publication date
CN116454111A (zh) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11031525B2 (en) Micro light emitting diode chip and display panel having a backplane and a plurality of sub-pixels regions
US11587973B2 (en) Micro light-emitting diode display panel
US11489006B2 (en) Display panel, preparation method thereof and display device
US8058663B2 (en) Micro-emitter array based full-color micro-display
US10084020B2 (en) Micro display having vertically stacked structure and method of forming the same
US10998464B2 (en) Flip-chip light emitting diode, manufacturing method of flip-chip light emitting diode and display device including flip-chip light emitting diode
US11404604B2 (en) Pixel of micro display having vertically stacked sub-pixels and common electrode
US20210280741A1 (en) Micro light emitting diode display panel
KR20200027792A (ko) 고해상도 디스플레이 장치
CN114759130B (zh) 一种Micro-LED显示芯片及其制备方法
KR20170139355A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치
US10784418B2 (en) Vertical type light emitting element having color conversion electrode part
TWI824887B (zh) 顯示面板
CN111785714A (zh) 一种由led和oled相反极性并联组成的显示器件
US11444117B2 (en) Light emitting element, light emitting element manufacturing method, and display device including light emitting element
US20210384254A1 (en) Full-Color Display Module with Ultra-Wide Color Gamut
KR20230092671A (ko) 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US11611016B2 (en) Pixel of micro display having inclined side
TWI803841B (zh) 高分辨率單體式ｒｇｂ陣列
US20230238481A1 (en) Pixel for rgcb micro-display having vertically stacked sub-pixels
TWI807909B (zh) 晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法
WO2022067530A1 (zh) 发光二极管芯片、显示基板及其制作方法
TWI699598B (zh) 顯示陣列
CN114975502A (zh) 具有超宽色域的全色模块
KR20230114441A (ko) 수직 적층 구조를 가지는 마이크로 디스플레이의 화소