TW202213309A - 發光陣列結構及顯示器 - Google Patents
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Abstract
發光陣列結構包含基板、多個發光畫素單元、多條第一訊號線、多條第二訊號線以及封裝層。這些發光畫素單元陣列設置於基板上，且各發光畫素單元包含驅動晶片、第一平坦層、第一重佈線路層、第二平坦層、第二重佈線路層以及發光二極體。各第一訊號線電性連接第一重佈線路層的對應一者，且各第一訊號線朝第一方向延伸。第二訊號線在不同於第一訊號線的水平面上延伸，各第二訊號線電性連接第二重佈線路層的對應一者，且各第二訊號線朝不同於第一方向的第二方向延伸。封裝層覆蓋發光畫素單元、第一訊號線、第二訊號線及基板。
Description
本揭露是有關於一種發光陣列結構及顯示器。
利用巨量轉移(Mass transfer)將微發光二極體(micro-LED)與微晶片(micro-IC)用覆蓋其上的線路重佈(Redistribution Layer, RDL)技術將彼此電性連接，形成顯示畫素陣列，是目前已知之技術。然而，這種結構會有難以修復之缺點。舉例來說，若微發光二極體或微晶片因瑕疵而需要置換，已覆蓋於其上的RDL會使得微發光二極體或微晶片無法取下。即便破壞RDL並置換上新的微發光二極體或微晶片，仍需要針對局部置換區域進行RDL修復，這種工法難以用於以黃光微影製作的RDL，且耗費成本極高。
除此之外，因微發光二極體使用巨量轉移的技術進行固晶(bonding)時，難以預先根據微發光二極體的特性進行分規(bining)，如此一來，所形成的畫素陣列容易形成顏色不均或亮度不均的狀況。
有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可解決上述問題的發光陣列結構。
為了達到上述目的，本揭露之一態樣是提供一種發光陣列結構，其包含基板、多個發光畫素單元、多條第一訊號線、多條第二訊號線以及封裝層。這些發光畫素單元陣列設置於基板上，且各發光畫素單元包含驅動晶片、第一平坦層、第一重佈線路層、第二平坦層、第二重佈線路層以及發光二極體。驅動晶片設置於基板上。第一平坦層設置於基板上並覆蓋驅動晶片。第一重佈線路層設置於第一平坦層上並電性連接驅動晶片。第二平坦層設置於第一平坦層上並覆蓋第一重佈線路層。第二重佈線路層設置於第二平坦層上並電性連接第一重佈線路層。發光二極體覆晶接觸第二重佈線路層。各第一訊號線電性連接所述第一重佈線路層的對應一者，且各第一訊號線朝第一方向延伸。所述第二訊號線在不同於第一訊號線的水平面上延伸，各第二訊號線電性連接所述第二重佈線路層的對應一者，且各第二訊號線朝不同於第一方向的第二方向延伸。封裝層覆蓋發光畫素單元、第一訊號線、第二訊號線及基板。
根據本揭露一實施方式，所述第一訊號線與所述第一重佈線路層位於同一水平面上。
根據本揭露一實施方式，所述第二訊號線與所述第二重佈線路層位於同一水平面上。
根據本揭露一實施方式，第一方向實質上垂直於第二方向。
根據本揭露一實施方式，發光陣列結構更包含一反射層設置於各第二平坦層的頂表面。
根據本揭露一實施方式，反射層包括銀反射鏡、鋁反射鏡或分散式布拉格反射鏡。
根據本揭露一實施方式，各第二重佈線路層的上表面為黑化處理表面。
根據本揭露一實施方式，所述第一訊號線的上表面為黑化處理表面。
根據本揭露一實施方式，所述第二訊號線的上表面為黑化處理表面。
本揭露之另一態樣是提供一種發光陣列結構，其包含基板、驅動晶片、第一平坦層、第一重佈線路層、第二平坦層、第二重佈線路層、多個發光畫素單元、第一訊號線、第二訊號線以及封裝層。驅動晶片設置於基板上。第一平坦層設置於基板上並覆蓋驅動晶片。第一重佈線路層設置於第一平坦層上並電性連接驅動晶片。第二平坦層設置於第一平坦層上並覆蓋第一重佈線路層。第二重佈線路層設置於第二平坦層上並電性連接第一重佈線路層。多個發光畫素單元陣列設置於基板上方。第一訊號線電性連接第一重佈線路層且第一訊號線朝第一方向延伸。第二訊號線在不同於第一訊號線的一水平面上延伸。第二訊號線電性連接第二重佈線路層，且第二訊號線朝不同於第一方向的第二方向延伸。封裝層覆蓋該基板、驅動晶片、第二平坦層、第二重佈線路層、第一訊號線及第二訊號線。
根據本揭露一實施方式，第一訊號線與第一重佈線路層位於同一水平面上。
根據本揭露一實施方式，第二訊號線與第二重佈線路層位於同一水平面上。
根據本揭露一實施方式，第一方向實質上垂直於第二方向。
根據本揭露一實施方式，發光陣列結構更包含一反射層設置於第二平坦層的頂表面。
根據本揭露一實施方式，反射層包括銀反射鏡、鋁反射鏡或分散式布拉格反射鏡。
根據本揭露一實施方式，第二重佈線路層的上表面為黑化處理表面。
根據本揭露一實施方式，第一訊號線的上表面為黑化處理表面。
根據本揭露一實施方式，第二訊號線的上表面為黑化處理表面。
本揭露之又一態樣是提供一種顯示器，其包含驅動基板以及多個如上所述的發光陣列結構。這些發光陣列結構設置於驅動基板上。
為了使本揭露內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本揭露的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本揭露具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本揭露之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
第1圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構10的上視示意圖。第2圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構的側視示意圖。請同時參閱第1圖及第2圖，發光陣列結構10包含基板110、多個發光畫素單元120、多條第一訊號線130、多條第二訊號線140以及封裝層150。在多個實施例中，基板110可以為高熱導係數鋁基板、可撓式基板、玻璃基板、金屬複合材料板、陶瓷基板或具有諸如電晶體或積體電路(ICs)之功能元件的半導體基板。
在多個實施例中，基板110還包含導電孔112、第一導電墊114及第二導電墊116。具體的說，導電孔112由基板110的上表面110a貫穿至下表面110b，且第一導電墊114及第二導電墊116分別設置於基板110的上表面110a及下表面110b並接觸導電孔112。在多個實例中，導電孔112的材質例如為銅或其他具導電性的材料，例如銀、鎳、錫或鋁等，但不限於此。在多個實例中，可先利用雷射鑽孔、化學鑽孔、機械鑽孔或其他合適的方式從基板110的上表面110a穿透至下表面110b以形成通孔。接著，在通孔內填入導電材質，以形成導電孔112。在多個實例中，第一導電墊114和第二導電墊116的材質例如可為銅或其他具導電性的材料，例如金、銀、鈀、鎳、錫或鋁等，但不限於此。
請繼續參閱第1圖及第2圖。多個發光畫素單元120陣列設置於基板110上。具體的說，各發光畫素單元120包含驅動晶片121、第一平坦層122、第一重佈線路層123、第二平坦層124、第二重佈線路層125以及發光二極體126。更詳細的說，驅動晶片121設置於基板110上。
在多個實施例中，本揭露所使用的驅動晶片121例如為微型驅動晶片，其尺寸介於約1微米至300微米之間。進一步的說，微型驅動晶片的尺寸例如為10微米、30微米、50微米、70微米、100微米、120微米、150微米、200微米或250微米。可以理解的是，驅動晶片121的電源接腳可連接電源供應電路的輸出端，以接收電源，而驅動晶片121的驅動接腳則連接發光二極體126，以控制發光二極體電路的運作。在多個實施例中，驅動晶片121具有過高溫度保護(over temperature protection，OTP)功能。舉例來說，當驅動晶片121的內部溫度超過預設溫度(例如，100℃)時，會啟動保護功能，例如關閉驅動晶片121以停止接收供應電源。
請繼續參閱第1圖及第2圖。更詳細的說，第一平坦層122設置於基板110上並覆蓋驅動晶片121。在多個實施例中，第一平坦層122的材料可以為氧化層或是感光絕緣材料，例如含有環氧樹脂(epoxy)的光阻材料。在多個實施例中，可以利用塗佈、噴塗、印刷或其他合適的方式形成第一平坦層122。
請繼續參閱第1圖及第2圖。更詳細的說，第一重佈線路層123設置於第一平坦層122上並電性連接驅動晶片121。在一些實施例中，第一重佈線路層123的材料包含銅、鎳、金、鋁、銀或其他合適的金屬。在另一些實施例中，第一重佈線路層123的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第一平坦層122上形成第一重佈線路層123。在另一實施例中，可以先對第一平坦層122的表面進行粗化製程，以使第一重佈線路層123與第一平坦層122之間具有良好結合力。
請繼續參閱第1圖及第2圖。更詳細的說，第二平坦層124設置於第一平坦層122上並覆蓋第一重佈線路層123。在多個實施例中，第二平坦層124的材料及製作方法可以與第一平坦層122的材料及製作方法相同或類似，在此不再贅述。
請繼續參閱第1圖及第2圖。更詳細的說，第二重佈線路層125設置於第二平坦層124上並電性連接第一重佈線路層123。在多個實施例中，第二重佈線路層125的材料及製作方法可以與第一重佈線路層123的材料及製作方法相同或類似，在此不再贅述。在多個實施例中，第二重佈線路層125的上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構10的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第1圖及第2圖。更詳細的說，發光二極體126覆晶接觸第二重佈線路層125。這種設計，可以使得發光二極體126不會被任何線路覆蓋，因此不影響其出光效率。在多個實施例中，發光二極體126可以為紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體、黃色發光二極體、白發光二極體及其組合。在一些實施例中，發光二極體126可以是次毫米發光二極體(mini-LED)或微發光二極體(micro-LED)。雖然第1圖中的每個發光畫素單元120僅包含三個發光二極體126，但發光二極體126的數量可視設計需求增加，例如為4個、5個、6個、7個或者更多。
由於本揭露的發光畫素單元120的設計可以使發光二極體126與驅動晶片121位於不同的水平面(level)上，因此，兩者的擺放位置不相互影響。在多個實施例中，發光二極體126的垂直投影與驅動晶片121的垂直投影重疊。這種設計能夠將發光二極體126置中擺放，而不影響發光畫素單元120的出光對稱性並達到更佳的光學效果。在另一實施例中，依照發光設計需求，發光二極體126的垂直投影可以與驅動晶片121的垂直投影不重疊。
請繼續參閱第1圖及第2圖。各第一訊號線130電性連接所述第一重佈線路層123的對應一者，且各第一訊號線130朝第一方向D1延伸。在多個實施例中，第一訊號線130的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第一平坦層122上形成第一訊號線130。因此，可以理解的是，這些第一訊號線130與所述第一重佈線路層123位於同一水平面(level)上。在多個實施例中，這些第一訊號線130的上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構10的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第1圖及第2圖。多條第二訊號線140，在不同於所述第一訊號線130的水平面(level)上延伸。更具體的說，各第二訊號線140電性連接所述第二重佈線路層125的對應一者，且各第二訊號線140朝不同於第一方向D1的第二方向D1延伸。在多個實施例中，第二訊號線140的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第二平坦層124上形成第二訊號線140。因此，可以理解的是，在多個實施例中，這些第二訊號線140與所述第二重佈線路層125位於同一水平面(level)上。在多個實施例中，第一方向D1實質上垂直於第二方向D2。在多個實施例中，這些第二訊號線140的一上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構10的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第1圖及第2圖。封裝層150覆蓋所述發光畫素單元120、所述第一訊號線130、所述第二訊號線140及所述基板110。在多個實施例中，封裝層150可包含有機封裝膠材(organic packaging material)、無機封裝膠材(inorganic packaging material)或其組合。舉例來說，有機膠材包含矽橡膠(silicon rubber)、壓克力及環氧樹脂；無機膠材包含矽膠(silicon dioxide)及氟膠，但本揭露不以此為限。在多個實施方式中，可以藉由點膠、封膠(molding)、灌膠(glue-filling)或其他合適的製程來形成封裝層150。封裝層150可以增加屏蔽水氣入侵的面積，保護發光陣列結構10免於受到水氣的干擾，進而提升產品的信賴性及使用壽命。
在某些實施例中，可進一步增添一添加物(圖未示)於封裝層150中，用以遮蔽線路及增加發光元件的亮度。舉例來說，添加物可以為有機物或無機物的顆粒，例如，陶瓷粒子、金屬粒子、玻璃粒子及高分子粒子等。
第3圖繪示本揭露另一實施方式之發光陣列結構30的側視示意圖。為了便於比較與上述各實施方式之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施方式之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
發光陣列結構30與發光陣列結構10的不同之處在於: 發光陣列結構30還包含一反射層310設置於各第二平坦層124的頂表面。在多個實施例中，反射層310可以為銀反射鏡、鋁反射鏡或分散式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector，DBR)。具體的說，分散式布拉格反射鏡可由兩種以上具有不同折射率之同質或異質材料之薄膜相互堆疊所構成。舉例來說，分散式布拉格反射鏡可以由SiO
2與TiO
2交互堆疊所構成或者由SiO
2/Al
2O
3/TiO
2交互堆疊所構成。這種設計可以增加發光陣列結構30之發光效率。
第4圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構40的上視示意圖。第5圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構40的剖面示意圖。為了便於比較與上述各實施方式之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件。請同時參閱第4圖及第5圖，發光陣列結構40包含基板110、驅動晶片410、第一平坦層420、第一重佈線路層430、第二平坦層440、第二重佈線路層450、多個發光畫素單元460、第一訊號線470、第二訊號線480以及封裝層150。
請繼續參閱第4圖及第5圖，驅動晶片410設置於基板110上。在多個實施例中，本揭露所使用的驅動晶片410例如為微型驅動晶片，其尺寸介於約1微米至300微米之間。進一步的說，微型驅動晶片的尺寸例如為10微米、30微米、50微米、70微米、100微米、120微米、150微米、200微米或250微米。可以理解的是，驅動晶片410的電源接腳可連接電源供應電路的輸出端，以接收電源，而驅動晶片410的驅動接腳則連接發光畫素單元460中的發光二極體，以控制發光二極體電路的運作。在多個實施例中，驅動晶片410具有過高溫度保護(over temperature protection，OTP)功能。舉例來說，當驅動晶片410的內部溫度超過預設溫度(例如，100℃)時，會啟動保護功能，例如關閉驅動晶片410以停止接收供應電源。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第一平坦層420設置於基板110上並覆蓋驅動晶片410。在多個實施例中，第一平坦層420的材料可以為氧化層或是感光絕緣材料，例如含有環氧樹脂(epoxy)的光阻材料。在多個實施例中，可以利用塗佈、噴塗、印刷或其他合適的方式形成第一平坦層420。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第一重佈線路層430設置於第一平坦層420上並電性連接驅動晶片410。在一些實施例中，第一重佈線路層430的材料包含銅、鎳、金、鋁、銀或其他合適的金屬。在另一些實施例中，第一重佈線路層430的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第一平坦層420上形成第一重佈線路層430。在另一實施例中，可以先對第一平坦層420的表面進行粗化製程，以使第一重佈線路層430與第一平坦層420之間具有良好結合力。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第二平坦層440設置於第一平坦層420上並覆蓋第一重佈線路層430。在多個實施例中，第二平坦層440的材料及製作方法可以與第一平坦層420的材料及製作方法相同或類似，在此不再贅述。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第二重佈線路層450設置於第二平坦層440上並電性連接第一重佈線路層430。在多個實施例中，第二重佈線路層450的材料及製作方法可以與第一重佈線路層430的材料及製作方法相同或類似，在此不再贅述。在多個實施例中，第二重佈線路層450的上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構40的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第4圖及第5圖，多個發光畫素單元460陣列設置於基板110上方。具體的說，各發光畫素單元460包含多個發光二極體462/464/466覆晶接觸第二重佈線路層450。這種設計，可以使得發光二極體462/464/466不會被任何線路覆蓋，因此不影響其出光效率。在一實施例中，發光二極體至少包含紅色發光二極體462、綠色發光二極體464和藍色發光二極體466。在多個實施例中，發光二極體可以更包含黃色發光二極體、白發光二極體及其組合。在一些實施例中，發光二極體462/464/466可以是次毫米發光二極體(mini-LED)或微發光二極體(micro-LED)。雖然第4圖和第5圖中的發光畫素單元460僅包含三個發光二極體462/464/466，但發光二極體的數量可視設計需求增加，例如為4個、5個、6個、7個或者更多。
由於本揭露的發光畫素單元460的設計可以使發光二極體462/464/466與驅動晶片410位於不同的水平面(level)上，因此，兩者的擺放位置不相互影響。在多個實施例中，發光畫素單元460的垂直投影與驅動晶片410的垂直投影重疊。這種設計能夠在發光陣列結構中將發光畫素單元460置中擺放，而不影響其出光對稱性並達到更佳的光學效果。在另一實施例中，依照發光設計需求，發光畫素單元460的垂直投影可以與驅動晶片410的垂直投影不重疊。
此外，與前述發光陣列結構10或30的主要差異在於本揭露的發光陣列結構40藉由將多組發光畫素單元460電性連接至同一個驅動晶片410，構成一個高整合型封裝結構，即如第4圖所示，有四組發光畫素單元460連接至同一驅動晶片410。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第一訊號線470電性連接第一重佈線路層430，且第一訊號線470朝第一方向D1延伸。在多個實施例中，第一訊號線470的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第一平坦層420上形成第一訊號線470。因此，可以理解的是，這些第一訊號線470與所述第一重佈線路層430位於同一水平面(level)上。在多個實施例中，這些第一訊號線470的上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構40的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第4圖及第5圖，第二訊號線480在不同於第一訊號線470的水平面上延伸。更具體的說，第二訊號線480電性連接第二重佈線路層450，且第二訊號線480朝不同於第一方向D1的第二方向D1延伸。在多個實施例中，第二訊號線480的材料可包含鋁銅、鋁矽銅或其他合金。在一些實施例中，可以利用諸如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporating)、電鍍(electroplating)或其他合適的沉積製程、微影製程、和蝕刻製程的方式於第二平坦層440上形成第二訊號線480。因此，可以理解的是，在多個實施例中，這些第二訊號線480與所述第二重佈線路層450位於同一水平面(level)上。在多個實施例中，第一方向D1實質上垂直於第二方向D2。在多個實施例中，這些第二訊號線480的上表面為一黑化處理表面。這種設計可以增加發光陣列結構40的佔黑比，以避免使用者目視可見。
請繼續參閱第4圖及第5圖，封裝層150覆蓋基板110、驅動晶片410、第二平坦層440、第二重佈線路層450、第一訊號線470及第二訊號線480。封裝層150可以增加屏蔽水氣入侵的面積，保護發光陣列結構40免於受到水氣的干擾，進而提升產品的信賴性及使用壽命。
在某些實施例中，可進一步增添一添加物(圖未示)於封裝層150中，用以遮蔽線路及增加發光元件的亮度。舉例來說，添加物可以為有機物或無機物的顆粒，例如，陶瓷粒子、金屬粒子、玻璃粒子及高分子粒子等。
第6圖繪示本揭露一實施方式之顯示器60的上視示意圖。如第6圖所示，顯示器60包含驅動基板610以及如上所述之發光陣列結構10或30。發光陣列結構10或30設置於驅動基板610上。在多個實施例中，驅動基板610例如可為燈板、發光二極體陣列基板或電路板。當某一或某些發光畫素單元120產生瑕疵時，直接置換整個發光陣列結構10或30，可以達到簡易修復的效果。
第7圖繪示本揭露又一實施方式之顯示器封裝70示意圖。如第7圖所示，可以將如第1圖所示的發光陣列結構10進行切割，以形成多個單一發光畫素單元120。再將這些單一發光畫素單元120各自依其特性進行分規(bining)後接合(bonding)於驅動基板610上。當某一發光畫素單元120產生瑕疵時，極易取下並直接置換整顆發光畫素單元120。這種方式不但具有易修復之優點，還可以減少失效分析以及修復工程的時間和材料成本。此外，先將單一發光畫素單元120進行分規後，再將相同規格之發光畫素單元120接合於同一驅動基板410上，可以解決視效不均的問題。相較於第7圖所示的顯示器封裝70，第6圖所示的顯示器60可以更進一步降低封裝體切割(dicing)、分規(bining)、打件(surface mount technology，SMT)及修復(repair)的成本。
第8圖繪示本揭露一實施方式之顯示器80的上視示意圖。如第8圖所示，顯示器80包含驅動基板610以及如前文之發光陣列結構40。多個發光陣列結構40設置於驅動基板610上。在多個實施例中，驅動基板610例如可為燈板、發光二極體陣列基板或電路板。當某一或某些發光畫素單元460產生瑕疵時，直接置換整個發光陣列結構40，可以達到簡易修復的效果。
綜上所述，本揭露的發光陣列結構利用了多層平坦層減緩原本重佈線路層預計爬升的地段差，使得各層重佈線路層得以平舖在平坦層上，進而能夠維持較細較薄的高精度線路。而且，在製作重佈線路層的同時，可以一併製作顯示器的行列訊號線，以達到線路整合的優點。再者，重佈線路層的表面平整度遠優於基板的表面平整度，對於巨量轉移技術而言有較佳的轉移良率。本揭露的設計無需使用具有高精度線路的基板，且能夠輕易地微型化發光陣列結構。此外，本揭露的顯示器具有易修復之特性。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:發光陣列結構
110:基板
110a:上表面
110b:下表面
112:導電孔
114:第一導電墊
116:第二導電墊
120:發光畫素單元
121:驅動晶片
122:第一平坦層
123:第一重佈線路層
124:第二平坦層
125:第二重佈線路層
126:發光二極體
130:第一訊號線
140:第二訊號線
150:封裝層
30:發光陣列結構
310:反射層
40:發光陣列結構
410:驅動晶片
420:第一平坦層
430:第一重佈線路層
440:第二平坦層
450:第二重佈線路層
460:發光畫素單元
462:紅色發光二極體
464:綠色發光二極體
466:藍色發光二極體
470:第一訊號線
480:第二訊號線
60:顯示器
610:驅動基板
70:顯示器封裝
80:顯示器
D1:第一方向
D2:第二方向
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構的上視示意圖。
第2圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構的側視示意圖。
第3圖繪示本揭露另一實施方式之發光陣列結構的側視示意圖。
第4圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構的上視示意圖。
第5圖繪示本揭露一實施方式之發光陣列結構的剖面示意圖。
第6圖繪示本揭露一實施方式之顯示器的上視示意圖。
第7圖繪示本揭露一實施方式之顯示器封裝示意圖。
第8圖繪示本揭露一實施方式之顯示器的上視示意圖。
10:發光陣列結構
110:基板
120:發光畫素單元
121:驅動晶片
124:第二平坦層
126:發光二極體
130:第一訊號線
140:第二訊號線
D1:第一方向
D2:第二方向
Claims (19)
- 一種發光陣列結構，包括： 一基板； 多個發光畫素單元，陣列設置於該基板上，各該發光畫素單元包含: 一驅動晶片，設置於該基板上； 一第一平坦層，設置於該基板上並覆蓋該驅動晶片； 一第一重佈線路層，設置於該第一平坦層上並電性連接該驅動晶片； 一第二平坦層，設置於該第一平坦層上並覆蓋該第一重佈線路層； 一第二重佈線路層，設置於該第二平坦層上並電性連接該第一重佈線路層；以及 一發光二極體，覆晶接觸該第二重佈線路層； 多條第一訊號線，各該第一訊號線電性連接該些第一重佈線路層的對應一者，且各該第一訊號線朝一第一方向延伸； 多條第二訊號線，在不同於該些第一訊號線的一水平面上延伸，各該第二訊號線電性連接該些第二重佈線路層的對應一者，且各該第二訊號線朝不同於該第一方向的一第二方向延伸；以及 一封裝層，覆蓋該些發光畫素單元、該些第一訊號線、該些第二訊號線及該基板。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中該些第一訊號線與該些第一重佈線路層位於同一水平面上。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中該些第二訊號線與該些第二重佈線路層位於同一水平面上。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中該第一方向實質上垂直於該第二方向。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，更包含一反射層設置於各該第二平坦層的一頂表面。
- 如請求項5所述之發光陣列結構，其中該反射層包括一銀反射鏡、一鋁反射鏡或一分散式布拉格反射鏡。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中各該第二重佈線路層的一上表面為一黑化處理表面。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中該些第一訊號線的一上表面為一黑化處理表面。
- 如請求項1所述之發光陣列結構，其中該些第二訊號線的一上表面為一黑化處理表面。
- 一種發光陣列結構，包括： 一基板； 一驅動晶片，設置於該基板上； 一第一平坦層，設置於該基板上並覆蓋該驅動晶片； 一第一重佈線路層，設置於該第一平坦層上並電性連接該驅動晶片； 一第二平坦層，設置於該第一平坦層上並覆蓋該第一重佈線路層； 一第二重佈線路層，設置於該第二平坦層上並電性連接該第一重佈線路層； 多個發光畫素單元，陣列設置於該基板上方，各該發光畫素單元包含多個發光二極體覆晶接觸該第二重佈線路層； 一第一訊號線，電性連接該第一重佈線路層，且該第一訊號線朝一第一方向延伸； 一第二訊號線，在不同於該第一訊號線的一水平面上延伸，該第二訊號線電性連接該第二重佈線路層，且該第二訊號線朝不同於該第一方向的一第二方向延伸；以及 一封裝層，覆蓋該基板、該驅動晶片、該第二平坦層、該第二重佈線路層、該第一訊號線及該第二訊號線。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第一訊號線與該第一重佈線路層位於同一水平面上。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第二訊號線與該第二重佈線路層位於同一水平面上。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第一方向實質上垂直於該第二方向。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，更包含一反射層設置於該第二平坦層的一頂表面。
- 如請求項14所述之發光陣列結構，其中該反射層包括一銀反射鏡、一鋁反射鏡或一分散式布拉格反射鏡。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第二重佈線路層的一上表面為一黑化處理表面。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第一訊號線的一上表面為一黑化處理表面。
- 如請求項10所述之發光陣列結構，其中該第二訊號線的一上表面為一黑化處理表面。
- 一種顯示器，包含: 一驅動基板；以及 多個如請求項1或請求項10所述之發光陣列結構，設置於該驅動基板上。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI824887B (zh) * | 2022-12-16 | 2023-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200718347A (en) | 2005-07-14 | 2007-05-01 | Mitsui Mining & Smelting Co | Blackening surface treated copper foil and electromagnetic wave shielding conductive mesh for front panel of plasma display using the blackening surface treated copper foil |
| US20080157316A1 (en) | 2007-01-03 | 2008-07-03 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Multi-chips package and method of forming the same |
| TWI457890B (zh) | 2012-08-17 | 2014-10-21 | Macroblock Inc | Display structure and display |
| WO2014203810A1 (ja) | 2013-06-20 | 2014-12-24 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
| US9368454B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with shielding layer in post-passivation interconnect structure |
| US10488961B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-11-26 | Innolux Corporation | Gate driving circuit for driving a pixel array having a trigger circuit for receiving a touch sensing signal |
| JP6561398B2 (ja) | 2015-08-06 | 2019-08-21 | 林 誼Ｌｉｎ， Ｙｉ | Ｌｅｄ画素点、発光ユニット、発光パネル及びディスプレイスクリーン |
| JP7034423B2 (ja) | 2016-04-28 | 2022-03-14 | オムニヴィジョン ティーディーディーアイ オンタリオ リミテッド パートナーシップ | 駆動制御デバイス及び電子機器 |
| US10360846B2 (en) | 2016-05-10 | 2019-07-23 | X-Celeprint Limited | Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device |
| KR20180053480A (ko) | 2016-11-11 | 2018-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| CN108319385B (zh) | 2016-12-23 | 2021-06-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 移位寄存器及具有移位寄存器的触控显示装置 |
| CN106531051B (zh) | 2017-01-03 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 |
| KR20180080741A (ko) | 2017-01-04 | 2018-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10832609B2 (en) | 2017-01-10 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Digital-drive pulse-width-modulated output system |
| US11024220B2 (en) | 2018-05-31 | 2021-06-01 | Invensas Corporation | Formation of a light-emitting diode display |
| TWI680593B (zh) * | 2018-10-12 | 2019-12-21 | 欣興電子股份有限公司 | 發光元件封裝結構及其製造方法 |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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