CN116454111A - 显示面板 - Google Patents

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CN116454111A CN202310478331.5A CN202310478331A CN116454111A CN 116454111 A CN116454111 A CN 116454111A CN 202310478331 A CN202310478331 A CN 202310478331A CN 116454111 A CN116454111 A CN 116454111A
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李锡烈
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Abstract

一种显示面板，包括电路基板、多个单色发光列以及多个双色发光列。各单色发光列包括沿着第一方向排列的多个第一无机发光二极管。第一无机发光二极管电性连接至电路基板。双色发光列与该些单色发光列沿着第二方向交替排列，各双色发光列包括沿着第一方向交替排列的多个第二无机发光二极管以及多个第三无机发光二极管。第二无机发光二极管以及第三无机发光二极管电性连接至该电路基板，其中该第一方向垂直于该第二方向。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板。
背景技术
微型发光二极管(micro light emitting diode)是一种电致发光的半导体元件，具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。一般而言，微型发光二极管包括堆叠的N型半导体层以及P型半导体层，N型半导体层以及P型半导体层分别通过电极而电性连接至不同的信号线。
随着科技的进步，市场对显示装置的分辨率的需求逐年上升。为了提升微型发光二极管显示装置的分辨率，相同面积的显示装置中需要设置更多的微型发光二极管，导致显示装置的成本上升。
发明内容
本发明提供一种显示面板，具有提高分辨率并降低生产成本的优点。
本发明的至少一实施例提供一种显示面板。显示面板包括电路基板、多个单色发光列以及多个双色发光列。各单色发光列包括沿着第一方向排列的多个第一无机发光二极管。第一无机发光二极管电性连接至电路基板。双色发光列与该些单色发光列沿着第二方向交替排列，各双色发光列包括沿着第一方向交替排列的多个第二无机发光二极管以及多个第三无机发光二极管。第二无机发光二极管以及第三无机发光二极管电性连接至该电路基板，其中该第一方向垂直于该第二方向。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图1B是图1A的无机发光二极管的俯视图。
图2是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图3A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图3B是图3A的无机发光二极管的俯视图。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图5A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图5B是图5A的无机发光二极管的俯视图。
图6A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图6B是图6A的无机发光二极管的俯视图。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图8是依照本发明的一比较例的一种显示面板的俯视图。
图9是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。
图10是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。
图11是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。
附图标记说明：
10A～10G：显示面板
100A～100G：无机发光二极管
110：第一半导体
112,122,132：第一部分
114,124,134：第二部分
120：第二半导体
120a：主体部
120b：隔离结构
122g：凹槽
130：发光层
140：绝缘层
150：基板
160隔离结构
200：电路基板
202：基底
204：第一绝缘层
206：第二绝缘层
208：第三绝缘层
210：开关元件
212：半导体层
214：栅极
216：第一源极/漏极
218：第二源极/漏极
222：接垫
224：共用信号线
232,234：电连接件
D1：第一方向
D2：第二方向
DC：双色发光列
E1：第一电极
E2：第二电极
L1：第一无机发光二极管
L2：第二无机发光二极管
L3：第三无机发光二极管
LR,LR1,LR2：发光区
PX1,PX2,PX3,PX4,PXA,PXB：像素
PXA1,PXA2,PXA3,PXA4：像素阵列
SC：单色发光列
SC1：第一单色发光列
SC2：第二单色发光列
SC3：第三单色发光列
具体实施方式
图1A是依照本发明的一实施例的一种显示面板10A的剖面示意图。图1B是图1A的无机发光二极管100A的俯视图。在本实施例中，显示面板10A包括不同颜色的多个无机发光二极管，在本实施例中，以其中一个无机发光二极管100A为例进行说明。
请参考图1A与图1B，显示面板10A包括电路基板200以及电性连接至电路基板200的无机发光二极管100A。电路基板200包括基底202、第一绝缘层204、第二绝缘层206、第三绝缘层208、多个开关元件210、接垫222以及共用信号线224。
开关元件210包括半导体层212、栅极214、第一源极/漏极216以及第二源极/漏极218。半导体层212位于基底202上。第一绝缘层204位于半导体层212上。栅极214位于第一绝缘层204上，且重叠于半导体层212。第二绝缘层206位于栅极214以及第一绝缘层204上。第一源极/漏极216以及第二源极/漏极218位于第二绝缘层206上，且电性连接至半导体层212。
在本实施例中，开关元件210为顶部栅极型薄膜晶体管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，开关元件210为底部栅极型薄膜晶体管、双栅极型薄膜晶体管或其他类型的开关元件。
第三绝缘层208位于第一源极/漏极216以及第二源极/漏极218上。接垫222以及共用信号线224位于第三绝缘层208，其中接垫222电性连接至开关元件210的第一源极/漏极216。
无机发光二极管100A包括第一半导体110、第二半导体120、发光层130、绝缘层140、两个第一电极E1以及一个第二电极E2。
第一半导体110以及第二半导体120互相重叠，且为不同掺杂类型的半导体。举例来说，第一半导体110与第二半导体120中的一者为N型掺杂半导体，且另一者为P型掺杂半导体。第一半导体110与第二半导体120的材料例如包括氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一半导体110位于第二半导体120与电路基板200之间。
发光层130位于第一半导体110与第二半导体120之间。发光层130例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：单量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其他的量子井，P型掺杂的半导体层提供的空穴与N型掺杂的半导体层提供的电子可以在发光层130结合，并以光的模式释放出能量。在一些实施例中，发光层130的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓、砷化镓、磷化铝镓铟、砷化铟铝镓或其他IIIA族和VA族元素组成的材料或其他合适的材料。
绝缘层140覆盖第一半导体110的侧壁、发光层130的侧壁与第二半导体120的侧壁。在本实施例中，绝缘层140还覆盖第二半导体120的底面，但本发明不以为限。
在本实施例中，第一半导体110包括彼此分离的第一部分112与第二部分114，且发光层130包括彼此分离的第一部分132与第二部分134。第一部分132位于第一部分112与第二半导体120之间，且第二部分134位于第二部分114与第二半导体120之间。
两个第一电极E1电性连接第一半导体110。在本实施例中，绝缘层140具有重叠于第一部分112与第二部分114的顶面的两个孔洞，且两个第一电极E1通过绝缘层140的孔洞而分别连接至第一部分112与第二部分114。
第二电极E2电性连接第二半导体120。在本实施例中，其中第二半导体120包括凹槽122g，凹槽122g位于第一部分112与第二部分114之间。绝缘层140具有位于凹槽122g的孔洞，第二电极设置于凹槽122g中，且通过绝缘层140的孔洞而连接至第二半导体120。
两个第一电极E1分别通过两个导电连接件232而电性连接至两个接垫222，并通过接垫222而连接至不同个开关元件210。第二电极E2通过导电连接件234而电性连接至共用信号线224。
在本实施例中，无机发光二极管100A包括互相分离的两个发光区LR1、LR2。两个发光区LR1、LR2可以通过不同个开关元件210而独立运行。换句话说，可以单独点亮发光区LR1或发光区LR2。在一些实施例中，发光区LR1、LR2分别重叠于不同的像素PXA、PXB，也可以说部分的无机发光二极管100A属于像素PXA，且部分的无机发光二极管100A属于像素PXB。在本实施例中，第二半导体120从像素PXA延伸至像素PXB。第一半导体110的第一部分112以及发光层130的第一部分132重叠于像素PXA，且第一半导体110的第二部分114以及发光层130的第二部分134重叠于像素PXA。
由于像素PXA、PXB可以共用无机发光二极管100A，因此可以减少显示面板10A中的无机发光二极管100A的数量，借此降低显示面板10A的生产成本。
图2是依照本发明的一实施例的一种显示面板10B的剖面示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图2的显示面板10B与图1A的显示面板10A的差异在于：在显示面板10B中，无机发光二极管100B还包括基板150。
无机发光二极管100B包括第一半导体110、第二半导体120、发光层130、绝缘层140、两个第一电极E1、一个第二电极E2以及基板150。第二半导体120、发光层130以及第一半导体110按序堆叠于基板150上。在一些实施例中，基板150例如为砷化镓(GaAs)基板、砷化镓铝(AlGaAs)基板、磷化镓(GaP)基板、磷化铟(InP)基板、蓝宝石(Sapphire)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板、硅基氮化镓(GaN-on-Si)或其他适用于外延工艺的生长基板。
在一些实施例中，图2的无机发光二极管100B为迷你发光二极管(mini-LED)，而图1A的无机发光二极管100A为微型发光二极管(micro-LED)，迷你发光二极管与微型发光二极管的差别主要在于前者具有原生基板如蓝宝石基板而后者无。
图3A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。图3B是图3A的无机发光二极管的俯视图。在此必须说明的是，图3A和图3B的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3A的显示面板10C与图1A的显示面板10A的差异在于：在显示面板10C中，无机发光二极管100C的第二半导体120包括隔离结构120b。此外，在显示面板10C中，第二半导体120位于第一半导体110与电路基板200之间。
在本实施例中，第二半导体120包括主体部120a以及隔离结构120b。隔离结构120b是经蚀刻而形成的沟渠或经离子布植而形成的掺杂区。这种隔离结构120b亦揭述于例如美国专利公告第10652963号。通过隔离结构120b的设置，可以形成互相分离的两个发光区LR1、LR2。两个发光区LR1、LR2可以通过不同个开关元件210而独立运行。换句话说，可以单独点亮发光区LR1或发光区LR2。在一些实施例中，发光区LR1、LR2分别重叠于不同的像素PXA、PXB，也可以说部分的无机发光二极管100C属于像素PXA，且部分的无机发光二极管100C属于像素PXB。
在一些实施例中，当隔离结构120b是沟渠时，可以于隔离结构120b中填入其他绝缘材料，借此提升隔离结构120b的电隔离效果。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板10D的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3A和图3B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的显示面板10D与图3A的显示面板10C的差异在于：在显示面板10D中，无机发光二极管100D还包括基板150。
无机发光二极管100D包括第一半导体110、第二半导体120、发光层130、绝缘层140、两个第一电极E1、一个第二电极E2以及基板150。第一半导体110、发光层130以及第二半导体120按序堆叠于基板150上。
在一些实施例中，图4的无机发光二极管100D为迷你发光二极管，而图3A的无机发光二极管100C为微型发光二极管。
图5A是依照本发明的一实施例的一种显示面板10E的剖面示意图。图5B是图5A的无机发光二极管100E的俯视图。在此必须说明的是，图5A和图5B的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5A的显示面板10E与图4的显示面板10D的差异在于：在显示面板10E中，无机发光二极管100E包括隔离结构160，且隔离结构160将第一半导体110、发光层130以及第二半导体120皆分成两部分。
无机发光二极管100E包括第一半导体110、第二半导体120、发光层130、绝缘层140、两个第一电极E1、一个第二电极E2、基板150(图5B省略示出)以及隔离结构160。第一半导体110包括互相分离的第一部分112以及第二部分114，第二半导体120包括互相分离的第一部分122以及第二部分124，发光层130包括互相分离的第一部分132以及第二部分134。第一部分112、第一部分122以及第一部分132重叠于像素PXA，且第二部分114、第二部分124以及第二部分134重叠于像素PXB。
隔离结构160位于第一部分112以及第二部分114之间、第一部分122以及第二部分124之间以及第一部分132以及第二部分134之间。在一些实施例中，隔离结构160延伸至基板150的表面。在一些实施例中，隔离结构160包括绝缘材料，借此提升隔离结构160的电隔离效果。通过隔离结构160的设置，可以形成互相分离的两个发光区LR1、LR2。两个发光区LR1、LR2可以通过不同个开关元件210而独立运行。换句话说，可以单独点亮发光区LR1或发光区LR2。在一些实施例中，发光区LR1、LR2分别重叠于不同的像素PXA、PXB，也可以说部分的无机发光二极管100E属于像素PXA，且部分的无机发光二极管100E属于像素PXB。
图6A是依照本发明的一实施例的一种显示面板10F的剖面示意图。图6B是图5A的无机发光二极管100F的俯视图。在此必须说明的是，图6A与图6B的实施例沿用图3A与图3B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6A的显示面板10F与图3A的显示面板10C的差异在于：在显示面板10F中，无机发光二极管100F并没有通过隔离结构而形成互相分离的两个发光区。在无机发光二极管100F中，一个发光区LR重叠于不同的像素PXA、PXB，也可以说部分的无机发光二极管100F属于像素PXA，且部分的无机发光二极管100F属于像素PXB。
请参考图6A，在本实施例中，无机发光二极管100F仅具有一个发光区LR。在本实施例中，无机发光二极管100F的两个第一电极E1分别通过两个导电连接件232而电性连接至两个接垫222，并通过接垫222而连接至不同个开关元件210。虽然两个开关元件210都可以点亮发光区LR，但可以通过开关元件210调整发光区LR的亮度。举例来说，同时开启两个开关元件210时的亮度大于只有开启一个开关元件210时的亮度。两个开关元件210可以在不同时间开启或关闭。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示面板10G的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图6A和图6B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的显示面板10G与图6A的显示面板10F的差异在于：在显示面板10G中，无机发光二极管100G还包括基板150。
无机发光二极管100G包括第一半导体110、第二半导体120、发光层130、绝缘层140、两个第一电极E1、一个第二电极E2以及基板150。第一半导体110、发光层130以及第二半导体120按序堆叠于基板150上。
图8是依照本发明的一比较例的一种显示面板的俯视图。为了方便说明，图8示出显示面板中的像素阵列PXA1，并省略其他构件。
请参考图8，显示面板包括多条第一单色发光列SC1、多条第二单色发光列SC2以及多条第三单色发光列SC3。
第一单色发光列SC1包括沿着第一方向D1排列的多个第一无机发光二极管L1。第二单色发光列SC2包括沿着第一方向D1排列的多个第二无机发光二极管L2。第三单色发光列SC3包括沿着第一方向D1排列的多个第三无机发光二极管L3。第一单色发光列SC1、第二单色发光列SC2以及第三单色发光列SC3沿着第二方向D2交替排列。第一方向D1垂直于第二方向D2。
第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3分别是不同颜色的发光二极管。举例来说，第一无机发光二极管L1为绿色发光二极管，第二无机发光二极管L2为蓝色发光二极管，且第三无机发光二极管L3为红色发光二极管。
在比较例中，第一单色发光列SC1、第二单色发光列SC2以及第三单色发光列SC3构成像素阵列PXA1。像素阵列PXA1包括多个像素PX1，每个像素PX1包括对应的一个第一无机发光二极管L1、对应的一个第二无机发光二极管L2以及对应的一个第三无机发光二极管L3。
图9是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。为了方便说明，图9示出显示面板中的像素阵列PXA2，并省略其他构件。
图9的像素阵列PXA2与图8的像素阵列PXA1的差异在于：像素阵列PXA2包括多个单色发光列SC以及多个双色发光列DC，而像素阵列PXA1包括第一单色发光列SC1、第二单色发光列SC2以及第三单色发光列SC3。
请参考图9，单色发光列SC以及双色发光列DC设置于电路基板(未绘出)上。双色发光列DC与单色发光列SC沿着第二方向D2交替排列。
单色发光列SC包括沿着第一方向D1排列的多个第一无机发光二极管L1。第一无机发光二极管L1电性连接至电路基板。
双色发光列DC包括沿着第一方向D1交替排列的多个第二无机发光二极管L2以及多个第三无机发光二极管L3。第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3电性连接至电路基板。
在本实施例中，单色发光列SC以及双色发光列DC构成像素阵列PXA2。像素阵列PXA2包括多个像素PX2，每个像素PX2包括对应的一个第一无机发光二极管L1、对应的半个第二无机发光二极管L2以及对应的半个第三无机发光二极管L3。
在本实施例中，双色发光列DC中的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自皆在第二方向D2上横跨相邻的两行像素PX2。
在图9的像素阵列PXA2中，在第二方向D2上相邻的两行像素PX2可以共用第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。基于前述，像素阵列PXA2中的像素PX2的面积可以减少，借此可以提升显示面板的分辨率。此外，还可以减少第二无机发光二极管L2及第三无机发光二极管L3所需的数量，借此减少显示面板的生产成本。
在一些实施例中，图9的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自的结构可以等于图1A至图7中任一实施例中的无机发光二极管100A～100G的结构，可以通过调整无机发光二极管100A～100G中的第一半导体110、第二半导体120以及发光层130的材料，来获得不同颜色的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。
当第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3等于图1A至图5中任一实施例中的无机发光二极管100A～100E的结构时，各第二无机发光二极管L2包括互相分离的两个发光区，且各第三无机发光二极管L3包括互相分离的两个发光区。第二无机发光二极管L2中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX2，且第三无机发光二极管L3中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX2。
在一些实施例中，第一无机发光二极管L1为绿色发光二极管，第二无机发光二极管L2为蓝色发光二极管，且第三无机发光二极管L3为红色发光二极管。在一些实施例中，各第三无机发光二极管L3的发光区面积大于或等于各第一无机发光二极管L1的发光区面积以及各第二无机发光二极管L2的发光区面积。举例来说，第一无机发光二极管L1的发光区面积约等于第二无机发光二极管L2的发光区面积的一半，且第三无机发光二极管L3的发光区面积大于或等于第二无机发光二极管L2的发光区面积。由于红色发光二极管的发光效率较差，通过增加红色发光二极管的发光区面积，可以改善红光不足的问题。
图10是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。为了方便说明，图10示出显示面板中的像素阵列PXA3，并省略其他构件。
图10的像素阵列PXA3与图9的像素阵列PXA2的差异在于：像素阵列PXA2中的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自在第二方向D2上横跨相邻的两行像素PX2，而像素阵列PXA3中的第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3则是各自在第一方向D1上横跨相邻的两列像素PX3。
在本实施例中，单色发光列SC以及双色发光列DC构成像素阵列PXA3。像素阵列PXA3包括多个像素PX3，每个像素PX3包括对应的半个第一无机发光二极管L1、对应的半个第二无机发光二极管L2以及对应的半个第三无机发光二极管L3。
在图10的像素阵列PXA3中，在第一方向D1上相邻的两列像素PX3可以共用第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。基于前述，像素阵列PXA3中的像素PX3的面积可以进一步减少，借此可以提升显示面板的分辨率。此外，还可以减少第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2及第三无机发光二极管L3所需的数量，借此减少显示面板的生产成本。
在一些实施例中，图10的第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自的结构可以等于图1A至图7中任一实施例中的无机发光二极管100A～100G的结构，可以通过调整无机发光二极管100A～100G中的第一半导体110、第二半导体120以及发光层130的材料，来获得不同颜色的第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。
当第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3等于图1A至图5中任一实施例中的无机发光二极管100A～100E的结构时，各第一无机发光二极管L1包括互相分离的两个发光区，各第二无机发光二极管L2包括互相分离的两个发光区，且各第三无机发光二极管L3包括互相分离的两个发光区。第一无机发光二极管L1中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX3，第二无机发光二极管L2中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX3，且第三无机发光二极管L3中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX3。
在一些实施例中，第一无机发光二极管L1为绿色发光二极管，第二无机发光二极管L2为蓝色发光二极管，且第三无机发光二极管L3为红色发光二极管。在一些实施例中，第一无机发光二极管L1的发光区面积约等于第二无机发光二极管L2的发光区面积，且第三无机发光二极管L3的发光区面积大于或等于第一无机发光二极管L1的发光区面积。由于红色发光二极管的发光效率较差，通过增加红色发光二极管的发光区面积，可以改善红光不足的问题。
图11是依照本发明的一实施例的一种显示面板的俯视图。为了方便说明，图11示出显示面板中的像素阵列PXA4，并省略其他构件。
图11的像素阵列PXA4与图10的像素阵列PXA3的差异在于：像素阵列PXA3中的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自在第一方向D1上横跨相邻的两列像素PX3，而像素阵列PXA4中的第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管则是L3各自在第二方向D2上横跨相邻的两行像素PX4。
在本实施例中，单色发光列SC以及双色发光列DC构成像素阵列PXA4。像素阵列PXA4包括多个像素PX4，每个像素PX4包括对应的半个第一无机发光二极管L1、对应的半个第二无机发光二极管L2以及对应的半个第三无机发光二极管L3。
在图11的像素阵列PXA3中，在第一方向D1上相邻的两列像素PX4可以共用第一无机发光二极管L1，而在第二方向D2上相邻两行像素PX4则可以共用第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。
在一些实施例中，图11的第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3各自的结构可以等于图1A至图7中任一实施例中的无机发光二极管100A～100G的结构，可以通过调整无机发光二极管100A～100G中的第一半导体110、第二半导体120以及发光层130的材料，来获得不同颜色的第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3。
当第一无机发光二极管L1、第二无机发光二极管L2以及第三无机发光二极管L3等于图1A至图5中任一实施例中的无机发光二极管100A～100E的结构时，各第一无机发光二极管L1包括互相分离的两个发光区，各第二无机发光二极管L2包括互相分离的两个发光区，且各第三无机发光二极管L3包括互相分离的两个发光区。第一无机发光二极管L1中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX4，第二无机发光二极管L2中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX4，且第三无机发光二极管L3中的两个发光区例如分别重叠于相邻的像素PX4。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
一电路基板；
多个单色发光列，各该单色发光列包括沿着一第一方向排列的多个第一无机发光二极管，且该些第一无机发光二极管电性连接至该电路基板；以及
多个双色发光列，该些双色发光列与该些单色发光列沿着一第二方向交替排列，各该双色发光列包括沿着该第一方向交替排列的多个第二无机发光二极管以及多个第三无机发光二极管，且该些第二无机发光二极管以及该些第三无机发光二极管电性连接至该电路基板，其中该第一方向垂直于该第二方向。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中各该第二无机发光二极管包括：
互相重叠的一第一半导体以及一第二半导体；
两个第一电极，电性连接该第一半导体；以及
一第二电极，电性连接该第二半导体。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中各该第二无机发光二极管还包括：
一隔离结构，将该第一半导体以及该第二半导体皆分成两部分。
4.如权利要求2所述的显示面板，其中该第二半导体包括一隔离结构，该隔离结构为一沟渠或一掺杂区。
5.如权利要求2所述的显示面板，其中该第一半导体包括一第一部分与一第二部分，且该两个第一电极分别连接至该第一部分与该第二部分。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中该第二半导体包括一凹槽，该凹槽位于该第一部分与该第二部分之间，且该第二电极设置于该凹槽中。
7.如权利要求2所述的显示面板，其中该些双色发光列与该些单色发光列构成一像素阵列，该像素阵列包括多个像素，且各该像素包括对应的半个第一无机发光二极管、对应的半个第二无机发光二极管以及对应的半个第三无机发光二极管。
8.如权利要求2所述的显示面板，其中该第二电极电性连接至一共用信号线，且该两个第一电极分别连接至两个开关元件。
9.如权利要求2所述的显示面板，其中该些第一无机发光二极管为绿色发光二极管，该些第二无机发光二极管为蓝色发光二极管，且该些第三无机发光二极管为红色发光二极管，且各该第三无机发光二极管的发光区面积大于或等于各该第一无机发光二极管的发光区面积以及各该第二无机发光二极管的发光区面积。
10.如权利要求1所述的显示面板，其中各该第二无机发光二极管包括互相分离的两个发光区，且各该第三无机发光二极管包括互相分离的两个发光区。
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