TWI822989B - 真空蒸鍍裝置 - Google Patents

真空蒸鍍裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI822989B
TWI822989B TW109112773A TW109112773A TWI822989B TW I822989 B TWI822989 B TW I822989B TW 109112773 A TW109112773 A TW 109112773A TW 109112773 A TW109112773 A TW 109112773A TW I822989 B TWI822989 B TW I822989B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
evaporation
opening
storage box
axis direction
vapor deposition
Prior art date
Application number
TW109112773A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202045754A (zh
Inventor
齋藤修司
横山礼寛
Original Assignee
日商愛發科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商愛發科股份有限公司 filed Critical 日商愛發科股份有限公司
Publication of TW202045754A publication Critical patent/TW202045754A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI822989B publication Critical patent/TWI822989B/zh

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

本發明係提供一種泛用性為高,且維護性優異的蒸鍍單元。
本發明之蒸鍍單元(VU),係具備有:收容箱(3),係收納有蒸鍍物質(Vm)、和加熱手段(4),係將收容箱內的蒸鍍物質進行加熱,於收容箱之其中一面係被形成有將藉由加熱而作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質放出的放出開口(34c),該蒸鍍單元(VU),係進一步具備有:移動手段(5),係被設置於將其中一面作了開口的貯藏腔(30)內,將朝向貯藏腔之開口的方向設為上方,以使放出開口的相位與此開口為一致的姿勢,讓被設置在貯藏腔的蒸鍍單元沿著上下方向進退。

Description

真空蒸鍍裝置
本發明,係有關於一種具備有:收容箱,係收納有蒸鍍物質、和加熱手段,係將收容箱內的蒸鍍物質進行加熱,並於收容箱之其中一面被形成有將藉由加熱而作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質放出的放出開口之蒸鍍單元,及具備有此蒸鍍單元之真空蒸鍍裝置,尤其是,係有關於適用於對於被捲掛在圓筒輥的薄片狀之基材來進行成膜者。
於例如專利文獻1中已知有:對於例如以特定速度進行移動(行走)之相對而言寬幅較廣的薄片狀之基材或基板等之被蒸鍍物進行成膜的蒸鍍單元。該蒸鍍單元,係具備有:收容箱,係收容蒸鍍物質、和加熱手段,係將收容箱內的蒸鍍物質進行加熱。於收容箱(上面)之蓋部處,係於基材的寬幅方向上空出有間隔地排列設置有筒狀的放出開口(所謂的線源)。並且,藉由在真空氛圍之真空腔(主腔)內對收容箱進行加熱,而使作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質從各放出開口被放出,依據特定的餘弦定理,一邊從該放出開口呈圓頂狀地擴散一邊朝向被蒸鍍物 來飛散,而作蒸鍍。
此種蒸鍍單元的收容箱,通常是被固定配置在真空腔內。因此,一般而言,在組裝蒸鍍單元來設計真空蒸鍍裝置的情況,係考慮所使用之蒸鍍物質的種類、和對於收容箱之與每單位時間之來自加熱手段的加熱量相對應之蒸鍍物質的飛散分布,來設定放出開口與被蒸鍍物之間的距離。然而,即便是相同的蒸鍍物質,依據其之加熱量(加熱溫度),也會使在收容箱內作昇華或者是氣化之蒸鍍物質的量有所改變,因此,其之飛散分布也會改變,另一方面,在相異的蒸鍍物質的情況,即便是對加熱量作適當控制來使在收容箱內昇華或者是氣化之蒸鍍物質的量一致,也會依存於其之種類而使飛散分布有所改變。因此,將收容箱固定配置在真空腔內的構成係缺乏泛用性。並且,在蒸鍍時,包含放出開口在內,蒸鍍物質也會附著、堆積於收容箱,因此,係成為需要定期性地進行包含收容箱之清洗的維護,但是,在設置有複數個零件之真空腔內進行維護一事,在維護之作業性上係為不佳。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-77193號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明,係鑑於以上之觀點,以提供一種泛用性為高,且維護性優異的蒸鍍單元及具備有此蒸鍍單元之真空蒸鍍裝置作為其之目的。    [用以解決問題之手段]
為了解決上述課題,本發明之蒸鍍單元,係具備有:收容箱,係收納有蒸鍍物質、和加熱手段,係將收容箱內的蒸鍍物質進行加熱,於收容箱之其中一面係被形成有將藉由加熱而作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質放出的放出開口,其特徵為,係進一步具備有:移動手段,係被設置於將其中一面作了開口的貯藏腔內,而在貯藏腔內讓蒸鍍單元沿著上下方向進退,前述收容箱,係具備有:外容器,係將上面作了開口、和支撐框,係固定在外容器的內壁面處、和內容器,係被配置於支撐框的內側處並收納有蒸鍍物質、以及蓋體,係覆蓋外容器與內容器之間之上面的開口,並被形成有之放出開口,於支撐框的特定位置處配置有朝向其內側突出的複數個支撐銷,被構成為,當在外容器內貯藏有內容器時,藉由各支撐銷來支撐內容器。
又,為了解決上述課題,具備有上述蒸鍍單元之本發明之真空蒸鍍裝置,係具備有具有圓筒輥的真空腔,使前述貯藏腔從其開口側而被裝設於開設在真空腔的安裝開口處,而構成為以使前述收容箱之前述放出開口相對於圓筒輥的軸線而為正交的姿勢來設置前述蒸鍍單元。於此情況中,係可採用:使前述放出開口與被捲掛在前述圓筒輥的薄片狀之基材之間的距離,藉由前述移動手段而在蒸鍍單元之上下移動的衝程之範圍內作改變,而可自由調整在前述收容箱內作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質之飛散分布的構成。
若依據以上構成,則由於在貯藏腔設置蒸鍍單元而被作模組化,因此,例如,僅藉由於被開設在主腔(真空腔)的安裝開口處來從其之開口側裝設貯藏腔,便能夠以收容箱之放出開口相對於圓筒輥的軸線而為正交的姿勢來設置蒸鍍單元,該主腔,係具有圓筒輥,並對於被捲掛在此圓筒輥的薄片狀之基材的部分實施成膜。接著,只要藉由移動手段來使蒸鍍單元沿著上下方向作移動,則能夠使放出開口相對於圓筒輥(進而,被捲掛在其上的薄片狀之基材的部分)來靠近或者是分離,亦即是,能夠將放出開口與被蒸鍍物之間的距離在蒸鍍單元之上下移動的衝程之範圍內任意地作改變。其結果,例如,係可因應於蒸鍍物質之種類或加熱溫度,來調整作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質之飛散分布。並且,在維護時,由於能夠從主腔之安裝開口,連同貯藏腔地而將蒸鍍單元拆下,因此能夠較上述以往例更提昇維護之作業性。進而,由於是藉由支撐銷來支撐內容器,因此因導熱所造成的熱損失會變小,而能夠更有效率地將內容器進行加熱。於此情況中,只要將外容器的內面藉由例如電解研磨來作鏡面拋光,則當藉由加熱手段來將內容器進行加熱時,能夠使外容器之內面發揮作為將熱反射的反射鏡之功用,並增加輻射熱來更進一步有效率地將內容器進行加熱,而為有利。
於本發明之真空蒸鍍裝置中,較理想為,係將前述圓筒輥之軸線方向設為X軸方向,將上下方向設為Z軸方向,將與X軸及Z軸正交的方向設為Y軸方向,前述蓋體係以X軸方向為長邊且為板狀,係進一步具備有:限制手段,係容許前述蓋體之朝Y軸方向的熱變形及在Z軸周圍的旋轉,並對朝X軸方向及Y軸方向之變形作限制。於此情況中,前述限制手段,係可構成為具備有:第1及第2之兩限制部,係在前述蒸鍍單元的蒸鍍位置處,於X軸方向中央區域與放出開口之外緣部相對峙而作配置、和第3限制部,係在X軸方向兩端部,位置於放出開口之外緣部。
另外,蒸鍍時,係會有形成有放出開口的蓋體被冷卻的情況,在這種情況時,係於收容箱(內容器)產生溫度梯度,而使與每單位時間之來自加熱手段的加熱量相對應之在收容箱內昇華或者是氣化之蒸鍍物質的量改變,進而,係會有使飛散分布改變的情況。因此,於本發明中,較理想為,前述加熱手段,係以藉由前述支撐框所保持而與前述內容器之外壁面相對向配置的複數個護套式加熱器所構成,將前述內容器之外壁區分成複數個區域,而能夠對在各區域處分別相對向配置的護套式加熱器之各者,以特定電流值來作通電。若依據此,則只要對各區域之每一者分別適當設定電流值來調整來自護套式加熱器之加熱量,則可盡可能地抑制於收容箱(內容器)產生溫度梯度的情形,而為有利。
以下,參照附圖,以適用於所謂的捲取式之真空蒸鍍裝置的情況為例,來對本發明之實施形態的蒸鍍單元及具備有此蒸鍍單元之真空蒸鍍裝置作說明。於以下內容中,係設為以圓筒輥之軸線方向與水平方向一致的姿勢來將該圓筒輥收容於作為真空腔的主腔內,將軸線方向設為X軸方向,將在同一水平面內與X軸正交的方向設為Y軸方向,並將與X軸及Y軸正交的垂直方向設為Z軸方向,又,「上」、「下」之方向係以第1圖作為基準。
參照第1圖~第3圖,本實施形態之真空蒸鍍裝置Cm,係具備有主腔1。於主腔1中,係連接有圖示省略之以渦輪分子泵、旋轉泵等所構成的真空泵,而成為能夠形成真空氛圍(例如,10-5 Pa)。於主腔1的下面中央處,係形成有具有以第1圖所展示之剖面觀察時為半正六角形的輪廓之朝下方突出的突出部11。在朝X軸方向延伸的突出部11之各平坦面12,係形成有面對後述之圓筒輥2的安裝開口13,而成為能夠經由安裝開口13,來將本實施形態之蒸鍍單元VU自由拆裝地作裝設。
在主腔1之上部空間處,係配置有複數個導引輥Gr,該導引輥Gr,係用以將從圖外之進給輥而被作移送的薄片狀之基材Sw導引至圓筒輥2,且將圍繞圓筒輥2之薄片狀的基材Sw移送至圖外的捲取輥。另外,雖然無特別圖示來作說明,但是,於主腔1,係連設有上游側腔與下游側腔,於上游側腔係設置有進給輥,該進給輥,係捲繞有薄片狀的基材Sw,並以一定的速度將此薄片狀的基材Sw作進給,於下游側腔係設置有捲取輥,該捲取輥,係將藉由在主腔1圍繞圓筒輥2的周圍而被作了成膜之成膜完畢的薄片狀之基材Sw作捲取。作為將薄片狀的基材Sw作進給直到捲取為止的機構,由於可運用周知之機構,因此省略進一步詳細的說明。
圓筒輥2,係具備有旋轉軸21,旋轉軸21在主腔1內是藉由於X軸方向(軸線方向)上空出有間隔地被作配置的2個軸承裝置Bm而被作軸支撐,而構成為,藉由被配置在主腔1外的馬達M1而以特定的旋轉速度被作旋轉驅動。軸承裝置Bm,係雖無特別詳細地圖示,但是,其係將徑方向內側的內軸承與徑方向外側的外軸承一體地組裝在框體者,而構成為,內軸承係將旋轉軸21作軸支撐,並且外軸承係將後述之第2隔壁的轉動臂自由轉動地作支撐。雖然無特別圖示來作說明,但是,於圓筒輥2,係內藏有藉由周知的方法來將薄片狀的基材Sw進行加熱或者是冷卻的機構。
各蒸鍍單元VU,係具備有貯藏腔30,該貯藏腔30,係具有相同的構造,並以形成有通連開口30a的方式來將其中一面作了開口,而成為使貯藏腔30以包圍安裝開口13的方式來對於主腔1之平坦面12而從其之外側來分別作裝著。於貯藏腔30,係設置有以使後述之放出開口34c的相位與通連開口30a一致的姿勢來被貯藏的收容箱3,於收容箱3,係一體地組裝有將其內部之蒸鍍物質Vm進行加熱的加熱手段4。作為蒸鍍物質Vm,係對應於想要形成在薄片狀之基材Sw的薄膜而使用有金屬材料或有機材料。於本實施形態中,雖然是以在位置於垂直方向下方處之其中一方的平坦面12(第1圖中為右側)處、和相對於水平面而作了傾斜之另外一方的平坦面12(第1圖中為左側)處,分別裝設有2個蒸鍍單元VU者為例來作說明,但是,並不被限定於此,例如,係亦可為在所有的平坦面12處皆裝設蒸鍍單元VU,或者是僅在位置於垂直方向下方的平坦面12處裝設蒸鍍單元VU。於此情況中,於未裝設有蒸鍍單元VU的安裝開口13處,係被裝設有將其作堵塞的蓋體(於第1圖及第2圖中,係將其省略)。
亦參照第4圖及第5圖,收容箱3,係若是以被裝設在位置於垂直方向下方的平坦面12處者為例來作說明,則其係為例如不鏽鋼製,且由外容器31和支撐框32和內容器33以及蓋體34所構成,該外容器31,係將上面(與圓筒輥2之對峙面)作了開口;該支撐框32,係以覆蓋除了上面以外之外容器31的內壁面的方式,來固定在將板狀構件32a、32b呈格子狀組裝而成的外容器31;該內容器33,係被配置在支撐框32的內側並收納有蒸鍍物質Vm;該蓋體34,係覆蓋外容器31與內容器33之間之上面的開口。外容器31與內容器33,係具有以第1圖所展示之剖面觀察時為彼此相似的有底直方體狀之輪廓,外容器31與內容器33之X軸方向長度,係被設定成圓筒輥2之母線(X軸方向)長度之同等以上(參照第3圖)。外容器31與內容器33之Y軸方向長度(寬幅),係考慮到薄片狀之基材Sw的橫寬幅(具體而言,係相對於基材Sw之X軸方向的蒸鍍範圍)或蒸鍍速率等而被作適當設定。
又,在支撐框32之特定位置處,係立設有朝向其內側突出之複數個作為支撐銷的螺桿35,而構成為若將內容器33插入至外容器31的內側,則僅藉由各螺桿35的頭部來支撐內容器33。與圓筒輥2之外周面相對峙的蓋體34,係使由分別為相互平行之2個橫邊34a與縱邊34b所構成之板材,以與圓筒輥2之外周面一致的曲率作彎曲,而構成之,於其中央處,係開設有與內容器33之上面的開口相合致的單一之放出開口34c。放出開口34c之內緣部被固定在內容器33的上端處,而使內容器33與蓋體34被作一體化。並且,若是將與第4圖中之以假想線所展示的蓋體34為一體的內容器33,從其上面開口側插入至外容器31,則此外容器31之上面的開口會藉由蓋體34而被作閉塞。又,於貯藏腔30的外壁面處,係被設置有以直線驅動馬達或氣缸所構成的移動手段5,貫穿其外壁面而朝其內部延伸的移動手段5之驅動軸51係被連結於收容箱3。藉由此,藉由移動手段5而使蒸鍍單元VU的收容箱3沿著上下方向(亦即是,蓋體34的放出開口34c之孔軸係相對於圓筒輥2之軸線而為正交的方向)進退。
加熱手段4,係以覆蓋內容器33之X軸方向的兩外側壁面、Y軸方向的兩外側壁面以及內容器33的下外壁之全體的方式來作了配設的複數個護套式加熱器41所構成,並藉由支撐框32而被作固定。接著,若是在真空氛圍中以將收納有蒸鍍物質Vm的內容器33插入至外容器31的狀態來藉由加熱手段4之各護套式加熱器41進行加熱,則蒸鍍物質Vm會在內容器33內進行昇華或者是氣化,此作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質會從放出開口34c而被放出。在此,在如同一邊藉由圓筒輥2所內藏的冷卻機構來將薄片狀的基材Sw冷卻一邊進行蒸鍍一般的情況時,起因於輻射冷卻,蓋體34會被冷卻,因此,恐有於內容器33產生上下方向之溫度梯度的疑慮。於本實施形態中,內容器33之外壁當中,係區分為內容器33之Y軸方向的兩外側壁的上部、內容器33之Y軸方向的兩外側壁的中央部、內容器33之Y軸方向的兩外側壁的下部及內容器33的下外壁、內容器33之X軸方向的兩外側壁之4個區域,將與各區域相對向的護套式加熱器設為第1~第4之各護套式加熱器41a、41b、41c、41d,將第1~第4之各護套式加熱器41a、41b、41c、41d分別連接至第1~第4之各電源裝置Ps1、Ps2、Ps3、Ps4。之後,係成為在藉由第1~第4之各電源裝置Ps1、Ps2、Ps3、Ps4來對第1~第4之各護套式加熱器41a、41b、41c、41d通電時,能夠對護套式加熱器之各者以相異的電流值作通電。藉由此,只要對每個區域適當設定電流值來調整來自第1~第4之各護套式加熱器41a、41b、41c、41d的加熱量,則可盡可能地抑制於內容器33產生溫度梯度的情形,而為有利。
若依據上記實施形態,則由於是在貯藏腔30設置蒸鍍單元VU而被作模組化,因此僅藉由在主腔1之安裝開口13裝設貯藏腔30,便能使蒸鍍單元VU以將其放出開口34c朝向被捲掛於圓筒輥2的薄片狀之基材Sw的姿勢來被作設置。又,由於是藉由各螺桿35的頭部來支撐內容器33,因此,因導熱所造成的熱損失會變小,而能夠更有效率地將內容器33進行加熱。於此情況中,只要將外容器31的內面藉由例如電解研磨來作鏡面拋光,則當藉由各護套式加熱器41來將內容器33進行加熱時,能夠使外容器31之內面發揮作為將熱反射的反射鏡之功用,並增加輻射熱來更進一步有效率地將內容器33進行加熱。相對於收容箱3之內容器33的蒸鍍物質Vm之填充率,例如,係考慮到蒸鍍物質Vm的種類或伴隨著在直到使被填充於收容箱3之蒸鍍物質Vm全部昇華或者是氣化為止之期間中的內容器33之內壓的變動所導致之蒸鍍速率的變化量,而在20~40%之範圍內作適當設定。
又,由於是在貯藏腔30的外壁面設置移動手段5,因此,在對於安裝開口13之貯藏腔30的裝設後,藉由移動手段5,蒸鍍單元VU之收容箱3係成為在分離位置與蒸鍍位置之間自由移動,該分離位置,係第1圖所展示之蓋體34從圓筒輥2之外周面作了分離的位置;該蒸鍍位置,係第2圖所展示之蓋體34相對於圓筒輥2的外周面而空出有以上述曲率作了彎曲之間隙(以下,將此設為「第2間隙Gp2」)地來接近的位置,此時,係能夠在移動手段5之衝程的範圍內任意地改變放出開口34c與被捲掛在圓筒輥2之薄片狀的基材Sw之距離(亦即是,第2間隙Gp2之大小)。第2間隙Gp2,係成為以蓋體34與和其相對峙的圓筒輥2之部分所區劃出的蒸鍍空間。
在主腔1內,位置於圓筒輥2的周圍,分別設置有被固定在主腔1的內側壁之朝X軸方向而延伸的固定隔壁6a、6b、6c、6d,藉由固定隔壁6a、6b、6c、6d,而使通過貯藏腔30之貯藏有蒸鍍單元VU的蒸鍍室Vs分別被區劃於主腔1內。於此情況中,雖然無特別圖示來作說明,但是,較理想係構成為,能夠與主腔1個別地另外將蒸鍍室Vs內作真空排氣。在主腔1內,係進一步分別設置有隔著以上述曲率作彎曲的間隙(以下,將其設為「第1間隙Gp1」)來覆蓋圓筒輥2之外筒部分的第2隔壁7a、7b(參照第2圖),將第1間隙Gp1作為邊界來使蒸鍍室Vs和與此蒸鍍室Vs相鄰接的主腔1內之鄰接室As(例如,薄片狀之基材Sw的搬送空間)相互地通連,而構成為可藉由第2隔壁7a、7b來確定蒸鍍室Vs與鄰接室As之間的通導(conductance)值。
亦參照第6圖及第7圖,第2隔壁7a、7b,係使例如不鏽鋼製之板材以上述曲率作彎曲而被構成,並分別被架設於各轉動臂71、72之前端之間,各轉動臂71、72,係藉由在X軸方向空出有間隔地被作配置的各軸承裝置Bm之外軸承(未圖示)而被分別可自由轉動地作支撐。在各軸承裝置Bm之外周面處,係以特定節距分別被形成有齒73a、73b,於各齒73a、73b處,係咬合有以圖外之馬達而被作驅動的齒條74a、74b(參照第3圖)。若是藉由馬達來使齒條74a、74b沿著Y軸方向進行移動,則第2隔壁7a、7b會沿著圓筒輥2之外周面而朝相反的方向進行轉動。於此情況中,在各轉動臂71、72之相互對向的面係被施行埋頭孔加工,並存在有第1間隙部S1地使埋頭孔加工面71a、71b重疊,藉由此,而構成為能夠使兩第2隔壁7a、7b在圓筒輥2的周圍,以保持第1間隙Gp1的狀態分別作移動。藉由此,使第2隔壁7a、7b,成為能夠在遮蔽位置與退避位置之間,以圓筒輥2之旋轉軸21作為旋轉中心來自由轉動,該遮蔽位置,係將蓋體34之放出開口34a所面對的圓筒輥2之部分作遮蔽的位置;該退避位置,係從蒸鍍單元VU朝周方向作了分離的位置。於此情況中,在第2隔壁7a、7b之包含遮蔽位置及退避位置的第2隔壁7a、7b之轉動路徑上,係以於各第2隔壁7a、7b之X軸方向(軸線方向)的端面與和其相對峙之主腔1的內壁面之間形成有第2間隙部S2,並且於各第2隔壁7a、7b的外周面與主腔1的內壁面之間形成有第3間隙部S3的方式,來形成有主腔1的內壁面。
當第1圖所展示之蒸鍍單元VU位於分離位置而第2隔壁7a、7b分別位於遮蔽位置時,雖然蒸鍍室Vs與鄰接室As是僅通過第1間隙部S1~第3間隙部S3來相通連(參照第7圖),但是,只要依據裝置之構成上所不可避免之第2間隙部S2及第3間隙部S3的大小、和預先實驗性地求出之鄰接室As的壓力與蒸鍍室Vs的壓力之間的壓力差,而以使第1間隙部S1中之通導值成為特定值的方式,來對例如埋頭孔加工面71a、71b之面積作適當設定,則可將蒸鍍室Vs與鄰接室As確實地作氛圍分離。另一方面,在從第1圖所展示的狀態來使第2隔壁7a、7b移動至退避位置後的狀態下,雖然蒸鍍室Vs與鄰接室As,是除了第1間隙部S1~第3間隙部S3以外還通過第1間隙Gp1來相互地通連,但是,與上述同樣地,只要依據鄰接室As的壓力與蒸鍍室Vs的壓力之間的壓力差和對以圓筒輥2之旋轉所致之薄片狀的基材Sw之通過而言為不可避免的第1間隙Gp1之大小,來以使此第1間隙Gp1中之通導值成為特定值的方式,來對第2隔壁7a、7b之周方向的長度作適當設定,則可將蒸鍍室Vs與鄰接室As確實地作氛圍分離。並且,即便是第2圖所展示之使蒸鍍單元VU移動至蒸鍍位置並使第2隔壁7a、7b分別移動至退避位置,作為蒸鍍空間之第2間隙Gp2亦為維持與鄰接室As相互地作氛圍分離的狀態。另外,雖然無特別圖示來作說明,但是,亦可構成為,於第2隔壁7a、7b內,形成使冷媒循環的冷媒循環路徑,在使第2隔壁7a、7b移動至遮蔽位置之後,經由軸承裝置Bm使冷媒於冷媒循環路徑中循環,而可將第2隔壁7a、7b冷卻至特定溫度。
又,於第2隔壁7a、7b之周方向的端面處,係分別安裝有具有與圓筒輥2之母線方向長度同等以上之長度的隔壁板75a、75b、75c、75d。在第1圖所示之第2隔壁7a、7b的遮蔽位置處,使各隔壁板75a、75b、75c、75d分別抵接於固定隔壁6a、6b、6c之徑方向內端面,另一方面,在使第2隔壁7a、7b相互地朝相反的方向作了轉動之第2圖所展示的第2隔壁7a、7b之退避位置處,分別使其中一方的第2隔壁7a之隔壁板75b抵接於固定隔壁6a,使另外一方的第2隔壁7b之隔壁板75c抵接於固定隔壁6c。接著,若是在第2隔壁7a、7b之退避位置處,使蒸鍍單元VU的收容箱3進入蒸鍍位置,則會使蓋體34的各橫邊34a、34a分別抵接於各第2隔壁7a、7b之各隔壁板75a、75d,在圓筒輥2的周圍,第1間隙Gp1與第2間隙Gp2係成為相互通連(參照第2圖)。
於上述真空蒸鍍裝置Cm中,在一邊使薄片狀的基材Sw行走,一邊對被捲掛在圓筒輥2的薄片狀之基材Sw的部分蒸鍍的情況,首先,於主腔1之安裝開口13,從其外側,裝設內藏有蒸鍍單元VU的貯藏腔30。接著,將包含蒸鍍室Vs的主腔1進行真空排氣至特定壓力為止。此時,使蒸鍍單元VU之收容箱3移動至分離位置處,使各第2隔壁7a、7b分別移動至遮蔽位置處。在此狀態下,藉由加熱手段4來將蒸鍍物質Vm加熱。於是,在收容箱3內蒸鍍物質Vm會昇華或者是氣化,因應於加熱手段4之加熱量,該蒸鍍量係逐漸安定,但是,在直到達到此狀態為止的期間中,在收容箱3內作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質之一部分,會從蓋體34之放出開口34c朝向薄片狀的基材Sw而被放出,並分別附著於第2隔壁7a、7b。接著,若在收容箱3內的蒸鍍物質Vm之蒸鍍量成為安定,則使各第2隔壁7a、7b分別移動至退避位置處,其後,將蒸鍍單元VU之收容箱3移動至蒸鍍位置處。藉由此,而在主腔1內形成蒸鍍空間,若是藉由基材行走手段來使薄片狀的基材Sw行走,則從放出開口34c所放出的蒸鍍物質會附著、堆積於被捲掛在圓筒輥2的薄片狀之基材Sw的部分處而連續地被蒸鍍。
蒸鍍時,由於蒸鍍室Vs與鄰接室As係被作氛圍分離,因此,從放出開口34c起,經由作為蒸鍍空間之第2間隙Gp2而通過第1間隙Gp1並到達鄰接空間As的路徑之密閉度會被提高。其結果,即便是為了得到極高的成膜速率而將放出開口34c的開口面積設定得較大,從放出開口34c所放出的蒸鍍物質,也會在廣範圍地擴散之前,經過第2間隙Gp2並附著、堆積於薄片狀之基材Sw的部分,另一方面,從放出開口34c被放出至第2間隙Gp2的蒸鍍物質中之對於基材Sw之蒸鍍的物質無所助益的部分,係會返回內容器33。藉由此,可盡可能地抑制其繞入包含鄰接室As的主腔1內並著膜於薄片狀之基材Sw以外的部分(零件)的情形,進而,能夠防止蒸鍍物質Vm的浪費。最後,在維護時,能夠以從主腔1之安裝開口13將貯藏腔30拆下的狀態來實施維護。
以上,雖針對本發明之實施形態作了說明,但本發明係並不被限定於上述實施形態,在不脫離本發明之趣旨的範圍內,可進行各種之變形。於上述實施形態中,雖然是藉由直線驅動或氣缸等之移動手段5,來使蒸鍍單元VU之收容箱3相對於圓筒輥2之外周面而直接進退,但是,亦可構成為,於貯藏腔30內設置對其之移動作導引之周知的導引機構。又,雖然是使蒸鍍單元VU的收容箱3沿著上下方向、亦即是沿著蓋體34的放出開口34c之孔軸相對於圓筒輥2之軸線而為正交的方向進退,但是,並不被限定於此,例如,係能夠考慮從放出開口34c所放出之蒸鍍物質Vm的飛散分布來作適當變更。
又,在上述實施形態中,雖然是以設置單一的放出開口34c者為例來作了說明,但是,係並不被限定於此,亦可在薄片狀之基材Sw的寬幅方向上以特定間隔來排列設置有複數個筒狀之放出開口。於此情況中,由於不僅是使筒狀之各放出開口的孔軸相對於圓筒輥2之軸線而為正交的情況,而也存在有以作特定的角度之傾斜的方式來將各放出開口形成於蓋體的情況,因此,能夠與此相對應地,將在貯藏腔內之蒸鍍單元的姿勢或將在貯藏腔內之蒸鍍單元的移動方向作適當變更。進而,在上述實施形態中,雖然是以被安裝於開設在「具有圓筒輥2並對於被捲掛在圓筒輥2之薄片狀的基材Sw之部分來實施成膜」的主腔1的安裝開口處之情況為例來作了說明,但是,並不被限定於此,本發明,係亦可適用於例如將被蒸鍍物設為矩形的基板並具備有將複數枚基板依序搬送的搬送機構之真空蒸鍍裝置,此時,係以例如使收容箱之放出開口相對於基板之成膜面而為正交的姿勢來將蒸鍍單元設置於貯藏腔內。
另外,在上述實施形態中,當將蒸鍍單元VU之收容箱3移動至蒸鍍位置處,從放出開口34c使蒸鍍物質Vm放出,來對被捲掛在圓筒輥2之薄片狀的基材Sw之部分進行蒸鍍時,蓋體34本身也會發揮作為對於薄片狀的基材Sw之部分的蒸鍍範圍作規定之遮罩的效果。另一方面,蓋體34,係即便藉由輻射冷卻而被作冷卻,也由於是被固定在被作加熱之內容器33的上端處並且被作一體化,因此存在有熱變形(膨脹)的情況。此時,蓋體34,係因為被設定成與圓筒輥2之母線(X軸方向)長度同等以上,而於X軸方向為長邊,因此,起因於此時之溫度條件,相較於Y軸方向,係會更顯著地在X軸方向上發生熱變形。
在變形例中,如第8圖所展示般地,係以雖然容許蓋體34之朝Y軸方向的位移(熱變形)及Z軸周圍的旋轉但是並不容許朝X軸方向及Z軸方向之變形的方式,而設置有限制手段。限制手段,例如,係具備有:第1及第2之兩限制部8a、8b,係在X軸方向中央區域與蓋體34之外緣部相對峙而作設置、和一對的第3限制部8c,係在X軸方向兩端部,設置於蓋體34之外緣部。第1及第2之各限制部8a,係具備有:柱狀的突片81a、82a,係設置在蓋體34上面的特定位置處、和接納構件82a、82b,係與各突片81a、82a相對應地被固定配置在主腔(未圖示)且具有分別接納各突片81a、82a的接納孔821、822。
若是藉由移動手段5來將蒸鍍單元VU之收容箱3移動至蒸鍍位置處,則各突片81a、81b係成為分別被嵌插於各接納孔821、822。於此情況中,接納孔821,係以雖然容許朝Y軸方向的位移但是並不容許朝X軸方向之變形的方式,而具有於Y軸方向為長邊之長圓狀的輪廓,又,接納孔822,係容許在Z軸周圍的旋轉,但是,接納孔82a係並不容許朝Z軸方向之位移,而具有圓形的輪廓。又,第3限制部8c,係藉由以與蓋體34一致的曲率來作了彎曲的按壓片所構成,若是藉由移動手段5來將蒸鍍單元VU之收容箱3移動至蒸鍍位置處,則會抵接於蓋體34,並限制蓋體34之朝Z軸方向之位移。另外,限制手段,係亦可設置於蓋體34的下面與支撐框32的上面之間。
Sw:薄片狀的基材(被蒸鍍物)Vm:蒸鍍物質VU:蒸鍍單元1:主腔(真空腔) 13:安裝開口3:收容箱30:貯藏腔30a:通連開口31:外容器32:支撐框33:內容器34:蓋體34c:放出開口35:螺桿(支撐銷)4:加熱手段41a,41b,41c,41d:護套式加熱器5:移動手段
[第1圖]係對設置有本實施形態之蒸鍍單元的真空蒸鍍裝置以該蒸鍍單元的退避位置作示意性展示的剖面圖。    [第2圖]係對設置有本實施形態之蒸鍍單元的真空蒸鍍裝置以該蒸鍍單元的蒸鍍位置作示意性展示的剖面圖。    [第3圖]係為沿著第2圖之III-III線的部分剖面圖。    [第4圖]係對一體地組裝有加熱手段之蒸鍍單元的收容箱作展示的立體圖。    [第5圖]係為沿著第4圖之V-V線的剖面圖。    [第6圖]係對使第2隔壁移動的機構以其之遮蔽位置作展示的部分分解立體圖。    [第7圖]係對使第2隔壁移動的機構以其之退避位置作展示的部分分解立體圖。    [第8圖]係對蒸鍍單元之收容箱的變形例作展示的立體圖。係對使第2隔壁移動的機構以其之退避位置作展示的部分分解立體圖。
Sw:薄片狀的基材(被蒸鍍物)
Vm:蒸鍍物質
VU:蒸鍍單元
As:鄰接室
Bm:軸承裝置
Vs:蒸鍍室
Cm:真空蒸鍍裝置
Gr:導引輥
1:主腔(真空腔)
11:突出部
12:平坦面
13:安裝開口
2:圓筒輥
21:旋轉軸
3:收容箱
30:貯藏腔
30a:通連開口
31:外容器
32:支撐框
33:內容器
5:移動手段
51:驅動軸
6a:固定隔壁
6b:固定隔壁
6c:固定隔壁
6d:固定隔壁
71:轉動臂
72:轉動臂
7a:第2隔壁
7b:第2隔壁
75a:隔壁板
75b:隔壁板
75c:隔壁板
75d:隔壁板

Claims (5)

  1. 一種真空蒸鍍裝置,係具備有具有圓筒輥的真空腔、和蒸鍍單元,前述蒸鍍單元,係具備有:收容箱,係收納有蒸鍍物質、和加熱手段,係將收容箱內的蒸鍍物質進行加熱,於收容箱之其中一面係被形成有將藉由加熱而作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質放出的放出開口,該蒸鍍單元,係進一步具備有:移動手段,係被設置於將其中一面作了開口的貯藏腔內,將朝向貯藏腔之開口的方向設為上方,而在貯藏腔內讓蒸鍍單元沿著上下方向進退,前述貯藏腔,係從其開口側而被裝設於開設在真空腔的安裝開口處,前述收容箱,係具備有:外容器,係將上面作了開口、和支撐框,係固定在外容器的內壁面處、和內容器,係被配置於支撐框的內側處並收納有蒸鍍物質、以及蓋體,係覆蓋外容器與內容器之間之上面的開口,並被形成有放出開口,將前述圓筒輥之軸線方向設為X軸方向,將上下方向設為Z軸方向,將與X軸及Z軸正交的方向設為Y軸方向,前述蓋體係在X軸方向為長邊且為板狀,該真空蒸鍍裝置,係進一步具備有:限制手段,係容許前述蓋體之朝Y軸方向的位移及在Z軸周圍的旋轉,並對朝X軸方向及Z軸方向之位移作限制。
  2. 如請求項1所記載之真空蒸鍍裝置,其 中,前述限制手段,係具備有:第1及第2之兩限制部,係在前述蒸鍍單元之蒸鍍位置處,於X軸方向中央區域與放出開口之外緣部相對峙而作配置、和第3限制部,係在X軸方向兩端部,位置於放出開口之外緣部。
  3. 如請求項1或請求項2所記載之真空蒸鍍裝置,其中,於前述支撐框的特定位置處配置有朝向其內側突出的複數個支撐銷,被構成為,當在外容器內貯藏有內容器時,係藉由各支撐銷來支撐內容器。
  4. 如請求項1或請求項2所記載之真空蒸鍍裝置,其中,前述加熱手段,係以藉由前述支撐框所保持並與前述內容器之外壁面相對向配置的複數個護套式加熱器所構成,將前述內容器之外壁區分成複數個區域,而能夠對與各區域分別相對向配置的護套式加熱器之各者以特定電流值來作通電。
  5. 如請求項1或請求項2所記載之真空蒸鍍裝置,其中,係構成為以使前述收容箱之前述放出開口相對於前述圓筒輥的軸線而為正交的姿勢來設置前述蒸鍍單元,使前述放出開口與被捲掛在前述圓筒輥的薄片狀之基材之間的距離,藉由前述移動手段而在前述蒸鍍單元之上下移動的衝程之範圍內作改變,而可自由調整在前述收容箱內作了昇華或者是氣化的蒸鍍物質之飛散分布的情形。
TW109112773A 2019-05-13 2020-04-16 真空蒸鍍裝置 TWI822989B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019090499 2019-05-13
JP2019-090499 2019-05-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202045754A TW202045754A (zh) 2020-12-16
TWI822989B true TWI822989B (zh) 2023-11-21

Family

ID=73223198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109112773A TWI822989B (zh) 2019-05-13 2020-04-16 真空蒸鍍裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7535389B2 (zh)
CN (1) CN113574202B (zh)
TW (1) TWI822989B (zh)
WO (1) WO2020230359A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6942903B2 (en) * 1996-05-21 2005-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same
CN102482763A (zh) * 2010-06-16 2012-05-30 松下电器产业株式会社 薄膜的制造方法
CN103643206A (zh) * 2012-11-29 2014-03-19 光驰科技(上海)有限公司 真空蒸镀源及使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法
TW201425613A (zh) * 2012-08-29 2014-07-01 Canon Tokki Corp 蒸發源
TW201718914A (zh) * 2015-08-21 2017-06-01 弗里松股份有限公司 蒸發源

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6202591B1 (en) 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP4286496B2 (ja) * 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置及び薄膜作製方法
JP4446048B2 (ja) * 2003-07-11 2010-04-07 株式会社昭和真空 真空蒸着装置の蒸発源移動機構
JP5400653B2 (ja) * 2010-02-16 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空蒸着装置
JP2011256427A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置
JP2015021169A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 蒸着装置及び蒸着方法
JP6930878B2 (ja) 2017-08-28 2021-09-01 株式会社アルバック 真空処理装置
CN112368413B (zh) * 2019-03-12 2022-04-29 株式会社爱发科 真空蒸镀装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6942903B2 (en) * 1996-05-21 2005-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same
CN102482763A (zh) * 2010-06-16 2012-05-30 松下电器产业株式会社 薄膜的制造方法
TW201425613A (zh) * 2012-08-29 2014-07-01 Canon Tokki Corp 蒸發源
CN103643206A (zh) * 2012-11-29 2014-03-19 光驰科技(上海)有限公司 真空蒸镀源及使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法
TW201718914A (zh) * 2015-08-21 2017-06-01 弗里松股份有限公司 蒸發源

Also Published As

Publication number Publication date
JP7535389B2 (ja) 2024-08-16
JP2020186469A (ja) 2020-11-19
WO2020230359A1 (ja) 2020-11-19
CN113574202A (zh) 2021-10-29
CN113574202B (zh) 2022-12-02
TW202045754A (zh) 2020-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017509794A5 (zh)
JP2005213569A (ja) 真空蒸着機
TWI822989B (zh) 真空蒸鍍裝置
KR101022089B1 (ko) 기판 냉각 방법 및 기판 냉각 장치
CN112368413B (zh) 真空蒸镀装置
TWI839613B (zh) 用於蒸發源的溫度控制屏蔽、用於在基板上沉積材料的材料沉積設備及方法
JP6713093B1 (ja) 蒸着ユニット及びこの蒸着ユニットを備える真空蒸着装置
TWI717226B (zh) 真空蒸鍍裝置
JP2018511695A (ja) 大面積基板コーティング装置
JP4909742B2 (ja) 蒸発源及び蒸着装置
KR101971454B1 (ko) 박막증착장치
TW202225427A (zh) 具有至少一個加熱組件的材料沉積設備及用於對基板進行預加熱及/或後期加熱的方法
CN112912534B (zh) 真空蒸镀装置用蒸镀源
KR20150073295A (ko) 플렉시블 필름의 아웃개싱을 제거하기 위한 롤투롤 전열처리장비
CN113227436A (zh) 气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法
CN114836720A (zh) 真空蒸镀装置用蒸镀源
JP2020186469A5 (ja) 真空蒸着装置
KR20240036712A (ko) 유효 표면적 증발을 위한 증발기
JP2021096069A (ja) 真空加熱炉
JP2021031694A (ja) 真空プロセス装置および真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法
WO2013146601A1 (ja) 真空蒸着装置
JP2013006153A (ja) ガイド装置及びそれを用いた塗工システム