TWI821241B

TWI821241B - 純化乙硼烷之方法

Info

Publication number: TWI821241B
Application number: TW108102962A
Authority: TW
Inventors: 榭馬; 阿吐爾阿瑟萊; 陳嘉崙; 卡爾傑克森
Original assignee: 德商林德股份公司
Priority date: 2018-01-26
Filing date: 2019-01-25
Publication date: 2023-11-11
Also published as: TW201934474A; WO2019147648A1

Abstract

本發明揭示自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物分離高級硼烷之方法。該等高級硼烷通常係丁硼烷、戊硼烷及癸硼烷。在一個實施例中，該乙硼烷係使用至少一個冷阱分離。或者，該等高級硼烷係在形成氣態乙硼烷混合物之前藉由液體過濾單元分離。在另一實施例中，該等高級硼烷係藉由蒸餾塔自該混合物分離。

Description

純化乙硼烷之方法

乙硼烷係矽及矽-鍺半導體結晶層中p型摻雜劑硼之重要氣體源，其藉由原位摻雜磊晶製程或電漿/離子植入製程施加。乙硼烷亦用於製造經摻雜矽電介質(硼矽酸鹽玻璃)。乙硼烷之另一應用係作為鎢原子層沈積(ALD)中之還原劑。

然而，在室溫下，乙硼烷將緩慢分解為高級硼烷(BxHy，其中x＞2且y＞6)及氫氣。典型高級硼烷係丁硼烷B₄ H₁₀ 、戊硼烷B₅ H₉ 及癸硼烷B₁₀ H₁₄ ，該等可藉由基於GC之方法(例如GC-MS及GC-DID)及FTIR分析技術進行檢測。由於乙硼烷(B₂ H₆ )之不穩定性，在高壓氣體或氣體混合物中、特定地在氣缸產品中運輸、儲存及使用期間，若不加以控制，高級硼烷之含量可持續增加。氣體混合物中之乙硼烷濃度越高(例如30%)、氣缸壓力越高及非氫氣平衡氣體(例如氬及氮)，分解問題變得越糟。高級硼烷可能有害於半導體製造製程。在前緣PMOS FinFET電晶體之原位摻雜嵌入矽-鍺(eSiGe)源極及汲極沈積中，高級硼烷分子可併入eSiGe層中並產生結晶缺陷。

在恆定冷卻的同時運輸純B₂ H₆ 及乙硼烷混合物可係延長產品儲放壽命之解決方案。然而，在國際運輸要求及當地儲存要求及條件下可難以滿足。

在使用點產生B₂ H₆ 可係另一解決方案，以在高級硼烷雜質含量增加之前使用該產品。然而，在當前使用鹵化硼及金屬鹵化物反應物之合成方法中，產生高純度B₂ H₆ 存在困難或效率低下。

業內仍需要藉由去除高級硼烷來純化乙硼烷及其混合物以為當地半導體客戶提供新鮮及高純度乙硼烷產品。

在本發明中，提出適於在當地或現場純化乙硼烷及其混合物氣體之純化方法。由此，使所述問題最小化。當地純化靠近同一國家或地區之客戶群。純化之位置可係區域ESG生產工廠或視需要在客戶現場或通常乙硼烷混合物供應系統或子系統。

在三個不同實施例中揭示本發明之純化方法。第一者係氣相乙硼烷混合物冷阱。第二實施例使用液體過濾技術促進液相乙硼烷及氫氣分離及高級硼烷去除。第三實施例使用氣/液相之低溫蒸餾。

因此，該三個實施例可概述如下。第一實施例係自含有高級硼烷、乙硼烷及平衡氣體(例如氫氣)之混合物去除高級硼烷雜質之方法，其包含藉由本文所述之方法將氣體混合物進給至冷阱，但維持乙硼烷與平衡氣體之摻和比率。

第二實施例係自含有高級硼烷、乙硼烷及平衡氣體之混合物去除高級硼烷之方法，其包含藉由本文所述之方法將混合物進給至乙硼烷液化單元、隨後液體過濾單元，其中在分離製程中產生之經純化液體乙硼烷可用於隨後與平衡氣體摻和。

第三實施例係自含有高級硼烷、乙硼烷及平衡氣體之混合物去除高級硼烷之方法，其包含藉由本文所述之方法將混合物進給至蒸餾塔。

在第一實施例中，揭示自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物去除高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將氣體混合物進給至至少一個冷阱，其中高級硼烷凝固於冷阱之壁上；回收乙硼烷及平衡氣體混合物，而不實質上液化乙硼烷，由此維持乙硼烷與平衡氣體之比率；在回收乙硼烷及平衡氣體之後將再生氣體進給至該至少一個冷阱，由此使該至少一個冷阱再生；及將高級硼烷及再生氣體作為廢物排出。

在第二實施例中，揭示自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物去除高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將氣體混合物進給至冷阱液體分離器，以使大部分乙硼烷及高級硼烷凝結；自冷阱液體分離器脫除該平衡氣體；過濾冷阱中之液體以去除呈固體(冰)粒子形式之高級硼烷；自冷阱液體分離器回收純化乙硼烷液體；將經回收之純化乙硼烷液體進給至熱交換器，其中該經純化液體乙硼烷形成經純化氣態乙硼烷；及將選自由氫氣、氬氣及氮氣組成之群之平衡氣體與經純化氣體乙硼烷摻和，由此形成具有經純化氣態乙硼烷之氣態混合物。

在另一實施例中，揭示自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物去除高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將混合物進給至蒸餾塔，其中自蒸餾塔之頂部回收純化乙硼烷及氫氣之氣態混合物，並自蒸餾塔之底部丟棄作為廢物之含有乙硼烷及大部分高級硼烷之液體廢物之液體廢物；將經回收氣態混合物進給至冷阱，其中形成經純化液體乙硼烷；將經純化液體乙硼烷進給至熱交換器，由此形成氣態乙硼烷；及自熱交換器回收氣態乙硼烷以進一步與平衡氣體摻和。

在第一實施例中，在有限去除高級硼烷的同時，乙硼烷氣體混合物將維持初始混合比率。此方法將對低濃度乙硼烷混合物(例如1%至5%乙硼烷於氫氣中)有效。此方法將適於例如客戶現場乙硼烷混合物供應系統或子系統。

第一實施例之優點包括保持高於乙硼烷凝結溫度，由此維持與平衡氣體之初始乙硼烷混合比率。較低之溫度在使高級硼烷凝結時將更佳，同時仍將產生高級硼烷雜質B₄ H₁₀ 高達氣體混合物之百萬分之十的乙硼烷混合物。

在第二實施例中，產生液相乙硼烷。此混合物將具有較在第一實施例中所達成濃度低之高級硼烷濃度。此方法可用於產生具有所選平衡氣體(例如氫氣、氬氣或氮氣)之混合物且可關於最終使用者之場所就地生產。

第二實施例提供諸如低溫之優點，乙硼烷在氫氣保持呈氣相的同時經液化。經純化乙硼烷可經保持以便今後與適當平衡氣體混合或與純氫氣流重新混合。冷凍器溫度可低至-135℃。當使用低溫氣體作為冷卻劑時，亦可在乙硼烷達到其-164.9℃之三相點之前施加更低的溫度。

第三實施例使用低溫蒸餾以純化乙硼烷進料流混合物。此實施例可取決於期望結果及操作條件來自進料流混合物產生較高純度之乙硼烷或稍微降低純度之乙硼烷。

第三實施例亦提供具有較小乙硼烷液體流量之高級硼烷的去除。經回收的乙硼烷液體可收集於冷阱中，以便將來與所選平衡氣體混合。可採用10個理論級且仍達成低至十億分之一的B₄ H₁₀ 污染物含量。

第二及第三實施例二者均可採用全範圍之乙硼烷混合物且並不像第一實施例中所用的那樣限於較低乙硼烷混合物比率。儘管兩個實施例均可用於區域純化工廠或客戶現場，但其在供應商之區域純化工廠中使用時效率最高。

在所有該等實施例中，可併入分析設備以量測純化氣體流之高級硼烷濃度。分析方法通常係用於高級硼烷之FTIR及基於GC之方法(例如GC-MS及GC-DID)。用於調整混合比率之量測亦可使用二元氣體分析儀實施。

高級硼烷可選自由丁硼烷、戊硼烷及癸硼烷組成之群。

對於第一實施例之方法，混合物中之乙硼烷通常將以莫耳或體積計低於5%、通常以莫耳或體積計1或2%及以下。在第二及第三實施例中，對乙硼烷濃度沒有限制。

對於100%乙硼烷進料，根據供應商資訊，B₄ H₁₀ 通常以約百萬分之二百存在。不同進料混合物將具有B₄ H₁₀ 濃度，該等濃度經平衡氣體莫耳分率稀釋。然而，熱分解係動力學過程與鏈反應，該等鏈反應形成更高級且更穩定氫化硼烷聚合物。因此，可量測之高級硼烷(例如丁硼烷、戊硼烷及癸硼烷)係反應中間體。因此，濃度可因具體情形而不同。如本發明中所體現之純化目標在實施例1、2及3中分別係達成個位數百萬分率、亞百萬分率及十億分率之高級硼烷含量。

經純化乙硼烷通常將呈乙硼烷氣體混合物之形式或純乙硼烷液體形式。

最終使用者可決定乙硼烷濃度並基於純乙硼烷液體選擇平衡氣體。因此，平衡氣體可選自氫氣、氮氣及氬氣之群。

高級硼烷在經純化乙硼烷中之濃度將在1 ppb至0.1 ppm之範圍內。

相關申請案之交叉參考

此申請案主張2018年1月26日提出申請之美國臨時專利申請案第62/622,199號之優先權。

圖1係顯示乙硼烷及各種高級硼烷之蒸氣壓力對溫度之圖表。曲線僅適用於液相材料。應注意，B₄ H₁₀ 在-120.8℃以下係固體/蒸氣相。B₄ H₁₀ 由於在所有高級硼烷中最具揮發性，故其係關鍵高級硼烷雜質。當乙硼烷分壓超過蒸氣壓力線時，乙硼烷將為蒸氣-液體混合物。氫氣保持為氣相。

圖2係乙硼烷及高級硼烷之氣相/液相及氣相/固相之蒸氣壓力曲線的圖表。提供關於蒸氣壓力曲線之雅斯手冊(Yaws handbook)。摘錄蒸發熱並加入固體之估計熔化熱。因此，圖2中顯示估計的固體昇華蒸氣壓力。

圖3係在本發明之第一實施例中使用冷阱之純化製程之示意圖10。將高級硼烷、乙硼烷及平衡氣體之全氣相乙硼烷混合物藉助進給線12進給並分成兩個線14及16。進料通常係較低百分比之乙硼烷，大約1至5%混合物。此允許採用較低溫度以更有效去除混合物中之高級硼烷。將分開進料氣體藉助閥V1及V2以及線18及20分別進給至拋光冷阱床A及B。

冷阱床通常係結構化熱交換部件，例如其具有流動冷卻劑之束管，其具有與導熱金屬材料之最大化熱交換表面。在圍繞熱交換器部件之氣體接觸空間中，添加吸附劑材料(例如沸石或金屬-有機-框架)以增加冷阱床之高級硼烷去除能力。自每一床A及B之底部延伸之線22及24係由閥V3及V4控制，以允許藉助線26回收經純化氣體混合物。

較佳在多床系統中，一個床處於生產模式，而另一床處於再生模式。在此實施例中，將氫再生氣體進給至線28並藉由閥V5或V6進行流量控制。當一個床處於生產模式時，相應閥V5或V6關閉，而至另一床之閥V6或V5打開，以允許氫分別藉助線30及34或32及36流動至其。此再生將去除高級硼烷。當另一床已達到高級硼烷之預定限值時，將流顛倒且正生產之床現在經再生且先前再生之床開始生產乙硼烷。此循環之優點在於可達成連續或半連續操作。再生製程可在室溫或升高溫度下進行。

為保持初始乙硼烷混合比率，乙硼烷必須藉由設定溫度下限保持呈氣相而不凝結。因此，在不實質上液化乙硼烷的情形下，維持初始乙硼烷氣體混合物比率。較冷溫度通常較佳以使高級硼烷凝結。由於此權衡，高級硼烷濃度可高達純化乙硼烷混合物氣體流之數10 ppm含量。如圖4中所示，目標床(阱溫度)對混合物中乙硼烷之最大百分比之估計。而且，在右側軸上係B₄ H₁₀ 之量(以百萬分率計)對阱溫度。較高之阱溫度可導致進料混合物中較高之乙硼烷量以及較高之B₄ H₁₀ 量二者。因此，在 -110℃下，5%乙硼烷混合物將具有26 ppm之B₄ H₁₀ 於經純化混合物中之上限。對於2%乙硼烷混合物，阱溫度為-123℃，且B₄ H₁₀ 濃度可高達4.4 ppm。在該等實例中，總壓力為6巴(bara)。

本發明之第二實施例示意性顯示於圖5中。在此實施例中，採用過濾以幫助分離乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物。在此示意圖40中，將30%乙硼烷於氫中之進料42進給至冷阱液體分離器C。亦可將超高純度氫之第二進料44 (可選)作為吹掃氣進給至冷阱液體分離器C中。將經凝結液體藉助C之下部部分進給至過濾單元C1，該過濾單元可為SS 315L燒結金屬過濾器或聚四氟乙烯(PTFE)膜過濾器。該等過濾器將去除高級硼烷固體粒子48，在D中產生純乙硼烷液體。

然後將純乙硼烷液體進給50至熱交換器E，在該熱交換器中將其加熱以形成經純化氣態乙硼烷氣體。循環氫氣可自冷阱液體分離器進給52，或另一選擇可將新鮮的超高純度氫氣或氬氣或氮氣進給54至熱交換器E，所有均與純氣態乙硼烷混合。此混合物可進給至氣體混合腔F，其可根據最終使用者之期望濃度藉助線62遞送明確純度(express purity)之乙硼烷。線56及58分別係超高純度平衡氣體54及循環氫氣線52之延續部分。對於較高純度操作，例如，循環氫氣由於可含有雜質而被丟棄。新鮮超高純度之平衡氣體係較佳的，例如用於熱交換及最終混合之新的UHP氫氣。

實施再利用來自進料之循環氫氣的純化模擬。在-135℃及50 psig下，最關鍵之高級硼烷B₄ H₁₀ 為約1 ppm或以下。若使用新的超高純度補充氣體用於混合，則雜質含量應比B₄ H₁₀ 之估計值低至少10倍或為約0.1 ppm含量。

在此模擬中，將來自冷卻器之硼烷混合物及氫氣進給至冷阱液體分離器。將氫氣自液體分離器頂部去除並進給至加熱器。來自液體分離器之底部物係液體，將其進給至過濾單元，在其中將固體高級硼烷自過濾單元之底部去除。亦將氫氣自第二冷卻器進給至過濾單元。將純乙硼烷液體自過濾單元進給至加熱器以形成氣體。氫氣、或新鮮氫氣進料及乙硼烷可作為氣體進給至氣體混合器，在其中可產生預定濃度之乙硼烷並遞送。

或者，可採用金屬有機框架(MOF)作為過濾單元。MOF用於選擇性吸附乙硼烷分子，以便可達成更寬之操作溫度範圍。

圖6係顯示B₄ H₁₀ 固體蒸氣壓力隨熔化潛熱及溫度而變之圖表。自此圖表可估計冷阱性能。舉例而言，當再利用循環氫氣時，在50 psig下，冷凍器在-135℃下之性能將具有大約1 ppm之B₄ H₁₀ 上限。在某些實施例中，更純的混合物可需要氮氣而非氫氣。

圖7係顯示本發明第三實施例之示意圖。在此實施例中，採用氣/液相低溫蒸餾方法。藉由使用低溫蒸餾方法，可採用蒸氣/液相經良好界定之較高溫度。儘管蒸餾需要較複雜的設備，但高級硼烷之分離僅需要10個左右的理論塔板以在產物乙硼烷及氫混合物之蒸氣相中達成十億分率含量。由於乙硼烷濃度將因去除較高級硼烷雜質而略微降低，因此使用新的超高純度氫氣流來滿足不同的稀釋程度要求調整。

乙硼烷至液體廢物之損失為進料中乙硼烷量之約1至10%，且通常在2至5%之範圍內。由於在輕質產物流中產生超高純度(即，十億分率含量之高級硼烷)乙硼烷氣體混合物，故其對於客戶現場純化而言適於作為超高純度經稀釋乙硼烷氣體混合物之進給原位摻和系統之子系統。

或者，將經液化超高純度乙硼烷收集於冷阱中，同時氫分離，然後可將其與氫氣、氬氣或氮氣混合以作為乙硼烷混合物收集。

在圖7之示意圖70中，將30%乙硼烷於氫氣中之進料進給72至具有大約10級之蒸餾塔。自蒸餾塔G之底部74收集高級硼烷之液體廢物並自其頂部76收集經純化乙硼烷及氫氣混合物。此經純化乙硼烷及氫氣混合物經收集用於最終使用或進給78至冷液體阱H，此產生純乙硼烷液體。純乙硼烷液體可在有或沒有超高純度氫氣、氬氣或氮氣82之情況下進給80至熱交換器及混合單元I，以產生乙硼烷氣體混合物或純乙硼烷氣體84，如由期望最終使用者所決定。

實施再利用來自進料之循環氫氣的純化模擬。在-90.4℃及30 psig下，最關鍵之高級硼烷B₄ H₁₀ 在蒸氣純輸出氣體流中為約十億分之一。液體乙硼烷在與氫氣平衡氣體分離後可自液體罐收集。在此模擬中，蒸餾塔與用於自塔底部接收高級硼烷廢料以及將經純化乙硼烷及氫氣混合物引導至冷阱系統之單元流體連通，該冷阱系統將氫氣與純乙硼烷液體分離並回收氣態氫及液體乙硼烷。

儘管本發明已關於其特定實施例進行闡述，但很明顯，本發明之許多其他形式及修改對熟習此項技術者將顯而易見。本發明之隨附申請專利範圍通常應解釋為涵蓋在本發明之真正精神及範圍內之所有該等明顯形式及修改。

10‧‧‧示意圖 12‧‧‧進給線 14‧‧‧線 16‧‧‧線 18‧‧‧線 20‧‧‧線 22‧‧‧線 24‧‧‧線 26‧‧‧線 28‧‧‧線 30‧‧‧線 32‧‧‧線 34‧‧‧線 36‧‧‧線 40‧‧‧示意圖 42‧‧‧進料 44‧‧‧第二進料 46‧‧‧管線(line) 48‧‧‧高級硼烷固體粒子 50‧‧‧進給 52‧‧‧循環氫氣線/進給 54‧‧‧超高純度平衡氣體/進給 56‧‧‧線 58‧‧‧線 62‧‧‧線 70‧‧‧示意圖 72‧‧‧進給 74‧‧‧底部 76‧‧‧頂部 78‧‧‧進給 80‧‧‧進給 82‧‧‧超高純度氫氣、氬氣或氮氣 84‧‧‧乙硼烷氣體混合物或純乙硼烷氣體 A‧‧‧拋光冷阱床/床 B‧‧‧拋光冷阱床/床 C‧‧‧冷阱液體分離器/熱交換器 C1‧‧‧過濾單元 D‧‧‧容器 E‧‧‧熱交換器 F‧‧‧氣體混合腔 G‧‧‧蒸餾塔 H‧‧‧冷液體阱 I‧‧‧熱交換器及混合單元 V₁‧‧‧閥 V₂‧‧‧閥 V₃‧‧‧閥 V₄‧‧‧閥 V₅‧‧‧閥 V₆‧‧‧閥

圖1係顯示乙硼烷及高級硼烷(B₄ H₁₀ 、B₅ H₉ 、B₁₀ H₁₄ )之蒸氣壓力對溫度之圖表。

圖2係顯示高級硼烷B₄ H₁₀ 及B₅ H₉ 之估計昇華壓力曲線之圖表。

圖3係在第一實施例中用以去除高級硼烷之拋光冷阱床的示意圖。

圖4係比較第一實施例中進料混合物中乙硼烷之最大百分比對阱溫度之圖表。

圖5係在第二實施例中使用過濾以自含乙硼烷混合物去除高級硼烷之純化系統的示意圖。

圖6係B₄ H₁₀ 固體蒸氣壓力隨熔化潛熱及溫度而變之圖表。

圖7係根據本發明在第三實施例中氣/液相低溫蒸餾之示意圖。

10‧‧‧示意圖

12‧‧‧進給線

14‧‧‧線

16‧‧‧線

18‧‧‧線

20‧‧‧線

22‧‧‧線

24‧‧‧線

26‧‧‧線

28‧‧‧線

30‧‧‧線

32‧‧‧線

34‧‧‧線

36‧‧‧線

A‧‧‧拋光冷阱床/床

B‧‧‧拋光冷阱床/床

V₁‧‧‧閥

V₂‧‧‧閥

V₃‧‧‧閥

V₄‧‧‧閥

V₅‧‧‧閥

V₆‧‧‧閥

Claims

一種自含有乙硼烷及高級硼烷以及平衡氣體之混合物分離高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將該混合物進給至至少一個冷阱，其中該等高級硼烷凝固於該至少一個冷阱之壁上；回收乙硼烷及平衡氣體混合物，而不實質上液化該乙硼烷；在該乙硼烷及該平衡氣體之該回收後，將再生氣體進給至該至少一個冷阱，由此使該至少一個冷阱再生；及將該等高級硼烷及再生氣體作為廢物排出。
如請求項1之方法，其中該至少一個冷阱係兩個冷阱。
如請求項1之方法，其中該再生氣體係氫氣。
如請求項1之方法，其中該等高級硼烷在該進給至該至少一個冷阱之混合物中之濃度高達百萬分之五十且在經純化產物混合物中係百萬分之一或以下。
如請求項1之方法，其中該乙硼烷係以1%至5%之量存在於該混合物中。
如請求項1之方法，其中乙硼烷之濃度或混合比率保持不變。
如請求項1之方法，其中該等高級硼烷係選自由丁硼烷、戊硼烷及癸硼烷組成之群。
一種自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物分離高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將氣體混合物進給至冷阱液體分離器，以使該乙硼烷及該等高級硼烷凝結；自該冷阱液體分離器脫除該平衡氣體；過濾該冷阱液體分離器中之凝結液體，以去除該等呈固體粒子形式之高級硼烷；自該冷阱液體分離器回收經純化乙硼烷液體；將該經回收之純化乙硼烷液體進給至熱交換器，其中該經純化之液體乙硼烷形成經純化氣態乙硼烷；及將選自由氫氣、氬氣及氮氣組成之群之平衡氣體與該經純化氣態乙硼烷摻和，由此形成具有該經純化氣態乙硼烷之氣態混合物。
如請求項8之方法，其中在該經回收之純化乙硼烷液體中之純化乙硼烷係來自在混合物中含有1%至100%乙硼烷之乙硼烷進料流之純乙硼烷。
如請求項8之方法，其中該乙硼烷係以約30體積%之量存在於該混合物中。
如請求項8之方法，其中進給至該熱交換器之該氫氣可係來自該冷阱液體分離器之再循環氫氣。
如請求項8之方法，其中進給至該冷阱液體分離器之該氫氣係新鮮超高純度氫氣。
如請求項8之方法，其中該經回收之純化乙硼烷液體在進給至該熱交換器之前先進給通過過濾單元。
如請求項13之方法，其中過濾單元含有燒結金屬過濾器或聚四氟乙烯膜過濾器。
如請求項13之方法，其中過濾單元係金屬有機框架。
如請求項8之方法，其中該具有該經純化氣態乙硼烷之氣體混合物進給至氣體混合腔，且最終使用者可決定自該氣體混合腔回收之純乙硼烷之濃度。
如請求項8之方法，其進一步包含產生液相乙硼烷。
如請求項8之方法，其中高級硼烷在經純化乙硼烷中之濃度小於0.1ppm。
如請求項18之方法，其中高級硼烷之濃度小於1ppm。
一種自含有乙硼烷、高級硼烷及平衡氣體之混合物分離高級硼烷之方法，其包含以下步驟：將該混合物進給至蒸餾塔，其中自該蒸餾塔之頂部回收經純化乙硼烷及氫氣之氣態混合物，且自該蒸餾塔之底部丟棄含有乙硼烷及大部分該等高級硼烷之液體廢物；將該經回收氣態混合物進給至冷阱，其中形成經純化液體乙硼烷；將該經純化液體乙硼烷進給至熱交換器，由此形成氣態乙硼烷；及自該熱交換器回收該氣態乙硼烷以進一步與平衡氣體摻和。
如請求項20之方法，其進一步包含將選自由氫氣、氬氣及氮氣組成之群之氣體進給至該熱交換器，其中該氣態乙硼烷將與該選自由氫氣、氬氣及氮氣組成之群之氣體混合。
如請求項20之方法，其中該蒸餾塔具有約5至50級。
如請求項20之方法，其中該液體廢物包含高級硼烷。
如請求項20之方法，其中在自該蒸餾塔之頂部回收之該氣態混合物中之該經純化乙硼烷係來自在混合物中含有1%至100%乙硼烷之乙硼烷進料流之純乙硼烷。
如請求項20之方法，其中該乙硼烷係以約30體積%之量存在於該混合物中。
如請求項20之方法，其中該經純化乙硼烷係呈乙硼烷氣體混合物或純乙硼烷液體形式。
如請求項20之方法，其中最終使用者可決定乙硼烷濃度並根據純乙硼烷液體選擇平衡氣體。
如請求項27之方法，其中該平衡氣體係選自由氫氣、氮氣及氬氣組成之群。
如請求項20之方法，其中高級硼烷在該經純化乙硼烷中之濃度係在1ppb至0.1ppm之範圍內。