TWI819093B - 光源裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜接合之光源裝置之製造方法。
一種光源裝置之製造方法，其包括如下步驟：準備具備基板及發光元件之發光裝置，上述基板具有：具備正面、背面、上表面、下表面、及於背面與下表面開口之複數個凹陷部之基材，配置於正面之第1配線，及配置於複數個凹陷部之第2配線，上述發光元件載置於第1配線上；準備支持基板，該支持基板具備於支持基材之上表面包含接合區域之第1配線圖案、及包圍接合區域之絕緣區域；以絕緣區域上之焊料之體積大於接合區域上之焊料之體積的方式配置焊料；於俯視下，使焊料與下表面附近之第2配線隔開而將發光裝置載置於支持基板；及將第2配線與接合區域接合。

Description

光源裝置之製造方法
本發明係關於一種光源裝置之製造方法。
已知一種發光二極體，其具備：基板，其包含設有開口部之基底部及以堵住開口部之方式配置於基底部上之安裝部；及電極，其自開口部露出；電極與母板藉由焊料電性接合(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2013-041865號公報
本發明之目的在於提供一種能夠抑制發光裝置相對於母板(支持基板)傾斜接合之光源裝置之製造方法。
本發明之一態樣之光源裝置之製造方法包括如下步驟：準備具備基板及至少1個發光元件之發光裝置，上述基板具備：具有於長度方向和與上述長度方向正交之短邊方向上延長之正面、位於上述正面之相反側之背面、與上述正面相鄰且與上述正面正交之上表面、位於上述上表面之相反側之下表面、及於上述背面與上述下表面開口之複數個凹陷部之基材，配置於上述正面之第1配線，及與上述第1配線電性連接且配置於上述複數個凹陷部之各者之第2配線，上述發光元件與上述第1配線電性連接且載置於上述第1配線上；準備支持基板，該支持基板具備支持基材、於上述支持基材之上表面包含接合區域之配線圖案、及包圍上述接合區域之絕緣區域；以位於上述絕緣區域上之上述焊料之體積大於位於上述接合區域上之上述焊料之體積的方式，將焊料配置於上述接合區域及上述絕緣區域上；於俯視下，使上述焊料與位於上述底面附近之上述第2配線隔開而將上述發光裝置載置於上述支持基板；及將上述焊料加熱熔融，而將上述發光裝置之第2配線與上述支持基板之上述接合區域接合。
根據本發明之光源裝置之製造方法，可提供一種能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜接合之光源裝置。
10:基板
11:基材
12:第1配線
13:第2配線
14:第3配線
15:通孔
16:凹陷部
18:絕緣膜
20:發光元件
20A:第1發光元件
20B:第2發光元件
21:元件電極
22:元件電極
23:半導體積層體
24:元件基板
30:透光性構件
30A:第1透光性構件
30B:第2透光性構件
31:第1波長變換層
32:第2波長變換層
33:實質上不含有波長變換粒子之層
40:反射構件
50:導光構件
60:導電性接著構件
70:支持基材
72:絕緣層
81:第1配線圖案
82:第2配線圖案
85:供電部
90:焊料
92:接著樹脂
111:基材之正面
112:基材之背面
113:基材之上表面
114:基材之下表面
121:凸部
151:第4配線
152:填充構件
161:平行部
162:傾斜部
201:光提取面
201A:第1光提取面
201B:第2光提取面
202:元件側面
202A:第1元件側面
202B:第2元件側面
203:電極形成面
403:反射構件之側面
404:反射構件之側面
701:支持基材之上表面
810:接合區域
811:絕緣區域
1000:發光裝置
1000A:光源裝置
1001:發光裝置
2000:發光裝置
2001:發光裝置
5000:支持基板
5001:支持基板
圖1A係實施形態1之發光裝置之概略立體圖。
圖1B係實施形態1之發光裝置之概略立體圖。
圖2A係實施形態1之發光裝置之概略前視圖。
圖2B係圖2A之I-I線處之概略剖視圖。
圖2C係圖2A之II-II線處之概略剖視圖。
圖3係實施形態1之發光裝置之概略仰視圖。
圖4A係實施形態1之發光裝置之概略後視圖。
圖4B係實施形態1之發光裝置之變化例之概略後視圖。
圖5係實施形態1之基板之概略前視圖。
圖6係實施形態1之發光裝置之概略側視圖。
圖7A係實施形態1之支持基板之概略俯視圖。
圖7B係圖7A之III-III線處之概略剖視圖。
圖8A係實施形態1之支持基板之變化例之概略俯視圖。
圖8B係圖8A之IV-IV線處之概略剖視圖。
圖9A係對實施形態1之光源裝置之製造方法加以說明之概略俯視圖。
圖9B係圖9A之V-V線處之概略剖視圖。
圖9C係對實施形態1之光源裝置之變化例之製造方法加以說明之概略剖視圖。
圖9D係對實施形態1之光源裝置之製造方法之變化例加以說明之概略俯視圖。
圖9E係對實施形態1之光源裝置之製造方法之變化例加以說明之概略俯視圖。
圖9F係對實施形態1之光源裝置之製造方法之變化例加以說明之概略俯視圖。
圖10A係對實施形態1之光源裝置之製造方法加以說明之概略俯視 圖。
圖10B係圖10A之VI-VI線處之概略剖視圖。
圖10C係對實施形態1之光源裝置之變化例之製造方法加以說明之概略剖視圖。
圖11係對實施形態1之光源裝置之製造方法加以說明之概略剖視圖。
圖12A係實施形態2之發光裝置之概略立體圖。
圖12B係實施形態2之發光裝置之概略立體圖。
圖13A係實施形態2之發光裝置之概略前視圖。
圖13B係圖13A之VII-VII線處之概略剖視圖。
圖14係實施形態2之發光裝置之變化例之概略剖視圖。
以下，參照適宜圖式對發明之實施形態進行說明。但是，以下所說明之發光裝置為用於使本發明之技術思想具體化者，且只要無特別說明，不將本發明限定為以下者。又，於一個實施形態中進行說明之內容亦可適用於其他實施形態及變化例。進而，為了使說明明確，圖式所示之構件之大小或位置關係等存在誇張之情形。
<實施形態1>
基於圖1A至圖11對本發明之實施形態1之光源裝置之製造方法進行說明。
實施形態1之發光裝置之製造方法包括如下步驟：(1)準備具備基板及至少1個發光元件之發光裝置，上述基板具備：具有於長度方向和與長度方向正交之短邊方向上延長之正面、位於正面之相反側之背面、與正面相鄰且與正面正交之上表面、位於上表面之相反側之下表面、及於背面與下表面開口之複數個凹陷部之基材，配置於正面之第1配線，及與第1配線電性連接且配置於複數個凹陷部之各者之第2配線，上述發光元件與第1配線電性連接且載置於第1配線上；(2)準備支持基板，該支持基板具備支持基材、於支持基材之上表面包含接合區域之配線圖案、及包圍接合區域之絕緣區域；(3)以位於絕緣區域上之焊料之體積大於位於接合區域上之焊料之體積的方式，將焊料配置於接合區域及絕緣區域上；(4)於俯視下，使焊料與位於下表面附近之第2配線隔開而將發光裝置載置於支持基板；及(5)將焊料加熱熔融，而將發光裝置之第2配線與支持基板之接合區域接合。
根據以如上之方式構成之實施形態之光源裝置之製造方法，能夠抑制於基材之下表面與支持基板之上表面之間形成加熱熔融後之焊料。藉此，能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜接合。
(準備發光裝置之步驟)
如圖2B所示，準備具備基板10與至少1個發光元件20之發光裝置1000。基板10具備基材11、第1配線12、及第2配線13。基材11具有於長 度方向和與長度方向正交之短邊方向上延長之正面111、位於正面之相反側之背面112、與正面相鄰且與正面正交之上表面113、及位於上表面之相反側之下表面114。又，基材11具有於背面112與下表面114開口之複數個凹陷部16。第1配線12配置於基材11之正面111。第2配線13與第1配線12電性連接且分別配置於複數個凹陷部16內。再者，於本說明書中，所謂正交，容許90±3°左右之變動。又，於本說明書中，存在將長度方向稱為X方向，將短邊方向稱為Y方向，將背面112至正面111方向稱為Z方向之情形。
基板10之第2配線13、與作為支持基板之配線圖案之一部分之接合區域藉由焊料接合。藉由於複數個凹陷部內分別配置有第2配線，發光裝置具有複數個第2配線13。藉由發光裝置具有複數個第2配線，與第2配線為1個之情形相比，能夠提高發光裝置與支持基板之接合強度。
複數個凹陷部16之各者之深度並無特別限定，如圖2C所示，Z方向上之複數個凹陷部16之各者之深度較佳為較上表面113側之凹陷部之深度W2，下表面114側之凹陷部之深度W1更深。藉由此種方式，於Z方向上，可使位於凹陷部之上表面113側之基材11之厚度W5較位於凹陷部之下表面側之基材之厚度W6更厚。藉此，能夠抑制基材之強度下降。又，藉由Z方向上之凹陷部16之深度在下表面114側較在上表面113側更深，能夠增大基材11之下表面114中之凹陷部16之開口部之面積。基材11之下表面114與支持基板之上表面相對向，發光裝置與支持基板藉由焊料而接合。藉由與支持基板對向之基材之下表面中之凹陷部之開口部之面積變大，能 夠增大位於基材11之下表面114側之焊料之面積。藉此，能夠提高發光裝置與支持基板之接合強度。
凹陷部16可貫通基材，亦可如圖2B及圖2C所示，不貫通基材11。藉由凹陷部16未貫通基材，與具備貫通基材之凹陷部之情形相比能夠提高基材之強度。於凹陷部16未貫通基材之情形時，Z方向上之複數個凹陷部之各者之深度之最大較佳為基材之厚度W3之0.4倍至0.8倍。由於藉由凹陷部之深度較基材之厚度之0.4倍更深，可增加形成於凹陷部內之焊料之體積，故而能夠提高發光裝置與支持基板之接合強度。藉由凹陷部之深度較基材之厚度之0.8倍更淺，能夠提高基材之強度。
於剖面觀察下，凹陷部16較佳為具備於Z方向上延伸之平行部161。藉由具備平行部161，即便背面112中之凹陷部16之開口部之面積相同，亦能夠增大基材中之凹陷部16之體積。由於藉由增大凹陷部16之體積，可增加可形成於凹陷部內之焊料之量，故而能夠提高發光裝置1000與支持基板之接合強度。再者，於本說明書中，所謂平行，容許±3°左右之變動。又，於剖面觀察下，凹陷部16可具備自基材之下表面114向基材之厚度變厚之方向傾斜之傾斜部162。傾斜部162可為直線，亦可彎曲。藉由傾斜部162為直線，利用前端尖銳之鑽孔器容易地形成。再者，傾斜部162中之直線容許±3μm左右之變動。
如圖3所示，於基材之下表面，較佳為於複數個凹陷部16之各者中於中央之深度R1為Z方向上之凹陷部之最大深度。藉由此種方式，於下表面 中，於X方向之凹陷部之端部，由於可使Z方向上之基材之厚度R2變厚，故而能夠提高基材之強度。再者，於本說明書中，所謂中央，容許±5μm左右之變動。凹陷部16可利用鑽孔器、或雷射等公知之方法形成。於下表面中，中央之深度最大之凹陷部可利用前端尖銳之鑽孔器容易地形成。又，藉由使用鑽孔器，可形成最深部為大致圓錐形狀，且具有自大致圓錐形狀之底面之圓形狀連續之大致圓柱形狀之凹陷部。藉由利用切割等切斷凹陷部之一部分，可形成最深部為大致半圓柱形狀，且具有自大致半圓形狀連續之大致半圓柱形狀之凹陷部。藉由此種方式，如圖4A所示，於背面中，可使凹陷部16之開口形狀成為大致半圓形狀。由於藉由凹陷部之開口形狀為無角部之大致半圓形狀，能夠抑制凹陷部之應力集中，故而能夠抑制基材破裂。
於背面中，複數個凹陷部16之各者之形狀可不同，如圖4A所示，於背面中，複數個凹陷部16之各者之形狀亦可相同。藉由複數個凹陷部之各者之形狀相同，較凹陷部之形狀分別不同之情形，凹陷部之形成更為容易。例如，於利用鑽孔器工法形成凹陷部之情形時，若複數個凹陷部之各者之形狀相同，則可利用1個鑽孔器形成凹陷部。再者，於本說明書中，所謂相同，容許±5μm左右之變動。
如圖4A所示，較佳為於背面中複數個凹陷部16之各者位於相對於與Y方向平行之基材之中心線C1左右對稱的位置。藉由此種方式，經由焊料將發光裝置接合於支持基板時自對準有效地發揮作用，可高精度地將發光裝置安裝於支持基板。
如圖2B所示，基板10可具備配置於基材11之背面112之第3配線14。又，基板10亦可具備將第1配線12與第3配線14電性連接之通孔15。通孔15設於貫通基材11之正面111與背面112之孔內。通孔15具備被覆基材之貫通孔之表面之第4配線151與填充於第4配線151之內側之填充構件152。填充構件152可為導電性，亦可為絕緣性。填充構件152中，較佳為使用樹脂材料。一般而言，硬化前之樹脂材料由於與硬化前之金屬材料相比流動性較高，故而容易填充於第4配線151之內側。因此，藉由於填充構件中使用樹脂材料，基板之製造變得容易。作為容易填充之樹脂材料，例如可列舉環氧樹脂。於使用樹脂材料作為填充構件之情形時，較佳為含有添加構件以降低線膨脹係數。藉由此種方式，由於第4配線之線膨脹係數與填充構件之線膨脹係數之差異變小，故而能夠抑制因來自發光元件之熱而於第4配線與填充構件之間形成間隙。作為添加構件，例如可列舉氧化矽。又，於在填充構件152中使用金屬材料之情形時，能夠提高散熱性。
如圖2B及圖4A所示，通孔15與凹陷部16可相接，亦可如圖4B所示之發光裝置1001般，通孔15與凹陷部16隔開。由於藉由通孔15與凹陷部16相接，第4配線151可與第2配線相接，故而能夠提高發光裝置之散熱性。藉由通孔15與凹陷部16隔開，較通孔15與凹陷部16相接之情形能夠提高基材之強度。
如圖2B所示，發光元件20配置於第1配線12上。發光裝置1000只要至少具備1個發光元件20即可。發光元件20具備與基板10對向之載置面、 與位於載置面之相反側之光提取面201。發光元件20至少包含半導體積層體23，於半導體積層體23設有元件電極21、22。發光元件20可覆晶安裝於基板10。藉此，由於無需向發光元件之元件電極供電之導線，故而可使發光裝置小型化。於覆晶安裝有發光元件20之情形時，將與發光元件20之元件電極21、22所處之電極形成面203相反之側之面設為光提取面201。再者，於本實施形態中，發光元件20具有元件基板24，但亦可不具備元件基板24。於發光元件20覆晶安裝於基板10之情形時，發光元件之元件電極21、22經由導電性接著構件60與第1配線12電性連接。
發光元件20之與元件電極所處之電極形成面相反之側之面可與基板對向而配置。於以此方式進行之情形時，電極形成面成為光提取面。發光裝置可具備為了向發光元件供電而將發光元件之元件電極與第1配線電性接合之導線。
於發光元件20覆晶安裝於基板10之情形時，如圖2B、圖5所示，較佳為第1配線12具備凸部121。於俯視下，第1配線12之凸部121位於與發光元件20之元件電極21、22重疊之位置。藉由此種方式，於使用熔融性之接著劑作為導電性接著構件60之情形時，於連接第1配線之凸部121與發光元件之元件電極21、22時，可利用自對準效果容易地進行發光元件與基板之位置對準。
如圖2B所示，發光裝置1000可具備被覆發光元件20之元件側面202及基材之正面111之反射構件40。藉由發光元件20之元件側面202由反射 構件被覆，發光區域與非發光區域之對比度變高，可作為「分隔性」良好之發光裝置。
作為反射構件40之材料，例如，可使用母材中含有白色顏料之構件。作為反射構件40之母材，較佳為使用樹脂，例如，較佳為使用矽酮樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、或該等之改性樹脂等。尤其是作為反射構件40之母材，較佳為使用耐熱性及耐光性優異之矽酮樹脂。又，作為反射構件40之母材，亦可使用硬度較矽酮樹脂高之環氧樹脂。藉由此種方式，能夠提高發光裝置之強度。
作為反射構件40之白色顏料，例如，可單獨使用氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、矽酸鎂、鈦酸鋇、硫酸鋇、氫氧化鋁、氧化鋁、氧化鋯、氧化矽等中之1種，或可組合該等中之2種以上而使用。白色顏料之形狀可進行適當選擇，亦可為不定形狀或者破碎狀，但就流動性之觀點而言，較佳為球形狀。又，白色顏料之粒徑較佳為例如0.1μm以上0.5μm以下左右，但為了提高光反射性或被覆性之效果，白色顏料之粒徑越小越佳。白色顏料之含量可進行適當選擇，但就光反射性及液狀時之黏度等觀點而言，較佳為例如10wt%以上80wt%以下，更佳為20wt%以上70wt%以下，進而較佳為30wt%以上60wt%以下。再者，所謂「wt%」，為重量百分比，表示該材料之重量相對於反射構件之總重量之比率。
如圖6所示，位於基材之下表面114側之反射構件40之長度方向之側 面404較佳為於Z方向上向發光裝置1000之內側傾斜。藉由此種方式，於將發光裝置1000安裝於支持基板時，反射構件40之側面404與支持基板之接觸得到抑制，發光裝置1000之安裝姿勢容易穩定。位於基材之上表面113側之反射構件40之長度方向之側面403較佳為於Z方向上向發光裝置1000之內側傾斜。藉由此種方式，反射構件40之側面與吸附噴嘴(吸嘴)之接觸得到抑制，能夠抑制發光裝置1000之吸附時之反射構件40之損傷。如此，位於下表面114側之反射構件40之長度方向之側面404及位於上表面113側之反射構件40之長度方向之側面403較佳為於Z方向上向發光裝置1000之內側傾斜。反射構件40之傾斜角度θ可進行適當選擇，但就容易發揮此種效果及反射構件40之強度之觀點而言，較佳為0.3°以上3°以下，更佳為0.5°以上2°以下，進而更佳為0.7°以上1.5°以下。
如圖2B所示，發光裝置1000可具備透光性構件30。透光性構件30較佳為位於發光元件20上。藉由透光性構件30位於發光元件20上，能夠保護發光元件免受外部應力之影響。反射構件40較佳為被覆透光性構件30之側面。藉由此種方式，發光區域與非發光區域之對比度變高，可作為「分隔性」良好之發光裝置。
透光性構件30可與光提取面201相接，如圖2B所示，亦可經由導光構件50被覆光提取面201。導光構件50可僅位於發光元件之光提取面201與透光性構件30之間而固定發光元件20與透光性構件30，亦可自發光元件之光提取面201被覆至發光元件之元件側面202而固定發光元件20與透光性構件30。導光構件50較反射構件40，來自發光元件之光之透過率更 高。因此，由於藉由導光構件被覆至發光元件之側面，自發光元件之元件側面出射之光通過導光構件變得容易提取至發光裝置之外側，故而能夠提高光提取效率。
透光性構件30可含有波長變換粒子。藉由此種方式，發光裝置之顏色調整變得容易。波長變換粒子係吸收發光元件20所發出之1次光之至少一部分，並發出波長與1次光不同之2次光之構件。藉由使透光性構件30含有波長變換粒子，能夠輸出發光元件所發出之1次光、與波長變換粒子所發出之2次光進行混色而得之混色光。例如，可構成如下之發光裝置：若於發光元件20使用藍色LED(Light Emitting Diode，發光二極體)，於波長變換粒子使用YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)等螢光體，則輸出將藍色LED之藍色光與由該藍色光激發而螢光體所發出之黃色光進行混合所得的白色光。又，亦可構成如下發光裝置，該發光裝置於發光元件20使用藍色LED，於波長變換粒子使用作為綠色螢光體之β賽隆系螢光體、與作為紅色螢光體之錳活化氟化物系螢光體而輸出白色光。
波長變換粒子可均勻地分散於透光性構件中，亦可較透光性構件30之上表面使波長變換粒子偏集存在於發光元件之附近。由於藉由較透光性構件30之上表面使波長變換粒子偏集存在於發光元件之附近，即便使用對水分較弱之波長變換粒子，透光性構件30之母材亦發揮保護層之功能，故而能夠抑制波長變換粒子之劣化。又，如圖2B所示，透光性構件30可具備含有波長變換粒子之層31、32、與實質上不含有波長變換粒子之層33。於Z方向上，實質上不含有波長變換粒子之層33位於較含有波長變換 粒子之層31、32靠上側。藉由此種方式，由於實質上不含有波長變換粒子之層33發揮保護層之功能，故而能夠抑制波長變換粒子之劣化。作為對水分較弱之波長變換粒子，例如可列舉錳活化氟化物螢光體。錳活化氟化物系螢光體就可獲得光譜線寬度比較窄之發光且顏色再現性之觀點而言，為較佳之構件。所謂「實質上不含有波長變換粒子」，意指不排除不可避免地混入之波長變換粒子，較佳為波長變換粒子之含有率為0.05重量%以下。
透光性構件30之含有波長變換粒子之層可為單層，亦可為複數層。例如，如圖2B所示，透光性構件30可具備第1波長變換層31、及被覆第1波長變換層31之第2波長變換層32。第2波長變換層32可直接被覆第1波長變換層31，亦可經由透光性之其他層被覆第1波長變換層31。再者，第1波長變換層31配置於較第2波長變換層32更靠近發光元件20之光提取面201之位置。第1波長變換層31中所含有之波長變換粒子之發光峰值波長較佳為較第2波長變換層32中所含有之波長變換粒子之發光峰值波長短。藉由此種方式，利用由發光元件激發之來自第1波長變換層31之光，能夠激發第2波長變換層32之波長變換粒子。藉此，可增加來自第2波長變換層32之波長變換粒子之光。
第1波長變換層31中所含有之波長變換粒子之發光峰值波長較佳為500nm以上570nm以下，第2波長變換層32中所含有之波長變換粒子之發光峰值波長較佳為610nm以上750nm以下。藉由此種方式，可作為顏色再現性較高之發光裝置。例如，作為第1波長變換層31中所含有之波長變 換粒子，可列舉β賽隆系螢光體，作為第2波長變換層32中所含有之波長變換粒子，可列舉錳活化氟化矽酸鉀之螢光體。於使用錳活化氟化矽酸鉀之螢光體作為第2波長變換層32中所含有之波長變換粒子之情形時，尤佳為透光性構件30具備第1波長變換層31、及第2波長變換層32。錳活化氟化矽酸鉀之螢光體容易產生亮度飽和，但藉由第1波長變換層31位於第2波長變換層32與發光元件20之間，能夠抑制來自發光元件之光過度照射於錳活化氟化矽酸鉀之螢光體。藉此，能夠抑制錳活化氟化矽酸鉀之螢光體之劣化。
透光性構件可具備：第1波長變換粒子，其吸收發光元件所發出之1次光之至少一部分且利用禁阻躍遷發出2次光；及第2波長變換粒子，吸收發光元件所發出之1次光之至少一部分且利用容許躍遷發出2次光。一般而言，利用禁阻躍遷發出2次光之第1波長變換粒子與利用容許躍發出2次光之第2波長變換粒子相比，殘光時間較長。因此，藉由透光性構件具備第1波長變換粒子、及第2波長變換粒子，較透光性構件僅具備第1波長變換粒子之情形，能夠縮短殘光時間。例如，作為第1波長變換粒子，可列舉錳活化氟化矽酸鉀之螢光體(例如K2SiF6：Mn)，作為第2波長變換粒子，可列舉CASN系螢光體。藉由透光性構件含有CASN系螢光體、及錳活化氟化矽酸鉀之螢光體，較透光性構件僅含有錳活化氟化矽酸鉀之螢光體之情形，能夠縮短殘光時間。又，一般而言，由於錳活化氟化矽酸鉀具有較CASN系螢光體而半頻寬較窄之發光峰值，故而色純度變高且顏色再現性良好。因此，藉由透光性構件含有CASN系螢光體、及錳活化氟化矽酸鉀之螢光體，較透光性構件僅含有CASN系螢光體之情形，顏色再現性變得 良好。
例如，透光性構件中所包含之錳活化氟化矽酸鉀之螢光體之重量較佳為CASN系螢光體之螢光體之重量之0.5倍以上6倍以下，更佳為1倍以上5倍以下，進而較佳為2倍以上4倍以下。藉由錳活化氟化矽酸鉀之螢光體之重量增加，發光裝置之顏色再現性變得良好。藉由CASN系螢光體之螢光體之重量增加，可縮短殘光時間。
錳活化氟化矽酸鉀之螢光體之平均粒徑較佳為5μm以上30μm以下。又，CASN系螢光體之平均粒徑較佳為5μm以上30μm以下。由於藉由錳活化氟化矽酸鉀之螢光體及/或CASN系螢光體之平均粒徑為30μm以下，來自發光元件之光變得容易擴散至波長變換粒子，故而能夠抑制發光裝置之配光色度不均。由於藉由錳活化氟化矽酸鉀之螢光體及/或CASN系螢光體之平均粒徑為5μm以上，容易提取來自發光元件之光，故而發光裝置之光提取效率提高。
CASN系螢光體、與錳活化氟化矽酸鉀之螢光體可包含於透光性構件之相同之波長變換層，於透光性構件具備複數個波長變換層之情形時，亦可包含於不同之波長變換層。於錳活化氟化矽酸鉀之螢光體與CASN系螢光體包含於不同之波長變換層之情形時，較佳為利用錳活化氟化矽酸鉀之螢光體及CASN系螢光體，光之峰值波長較短之波長變換粒子位於發光元件附近。藉由此種方式，利用來自光之峰值波長較短之波長變換粒子之光，能夠激發光之峰值波長較長之波長變換粒子。例如，於錳活化氟化矽 酸鉀之螢光體之光之峰值波長為631nm附近且CASN系螢光體之光之峰值波長為650nm附近之情形時，較佳為錳活化氟化矽酸鉀之螢光體靠近發光元件。
作為第2波長變換粒子，另外亦可列舉SCASN系螢光體、SLAN螢光體(SrLiAl3N4：Eu)等。例如，透光性構件可含有SLAN螢光體、及錳活化氟化矽酸鉀之螢光體。又，透光性構件亦可含有作為紅色螢光體之第1波長變換粒子及第2波長變換粒子、以及作為綠色螢光體之β賽隆系螢光體。藉由此種方式，發光裝置之顏色再現性變得良好。
(準備支持基板)
如圖7A、圖7B所示，準備支持基板5000，該支持基板5000具備支持基材70、於支持基材70之上表面701包含接合區域810之第1配線圖案81、及包圍接合區域810之絕緣區域811。所謂支持基材70，係絕緣性之構件。所謂支持基板之接合區域810，係第1配線圖案81之一部分，且為利用焊料與發光裝置之第2配線接合之部分。所謂包圍接合區域810之絕緣區域811，如圖7A所示般於支持基材70之上表面701露出至外部之情形時，支持基材70於上表面701具備絕緣區域811。藉由接合區域810被絕緣區域811包圍，熔融之焊料容易控制潤濕擴散。藉此，自對準效果變大，發光裝置之安裝性提高。一般而言，熔融之焊料較支持基材上，而更容易於第1配線圖案上潤濕擴散。支持基材及第1配線圖案可使用公知之材料。
如圖7B所示，如支持基板5000所示般亦可具備位於支持基材之下表 面之第2配線圖案82。位於支持基材之上表面之第1配線圖案81、與位於支持基材之下表面之第2配線圖案82可利用通孔電性連接。又，於具備對基板之上表面供電之供電部85之情形時，供電部85、與第2配線圖案82可利用通孔電性連接。
如圖8A、圖8B所示，支持基板5001可具備被覆支持基材70之上表面701及第1配線圖案81之絕緣層72。於絕緣層72包圍第1配線圖案81之接合區域810之情形時，絕緣層72具備絕緣區域811。一般而言，熔融之焊料較絕緣層上，更容易於第1配線圖案上潤濕擴散。再者，於第1配線圖案之接合區域包圍支持基材及絕緣層之情形時，支持基材及絕緣層可具備絕緣區域。
(於接合區域及絕緣區域上配置焊料)
如圖9A、圖9B所示，以位於絕緣區域811上之焊料90之體積大於位於接合區域810上之焊料90之體積的方式將焊料90配置於接合區域810及絕緣區域811上。藉由此種方式，能夠減少位於接合區域810上之焊料90之體積。藉此，於利用焊料將下述發光裝置與支持基板接合時，能夠抑制熔融之焊料侵入基材之下表面與支持基板之上表面之間。因此，於將發光裝置與支持基板接合時，由於能夠抑制於基材之下表面與支持基板之上表面之間形成加熱熔融後之焊料，故而能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜。
如圖9A所示，較佳為俯視下之位於絕緣區域上811之焊料90之最大 寬度D2較位於接合區域810上之焊料90之最大寬度D1更寬。藉由此種方式，容易使位於絕緣區域811上之焊料90之體積大於位於接合區域810上之焊料90之體積。再者，於本說明書中，焊料90之最大寬度設為X方向上之焊料之寬度之最大值。
如圖9B所示，剖面觀察下之位於絕緣區域上811之焊料90之上表面與位於接合區域810上之焊料90之上表面可為同一平面。例如，藉由配置於支持基板上具有開口部之金屬遮罩，利用網版印刷法，於金屬遮罩之開口部形成焊料，可使位於絕緣區域上之焊料之上表面與位於接合區域上之焊料之上表面成為同一平面。再者，於本說明書中，所謂同一平面，容許±5μm左右之變動。
剖面觀察下之位於絕緣區域上之焊料之最大厚度可與位於接合區域上之焊料之最大厚度相同，剖面觀察下之位於絕緣區域上之焊料之最大厚度亦可較位於接合區域上之焊料之最大厚度更薄，如圖9B、圖9C所示，剖面觀察下之位於絕緣區域上811之焊料90之最大厚度D4可較位於接合區域810上之焊料90之最大之厚度D3更厚。藉由剖面觀察下之位於絕緣區域上811之焊料90之最大厚度D4較位於接合區域810上之焊料90之最大厚度D3更厚，容易使位於絕緣區域811上之焊料90之體積大於位於接合區域810上之焊料90之體積。例如，於俯視下，即便於位於絕緣區域上之焊料之面積小於位於接合區域上之焊料之面積之情形時，藉由使剖面觀察下之位於絕緣區域上之焊料之最大厚度較位於接合區域上之焊料之最大厚度更厚，亦可使位於絕緣區域上之焊料之體積大於位於接合區域810上之焊料 90之體積。再者，於本說明書中，焊料之最大厚度設為Y方向上之焊料之厚度之最大值。
如圖9A所示，可於支持基板上形成硬化前之接著樹脂92。接著樹脂92可用作將發光裝置與支持基板接著之構件。藉由具備接著樹脂，能夠提高發光裝置與支持基板之接合強度。Y方向上之接著樹脂之厚度較於為了與發光元件相接而將下述發光裝置載置於支持基板時基材之下表面至支持基材之上表面之距離更厚。接著樹脂中，可使用熱硬化性樹脂及/或熱塑性樹脂等公知之樹脂。環氧樹脂或矽酮樹脂等熱硬化性樹脂由於耐熱性及耐光性優異，故而較佳為用於接著樹脂。接著樹脂可與接合區域隔開，亦可與接合區域之一部分相接。由於在接合區域上形成有焊料，故而較佳為於俯視下接著樹脂與接合區域隔開。藉由接著樹脂與接合區域隔開，於利用焊料將發光裝置與支持基板接合時，熔融之焊料變得容易於接合區域上潤濕擴散。如圖9A所示，較佳為於X方向上接著樹脂92位於與1個發光裝置之第2配線接合之一對接合區域810之間。由於發光裝置之第2配線與支持基板之接合區域利用焊料接合，故而藉由於X方向上接著樹脂位於與發光裝置之第2配線接合之一對接合區域810之間，能夠抑制發光裝置之基材之應力。
作為於支持基板上形成硬化前之接著樹脂之方法，例如可列舉：利用點膠或銷轉印所進行之塗佈、利用噴墨或噴霧所進行之吹送等。於利用點膠等形成接著樹脂之情形時，如圖9A所示，接著樹脂92可塗佈1點，如圖9D、圖9E所示，接著樹脂92亦可塗佈複數點。又，如圖9F所示，塗佈 之複數點接著樹脂可相連。又，於接著樹脂92塗佈複數點之情形時，可於Z方向上複數個接著樹脂以並列之方式形成，如圖9D所示，亦可於X方向上複數個接著樹脂以並列之方式形成。
(將發光裝置載置於支持基板)
如圖10A、圖10B所示，於俯視下，使焊料90與位於基材之下表面114附近之第2配線13隔開而將發光裝置1000載置於支持基板5000。於本說明書中，所謂位於基材之下表面附近之第2配線，意指與基材之下表面114為同一平面之第2配線13之部分。藉由使焊料90與位於基材之下表面114附近之第2配線13隔開而將發光裝置載置於支持基板，能夠於利用焊料將發光裝置與支持基板接合時，抑制熔融之焊料侵入基材之下表面與支持基板之上表面之間。藉此，於將下述發光裝置、與支持基板接合時，由於能夠抑制於基材之下表面與支持基板之上表面之間形成加熱熔融後之焊料，故而能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜。又，於使焊料90與位於基材之下表面114附近之第2配線13隔開而將發光裝置1000載置於支持基板5000時，加熱熔融前之焊料未位於基材之下表面114與支持基板之上表面之間。
如圖10B所示，於剖面觀察下，焊料90與第2配線13可隔開，如圖10C所示，於剖面觀察下，焊料90與位於基材之下表面114附近以外之第2配線13之至少一部分亦可相接。所謂位於基材之下表面114附近以外之第2配線13，係與基材之下表面114不為同一平面之第2配線13之部分。也就是焊料90和與基材之下表面114不為同一平面之第2配線13之至少一部分 可相接。
如圖9A所示，於在支持基板上形成硬化前之接著樹脂92之情形時，以硬化前之接著樹脂與發光裝置之一部分相接之方式將發光裝置載置於支持基板上。藉由此種方式，由於發光裝置與支持基板亦可由硬化後之接著樹脂固定，故而發光裝置與支持基板之接合強度提高。接著樹脂之位置並無特別限定。例如，如圖10A所示，接著樹脂92可位於基材之複數個凹陷部16之間。由於分別配置於基板10之複數個凹陷部之第2配線13、與支持基板之配線圖案之接合區域利用焊料接合，故而接著樹脂92位於基材之複數個凹陷部16之間，藉此，能夠抑制發光裝置之基材之應力。又，如圖10A所示，於俯視下，較佳為基材之正面111與接著樹脂92之外緣之最短距離較基材之正面111與焊料90之外緣之最短距離更短。藉由此種方式，由於可利用接著樹脂92將基材之正面111側與支持基板接合，故而發光裝置與支持基板之接合強度提高。再者，亦可將附帶硬化前之接著樹脂之發光裝置載置於支持基板。
俯視下之接著樹脂之大小並無特別限定，但較佳為俯視下，Z方向上之接著樹脂之最大寬度D5為Z方向上之發光裝置之最大寬度D6之0.2倍至0.7倍。藉由俯視下，Z方向上之接著樹脂之最大寬度D5為Z方向上之發光裝置之最大寬度D6之0.2倍以上，接著樹脂之體積增大，因而發光裝置與支持基板之接合強度提高。可藉由俯視下，Z方向上之接著樹脂之最大寬度D5為Z方向上之發光裝置之最大寬度D6之0.7倍以下，使接著樹脂難以形成於接合區域上。
於俯視下，較佳為凹陷部之最大寬度較接合區域之最大寬度更窄。藉由此種方式，於俯視下，容易使位於接合區域上之第2配線之面積增大。再者，凹陷部之最大寬度為X方向上之凹陷部之寬度之最大值，接合區域之最大寬度為X方向上之接合區域之寬度之最大值。
(將發光裝置之第2配線與支持基板之接合部接合)
如圖11所示，將焊料90加熱熔融，將發光裝置之第2配線13與支持基板5000之接合區域810接合。熔融之焊料集中於容易潤濕擴散之接合區域810上。藉此，可使位於接合區域上之加熱熔融後之焊料之體積大於位於絕緣區域上之加熱熔融後之焊料之體積。藉由位於接合區域上之加熱熔融後之焊料之體積較大，利用焊料容易將第2配線13與接合區域810接合。藉此，發光裝置與支持基板之接合強度提高。由於加熱熔融後之焊料難以形成於基材之下表面與支持基板之上表面之間，故而能夠抑制發光裝置相對於支持基板傾斜接合。如圖11所示，較佳為加熱熔融後之所有焊料位於接合區域上。
於在支持基板上形成硬化前之接著樹脂之情形時，為了將發光裝置之第2配線與支持基板5000之接合區域810接合，可於將焊料加熱熔融時使接著樹脂硬化。藉由此種方式，能夠縮短製造光源裝置之時間。
以上，藉由以所說明之方式進行上述各步驟，可製造光源裝置1000A。
<實施形態2>
對實施形態2之光源裝置之製造方法進行說明。實施形態2之光源裝置之製造方法與實施形態1之光源裝置之製造方法除準備發光裝置之步驟不同之方面以外皆相同。
如圖13B所示，準備具備基板10、及複數個發光元件之發光裝置2000。與實施形態1之發光裝置同樣地，基板10具備基材11、第1配線12、及第2配線13。實施形態1之發光裝置之發光元件為1個，但實施形態2之發光裝置2000具備第1發光元件20A、及第2發光元件20B之複數個發光元件。再者，存在將第1發光元件及/或第2發光元件稱為發光元件之情形。第1發光元件、與第2發光元件之發光峰值波長可相同，亦可不同。例如，於第1發光元件與第2發光元件之發光峰值波長相同之情形時，第1發光元件與第2發光元件之發光之峰值波長可為430nm以上且未達490nm之範圍(藍色區域之波長範圍)。又，於第1發光元件與第2發光元件之發光峰值波長不同之情形時，可為發光之峰值波長處於430nm以上且未達490nm之範圍(藍色區域之波長範圍)之第1發光元件、及發光之峰值波長處於490nm以上570nm以下之範圍(綠色區域之波長範圍)之第2發光元件。藉由此種方式，能夠提高發光裝置之顏色再現性。再者，所謂發光峰值波長相同，容許±10nm左右之變動。
如圖13B所示，可具備被覆第1發光元件20A及第2發光元件20B之透光性構件30。藉由發光裝置2000具備被覆第1發光元件20A之第1光提取面 201A及第2發光元件20B之第2光提取面201B之透光性構件30，能夠抑制第1發光元件與第2發光元件之間之亮度不均。又，於第1發光元件及第2發光元件之發光峰值波長不同之情形時，藉由來自第1發光元件之光、與來自第2發光元件之光由導光構件進行導光，能夠提高發光裝置之混色性。
如圖13B所示，導光構件50可連續被覆第1發光元件20A之第1元件側面202A及第2發光元件20B之第2元件側面202B。藉由此種方式，能夠抑制第1發光元件與第2發光元件之間之亮度不均。
如圖12B、圖13B所示，發光裝置2000亦可具備被覆第3配線14之一部分之絕緣膜18。藉由具備絕緣膜18，能夠實現確保背面上之絕緣性及防止短路。又，藉由具備絕緣膜18，能夠防止第3配線自基材剝落。
如圖14所示之發光裝置2001般，可具備被覆第1發光元件20A之第1透光性構件30A、及被覆第2發光元件20B之第2透光性構件30B。第1透光性構件、及第2透光性構件中所包含之波長變換粒子可相同，亦可不同。於具備發光之峰值波長處於430nm以上且未達490nm之範圍(藍色區域之波長範圍)之第1發光元件、及發光之峰值波長處於490nm以上570nm以下之範圍(綠色區域之波長範圍)之第2發光元件之情形時，第1透光性構件30A中含有紅色螢光體，第2透光性構件30B實質上可不含有波長變換粒子。藉由此種方式，能夠提高發光裝置之顏色再現性。又，由於來自第2發光元件之光不被波長變換粒子遮擋，故而發光裝置之光提取效率提高。 作為第1透光性構件中所含有之紅色螢光體，可列舉錳活化氟化物系螢光體等。
以下，對本發明之一實施形態之發光裝置中之各構成要素進行說明。
(基板10)
基板10係載置發光元件之構件。基板10至少具備基材11、第1配線12、及第2配線13。
(基材11)
基材11可使用樹脂或者纖維強化樹脂、陶瓷、玻璃等絕緣性構件構成。作為樹脂或者纖維強化樹脂，可列舉：環氧、玻璃環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)、聚醯亞胺等。作為陶瓷，可列舉：氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈦、氮化鈦、或者該等之混合物等。該等基材之中，尤佳為使用具有與發光元件之線膨脹係數接近之物性之基材。基材之厚度之下限值可進行適當選擇，但就基材之強度之觀點而言，較佳為0.05mm以上，更佳為0.2mm以上。又，基材之厚度之上限值就發光裝置之厚度(深度)之觀點而言，較佳為0.5mm以下，更佳為0.4mm以下。
(第1配線12)
第1配線配置於基材之正面，與發光元件電性連接。第1配線可由銅、鐵、鎳、鎢、鉻、鋁、銀、金、鈦、鈀、銠、或該等之合金形成。可 為該等金屬或合金之單層，亦可為多層。尤其就散熱性之觀點而言，較佳為銅或銅合金。又，就熔融性之導電性接著構件之潤濕性及/或光反射性等觀點而言，於第1配線之表層可設置銀、鉑、鋁、銠、金或者該等之合金等層。
(第2配線13)
第2配線係與第1配線電性連接且被覆基材之凹陷部之內壁之構件。第2配線可使用與第1配線相同之導電性構件。
(發光元件20(第1發光元件、第2發光元件))
發光元件為藉由施加電壓而自發光之半導體元件，可適用包含氮化物半導體等之已知之半導體元件。作為發光元件，例如可列舉LED晶片。發光元件至少具備半導體層，多數情形下進而具備元件基板。發光元件具有元件電極。元件電極可包含金、銀、錫、鉑、銠、鈦、鋁、鎢、鈀、鎳或該等之合金。作為半導體材料，較佳為使用氮化物半導體。氮化物半導體主要由通式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)表示。此外，亦可使用InAlGaAs系半導體、InAlGaP系半導體、硫化鋅、硒化鋅、碳化矽等。發光元件之元件基板主要為可使構成半導體積層體之半導體之結晶生長之結晶生長用基板，但亦可為與自結晶生長用基板分離之半導體元件結構接合之接合用基板。藉由元件基板具有透光性，而容易採用覆晶安裝，且容易提高光之提取效率。作為元件基板之母材，可列舉：藍寶石、氮化鎵、氮化鋁、矽、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、硫化鋅、氧化鋅、硒化鋅、金剛石等。其中，較佳為藍寶石。元件基板之厚度可進行適當選 擇，例如為0.02mm以上1mm以下，就元件基板之強度及/或發光裝置之厚度之觀點而言，較佳為0.05mm以上0.3mm以下。
(反射構件40)
反射構件係被覆發光元件20之元件側面202及基材之正面111，且作為「分隔性」良好之發光裝置之構件。發光元件之發光峰值波長中之反射構件之光反射率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上。例如，反射構件可使用使樹脂含有白色顏料之構件。
(透光性構件30)
透光性構件係被覆發光元件之光提取面且保護發光元件之透光性構件。作為透光性構件之材料，例如可使用樹脂。作為可用於透光性構件之樹脂，可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、或該等之改性樹脂。作為透光性構件之材料，由於藉由使用環氧樹脂，較使用矽酮樹脂之情形，可提高發光裝置之強度，故而較佳。又，矽酮樹脂及改性矽酮樹脂由於耐熱性及耐光性優異，故而較佳。透光性構件可含有波長變換粒子及/或擴散粒子。
(波長變換粒子)
波長變換粒子吸收發光元件所發出之1次光之至少一部分，並發出波長與1次光不同之2次光。波長變換粒子可單獨使用以下所示之具體例中之1種，或可組合2種以上而使用。於透光性構件具備複數個波長變換層之情形時，各波長變換層中所含有之波長變換粒子可相同，亦可不同。
作為綠色發光之波長變換粒子，可列舉：釔-鋁-石榴石系螢光體(例如Y3(Al、Ga)5O12：Ce)、榴-鋁-石榴石系螢光體(例如Lu3(Al、Ga)5O12：Ce)、鋱-鋁-石榴石系螢光體(例如Tb3(Al、Ga)5O12：Ce)系螢光體、矽酸鹽系螢光體(例如(Ba、Sr)2SiO4：Eu)、氯矽酸鹽系螢光體(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)、β賽隆系螢光體(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0<z<4.2))、SGS系螢光體(例如SrGa2S4：Eu)、鹼土族鋁酸鹽系螢光體(例如(Ba、Sr、Ca)MgxAl10O16+x：Eu、Mn(其中，0≦X≦1))等。作為黃色發光之波長變換粒子，可列舉：α賽隆系螢光體(例如Mz(Si、Al)12(O、N)16(其中，0<z≦2，M為除Li、Mg、Ca、Y、及La與Ce以外之鑭系元素)等。此外，上述綠色發光之波長變換粒子之中亦有黃色發光之波長變換粒子。並且，例如釔-鋁-石榴石系螢光體藉由以Gd置換Y之一部分，可將發光峰值波長位移至長波長側，可進行黃色發光。又，該等之中，亦有可橙色發光之波長變換粒子。作為紅色發光之波長變換粒子，可列舉：含氮鋁矽酸鈣(CASN或SCASN)系螢光體(例如(Sr、Ca)AlSiN3：Eu)、SLAN螢光體(SrLiAl3N4：Eu)等。此外，可列舉：錳活化氟化物系螢光體(為通式(I)A2[M1-aMnaF6]所表示之螢光體(其中，上述通式(I)中，A係選自由K、Li、Na、Rb、Cs及NH4所組成之群中之至少1種，M係選自由第4族元素及第14族元素所組成之群中之至少1種元素，a滿足0<a<0.2))。作為該錳活化氟化物系螢光體之代表例，有錳活化氟化矽酸鉀之螢光體(例如K2SiF6：Mn)。
(擴散粒子)
作為擴散粒子，可列舉：氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅等。擴散粒子可單獨使用該等中之1種，或可組合該等中之2種以上而使用。尤佳為熱膨脹係數較小之氧化矽。又，藉由使用奈米粒子作為擴散粒子，亦可增加發光元件所發出之光之散射，並減少波長變換粒子之使用量。再者，所謂奈米粒子，設為粒徑為1nm以上100nm以下之粒子。又，本說明書中之「粒徑」例如以D50定義。
(導光構件50)
導光構件係固定發光元件與透光性構件，並將來自發光元件之光導光至透光性構件之構件。導光構件之母材可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、或該等之改性樹脂。作為導光構件之材料，由於藉由使用環氧樹脂，較使用矽酮樹脂之情形，可提高發光裝置之強度，故而較佳。又，矽酮樹脂及改性矽酮樹脂由於耐熱性及耐光性優異，故而較佳。導光構件可含有與上述透光性構件相同之波長變換粒子及/或擴散粒子。
(導電性接著構件60)
所謂導電性接著構件，係將發光元件之元件電極與第1配線電性連接之構件。作為導電性接著構件，可使用金、銀、銅等之凸塊；包含銀、金、銅、鉑、鋁、鈀等之金屬粉末與樹脂黏合劑之金屬焊膏；錫-鉍系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等之焊料；低熔點金屬等之釺料中之任一者。
[產業上之可利用性]
本發明之一實施形態之發光裝置可利用於液晶顯示器之背光裝置、各種照明器具、大型顯示器、廣告或目的地嚮導等各種顯示裝置、投影機裝置、進而數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置等。
13:第2配線
20:發光元件
90:焊料
114:基材之下表面
1000:發光裝置
5000:支持基板

Claims (6)

  1. 一種光源裝置之製造方法，其包括如下步驟：準備具備基板及至少1個發光元件之發光裝置，上述基板具備：具有於長度方向和與上述長度方向正交之短邊方向上延長之正面、位於上述正面之相反側之背面、與上述正面相鄰且與上述正面正交之上表面、位於上述上表面之相反側之下表面、及於上述背面與上述下表面開口之複數個凹陷部之基材，配置於上述正面之第1配線，及與上述第1配線電性連接且配置於上述複數個凹陷部之各者之第2配線，上述發光元件與上述第1配線電性連接且載置於上述第1配線上；準備支持基板，該支持基板具備支持基材、於上述支持基材之上表面包含接合區域之第1配線圖案、及包圍上述接合區域之絕緣區域；以位於上述絕緣區域上之焊料之體積大於位於上述接合區域上之焊料之體積的方式，將焊料配置於上述接合區域及上述絕緣區域上；於俯視下，使上述焊料與位於上述下表面附近之上述第2配線隔開而將上述發光裝置載置於上述支持基板；及將上述焊料加熱熔融，而將上述發光裝置之第2配線與上述支持基板之上述接合區域接合。
  2. 如請求項1之光源裝置之製造方法，其中於上述配置焊料之步驟中，俯視下之位於上述絕緣區域上之上述焊料之最大寬度較位於上述接合區域上之上述焊料之最大寬度更寬。
  3. 如請求項1或2之光源裝置之製造方法，其具有將上述基板與上述支持基板接著之接著樹脂。
  4. 如請求項3之光源裝置之製造方法，其中於將上述發光裝置之上述第2配線與上述支持基板之上述接合部接合之步驟中，使上述接著樹脂硬化。
  5. 如請求項3之光源裝置之製造方法，其中上述接著樹脂位於上述複數個凹陷部之間。
  6. 如請求項1或2之光源裝置之製造方法，其中於俯視下，上述凹陷部之最大寬度較上述接合區域之最大寬度更窄。
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