TWI817891B - 具有多孔性介電層的半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露公開一種半導體裝置及其製備方法。該半導體裝置包括一基底；多個第一導電結構，其位於該基底上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上且位於該些第一導電結構之間。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。

Description

具有多孔性介電層的半導體裝置
本申請案主張美國第17/870,087號專利申請案之優先權(即優先權日為「2022年7月21日」)，其內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露涉及一種半導體裝置及其製備方法，尤其涉及一種具有多孔性介電層的半導體裝置。
導體裝置用於各種電子應用，例如個人計算機、手機、數位相機和其他電子設備。為滿足對計算能力不斷增長的需求，半導體裝置的尺寸不斷地縮小。然而，在縮減過程中會出現各種各樣的問題，而且這些問題還在不斷增加。因此，在提高半導體裝置的性能、質量、良率、效能和可靠性等方面仍然面臨挑戰。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露的一個方面提供一種半導體裝置，包括一基底；多 個第一導電結構，其位於該基底上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上且位於該些第一導電結構之間。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
本揭露的另一方面提供一種半導體裝置，包括一基底，其包括一密集區域和一開放區域；多個第一導電結構，其位於該密集區域上；多個第二導電結構，其位於該開放區域上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上和該些第二導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上、該些第一導電結構之間、以及該些第二導電結構之間。該些第一導電結構的間距小於該些第二導電結構的間距。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
在一些實施例中，半導體裝置還包括一底部介電層，其位於該基底與該些第一導電結構之間，以及位於該基底與該些第二導電結構之間。
在一些實施例中，半導體裝置還包括一內部襯墊層，其位於該些外部襯墊層和該些第一導電結構之間，以及位於該些外部襯墊層和該些第二導電結構之間。
在一些實施例中，該些第一導電結構分別包括：一第一底部阻障層，其位於該底部介電層上；一第一主體部分，其位於該第一底部阻障層上；一第一頂部阻障層，其位於該第一主體部分上；及一第一介電部分，其位於該第一頂部阻障層上。
在一些實施例中，該些第二導電結構分別包括：一第二底 部阻障層，其位於該底部介電層上；一第二主體部分，其位於該第二底部阻障層上；一第二頂部阻障層，其位於該第二主體部分上；及一第二介電部分，其位於該第二頂部阻障層上。
在一些實施例中，該些頂部元件間介電層的底面處於低於該第一頂部阻障層的底面的垂直層級。
在一些實施例中，該第一主體部分的寬度小於該第一底部阻障層的寬度。
在一些實施例中，第二底部阻障層的寬度和第二主體部分的寬度基本相同。
在一些實施例中，半導體裝置還包括一頂部介電層，其位於該些頂部元件間介電層上。
本揭露的另一方面提供一種用於半導體裝置的製備方法，包括提供一基底，其包括一密集區域和一開放區域；在該密集區域上形成多個第一導電結構；在該開放區域上形成多個第二導電結構；在該些第一導電結構的側壁上和該些第二導電結構的側壁上共形地形成多個外部襯墊層；在該些外部襯墊層上、該些第一導電結構之間、以及該些第二導電結構之間形成多個底部元件間介電層；及在該些底部層間介電層上、該些第一導電結構之間、以及該些第二導電結構之間形成多個頂部元件間介電層。該些第一導電結構的間距小於該些第二導電結構的間距。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
在一些實施例中，形成該些底部元件間介電層和該些頂部元件間介電層包括：形成一能量可移除材料的層以完全覆蓋該些外部襯墊層、該些第一導電結構、及該些第二導電結構；執行一回蝕製程以將該能 量可移除材料的層與該些外部襯墊層凹陷至一垂直層級；執行一能量處理以將該能量可移除材料的層轉變為該些底部元件間介電層；形成一第一絕緣材料的層以覆蓋該些底部元件間介電層、該些外部襯墊層、該些第一導電結構、及該些第二導電結構；執行一平坦化製程直至該些第一導電結構與該些第二導電結構暴露，以將該第二阻障材料的層轉變為該些頂部元件間介電層。
在一些實施例中，能量可移除材料的層包含基底材料和可分解致孔劑材料。
在一些實施例中，氧化釩的種類係依據式VOx，其中x介於約1與約3之間。
在一些實施例中，該些外部襯墊層的介電常數在約1和約3之間。
在一些實施例中，該些外部襯墊層包括含有碳、氮、矽、硼、或氟的摻雜劑。
在一些實施例中，該基底材料包括甲基倍半矽氧烷。
在一些實施例中，該些頂部元件間介電層包括氮化矽、氮氧化矽、氧氮化矽、或其組合形成。
由於本揭露的半導體裝置的設計，低介電常數的外部襯墊層的和底部元件間介電層可以減小相鄰第一導電結構之間或相鄰第二導電結構之間的寄生電容。結果，半導體裝置的性能將得以提升。此外，頂部元件間介電層可以作為底部元件間介電層的保護層。因此，製備半導體裝置的製程窗口和產量將得以提高。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下 文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
1:半導體裝置
10:方法
111:基底
113:底部介電層
115:頂部介電層
210:第一導電結構
210S:側壁
211:第一底部阻障層
213:第一主體部分
215:第一頂部阻障層
215B:底面
217:第一介電部分
220:第二導電結構
220S:側壁
221:第二底部阻障層
223:第二主體部分
225:第二頂部阻障層
225B:底面
227:第二介電部分
311:內部襯墊層
311T:頂面
313:外部襯墊層
313T:頂面
411:底部元件間介電層
411T:頂面
413:頂部元件間介電層
413B:底面
511:第一阻障材料
513:第二阻障材料
521:第一導電材料
531:第一材料
533:第一絕緣材料
611:襯墊材料
613:能量可移除材料
621:第一遮罩層
DA:密集區域
OA:開放區域
V1:垂直層級
W1:寬度
W2:寬度
W3:寬度
W4:寬度
W5:寬度
W6:寬度
W7:寬度
W8:寬度
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。
圖1為根據本揭露一實施例的一種半導體裝置的製備方法的流程圖；及圖2至圖11為示意圖，以剖面圖例示本揭露於一實施例中製備半導體裝置的流程。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細 節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。
在本揭露中，半導體裝置一般是指能夠利用半導體特性發揮作用的裝置，電光裝置、發光顯示裝置、半導體電路和電子裝置都屬於半導體裝置的範疇。
需要說明的是，在本發明的描述中，上方(或上)對應於Z方向的箭頭方向，下方(或下)對應於Z方向箭頭的相反方向。
需要說明的是，在本揭露的描述中，「形成」一詞表示任何創造、建立、圖形化、植入或沉積一元素、一摻質或一材料的方法。舉例來說包括原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、濺鍍、共濺鍍、旋轉塗布、擴散、沉積、長晶、植入、微影、乾式蝕刻與濕式蝕刻等方法，但不以此為限。
需要說明的是，在本揭露的描述中，此處所提及的功能或步驟可能以與附圖中所標註的順序不同的順序出現。例如，根據所涉及的功能或步驟，連續顯示的兩個圖示實際上可以基本上同時執行或者有時可以以相反的順序執行。
圖1為根據本揭露一實施例的一種半導體裝置1的製備方法10的流程圖。圖2至圖11為示意圖，以剖面圖例示本揭露於一實施例中製備半導體裝置1的流程。
參照圖1至圖4，於步驟S11中，提供包括一密集區域DA及一開放區域OA的一基底111，在密集區域DA上形成多個第一導電結構 210，並在開放區域OA上形成多個第二導電結構220。
參照圖2，在一些實施例中，開放區域OA可以與密集區域DA相鄰。或者，在一些實施例中，開放區域OA可以遠離密集區域DA。需要說明的是，在本揭露的描述中，密集區DA可以包括基底111的一部分以及基底111的上方和下方的空間。將元件描述為設置在密集區域DA上意味著該元件設置在基底111的部分的頂面上。將元件描述為設置在密集區域DA中是指該元件設置在基底111的部分中；然而，元件的頂面可以與基底111的部分的頂面齊平。將元件描述為設置在密集區域DA上方意味著該元件設置在基底111的部分的頂面的上方。將元件描述為設置在密集區域DA下方是指該元件設置在基底111的部份的底面下方；其中元件接觸基底111的部分的底面或遠離基底111的部分的底面。相應地，開放區域OA可以包括基底111的另一部分以及基底111的另一部分上方和下方的空間。
需要說明的是，在本揭露的描述中，將元件(或特徵)於Z方向上位於最高的垂直層級的表面稱為元件(或特徵)的頂面。於Z方向上位於最低的垂直層級的元件(或特徵)的表面被稱為元件(或特徵)的底面。
參照圖2，在一些實施例中，基底111包括完全由至少一種半導體材料構成的塊狀半導體基底、多個裝置元件(為清楚起見未示出)、多個介電層(為清楚起見未示出)和多個導電特徵(為清楚起見未示出)。塊狀半導體基底可以由矽、鍺等元素半導體；化合物半導體，例如矽鍺、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、銻化銦，或其他III-V族化合物半導體或II-VI族化合物半導體；或其組合所形成。
在一些實施例中，基底111包括絕緣體上半導體結構，其從底部到頂部由處理基底、絕緣體層和最頂部半導體材料層組成。處理基 底和最頂部半導體材料層由與上述塊狀半導體基底相同的材料所形成。絕緣體層為結晶或非結晶介電材料，例如氧化物和/或氮化物。例如，絕緣體層可以是介電氧化物，例如氧化矽。又例如，絕緣體層可以是介電氮化物，例如氮化矽或氮化硼。再例如，絕緣體層包括介電氧化物和介電氮化物的堆疊，如以任意順序堆疊的氧化矽及氮化矽或氮化硼。絕緣體層具有約10nm和約200nm之間的厚度。
需要說明的是，在本揭露的描述中，術語「約」改變本揭露的成分、組分或反應物的量是指例如通過用於製備的典型測量和液體處理程序可發生的數值變化於濃縮物或溶液。此外，變化亦可能源自量測程序中的非故意失誤、製備組合物或實施方法時等情況中所使用之成分的製備、來源或純度上之差異。在一些方面，術語「約」指所示數值10%以內之變化。在另一些方面，術語「約」指所示數值5%以內之變化。在其他方面，術語「約」係指所示數值10%、9%、8%、7%、6%、5%、4%、3%、2%、或1%以內之變化。
多個裝置元件可以形成在基底111上。裝置元件的一些部分可以形成在基底111中。多個裝置元件可以是晶體管，例如互補金屬氧化物半導體晶體管、金屬氧化物半導體場效應晶體管、鰭式場效應晶體管等、或其組合。
介電層可以形成在基底111上並且覆蓋裝置元件。在一些實施例中，介電層可以由例如氧化矽、硼磷矽酸鹽玻璃、未摻雜的矽酸鹽玻璃、氟化矽酸鹽玻璃、低介電常數(低k)介電材料等、或其組合形成。低介電質材料可具有小於3.0或甚至小於2.5的介電常數。在一些實施例中，低介電常數介電材料可以具有小於2.0的介電常數。介電層可以通過 諸如化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積等的沉積製程形成。在沉積製程之後執行平坦化製程以去除多餘材料，並為後續處理步驟提供基本平坦的表面。
導電特徵包括互連層(interconnect layers)、導電通孔(conductive vias)和導電墊(conductive pads)。互連層彼此間分離並且沿Z方向水平設置在介電層中。在本實施例中，最頂部的互連層被視為為導電墊。導電通孔沿Z方向連接相鄰的互連層、相鄰的裝置元件和互連層、以及相鄰的導電墊和互連層。在一些實施例中，導電通孔可以改善散熱並且可以提供結構支撐。在一些實施例中，導電特徵可以由例如鎢、鈷、鋯、鉭、鈦、鋁、釕、銅、金屬碳化物(例如，碳化鉭、碳化鈦、碳化鉭鎂)、金屬形成氮化物(例如氮化鈦)、過渡金屬鋁化物、或其組合形成。導電特徵可以在介電層的形成期間形成。
參照圖2，一底部介電層113形成在基底111上。在一些實施例中，底部介電層113可以被配置為蝕刻停止層(etch stop layer)。通常，蝕刻停止層可以提供在形成導電特徵時停止蝕刻製程的機制。蝕刻停止層可以優選地由具有與相鄰層具有不同的蝕刻選擇性的介電材料所形成。例如，蝕刻停止層可以由例如氮化矽、碳氮化矽、碳氧化矽等、或其組合形成。底部介電層113可以通過化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積形成。
在一些實施例中，底部介電層113可以由例如氧化矽、硼磷矽酸鹽玻璃、未摻雜的矽酸鹽玻璃、氟化矽酸鹽玻璃等、或其組合形成。在一些實施例中，未摻雜的矽酸鹽玻璃可以表示為SiOx。x可以介於1.4和2.1之間。在一些實施例中，底部介電層113可以通過諸如化學氣相 沉積、等離子體增強化學氣相沉積、或其他適用的沉積製程形成。
在一些實施例中，底部介電層113可以包括例如二氧化矽、未摻雜矽酸鹽玻璃、氟矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃、旋塗低k介電層、化學氣相沉積低k介電層，或其組合。在本揭露中使用的術語「低k」表示具有小於二氧化矽的介電常數的介電材料。在一些實施例中，底部介電層113可以包括諸如旋塗玻璃的自平坦化介電材料或諸如SiLK TM的旋塗低k介電材料。自平坦化介電材料的使用可以避免執行後續平坦化步驟的需要。在一些實施例中，底部介電層113可以通過沉積製程形成，包括例如化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、旋塗或其他適用的沉積製程。
在一些實施例中，底部介電層113可以被視為基底111的介電層的一部分。
參照圖2，形成一第一阻障材料511的層在底部介電層113上。在一些實施例中，第一阻障材料511的層可以通過例如化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、或其他適用的沉積製程形成。第一阻障材料511的層可以防止稍後將說明的第一導電材料521的金屬離子擴散到底部介電層113或基底111中。第一阻障材料511的層還可以提高底部介電層113和第一導電材料521的層之間的黏合。在一些實施例中，第一阻障材料511可以包括例如鈦、氮化鈦、或其組合。在一些實施例中，第一阻障材料511可以包括柱狀晶粒結構(columnar grain structure)。
參照圖2，在第一阻障材料511的層上形成第一導電材料521的層。在一些實施例中，第一導電材料521可以例如是鋁、銅、鋁銅合金、或其他適用的導電材料。在本實施例中，第一導電材料521為鋁銅 合金。在一些實施例中，第一導電材料521的層的厚度在大約4,000埃和大約11,000埃之間。在一些實施例中，第一導電材料521的層可以通過例如金屬射頻濺射(metal radio frequency sputtering)或其他適用的沉積製程形成。在一些實施例中，金屬射頻濺射的溫度在約100℃和約400℃之間。在一些實施例中，金屬射頻濺射的壓力在約1mTorr和約100mTorr之間。鋁中的少量銅可以提高電遷移抗性(electromigration resistance)並減少小丘(hillocks)的出現，小丘是指純鋁層表面上的鋁的小突起。
參照圖2，第二阻障材料513的層可以形成在第一導電材料521的層上。在一些實施例中，第二阻障材料513的層可以通過例如化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、或其他適用的沉積製程形成。第二阻障材料513的層可以防止第一導電材料521的金屬離子擴散到第一材料531的層中，第一材料531的層將在後面說明。第二阻障材料513的層還可以改進第一材料531的層和第一導電材料521的層之間的黏合。在一些實施例中，第二阻障材料513包括例如鈦、氮化鈦、或其組合。在一些實施例中，第二阻障材料513的層可以包括柱狀晶粒結構。
參照圖2，在第二阻障材料513的層上形成一第一材料531的層。在一些實施例中，第一材料531的層可以被配置為抗反射層(anti-reflective layer)。在一些實施例中，第一材料531的層可以由具有對比折射率(contrasting refractive index)的薄膜結構交錯地組成。第一材料531的層的厚度的選擇係以在從界面反射的光束中產生相消干涉，並在相應的透射光束中產生相長干涉。舉例來說，但不意味著限制，第一材料531可以包括例如氧化物、硫化物、氟化物、氮化物、硒化物、或其組合。第一材料531的層可以提高微影製程的分辨率。
參照圖3，在第一材料531的層上形成第一遮罩層621。第一遮罩層621包括多個第一導電結構210和多個第二導電結構220的圖案(pattern)。在一些實施例中，第一遮罩層621可以是光阻劑層。
參照圖4，使用第一遮罩層621作為遮罩來執行一插塞蝕刻製程(plug etching process)，以去除部分的第一阻障材料511、部分的第一導電材料521、部分的第二阻障材料513、和部分的第一材料531。插塞蝕刻製程可以是多階段的製程。蝕刻化學物質和參數可以對應於要蝕刻的層而變化。例如，在第一導電材料521的層的刻蝕過程中，刻蝕劑可以包括氯氣和氬氣，刻蝕溫度可以在約50℃和約200℃之間，氯氣的刻蝕劑流量(etchant flow)可以是約20標準立方厘米每分鐘(standard cubic centimeters per minute，sccm)，氬的蝕刻劑流量可以是約1000sccm，壓力可以在約50mTorr和約10Torr之間，並且持續時間可以在約30秒和約200秒之間。
在一些實施例中，插塞蝕刻製程可以是各向異性蝕刻製程，例如各向異性乾式蝕刻製程。在一些實施例中，插塞蝕刻製程的一些階段可以是各向異性蝕刻製程，並且插塞蝕刻製程的一些階段可以是各向同性蝕刻製程。
參照圖4，在插塞刻蝕製程之後，剩餘的第一阻障材料511可以視為多個第一底部阻障層211和多個第二底部阻障層221。第一底部阻障層211形成在密集區域DA之上。第二底部阻障層221形成在開放區域OA上方。
剩餘的第一導電材料521可以視為多個第一主體部分213和多個第二主體部分223。第一主體部分213形成在第一底部阻障層211上。 第二主體部分223形成在第二底部阻障層221上。
剩餘的第二阻障材料513可以視為多個第一頂部阻障層215和多個第二頂部阻障層225。第一頂部阻障層215形成在第一主體部分213上。第二頂部阻障層225形成在第二主體部分223上。
剩餘的第一材料531可以視為多個第一介電部分217和多個第二介電部分227。第一介電部分217形成在第一頂部阻障層215上。第二介電部分227形成在第二頂部阻障層225上。在插塞刻蝕製程之後，可以通過例如灰化製程(ashing porcess)或其他適用的半導體製程去除第一遮罩層621。
參照圖4，第一底部阻障層211、第一主體部分213、第一頂部阻障層215、和第一介電部分217共同構成第一導電結構210，其形成於底部介電層113上且位於密集區域DA的上方。第二底部阻障層221、第二主體部分223、第二頂部阻障層225、以及第二介電部分227共同構成第二導電結構220，其形成於底部介電層113上且位於開放區域OA的上方。
參照圖4，第一導電結構210的元件密度可以大於第二導電結構220的元件密度。元件密度的值可以是，於俯視角度(top-view perspective)下，由元件(例如，第一導電結構210和第二導電結構220)的數量除以一給定面積所定義。從橫截面的角度(cross-sectional perspective)來看，更大的元件密度表示相鄰元件之間的水平距離更小。換句話說，相鄰的第一導電結構210的間距P1小於相鄰的第二導電結構220的間距P2。
參照圖4，在一些實施例中，由於元件密度的不同，第一底部阻障層211的寬度W1可以大於第一主體部分213的寬度W2。較薄的 第一主體部分213可以減小第一導電結構210的相鄰對之間的寄生電容。或者，在一些實施例中，第一底部阻障層211的寬度W1和第一主體部分213的寬度W2可以基本相同。
參照圖4，在一些實施例中，第一底部阻障層211的寬度W1和第一頂部阻障層215的寬度W3可以基本相同。在一些實施例中，第一底部阻障層211的寬度W1和第一介電部分217的寬度W4可以基本相同。
參照圖4，在一些實施例中，第二底部阻障層221的寬度W5和第二主體部分223的寬度W6可以基本相同。在一些實施例中，第二底部阻障層221的寬度W5和第二頂部阻障層225的寬度W7可以基本相同。在一些實施例中，第二底部阻障層221的寬度W5和第二介電部分227的寬度W8可以基本相同。
參照圖1及圖5至圖7，於步驟S13中，在第一導電結構210和第二導電結構220上共形地形成一內部襯墊層311，在內部襯墊層311上共形地形成一襯墊材料611的層，及在襯墊材料611的層上形成一能量可移除材料613的層。
參照圖5，內部襯墊層311共形地形成在底部介電層113上、第一導電結構210上、和第二導電結構220上。在一些實施例中，內部襯墊層311可以由例如氮化矽、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧氮化矽(silicon nitride oxide)、或其組合形成。在本實施例中，內部襯墊層311可以由氮化矽形成。在一些實施例中，內部襯墊層311可以通過例如原子層沉積、化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、或其他適用的沉積製程形成。
需要說明的是，在本揭露的描述中，氮氧化矽是指含有矽、氮和氧的物質，其中氧的比例大於氮的比例。氧氮化矽是指含有矽、氧和氮的物質，其中氮的比例大於氧的比例。
需要說明的是，在本揭露的描述中，術語「共形」或「共形地」是指附著並均勻覆蓋暴露表面的一層，其厚度相對於薄膜的平均厚度的變化小於5%。例如，1,000埃厚的薄膜厚度變化小於50埃。厚度和變化可能包括邊緣、拐角、側面和凹陷的底部。例如，在本揭露的各種實施例中，通過原子層沉積沉積的共形層將於複雜表面的沉積區域上提供基本上均勻厚度的覆蓋。
在本實施例中，內部襯墊層311可以通過原子層沉積形成。通常，原子層沉積製程基於典型的自限反應，由反應物連續和交替的脈衝，以在每個沉積循環中沉積大約一層原子(或分子)的單層的材料。選擇沉積條件和前驅物通常以提供自飽和反應為主，其使得一種反應物的吸附層留下的表面終端(surface termination)不與相同反應物的氣相反應物反應。基底隨後與不同的反應物接觸，該反應物與先前的終端反應以使得沉積能夠繼續。因此，交替的脈衝的每個週期通常留下不超過一層單層的所需材料。然而，在一些實施例中，可以在一個或多個原子層沉積循環中沉積多於一層單層的材料。
詳細地，使用原子層沉積形成內部襯墊層311可以包括第一階段和第二階段。在第一階段(也稱為矽階段，silcion phase)中，需要沉積的表面與第一氣相反應物接觸，第一氣相反應物包括化學吸附到表面上的矽前驅物，在其表面上形成不超過約一層單層的反應物。應當理解，在一些實施例中，每個接觸步驟在前進到隨後的處理步驟之前可以重複一 次或多次，隨後的處理步驟例如在隨後的接觸步驟或去除/吹掃步驟。
在一些實施例中，矽前驅物，在本文中也稱為「矽化合物」，可包括矽鹵化物來源(silicon halide source)。在一些實施例中，第一氣相反應物可以包括矽鹵化物來源，並且進一步包括四碘化矽(silicon tetraiodide)、四溴化矽(silicon tetrabromide)、四氯化矽(silicon tetrachloride)、六氯乙矽烷(hexachlorodisilane)、六碘乙矽烷(hexaiododisilane)、八碘代丙矽烷(octoiodotrisilane)中的至少一種。在一些實施例中，矽鹵化物來源可被預熱以提供足夠的蒸氣壓以被輸送至反應室。例如，在一些實施例中，矽鹵化物前驅物來源可被預熱至約90℃與約125℃之間、或約100℃的溫度。
在一些實施例中，將表面暴露於矽鹵化物來源包括將矽前驅物(例如，四碘化矽)脈衝在表面上約0.5秒至約30秒之間、約0.5秒至約10.0秒之間、或約0.5秒和約5.0秒之間。此外，在表面上脈衝矽鹵化物來源的期間，矽鹵化物來源的流速可以小於2000sccm、小於1000sccm、小於500sccm、小於250sccm、甚至小於100sccm。
在第一階段之後，可以通過用惰性氣體吹掃(purge)，以從表面去除過量的矽鹵化物來源和反應副產物(如果有的話)。例如，表面可以被吹掃小於約5.0秒。過量的矽鹵化物來源和任何反應副產物可以藉助抽氣系統(pumping system)產生的真空除去。
在第二階段(也稱為氮階段)中，表面可以與包含氮來源的第二氣相反應物接觸。
在一些實施例中，氮來源可包括氨、肼(hydrazine)、或烷基肼(alkyl-hydrazine)中的至少一種。烷基肼可以指肼的衍生物，其包括 烷基官能基並且可包括另外的官能基，烷基肼的非限制性示例包括叔丁基肼(tertbutylhydrazine)、甲基肼(methylhydrazine)、或二甲基肼(dimethylhydrazine)中的至少一種。
在一些實施例中，將表面暴露於氮來源包括將氮來源(例如，氨)脈衝在表面上約0.5秒至約30.0秒、約0.5秒至約10秒、或約0.5秒至約5秒。在表面上脈衝氮來源的期間，氮來源的流速可以小於4000sccm、小於2000sccm、小於1000sccm、或甚至小於250sccm。
在第二階段之後，第二來源的過量化學品和反應副產物(如果有的話)可以通過抽氣系統產生的吹掃氣體(purging gas)脈衝和/或真空將其從表面去除。吹掃氣體優選是任何的惰性氣體，例如但不限於氬氣、氮氣、或氦氣。如果吹掃(如，吹掃氣體脈衝)或其他反應物去除步驟介入，則通常認為一個階段係緊接著另一個階段。
包括氮來源的第二氣相反應物可以與留在表面上的含矽分子反應。第一階段和第二階段可以重複一次或多次，直到獲得內部襯墊層311的期望厚度為止。
在一些實施例中，待沉積內部襯墊層311的中間半導體裝置(intermediate semiconductor device)可被加熱到約小於500℃的溫度、加熱到小於約450℃的溫度、加熱到小於約400℃的溫度、加熱到小於約350℃的溫度、加熱到小於約300℃的溫度、加熱到小於約250℃的溫度、或甚至加熱到低於約200℃的溫度。
在一些實施例中，第一階段和第二階段的壓力可以小於50Torr、小於25Torr、小於10Torr、或小於5Torr。
參照圖6，在內部襯墊層311上共形地形成一襯墊材料611 的層。在一些實施例中，襯墊材料611可以包括釩和低k材料。例如，襯墊材料611可以包括一種或多種氧化釩。氧化釩的種類根據式VOx，其中x在約1至約3的範圍內。在一些實施例中，襯墊材料611的介電常數在約1和約3之間。
在一些實施例中，襯墊材料611的層可以通過例如化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、或等離子體增強原子層沉積來形成。原子層沉積製程可以通過時域(time-domain)或空間(spatial)原子層沉積來執行。
在時域製程中，基底(例如，內部襯墊層311)在任何給定時間暴露於單一的反應氣體。在示例性時域製程中，處理腔室可以用金屬前驅物填充一段時間以允許金屬前驅物與基底上的可用位點充分反應。接著可讓第二反應氣體流入處理腔室，並在第二反應氣體與基底表面或基底表面上的材料完全反應之前吹掃處理腔室中的前驅物。時域製程通過確保在任何給定時間只有一種反應氣體存在於處理腔室中來最小化反應氣體的混合。在任何反應性氣體暴露的開始，反應性物質的濃度從零到最終預定壓力都有一段延遲。類似地，從處理腔室中清除所有反應性物質也有延遲。
在空間原子層沉積中，基底在單個處理腔室內的不同處理區域之間移動。每個單獨的處理區域通過氣幕(gas curtain)與相鄰的處理區域隔開。氣幕有助於防止反應氣體混合，以最大限度地減少任何氣相反應。基底移動通過不同的處理區域允許基底順序地暴露於不同的反應氣體，同時防止氣相反應。
在一些實施例中，釩前驅物可以是任何釩有機金屬化合物。合適的釩前驅物包括但不限於三異丙氧基氧釩(vanadium oxytri- isopropoxide)、三乙氧基氧釩(vanadium oxytriethoxide)、乙酰丙酮釩(vanadium acetylacetonate)、三氯化釩(vanadium oxytrichloride)、氯化釩(III)(vanadium(III)chloride)、氯化釩(IV)(vanadium(IV)chloride)等。釩前驅物可以通過載氣(carrier gas)例如氬氣、氦氣、或氫氣輸送。在一些實施例中，反應物可包括氧來源、氮來源、碳來源、氫來源、硼來源、矽來源、或其組合。
在一些實施例中，襯墊材料611的層可以被摻雜。襯墊材料611的層可包括摻雜劑，其量在該層的0至50原子%(atomic %)範圍內。摻雜劑包括但不限於碳、氮、矽、硼、和氟。
參照圖7，能量可移除材料613的層形成在襯墊材料611的層上並且完全填充第一導電結構210之間的空間和第二導電結構220之間的空間。
在一些實施例中，能量可移除材料613包括熱分解材料、光子可分解材料、電子束可分解材料、或其組合。例如，能量可移除材料613可以包括基底材料(base material)和在暴露於能量源時被犧牲地去除的可分解致孔劑材料(decomposable porogen material)。基底材料包括基於甲基倍半矽氧烷(methylsilsesquioxane)的材料。可分解致孔劑材料包括為基材提供孔隙率(porosity)的致孔劑有機化合物。
在一些實施例中，能量可去除材料613包括相對高濃度的可分解致孔劑材料和相對低濃度的基底材料，但不限於此。例如，能量可移除材料613可以包括約75%或更多的可分解致孔劑材料，以及約25%或更少的基底材料。在另一示例中，能量可去除材料613可包括約95%或更多的可分解致孔劑材料，以及約5%或更少的基底材料。在另一示例中， 能量可移除材料613可包括大約100%的可分解致孔劑材料，並且不使用基底材料。在另一示例中，能量可移除材料613可包括約45%或更多的可分解致孔劑材料，以及約55%或更少的基底材料。
參照圖1和圖8，於步驟S15，使襯墊材料611的層和能量可移除材料613的層凹陷(recessed)，以在相鄰的第一導電結構210之間及相鄰的第二導電結構220之間形成多個外部襯墊層313與多個底部元件間介電層411。
參照圖8，執行回蝕製程(etching back process)以去除部分襯墊材料611和部分能量可去除材料613。在一些實施例中，能量可移除材料613與內部襯墊層311在回蝕過程中的蝕刻速率比介於約100：1與約1.05：1之間、介於約15：1與約2：1之間、或介於約10：1與約2：1之間。在一些實施例中，襯墊材料611與內部襯墊層311在回蝕過程中的蝕刻速率比介於約100：1和約1.05：1之間、介於約15：1和約2：1之間、或介於約10：1和約2：1之間。
在回蝕製程之後，剩餘的襯墊材料611可以在第一導電結構210的側壁210S上和第二導電結構220的側壁220S上形成多個外部襯墊層313。剩餘的能量可移除材料613可以在外部襯墊層313上、相鄰的第一導電結構210之間、及相鄰的第二導電結構220之間形成多個底部元件間介電層411。
參照圖8，外部襯墊層313的頂面313T和底部元件間介電層411的頂面411T處於垂直層級V1，其低於第一頂部阻障層215的底面215B或第二頂部阻障層225的底面225B。或者，在一些實施例中，外部襯墊層313的頂面313T和底部元件間介電層411的頂面411T處於的垂直層級高於 第一頂部阻障層215的底面215B的或第二頂部阻障層225的底面225B。
在回蝕製程之後，可以對圖8中的中間半導體裝置通過向其施加能量源進行能量處理。能量源可包括熱、光、或其的組合。當熱被用作能量源時，能量處理的溫度可以在約800℃和約900℃之間。當使用光作為能量源時，可以使用紫外光。能量處理可以從能量可移除材料613中去除可分解致孔劑材料以產生空的空間(孔隙)，而基底材料仍保留在原處。也就是說，多個底部元件間介電層411將變得多孔的(porous)。基底材料將變成底部元件間介電層411的骨架，並且空的空間可以分佈在底部元件間介電層411的骨架之間。根據能量可移除材料613的成分，底部元件間介電層411可以具有45%、75%、95%或100%的孔隙率。
參照圖1、9和10，於步驟S17，在外部襯墊層313和底部元件間介電層411上形成多個頂部元件間介電層413。
通過採用低介電常數的材料包括含釩的外部襯墊層313和多孔的底部元件間介電層411，相鄰第一導電結構210之間或相鄰第二導電結構220之間的寄生電容將得以減小。結果，半導體裝置1的性能將得以提升。
參照圖9，形成一第一絕緣材料533的層以完全覆蓋第一導電結構210、第二導電結構220、外部襯墊層313、底部元件間介電層411、和內部襯墊層311。在一些實施例中，內部襯墊層311可以是例如氧化矽、硼磷矽酸鹽玻璃、未摻雜矽酸鹽玻璃、氟化矽酸鹽玻璃、氮化矽、氮氧化矽、氮氧化矽等、或其組合。在一些實施例中，第一絕緣材料533的層可以通過沉積製程形成，包括例如化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、旋塗、或其他適用的沉積製程。
參照圖10，執行平坦化製程，例如化學機械拋光，直到暴露內部襯墊層311的頂面311T，以去除多餘的第一絕緣材料533，為後續製程步驟提供基本平坦的表面，並同時形成多個頂部元件間介電層413。頂部元件間介電層413可以完全覆蓋外部襯墊層313和底部元件間介電層411。多個頂部元件間介電層413可以形成在多個第一導電結構210之間和多個第二導電結構220之間。頂部元件間介電層413的底面413B和外部襯墊層313的頂面313T可以具有相同的垂直層級V1。
頂部元件間介電層413可以作為多孔的底部元件間介電層411的保護層。通常地，第一導電結構210和第二導電結構220上可以形成多個通孔(為清楚起見未示出)，用於電連接第一導電結構210和第二導電結構220以至其他的導電元件。然而，在通孔的形成過程中可能會發生重疊偏移(overlay shift)。在這種情況下，多孔的底部元件間介電層411將被暴露。通孔中的金屬離子將會擴散到多孔的底部元件間介電層411，這將在相鄰的第一導電結構210或相鄰的第二導電結構220之間引起短路。
相比之下，通過採用頂部元件間介電層413，即使在通孔的形成過程中發生覆蓋偏移，也可以避免通孔的金屬離子的洩漏。結果，製備半導體裝置1的製程窗口將得以提升。相應地，製備半導體裝置1的產量也得以提高。
參照圖1和圖11，於步驟S19，在頂部元件間介電層413上形成一頂部介電層115。
參照圖11，頂部介電層115形成在頂部元件間介電層413和內部襯墊層311上。在一些實施例中，頂部介電層115可以由與頂部元件間介電層413相同的材料形成。在一些實施例中，頂部介電層115可以由 例如二氧化矽、未摻雜矽酸鹽玻璃、氟矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃、旋塗低k介電層、化學氣相沉積低k介電層、或其組合形成。在一些實施例中，頂部電介質層115可以包括諸如旋塗玻璃的自平坦化材料或諸如SiLK TM的旋塗低k介電材料。自平坦化介電質材料的使用可以避免執行後續平坦化步驟的需要。在一些實施例中，頂部介電層115可以通過沉積製程形成，包括例如化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、旋塗、或其他適用的沉積製程。
本揭露的一個方面提供一種半導體裝置，包括一基底；多個第一導電結構，其位於該基底上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上且位於該些第一導電結構之間。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
本揭露的另一方面提供一種半導體裝置，包括一基底，其包括一密集區域和一開放區域；多個第一導電結構，其位於該密集區域上；多個第二導電結構，其位於該開放區域上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上和該些第二導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上、該些第一導電結構之間、以及該些第二導電結構之間。該些第一導電結構的間距小於該些第二導電結構的間距。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
本揭露的另一方面提供一種用於半導體裝置的製備方法，包括提供一基底，其包括一密集區域和一開放區域；在該密集區域上形成多個第一導電結構；在該開放區域上形成多個第二導電結構；在該些第一 導電結構的側壁上和該些第二導電結構的側壁上共形地形成多個外部襯墊層；在該些外部襯墊層上、該些第一導電結構之間以及該些第二導電結構之間形成多個底部元件間介電層；及在該些底部層間介電層上、該些第一導電結構之間以及該些第二導電結構之間形成多個頂部元件間介電層。該些第一導電結構的間距小於該些第二導電結構的間距。該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩。該些底部元件間介電層是多孔的。
由於本揭露的半導體裝置的設計，低介電常數的外部襯墊層313的和底部元件間介電層411可以減小相鄰第一導電結構210之間或相鄰第二導電結構220之間的寄生電容。結果，半導體裝置1的性能將得以提升。此外，頂部元件間介電層413可以作為底部元件間介電層411的保護層。因此，製備半導體裝置1的製程窗口和產量將得以提高。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
11:半導體裝置
11:基底
113:底部介電層
115:頂部介電層
210:第一導電結構
211:第一底部阻障層
213:第一主體部分
215:第一頂部阻障層
217:第一介電部分
220:第二導電結構
221:第二底部阻障層
223:第二主體部分
225:第二頂部阻障層
227:第二介電部分
311:內部襯墊層
313:外部襯墊層
411:底部元件間介電層
413:頂部元件間介電層
DA:密集區域
OA:開放區域

Claims (17)

  1. 一種半導體裝置，其包括：一基底；多個第一導電結構，其位於該基底上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上且位於該些第一導電結構之間；其中，該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩；其中，該些底部元件間介電層是多孔的；其中，氧化釩的種類係依據式VOx，其中x介於約1與約3之間。
  2. 如請求項1所述的半導體裝置，其中該些外部襯墊層的介電常數在約1和約3之間。
  3. 如請求項1所述的半導體裝置，其中該些外部襯墊層包括含有碳、氮、矽、硼、或氟的摻雜劑。
  4. 如請求項3所述的半導體裝置，還包括多個頂部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上並位於該些第一導電結構之間。
  5. 如請求項4所述的半導體裝置，還包括一頂部介電層，其位於該些頂部元件間介電層上。
  6. 如請求項5所述的半導體裝置，還包括一底部介電層，其位於該基底與該些第一導電結構之間。
  7. 如請求項6所述的半導體裝置，還包括一內部襯墊層，其位於該些外部襯墊層和該些第一導電結構之間。
  8. 如請求項7所述的半導體裝置，其中該些第一導電結構分別包括：一第一底部阻障層，其位於該底部介電層上；一第一主體部分，其位於該第一底部阻障層上；一第一頂部阻障層，其位於該第一主體部分上；及一第一介電部分，其位於該第一頂部阻障層上。
  9. 如請求項8所述的半導體裝置，其中該第一底部阻障層和該第一頂部阻障層包括相同的材料。
  10. 如請求項9所述的半導體裝置，其中該些頂部元件間介電層的底面處於低於該第一頂部阻障層的底面的垂直層級。
  11. 如請求項10所述的半導體裝置，其中該第一底部阻障層的寬度與該第一頂部阻障層的寬度基本相同。
  12. 如請求項11所述的半導體裝置，其中該第一主體部分的寬度小於該 第一底部阻障層的寬度。
  13. 如請求項12所述的半導體裝置，其中該第一介電部分的寬度與該第一底部阻障層的寬度基本相同。
  14. 一種半導體裝置，其包括：一基底，其包括一密集區域和一開放區域；多個第一導電結構，其位於該密集區域上；多個第二導電結構，其位於該開放區域上；多個外部襯墊層，其位於該些第一導電結構的側壁上和該些第二導電結構的側壁上；及多個底部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上、該些第一導電結構之間、以及該些第二導電結構之間；其中，該些第一導電結構的間距小於該些第二導電結構的間距；其中，該些外部襯墊層包含一種或多種氧化釩；其中，該些底部元件間介電層是多孔的；其中，氧化釩的種類係依據式VOx，其中x介於約1與約3之間。
  15. 如請求項14所述的半導體裝置，其中該些外部襯墊層的介電常數在約1和約3之間。
  16. 如請求項14所述的半導體裝置，其中該些外部襯墊層包括含有碳、氮、矽、硼、或氟的摻雜劑。
  17. 如請求項16所述的半導體裝置，還包括多個頂部元件間介電層，其位於該些外部襯墊層上、在該些第一導電結構之間、以及在該些第二導電結構之間。
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