TWI817409B

TWI817409B - 電子裝置及其操作方法

Info

Publication number: TWI817409B
Application number: TW111111249A
Authority: TW
Inventors: 李竣凱; 周政旭; 吳芳奕
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-04-22
Filing date: 2022-03-25
Publication date: 2023-10-01
Also published as: TW202241547A; US20220339461A1

Abstract

一種電子裝置，包括多個治療元件。上述治療元件包括第一治療元件與第二治療元件，其中第一治療元件與第二治療元件獨立控制。

Description

電子裝置及其操作方法

本揭露實施例關於一種電子裝置，特別是關於一種電子裝置及其操作方法。

習知之光療裝置的發光元件可產生光至使用者的患部上，以提供對應的治療。然而，光療裝置提供固定強度的光至使用者的患部，並沒有可以依據患部的狀態調整發光元件的光的強度，如此可能會降使用上的便利性及治療的效果。因此，需要一種新的設計改善前述的問題。

本揭露實施例提供一種電子裝置，包括多個治療元件。上述治療元件包括第一治療元件與第二治療元件，其中第一治療元件與第二治療元件獨立控制。

本揭露實施例提供一種電子裝置的操作方法。包括提供基板。提供多個治療元件於基板上，上述治療元件包括第一治療元件與第二治療元件，其中第一治療元件與第二治療元件同時提供不同參數的信號。

為讓本揭露之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出實施例，並配合所附圖式，做詳細之說明。為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式可能只繪出整個裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。

本揭露說明書提供不同的實施例來說明本揭露不同實施方式的技術特徵。其中，實施例中的各元件之配置、數量及尺寸係為說明之用，並非用以限制本揭露。另外，若實施例與圖式中元件標號出現重覆，係為了簡化說明，並非意指不同實施例之間的關聯性。

再者，說明書與權利要求書中所使用的序數例如“第一”、“第二”等的用詞，以修飾權利要求書的元件，其本身並不意含及代表該請求組件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。

在本揭露中，各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

在本揭露一些實施例中，用語「耦接」除非特別定義，否則可包含任何直接及間接的電性連接手段。

於文中，「大致」、「約」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%內，或10%內，或5%內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「大致」、「約」的情況下，仍可隱含「大致、「約」之含義。

在通篇說明書及權利要求書當中所提及的“包括”為一開放式用語，故應解釋成“包括但不限定於”。

再者，“連接”、“耦接”在此包括任何直接及間接的連接手段。因此，當元件或膜層被稱為“連接”至另一個元件或膜層時，它可以直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層。當元件被稱為“直接連接”至另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。若文中描述電路上的一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表第一裝置可直接電連接第二裝置，當第一裝置直接電連接第二裝置時，第一裝置與第二裝置之間只透過導線或被動元件(例如電阻、電容等)連接，沒有其他電子元件連接於第一裝置與第二裝置之間。

在一實施例中，電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置或治療診斷裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode, OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以參數調整裝置做為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

第1圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的一部分的示意圖。第2圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的立體圖。請參考第1圖與第2圖，電子裝置100可以至少包括基板110與多個治療元件120。

在一些實施例中，基板110可以是玻璃、可撓式基板等，但本揭露不限於此。治療元件120可以設置於基板110上。進一步來說，治療元件120可以包括第一治療元件與第二治療元件，且第一治療元件與第二治療元件可以獨立控制。舉例來說，第一治療元件與第二治療元件可以分別透過不同的主動元件(例如薄膜電晶體(thin film transistor, TFT))或是透過控制電路140所提供之不同信號進行控制。也就是說，在一些實施例中，第一治療元件與第二治療元件可以同時提供不同參數的信號，但本揭露不限於此。在一些實施例中，第一治療元件與第二治療元件也可以同時提供相同參數的信號。在另一些實施例中，第一治療元件在提供信號的時候第二治療元件可以不提供信號，但本揭露並不以此為限。另外，治療元件120可以為陣列排列設置於基板110上。

在一些實施例中，治療元件120可以包括發光元件，用於提供光信號。另外，發光元件可以是有機發光二極體(OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)或上述之組合，但本揭露不限於此。在一些實施例中，治療元件120可以包括發熱元件，用於提供熱信號。另外，發熱元件可以是遠紅外線(far infrared ray)產生器，但本揭露不限於此。在一些實施例中，治療元件120可以包括超聲波(ultrasound)元件，用於提供超聲波信號。另外，超聲波元件可以是超聲波治療器，但本揭露不限於此。在一些實施例中，治療元件120可以包括電療元件，用於提供電刺激信號。另外，電療元件可以是電刺激治療器，但本揭露不限於此。此外，治療元件120可以包括上述元件至少其一或其組合。

在本實施例中，電子裝置100還可以包括多個信號線121、多個信號線122、多個感測元件130與控制電路140。

信號線121與信號線122可以與治療元件120電性連接。在本實施例中，信號線121與信號線122可以分別是資料線或是閘極線，但本揭露不限於此。

感測元件130可以設置於基板110上，且感測元件130可以相鄰於治療元件120設置。另外，感測元件130也可以與其對應的信號線(圖未示)電性連接。進一步來說，感測元件130也可以為陣列排列設置於基板110上。在本實施例中，兩相鄰之治療元件120的間距(pitch)D1可以大致相同於兩相鄰的感測元件130的間距D2。但本揭露並不以此為限。間距D1(或間距D2)的量測方式例如是兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的其中之一的中心至該兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的另一個中心的距離，或兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的其中之一最右邊至該兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的另一個的最右邊的距離，或兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的其中之一的最左邊至該兩相鄰的治療元件120(或感測元件130)的另一個的最左邊的距離。

控制電路140可以設置於基板110中。控制電路140可以電性連接治療元件120與感測元件130，使得控制電路140可以依據感測元件130所產生的感測信號，調整治療元件120對應的參數，以控制治療元件120產生具有對應參數的信號。在本實施例中，控制電路140可以包括處理器(processor)、微控制器(micro controller unit, MCU)或積體電路(integrated circuit)，但本揭露不限於此。

在一些實施例中，感測元件130可以包括生物傳感器131和影像傳感器132，如第1圖所示。另外，生物傳感器131用於檢測一物體150的物理量以產生物理量信號，且上述物理量可以包括反射光(reflective light)、酸鹼(pH)值、濕度(humidity)、溫度(temperature)、炎症因子(inflammatory factor)、細菌(bacteria)分泌的毒素(toxin)和酶(enzyme)、氣味(odor)等，但本揭露不限於此。

影像傳感器132用於感測物體150的影像以產生影像感測信號，且影像傳感器132可以是電荷耦合器件(charge coupled device, CCD)，但本揭露不限於此。也就是說，控制電路140可以依據影像傳感器132所產生的影像感測信號，確認物體150的目標區域，且依據生物傳感器131所產生的物理量信號，以確認目標區域的狀態。在本實施例中，上述物體150例如為人體，上述目標區域例如為患部(affected part)，但本揭露不限於此。在一些實施例中，控制電路140例如可以依據影像感測信號的信號大小來確認目標區域及非目標區域。在一些實施例中，控制電路140例如可對影像感測信號的像素進行分析，以確認目標區域及非目標區域。另外，控制電路140可以依據生物傳感器131所產生的物理量信號，以確認目標區域之子區域的狀態。在一些實施例中，以物理量為溫度為例，當控制電路140接收到的物理量信號較高(例如溫度大於第一預設溫度)時，控制電路140可以確認目標區域之子區域的狀態為第一狀態。當控制電路140接收到的物理量信號更高(例如溫度大於第二預設溫度)時，控制電路140可以確認目標區域之子區域的狀態為第二狀態。上述第二預設溫度大於第一預設溫度，且第一狀態與第二狀態不同。

在一些實施例中，感測元件130可以包括生物傳感器131，而不包括影像傳感器132。也就是說，控制電路140可以依據生物傳感器131所產生的物理量信號，確認物體150之目標區域的大小以及該目標區域的狀態。在一些實施例中，以物理量為溫度為例，當控制電路140接收到的物理量信號較低(例如溫度小於或等於第一預設溫度)時，控制電路140可以確認生物傳感器131所在位置屬於非目標區域。當控制電路140接收到的物理量信號較高(例如溫度大於第一預設溫度)時，控制電路140可以確認生物傳感器131所在位置屬於目標區域(例如患部)，且控制電路140可以確認目標區域之子區域的狀態為第一狀態。當控制電路140接收到的物理量信號更高(例如溫度大於第二預設溫度)時，控制電路140可以確認目標區域之子區域的狀態為第二狀態。上述第二預設溫度大於第一預設溫度，且第一狀態與第二狀態不同。

第3圖為依據本揭露之另一實施例之電子裝置的立體圖。第3圖之電子裝置100大致上與第1圖與第2圖之電子裝置100相似，相同或相似的元件及組件可以參考第1圖與第2圖之實施例的說明，故在此不再贅述。在第3圖中，兩相鄰之治療元件120的間距D1可以不同於兩相鄰的感測元件130的間距D2。舉例來說，間距D1可以小於間距D2，但本揭露不限於此。進一步來說，感測元件130的密度可以小於治療元件120的密度。舉例來說，在第3圖所示之陣列的面積中，感測元件130的數量小於治療元件120的數量。也就是說，電子裝置100可以使用數量較少的感測元件130搭配數量較多的治療元件120。

第4圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的操作方法的流程圖。在步驟S402中，確認是否對目標區域進行感測。也就是說，控制電路140可以確認是否控制感測元件130對目標區域進行感測。當確認對目標區域進行感測時，進入步驟S404，透過感測元件對目標區域進行感測。也就是說，控制電路140可以控制治療電路120產生第一光照射至物體150的表面，並控制感測元件130的影像傳感器132感測第一光照射至物體150的表面而反射的第二光，使得感測元件130的影像傳感器132感測第二光，以產生感測信號至控制電路140。接著，控制電路140可以依據影像傳感器132所產生的感測信號，計算出目標區域。在本實施例中，物體150例如為人體，且目標區域例如為患部。

在步驟S406，透過治療元件產生信號。也就是說，在控制電路140計算出目標區域後，控制電路140可以控制對應於該目標區域的治療元件120提供對應的信號，例如光信號，但本揭露不限於此。如此一來，可以透過治療元件120產生對應的信號至目標區域(例如患部)，使目標區域(例如患部)可接收對應之信號的能量，例如對目標區域(例如患部)提供對應的治療。

另一方面，接續步驟S402，當確認不對目標區域進行感測時，可以直接進入步驟S406，以透過治療元件產生信號。也就是說，控制電路140可以依據預設參數，控制治療元件120提供對應預設參數的信號，例如具有預設參數的光信號，但本揭露不限於此。如此一來，可以透過治療元件產生信號至目標區域(例如患部)，使目標區域(例如患部)可接收對應之信號的能量，例如對目標區域(例如患部)提供對應的治療。

在步驟S408中，確認是否繼續透過治療元件產生信號。當確認繼續透過治療元件產生信號時，則回到步驟S406，控制電路140會繼續控制治療元件產生信號至目標區域。當確認不繼續透過治療元件產生信號時，則結束電子裝置100的操作流程。

第5圖為第4圖的步驟S406的詳細流程圖。在步驟S502中，確認目標區域的多個子區域的狀態。也就是說，控制電路140可以控制感測元件130的生物傳感器131感測目標區域的多個子區域的物理量，以產生對應上述子區域物理量信號。接著，控制電路140可以依據對應上述子區域的物理量信號，計算出目標區域(例如患部)的子區域的狀態。

在本實施例中，目標區域的子區域例如包括子區域A1、子區域A2、子區域A3，如第6圖所示。另外，子區域A1、子區域A2與子區域A3的狀態各自不同。在一些實施例中，子區域A1例如對應消炎(inflammation)狀態，子區域A2例如對應細胞增生(granulation/cell proliferation)狀態，子區域A3例如對應重塑(remodeling)狀態，但本揭露不限於此。

在步驟S504中，依據目標區域的子區域的狀態，取得對應子區域之治療元件之參數。也就是說，在控制電路140計算出子區域A1、子區域A2與子區域A3的狀態後，控制電路140可以透過查詢表，取得對應子區域A1之治療元件120之第一參數、對應子區域A2之治療元件120之第二參數與對應子區域A3之治療元件120之第三參數。

在本實施例中，治療元件120以發光元件為例，第一參數可以包括第一信號波長與第一信號強度，第二參數可以包括第二信號波長與第二信號強度，第三參數可以包括第三信號波長與第三信號強度。在一些實施例中，第一信號波長例如為405奈米(nanometer, nm)至470奈米，第二信號波長例如為660奈米至810奈米，第三信號波長例如為590奈米至800奈米，第一信號強度、第二信號強度與第三信號強度為0.1mW/cm ²至150mW/cm ²，但本揭露不限於此。在一些實施例中，第一信號強度、第二信號強度與第三信號強度可以相同。在一些實施例中，第一信號強度、第二信號強度與第三信號強度可以不同。例如，信號強度可以與信號波長成正比。舉例來說，當信號波長增加時，信號強度會增加。反之，當信號波長減少時，信號強度會減少。

在步驟S506中，依據對應子區域之治療元件之參數，控制對應子區域之治療元件產生信號。也就是說，控制電路140可以依據對應子區域A1之治療元件120之第一參數，控制對應子區域A1之治療元件120產生具有第一參數的第一信號。控制電路140可以依據對應子區域A2之治療元件120之第二參數，控制對應子區域A2之治療元件120產生具有第二參數的第二信號。控制電路140可以依據對應子區域A3之治療元件120之第三參數，控制對應子區域A3之治療元件120產生具有第三參數的第三信號。如此一來，透過治療元件120分別提供第一信號、第二信號與第三信號至目標區域(例如患部)的子區域A1、子區域A2與子區域A3，使子區域A1、子區域A2與子區域A3可以接收不同參數之信號的能量，例如對子區域A1、子區域A2與子區域A3提供不同的治療。

第7圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的一部分的俯視圖。第8圖為第7圖之A-A’的剖面圖。請參考第7圖與第8圖，電子裝置100可以包括基板110、治療元件120、感測元件130、擋牆710、金屬層720、電極730與光阻油墨層740。

金屬層720設置於基板110上。在一些實施例中，金屬層720的材料可以是銅(Cu)，但本揭露不限於此。感測元件130設置於金屬層720上。感測元件130可以透過金屬層720與電極730電性連接，使得感測元件130可以透過電極730與控制電路(例如第1圖的控制電路140)電性連接，以便感測元件130可以將感測信號傳送至控制電路140，或是控制電路可以提供控制信號以對感測元件130進行控制。另外，每一感測元件130可以電性連接一主動元件(例如薄膜電晶體)，以便透過主動元件進行控制。在一些實施例中，在Y方向上的感測元件130可以透過相同的金屬層720與電極730電性連接，但本揭露不限於此。在一些實施例中，在Y方向上的感測元件130可以透過不同的金屬層720與電極730電性連接，但本揭露不限於此。

進一步來說，感測元件130包括下電極750、半導體層760與上電極770。下電極750設置於金屬層720上。半導體層760設置於下電極750上。上電極770設置於半導體層760上。在一些實施例中，下電極750與金屬層720可以直接接觸，半導體層760與下電極750可以直接接觸，上電極770與半導體層760可以直接接觸，但本揭露不限於此。在一些實施例中，下電極750可以是多層結構，且下電極750的材料可以是金(Au)、鎳(Ni)，但本揭露不限於此。在一些實施例中，下電極750與金屬層720之間還可以包括中間層，以增加下電極750與金屬層720之間的接合(bonding)效果。

另外，光阻油墨層740設置於基板110上。治療元件120設置於光阻油墨層740上。擋牆710設置於光阻油墨層740上，且在X方向上位於治療元件120與感測元件130之間。在一些實施例中，擋牆的高度例如為0.5微米(micrometer, um)至10微米，擋牆的寬度例如為5微米至100微米。另外，在第7圖或第8圖中，於治療元件120與感測元件130之間的擋牆710的數量繪示為2條，但本揭露不限於此，上述擋牆710的數量也可為1條、3條、4條或5條。如此一來，可以改善濕式製程材料溢流的狀況。

治療元件120也可以透過金屬層(圖未示)與電極(圖未示)電性連接，使得治療元件120可以透過電極與控制電路(例如第1圖的控制電路)電性連接，以便控制電路可以提供控制信號以對治療元件120進行控制。另外，每一治療元件120可以電性連接一主動元件(例如薄膜電晶體)，以便透過主動元件進行控制。在一些實施例中，在Y方向上的治療元件120可以透過相同的金屬層與電極電性連接，但本揭露不限於此。在一些實施例中，在Y方向上的治療元件120可以透過不同的金屬層與電極電性連接，但本揭露不限於此。

綜上所述，本揭露實施例之電子裝置及其操作方法，透過設置多個治療元件於基板上，其中治療元件包括第一治療元件與第二治療元件，且該第一治療元件與該第二治療元件獨立控制且同時提供不同參數的信號。另外，設置多個感測元件與控制電路於基板上，感測元件與治療元件相鄰設置且為陣列排列，控制電路依據感測元件所產生的感測信號，調整治療元件的參數，以控制治療元件產生具有對應參數的信號。如此一來，可以增加使用上的便利性或增加對目標區域的治療效果。

本揭露雖以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可做些許的組合、更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:電子裝置 110:基板 120:治療元件 121,122:信號線 130:感測元件 131:生物傳感器 132:影像傳感器 140:控制電路 150:物體 710:擋牆 720:金屬層 730:電極 740:光阻油墨層 750:下電極 760:半導體層 770:上電極 A1,A2,A3:子區域 D1,D2:間距 X,Y,Z:方向 S402~S408,S502~S506:步驟

第1圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的一部分的示意圖。第2圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的立體圖。第3圖為依據本揭露之另一實施例之電子裝置的立體圖。第4圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的操作方法的流程圖。第5圖為第4圖的步驟S406的詳細流程圖。第6圖為依據本揭露之一實施例之目標區域之子區域的示意圖。第7圖為依據本揭露之一實施例之電子裝置的一部分的俯視圖。第8圖為第7圖之A-A’的剖面圖。

100:電子裝置

110:基板

120:治療元件

121,122:信號線

130:感測元件

D1,D2:間距

X,Y,Z:方向

Claims

一種電子裝置，包括：多個治療元件，包括一第一治療元件與一第二治療元件；一第一感測元件，設置在該第一治療元件與該第二治療元件之間；以及一擋牆，設置在該第一治療元件與該第一感測元件之間；其中該第一治療元件與該第二治療元件獨立控制。
如請求項1所述之電子裝置，其中該些治療元件為陣列排列。
如請求項1所述之電子裝置，更包括一第二感測元件，該第一感測元件及該第二感測元件與該第一治療元件及該第二感測元件相鄰設置。
如請求項3所述之電子裝置，其中兩相鄰之該第一治療元件及該第二治療元件的間距相同於兩相鄰的該第一感測元件及該第二感測元件的間距。
如請求項3所述之電子裝置，其中兩相鄰的該第一治療元件及該第二治療元件的間距不同於兩相鄰的該第一感測元件及該第二感測元件的間距。
如請求項3所述之電子裝置，其中該第一感測元件及該第二感測元件的每一者包括一生物傳感器和一影像傳感器。
如請求項3所述之電子裝置，更包括一控制電路，電性連接該第一治療元件、該第二治療元件、該第一感測元件與該第二感測元件。
如請求項1所述之電子裝置，其中每一該些治療元件包括一發光元件、一發熱元件、一超聲波元件或一電療元件。
一種電子裝置的操作方法，包括：提供一基板；提供多個治療元件於該基板上，該些治療元件包括一第一治療元件與一第二治療元件；提供一第一感測元件於該基板上，且設置在該第一治療元件與該第二治療元件之間；以及提供一擋牆於該基板上，且設置在該第一治療元件與該第一感測元件之間；其中該第一治療元件與該第二治療元件同時提供不同參數的信號。
如請求項9所述之電子裝置的操作方法，其中該基板包括一第一子區域及一第二子區域，該第一治療元件提供具有一第一參數的一第一信號於該第一子區域，該第二治療元件提供具有一第二參數的一第二信號於該第二子區域。