CN110456547A - 一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示装置，涉及显示技术领域，显示装置包括第一衬底基板以及多个呈阵列排布的像素；所述显示装置还包括：光源，用于发射可见光；至少一个光致发光单元；所述光致发光单元将所述光源发射的可见光转化为非可见光；至少一个光感元件，所述光感元件根据触摸主体反射的所述非可见光进行指纹识别。本发明提供一种显示装置，以实现利用非可见光进行指纹识别，避免了外部环境或者背光源中的可见光照射到光感元件中对指纹识别产生影响，从而提高了指纹识别的精度。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。
背景技术
由于指纹对于每一个人而言是与身俱来的，是独一无二的。随着科技的发展，市场上出现了多种带有指纹识别功能的显示装置，如手机、平板电脑以及智能可穿戴设备等。这样，用户在操作带有指纹识别功能的显示装置前，只需要用手指触摸显示装置的指纹识别单元，就可以进行权限验证，简化了权限验证过程。
指纹由位于指端皮肤表面的一系列脊和谷组成，由于指纹识别单元接收到的脊和谷反射的光线强度不同，使得由在脊的位置处形成的反射光和在谷的位置处形成的反射光转换成的电流/电压信号大小不同，然后根据电流/电压信号大小可以进行指纹识别。
但是外部环境或者背光源中的可见光会照射到光感元件中，进而会对指纹识别产生影响。
发明内容
本发明提供一种显示装置，以实现利用非可见光进行指纹识别，避免外部环境或者背光源中的可见光照射到光感元件中对指纹识别产生影响，从而提高了指纹识别的精度。
本发明实施例提供一种显示装置，包括第一衬底基板以及多个呈阵列排布的像素；所述显示装置还包括：
光源，用于发射可见光；
至少一个光致发光单元；所述光致发光单元将所述光源发射的可见光转化为非可见光；
至少一个光感元件，所述光感元件根据触摸主体反射的所述非可见光进行指纹识别。
本发明实施例中，显示装置包括光致发光单元和光感元件，光致发光单元可以将光源发射的可见光转化为非可见光，非可见光照射到触摸主体后被触摸主体反射并被光感元件接收以实现指纹识别。由于本发明实施例利用非可见光实现指纹识别，避免了外部环境或者背光源中的可见光照射到光感元件中对指纹识别产生影响，从而提高了指纹识别的精度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图；
图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图；
图4为沿图3中BB’方向的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图；
图6为沿图5中CC’方向的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图；
图10为沿图9中DD’的剖面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图，图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图，参考图1和图2，显示装置包括第一衬底基板10以及位于第一衬底基板10一侧的多个像素100，多个像素100呈阵列排布。显示装置还包括光源20、至少一个光致发光单元3和至少一个光感元件4。光源20用于发射可见光。光致发光单元3将光源20发射的可见光转化为非可见光。光感元件4对于照射其上的可见光无响应，且光感元件4根据触摸主体Z反射的非可见光进行指纹识别。本发明对于显示装置的类型不作限定，其可以为液晶显示装置或者有机发光显示装置等。
本发明实施例中，显示装置包括光致发光单元和光感元件，光致发光单元可以将光源发射的可见光转化为非可见光(非可见光为自然光中除了可见光之外的光，例如可以包括红外光和紫外光)，非可见光照射到触摸主体(例如手指)后被触摸主体反射并被光感元件接收以实现指纹识别。由于本发明实施例利用非可见光实现指纹识别，避免外部环境或者背光源中的可见光照射到光感元件中对指纹识别产生影响，从而提高了指纹识别的精度。
需要说明的是，本发明实施例中采用发射可见光的光源照射光致发光单元产生非可见光。发射可见光的光源一方面可以用于显示装置的发光显示，另一方面可以用于激发光致发光单元产生非可见光，从而无须额外增加非可见光发射光源，降低了显示装置的成本。且本发明实施例中的光源发出的可见光直接照射到光致发光单元上并激发非可见光，照射到光致发光单元上的可见光的强度较大，有利于非可见光的激发。为了避免信号串扰，本发明实施例还将光致发光单元3与光感元件4错开设置，即光致发光单元3在第一衬底基板10的垂直投影与光感元件4在第一衬底基板10的垂直投影不交叠。
可选地，参考图1和图2，光致发光单元3将可见光转化为红外光。本发明实施例中，光致发光单元3将可见光转化为红外光，红外光对显示装置中各组件具有较高的穿透率，同时不会对人体造成伤害。
可选地，参考图1和图2，显示装置还包括对置基板5、液晶层6和背光模组2。对置基板5包括第二衬底基板51，液晶层6位于第一衬底基板10和第二衬底基板51之间，背光模组2位于第一衬底基板10背离对置基板51一侧，背光模组2包括光源20。本发明实施例提供的显示装置为液晶显示装置，一方面，背光模组2发出的可见光照射到液晶层6的液晶分子上，通过控制不同像素100内液晶分子的偏转角度，控制对应像素100中液晶分子的透过率，以实现图像显示；另一方面，背光模组2发出的可见光照射到光致发光单元3上激发非可见光，可以利用被触摸主体Z反射的非可见光实现指纹识别。
可选地，参考图1和图2，对置基板5还包括黑矩阵52，黑矩阵52位于第二衬底基板51靠近液晶层6的一侧。光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内。本发明实施例中，光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内，光致发光单元3设置在黑矩阵52的下方，即光致发光单元3设置在像素100之外的非开口区内，光致发光单元3不会影响像素100的发光亮度和色度，不影响显示装置的发光显示。
示例性地，参考图1和图2，光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内，光致发光单元3设置在黑矩阵52的下方，光感元件4设置于像素100内。在其他实施方式中，光致发光单元3和光感元件4在第二衬底基板51所在平面的垂直投影均可以位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内。
由于黑矩阵52能够阻挡可见光，并透过至少部分红外光(波长位于770nm到1mm之间)。也就是说，黑矩阵52对于红外光也有部分吸收。可选地，为了提高黑矩阵52对红外光的透过率，可以选择光学密度小于2的材料形成黑矩阵52。优选地，可以选择光学密度小于1.2的材料形成黑矩阵52，以进一步地提高黑矩阵52对红外光的透过率。本发明实施例中，选择光学密度小于2的材料形成的黑矩阵52对波长大于650nm的光具有较高的透过率。其中，光学密度是测量折射率介质或光学元件减缓或延迟光的传输的能力。
图3为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图，图4为沿图3中BB’的剖面结构示意图，参考图3和图4，光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影与黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影重合。需要说明的是，由于在俯视图中黑矩阵52将光致发光单元3完全遮挡，为了方便进行标记和进行示意，图3中将黑矩阵52和光致发光单元3的边缘进行一定程度的错位，实际上，黑矩阵52和光致发光单元3在俯视图中完全重叠。本发明实施例中，光致发光单元3与黑矩阵52具有相同的形状，从而在保证光致发光单元3不影响显示装置的发光显示的基础上，最大限度地扩展了光致发光单元3的面积，增加了非可见光的照射区域，以便在显示装置中的任一区域实现指纹识别。由于光致发光单元3与黑矩阵52具有相同的形状，光致发光单元3与黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影具有相同的面积，光致发光单元3与黑矩阵52可以使用相同的掩膜板，无需在制作光致发光单元3和黑矩阵52时，为光致发光单元3和黑矩阵52分别使用不同的掩膜板，从而降低了显示装置的工艺难度。
示例性地，参考图3和图4，光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影与黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影重合，光感元件4位于像素100内。对置基板5还包括平坦层55，平坦层55位于第二衬底基板51与液晶层6之间，光致发光单元3位于平坦层55与液晶层6之间。在其他实施方式中，光致发光单元3也可以位于平坦层55与第二衬底基板51之间。
可选地，参考图1和图2，对置基板5还包括多个色阻53，色阻53位于黑矩阵52和液晶层6之间，色阻53位于相邻两个黑矩阵52之间。光感元件4在第二衬底基板51所在平面的垂直投影与色阻53位于像素100内的部分在第二衬底基板51所在平面的垂直投影交叠。光感元件4包括第一电极41、光敏层42和第二电极43，光敏层42位于第一电极41靠近第二衬底基板51的一侧，第二电极43位于光敏层42靠近第二衬底基板51的一侧，光敏层42位于第一电极41和第二电极43之间。第一电极41和第二电极43均为透明电极。本发明实施例中，光感元件4至少部分位于像素100内，从而在黑矩阵52所在区域内可以为光致发光单元3预留更多的空间，从而扩大了光致发光单元3的面积，扩大了红外光在显示装置中的出射区域的面积。光感元件4的第一电极41和第二电极43为透明电极，从而使得光感元件4在可见光范围内具有良好的透过率，减小了光感元件4对显示装置进行画面显示的影响。需要说明的是，本发明对于光感元件4的结构不做具体限定，光感元件4设置于像素100内时，为了不影响对显示装置进行画面显示产生影响，可以将第一电极41和第二电极43设置为透明电极，光感元件4设置于像素100之外的非开口区时，光感元件4的第一电极41可以为透明电极，或者，第一电极41还可以包括不透过可见光的金属材料。
可选地，参考图1和图2，光感元件4以及光致发光单元3均位于第一衬底基板10和对置基板5之间。第一电极41与第一衬底基板10之间的垂直距离小于或者等于光致发光单元3与第一衬底基板10之间的垂直距离。也就是说，光致发光单元3比光感元件4更靠近触摸主体Z，或者光致发光单元3与光感元件4的第一电极41同层设置。本发明实施例中，第一电极41与第一衬底基板10之间的垂直距离小于或者等于光致发光单元3与第一衬底基板10之间的垂直距离，从而避免了光致发光单元3受激发而产生的非可见光直接由第一电极41照射到光敏层42，光感元件4只能接收到被触摸主体Z反射回来的携带了指纹信息且由第二电极43照射到光敏层42的非可见光，从而提高了指纹识别的精度。
可选地，参考图1和图2，显示装置包括多个光感元件4，相邻两个光感元件4之间的距离P满足：300μm≤P≤500μm。相邻两个光感元件4之间的距离为相邻两个光感元件4相互临近的边缘之间的距离。相邻两个光感元件4之间的距离可以包括相邻两个光感元件4沿行方向上的距离，也可以包括相邻两个光感元件4沿列方向上的距离。由于指纹谷脊的周期在300μm～500μm，在一个谷脊周期内，至少有一个光感元件4用于指纹识别，保证显示装置具有足够的指纹识别精度。
可选地，参考图1和图2，每个光致发光单元3在第一衬底基板10所在平面的垂直投影面积大于或者等于1500μm2，每个光感元件4在第一衬底基板10所在平面的垂直投影面积大于或者等于200μm2，以保证每个光致发光单元3产生足够强度的非可见光，以及保证每个光感元件4能够接收到被触摸主体Z反射的足够强度的非可见光。
可选地，参考图2，显示装置还包括位于第一衬底基板10与液晶层6之间的公共电极17和像素电极18，像素电极18位于公共电极17与液晶层6之间。第一电极41与公共电极17同层并采用同种材料形成，第二电极43与像素电极18同层并采用同种材料形成。公共电极17和像素电极18均可以为透明电极，通过控制不同像素100内公共电极17和像素电极18产生不同的电场强度控制液晶层中液晶分子的偏转角度，以控制对应像素100中液晶分子的透过率，实现图像显示。本发明实施例中，第一电极41与公共电极17同层并采用同种材料形成，从而第一电极41与公共电极17可以采用同种材料并在同一工艺中形成，节省了工艺制程。第二电极43与像素电极18同层并采用同种材料形成，从而第二电极43与像素电极18可以采用同种材料并在同一工艺中形成，节省了工艺制程。在其他实施方式中，可以仅第一电极41与公共电极17同层并采用同种材料形成，或者，仅第二电极43与像素电极18同层并采用同种材料形成，本发明对此不作限定。
示例性地，参考图2，显示装置还可以包括位于第一衬底基板10一侧设置的缓冲层11、栅极绝缘层12、层间绝缘层13、阵列平坦化层14、钝化层15和像素驱动电路16。像素驱动电路16与像素电极18电连接，用于为像素电极18提供驱动电压或者驱动电流。像素驱动电路16包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和半导体层，薄膜晶体管的源极或者漏极与像素电极18电连接。钝化层15位于公共电极17与像素电极18之间，用于电绝缘公共电极17和像素电极18。第一电极41与公共电极17同层，第二电极43与像素电极18同层。
图5为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图，图6为沿图5中CC’方向的剖面结构示意图，参考图5和图6，光致发光单元3在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内，光感元件4在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内。本发明实施例中，光致发光单元3和光感元件4均设置在像素100之外的非开口区内，光致发光单元3和光感元件4均设置在黑矩阵52的下方，光致发光单元3和光感元件4均不影响显示装置的发光显示。
可选地，参考图5和图6，显示装置还包括位于第一衬底基板10与液晶层6之间的像素驱动电路16，像素驱动电路16在第一衬底基板10所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第一衬底基板10所在平面的垂直投影内。光感元件4位于第一衬底基板10与像素驱动电路16所在膜层之间。像素驱动电路16所在膜层包括像素驱动电路16中薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和半导体层所在的膜层。由于像素驱动电路16还需要过孔与像素电极18电连接，如果将光感元件4设置于像素驱动电路16与像素电极18之间，则过孔会穿过光感元件4，影响光感元件4的检测能力。本发明实施例中，通过将光感元件4设置于第一衬底基板10与像素驱动电路16所在膜层之间，避免了过孔穿过光感元件4的情况。另一方面，将光感元件4设置于第一衬底基板10与像素驱动电路16所在膜层之间，光感元件4形成于像素驱动电路16、公共电极17和像素电极18之前，不会影响像素驱动电路16、公共电极17和像素电极18的制作工艺。
示例性地，参考图6，光感元件4设置于第一衬底基板10与缓冲层11之间。在其他实施方式中，光感元件4也可以设置于像素驱动电路16与缓冲层11之间。光感元件4在第一衬底基板10的垂直投影位于黑矩阵52在第一衬底基板10的垂直投内，光感元件4设置于第一衬底基板10与像素驱动电路16之间，光感元件4在第一衬底基板10的垂直投影与像素驱动电路16在第一衬底基板10的垂直投影交叠。由于像素驱动电路16中不透光的金属(例如源极或者漏极)比较细小，像素驱动电路16对非可见光的遮挡较少，被触摸主体反射的非可见光可以到达光感元件4。在其他实施方式中，光感元件4在第一衬底基板10的垂直投影也可以与像素驱动电路16在第一衬底基板10的垂直投影不交叠，光感元件4设置于未布置像素驱动电路16的区域中。
可选地，参考图2和图6，光致发光单元3和光感元件4均位于第一衬底基板10和液晶层6之间。参考图4，光致发光单元3位于第二衬底基板51和液晶层6之间，光感元件4位于第一衬底基板10和液晶层6之间。在其他实施方式中，光致发光单元3和光感元件4也可以均位于第二衬底基板51和液晶层6之间，或者，光致发光单元3位于第一衬底基板10和液晶层6之间，光感元件4位于第二衬底基板51和液晶层6之间，或者，光致发光单元3和光感元件4中的至少一者位于第一衬底基板10远离第二衬底基板51的一侧，本发明对此不作限定。
图7为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图，与图2中光致发光单元3位于第一衬底基板10与液晶层6之间不同的是，图7中光致发光单元3位于第二衬底基板51与液晶层6之间，且在此基础上，进一步地给出了光致发光单元3一些示例性的设置位置，参考图7，对置基板5还包括平坦层55，平坦层55位于第二衬底基板51与液晶层6之间，光致发光单元3位于第二衬底基板51与平坦层55之间。本发明实施例中，光致发光单元3位于第二衬底基板51与平坦层55之间，平坦层55覆盖光致发光单元3，防止了光致发光单元3对液晶层6中液晶分子的配向造成不良影响，保证了液晶层6中液晶分子配向良好。
示例性地，参考图7，光致发光单元3位于色阻53与平坦层55之间。在第二衬底基板51上形成黑矩阵52以及色阻53后，在色阻53上对应于黑矩阵52的位置形成光致发光单元3，然后在光致发光单元3以及色阻53上形成平坦层55。在其他实施方式中，光致发光单元3还可以位于黑矩阵52与色阻53之间。在第二衬底基板51上形成黑矩阵52后，在黑矩阵52上形成光致发光单元3，在光致发光单元3以及色阻53上形成平坦层55。
可选地，参考图5和图6，其中，支撑柱的位置以及数量仅为便于解释说明的示例，并非对本发明的限定，支撑柱的位置以及数量可以根据实际产品而定。显示装置还包括位于第一衬底基板10以及第二衬底基板51之间的支撑柱54，支撑柱54用于保持第一衬底基板10与第二衬底基板51之间的盒厚。光致发光单元3在第一衬底基板10所在平面的垂直投影与支撑柱54在第一衬底基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠。支撑柱54能够维持显示装置液晶盒的厚度，为防止显示装置在受到外力挤压时支撑柱54发生变形或位移，在支撑柱54对应位置处增大黑矩阵52的面积，从而避免出现挤压漏光问题。光致发光单元3在第一衬底基板10所在平面的垂直投影与支撑柱54在第一衬底基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠时，可以利用对应支撑柱54位置处黑矩阵52增大的面积，从而扩大了光致发光单元3的面积，扩大了红外光在显示装置中的出射区域的面积。在其他实施方式中，仅光感元件4在第一衬底基板10所在平面的垂直投影与支撑柱在第一衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠。或者，光致发光单元3在第一衬底基板10所在平面的垂直投影与支撑柱54在第一衬底基板10所在平面的垂直投影至少部分交叠，光感元件4在第一衬底基板10所在平面的垂直投影与支撑柱在第一衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠。
示例性地，参考图5和图6，支撑柱54在第二衬底基板51所在平面的垂直投影位于黑矩阵52在第二衬底基板51所在平面的垂直投影内。支撑柱54位于平坦层55远离第二衬底基板51一侧。
图8为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图，与图2中光致发光单元3和光感元件4均位于第一衬底基板10与第二衬底基板51之间不同的是，图7中将光感元件4设置于第一衬底基板10远离第二衬底基板51一侧，参考图7，光致发光单元3位于第一衬底基板10与第二衬底基板51之间，光感元件4位于第一衬底基板10远离第二衬底基板51一侧。光感元件4不会对原有显示装置的结构以及显示装置的原有制作工艺造成影响。在其他实施方式中，也可以将光致发光单元3设置于第一衬底基板10远离第二衬底基板51一侧，本发明对此不作限定。
图9为本发明实施例提供的另一种显示装置的俯视结构示意图，图10为沿图9中DD’的剖面结构示意图，参考图9和图10，为了示意出像素100、光致发光单元3和光感元件4的关系，图9中未示意出支撑柱54等结构。显示装置还包括位于第一衬底基板10一侧的像素限定层71，以及位于像素限定层71开口中的多个有机发光单元72，有机发光单元72复用为光源20。本发明实施例中，显示装置为有机发光显示装置，一方面，通过控制多个有机发光单元72发出的可见光具有不同的亮度，以实现图像显示；另一方面，有机发光单元72发出的可见光照射到光致发光单元3上激发非可见光，可以利用被触摸主体Z反射的非可见光实现指纹识别。
可选地，参考图10，显示装置还包括位于多个有机发光单元72远离第一衬底基板10一侧的封装盖板8。光致发光单元3位于封装盖板8上且位于封装盖板8朝向第一衬底基板10一侧。由于光致发光单元3需要将有机发光单元72发出的可见光转化为非可见光，因此需要将光致发光单元3设置于有机发光单元72的发光方向上。同时，为了保护光致发光单元3不受外接伤害，本发明实施例中将光致发光单元3设置于封装盖板8上且位于封装盖板8朝向第一衬底基板10一侧。本发明实施例中，有机发光显示装置例如可以采用盖板封装。在其他实施方式中，有机发光显示装置例如还可以采用薄膜封装。
示例性地，参考图10，封装盖板8与第一衬底基板10通过位于显示装置边缘的密封胶(图11中未示出)粘结固定在一起，并形成密闭的空间。有机发光单元72包括阳极721、发光功能层722和阴极723，阳极721位于第一衬底基板10与发光功能层722之间，发光功能层位于阳极721和阴极723之间。发光功能层722包括发光材料层，以及空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
图11为本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图，与图11有机发光显示装置例如可以采用盖板封装不同的是，图11中有机发光显示装置采用薄膜封装。参考图11，显示装置还包括位于多个有机发光单元72远离第一衬底基板10一侧的薄膜封装层9。光致发光单元3位于薄膜封装层9内。在其他实施方式中，光致发光单元3可以位于薄膜封装层9上且位于薄膜封装层9朝向第一衬底基板10一侧。
示例性地，参考图11，薄膜封装层9包括第一绝缘层91和第二绝缘层92，光致发光单元3位于第一绝缘层91和第二绝缘层92之间。光致发光单元3形成在第一绝缘层91上，在形成光致发光单元3时，第一绝缘层91保护有机发光单元72免受伤害。
可选地，参考图9，多个像素100包括第一像素110和第二像素120，第一像素110包括第一区域111和第二区域112，第二区域112设置有光致发光单元3。第一像素110在第一衬底基板10所在平面的垂直投影面积大于第二像素120在第一衬底基板10所在平面的垂直投影的面积。本发明实施例中，第一像素110的面积大于第二像素120的面积，且第一像素110包括用于发射可见光的第一区域111和用于发射非可见光的第二区域112。本发明实施例扩大了现有像素100的面积，并在扩大面积后像素100的部分区域中设置光致发光单元3。需要说明的是，本发明实施例中以有机发光显示装置为例进行解释说明，但并不以此为限。
可选地，参考图11，第一区域111在第一衬底基板10所在平面的垂直投影面积等于第二像素120在第一衬底基板10所在平面的垂直投影的面积。第一像素110中发射可见光的面积与第二像素120发射可见光的面积相等，从而使显示装置中所有的像素100具有相同的发光显示效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种显示装置，其特征在于，包括第一衬底基板以及多个呈阵列排布的像素；所述显示装置还包括：
光源，用于发射可见光；
至少一个光致发光单元；所述光致发光单元将所述光源发射的可见光转化为非可见光；
至少一个光感元件，所述光感元件根据触摸主体反射的所述非可见光进行指纹识别。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括对置基板、液晶层和背光模组；所述对置基板包括第二衬底基板，所述液晶层位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间，所述背光模组位于所述第一衬底基板背离所述对置基板一侧，所述背光模组包括所述光源。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述对置基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵位于所述第二衬底基板靠近所述液晶层的一侧；
所述光致发光单元在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影位于所述黑矩阵在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影内。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述光致发光单元在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影与所述黑矩阵在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影重合。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述对置基板还包括多个色阻，所述色阻位于所述黑矩阵和所述液晶层之间，所述色阻位于相邻两个所述黑矩阵之间；
所述光感元件在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影与所述色阻位于所述像素内的部分在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影交叠；
所述光感元件包括第一电极、光敏层和第二电极，所述光敏层位于所述第一电极靠近所述第二衬底基板的一侧，所述第二电极位于所述光敏层靠近所述第二衬底基板的一侧；所述第一电极和第二电极均为透明电极。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述光感元件以及所述光致发光单元均位于所述第一衬底基板和所述对置基板之间；
所述第一电极与所述第一衬底基板之间的垂直距离小于或者等于所述光致发光单元与所述第一衬底基板之间的垂直距离。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述第一衬底基板与所述液晶层之间的公共电极和像素电极，所述像素电极位于所述公共电极与所述液晶层之间；
所述第一电极与所述公共电极同层并采用同种材料形成，和/或，所述第二电极与所述像素电极同层并采用同种材料形成。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述光感元件在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影位于所述黑矩阵在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影内。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述第一衬底基板与所述液晶层之间的像素驱动电路，所述像素驱动电路在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影位于所述黑矩阵在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影内；
所述光感元件位于所述第一衬底基板与所述像素驱动电路所在膜层之间。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述对置基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述第二衬底基板与所述液晶层之间，所述光致发光单元位于所述第二衬底基板与所述平坦层之间。
11.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述第一衬底基板以及所述第二衬底基板之间的支撑柱；
所述光致发光单元在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影与所述支撑柱在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠；和/或，所述光感元件在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影与所述支撑柱在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述第一衬底基板一侧的像素限定层，以及位于所述像素限定层开口中的多个有机发光单元，所述有机发光单元复用为所述光源。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述多个有机发光单元远离所述第一衬底基板一侧的封装盖板；
所述光致发光单元位于所述封装盖板上且位于所述封装盖板朝向所述第一衬底基板一侧。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述多个有机发光单元远离所述第一衬底基板一侧的薄膜封装层；
所述光致发光单元位于所述薄膜封装层上且位于所述薄膜封装层朝向所述第一衬底基板一侧；或者，所述光致发光单元位于所述薄膜封装层内。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括多个所述光感元件，相邻两个所述光感元件之间的距离P满足：300μm≤P≤500μm。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每个所述光致发光单元在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影面积大于或者等于1500μm2，每个所述光感元件在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影面积大于或者等于200μm2。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光致发光单元将可见光转化为红外光。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，多个所述像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素包括第一区域和第二区域，所述第二区域设置有所述光致发光单元；
所述第一像素在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影面积大于所述第二像素在所述第一衬底基板所在平面的垂直投影的面积。
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