TWI814062B - 改良型llc諧振轉換裝置 - Google Patents

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Abstract

一種改良型LLC諧振轉換裝置，係依據輸入電壓的大小以決定要作為半橋LLC諧振轉換器或全橋LLC諧振轉換器工作。本發明可解決LLC諧振轉換器的輸入電壓範圍不夠寬的問題。

Description

改良型LLC諧振轉換裝置
本發明係有關於一種LLC諧振轉換裝置，特別是一種改良型LLC諧振轉換裝置。
LLC諧振轉換器是一種常見的電子電路，其為最具吸引力的產品之一，例如可應用在充電器的拓撲結構。然而，目前LLC諧振轉換器的缺點是LLC諧振轉換器的輸入電壓範圍不夠寬，使得保持時間不夠久，需要大體積的輸出端電容及較高的成本。
為解決上述問題，本發明之目的在於提供一種改良型LLC諧振轉換裝置。
為達成本發明之上述目的，本發明之一種改良型LLC諧振轉換裝置包含：一處理器；及一LLC諧振轉換器，該LLC諧振轉換器係電性連接至該處理器，其中該LLC諧振轉換器被配置為接收一輸入電壓；當該輸入電壓大於一預設電壓時，該處理器被配置為控制該LLC諧振轉換器以進入一半橋工作模式，使得該LLC諧振轉換器被配置為作為一半橋LLC諧振轉換器工作；當該輸 入電壓小於或等於該預設電壓時，該處理器被配置為控制該LLC諧振轉換器以進入一全橋工作模式，使得該LLC諧振轉換器被配置為作為一全橋LLC諧振轉換器工作。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，該改良型LLC諧振轉換裝置更包含：一電壓偵測器，該電壓偵測器係電性連接至該處理器及該LLC諧振轉換器，其中該電壓偵測器被配置為偵測該輸入電壓以通知該處理器該輸入電壓，使得該處理器被配置為得知該輸入電壓的大小以決定該LLC諧振轉換器在該半橋工作模式或該全橋工作模式工作。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，該LLC諧振轉換器包含：一第一金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該電壓偵測器；一第二金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體；一第三金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該電壓偵測器；及一第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，當該LLC諧振轉換器在該半橋工作模式時，該LLC諧振轉換器被配置為輪流地在一半橋第一狀態及一半橋第二狀態工作；當該LLC諧振轉換器在該半橋第一狀態工作時，該處理器被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體；當該LLC 諧振轉換器在該半橋第二狀態工作時，該處理器被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，當該LLC諧振轉換器在該全橋工作模式時，該LLC諧振轉換器被配置為輪流地在一全橋第一狀態及一全橋第二狀態工作；當該LLC諧振轉換器在該全橋第一狀態工作時，該處理器被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體；當該LLC諧振轉換器在該全橋第二狀態工作時，該處理器被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，該LLC諧振轉換器更包含：一諧振電容，該諧振電容係電性連接至該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體；一諧振電感，該諧振電感係電性連接至該諧振電容；及一激磁電感，該激磁電感係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，該LLC諧振轉換器更包含：一變壓器，該變壓器係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該激磁電感；一第一二極體，該第一二極體係電性連接至該變 壓器；一第二二極體，該第二二極體係電性連接至該變壓器及該第一二極體；一第三二極體，該第三二極體係電性連接至該變壓器及該第一二極體；一第四二極體，該第四二極體係電性連接至該變壓器及該第三二極體；及一輸出端電容，該輸出端電容係電性連接至該第一二極體及該第三二極體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，該LLC諧振轉換器更包含：一初級側第一端，該初級側第一端係電性連接至該電壓偵測器、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體；一初級側第二端，該初級側第二端係電性連接至該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體；一次級側第一端，該次級側第一端係電性連接至該第一二極體、該第三二極體及該輸出端電容；及一次級側第二端，該次級側第二端係電性連接至該第二二極體、該第四二極體及該輸出端電容，其中該變壓器包含：一初級側繞組，該初級側繞組係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該激磁電感；及一次級側繞組，該次級側繞組係電性連接至該第一二極體、該第三二極體及該第四二極體。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，當該LLC諧振轉換器在該半橋第一狀態工作時，一初級側電流係流經該初級側第一端、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體、該諧振電容、該諧振電感、該初級側繞組、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且一次級側電流係流經該次級側第二端、該第四二極體、該次級側繞組、該第一二極體及該次級側第一端；其中當該LLC諧振轉換器在該半橋第二狀態工作時，該初級側電流在該諧振電感、該諧振電容、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體之一寄生二極 體及該初級側繞組之間流動，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第二二極體、該次級側繞組、該第三二極體及該次級側第一端。
再者，在如上所述之本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之一具體實施例當中，當該LLC諧振轉換器在該全橋第一狀態工作時，該初級側電流係流經該初級側第一端、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體、該諧振電容、該諧振電感、該初級側繞組、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第四二極體、該次級側繞組、該第一二極體及該次級側第一端；其中當該LLC諧振轉換器在該全橋第二狀態工作時，該初級側電流係流經該初級側第一端、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該初級側繞組、該諧振電感、該諧振電容、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第二二極體、該次級側繞組、該第三二極體及該次級側第一端。
本發明之功效在於使LLC諧振轉換器具有寬輸入電壓範圍，使得保持時間能夠延長以大幅地降低輸出端電容的體積及成本。
為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得到深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
10:改良型LLC諧振轉換裝置
102:處理器
104:LLC諧振轉換器
106:輸入電壓
108:電壓偵測器
110:變壓器
112:初級側繞組
114:次級側繞組
116:初級側第一端
118:初級側第二端
120:次級側第一端
122:次級側第二端
124:初級側電流
126:次級側電流
128:寄生二極體
130:輸出電壓
Cr:諧振電容
D1:第一二極體
D2:第二二極體
D3:第三二極體
D4:第四二極體
F1:最大切換頻率
FB:全橋工作模式
FBC:全橋曲線
HB:半橋工作模式
HBC:半橋曲線
Lm:激磁電感
Lr:諧振電感
S1:第一金屬氧化物半導體場效應電晶體
S2:第二金屬氧化物半導體場效應電晶體
S3:第三金屬氧化物半導體場效應電晶體
S4:第四金屬氧化物半導體場效應電晶體
V1:設計電壓
V2:預設電壓
Vo:輸出端電容
圖1為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之第一實施例之方塊圖。
圖2為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之輸入電壓對切換頻率之對照圖。
圖3為本發明之半橋工作模式與全橋工作模式在基於相同的輸出電壓時的切換頻率對電壓增益之對照圖。
圖4為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之第二實施例之方塊圖。
圖5為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在半橋第一狀態工作之方塊圖。
圖6為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在半橋第二狀態工作之方塊圖。
圖7為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在全橋第一狀態工作之方塊圖。
圖8為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在全橋第二狀態工作之方塊圖。
圖9為本發明在半橋工作模式時從處理器傳送至該些金屬氧化物半導體場效應電晶體的控制訊號的波形時序圖。
圖10為本發明在全橋工作模式時從處理器傳送至該些金屬氧化物半導體場效應電晶體的控制訊號的波形時序圖。
在本揭露當中，提供了許多特定的細節，以提供對本發明之具體實施例之徹底瞭解；然而，本領域技術人員應當知曉，在沒有一個或更多個該些特定的細節的情況下，依然能實踐本發明；在其他情況下，則未顯示或描述 眾所周知的細節以避免模糊了本發明之主要技術特徵。茲有關本發明之技術內容及詳細說明，配合圖式說明如下：請參考圖1，其係為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之第一實施例之方塊圖。如圖1所示，本發明之一種改良型LLC諧振轉換裝置10包含一處理器102及一LLC諧振轉換器104，該LLC諧振轉換器104係電性連接至該處理器102，該LLC諧振轉換器104被配置為接收一輸入電壓106(例如，一直流電壓)。
圖2為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之輸入電壓對切換頻率之對照圖，請同時參考圖1及圖2。當該輸入電壓106大於一預設電壓V2時，該處理器102被配置為控制該LLC諧振轉換器104以進入一半橋工作模式HB，使得該LLC諧振轉換器104被配置為作為一半橋LLC諧振轉換器工作；當該輸入電壓106小於或等於該預設電壓V2時，該處理器102被配置為控制該LLC諧振轉換器104以進入一全橋工作模式FB，使得該LLC諧振轉換器104被配置為作為一全橋LLC諧振轉換器工作。再者，基於設計需求，該預設電壓V2可為例如但本發明不限定為介於300伏特至320伏特之間，例如，300伏特、310伏特或320伏特。
圖3為本發明之半橋工作模式與全橋工作模式在基於相同的輸出電壓時的切換頻率對電壓增益之對照圖；請同時參考圖1至圖3。一半橋曲線HBC代表該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB的切換頻率對電壓增益的曲線，而一全橋曲線FBC代表該LLC諧振轉換器104在該全橋工作模式FB的切換頻率對電壓增益的曲線。
由圖3可知，在相同的切換頻率時，在該全橋工作模式FB(該全橋曲線FBC)的電壓增益大約會是在該半橋工作模式HB(該半橋曲線HBC)的電壓增益的兩倍；換句話說，基於相同的輸出電壓及相同的切換頻率，該LLC 諧振轉換器104在該全橋工作模式FB時所需要的該輸入電壓106僅為該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB時所需要的該輸入電壓106的一半。
請復參考圖1及圖2，當該輸入電壓106大於該預設電壓V2時，由於該輸入電壓106較高，因此所需要的電壓增益較低，該LLC諧振轉換器104可以在該半橋工作模式HB工作；當該輸入電壓106小於或等於該預設電壓V2時，由於該輸入電壓106較低，因此所需要的電壓增益較高，該LLC諧振轉換器104必須在該全橋工作模式FB工作，以保持穩定的輸出電壓。
不管該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB或該全橋工作模式FB工作，隨著該輸入電壓106逐漸降低，切換頻率皆會逐漸降低；對於工作在該全橋工作模式FB之該LLC諧振轉換器104，當該輸入電壓106小於一設計電壓V1時，該全橋工作模式FB即會停止工作。
再者，該LLC諧振轉換器104包含複數之金屬氧化物半導體場效應電晶體(如圖5至圖8所示之S1至S4)，該些金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器102。如圖1及圖2所示，當該LLC諧振轉換器104從該半橋工作模式HB切換到該全橋工作模式FB的瞬間(亦即，圖2所示之V2)，該LLC諧振轉換器104被配置為增加對該些金屬氧化物半導體場效應電晶體之一切換頻率至一最大切換頻率F1，使得該LLC諧振轉換器104被配置為保持一輸出電壓130。
請參考圖4，其係為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置之第二實施例之方塊圖；圖4所示之元件與圖1至圖3所示之元件相同者，為簡潔因素，故於此不再重複其敘述。如圖4所示，該改良型LLC諧振轉換裝置10更包含一電壓偵測器108，該電壓偵測器108係電性連接至該處理器102及該LLC諧振轉換器104。
在圖4所示之實施例當中，該電壓偵測器108被配置為偵測該輸入電壓106以通知該處理器102該輸入電壓106，使得該處理器102被配置為得知該輸入電壓106的大小以決定該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB或該全橋工作模式FB工作。然而，本發明不以圖4為限；例如，在圖1所示之實施例當中，該處理器102具有電壓偵測功能以得知該輸入電壓106的大小以決定該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB或該全橋工作模式FB工作。
圖5為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在半橋第一狀態工作之方塊圖，圖6為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在半橋第二狀態工作之方塊圖，圖7為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在全橋第一狀態工作之方塊圖，圖8為本發明之改良型LLC諧振轉換裝置在全橋第二狀態工作之方塊圖；圖5至圖8所示之元件與圖1至圖4所示之元件相同者，為簡潔因素，故於此不再重複其敘述；在圖5至圖8當中，虛線箭頭代表電流方向，容後詳述。
該LLC諧振轉換器104包含一第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1、一第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2、一第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3、一第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4、一諧振電容Cr、一諧振電感Lr、一激磁電感Lm、一變壓器110、一第一二極體D1、一第二二極體D2、一第三二極體D3、一第四二極體D4、一輸出端電容Vo、一初級側第一端116、一初級側第二端118、一次級側第一端120及一次級側第二端122；該變壓器110包含一初級側繞組112及一次級側繞組114。
如圖1及圖2所述，當該輸入電壓106大於該預設電壓V2時，該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB工作，而當該輸入電壓106小於或等於該預設電壓V2時，該LLC諧振轉換器104在該全橋工作模式FB工作。請一併參考圖5至圖8，該半橋工作模式HB又可分為一半橋第一狀態(圖5)及一半橋第 二狀態(圖6)，而該全橋工作模式FB又可分為一全橋第一狀態(圖7)及一全橋第二狀態(圖8)，茲詳述如下：當該LLC諧振轉換器104在該半橋工作模式HB時，該LLC諧振轉換器104被配置為輪流地在該半橋第一狀態(圖5)及該半橋第二狀態(圖6)工作。
請參考圖5，當該LLC諧振轉換器104在該半橋第一狀態工作時，該處理器102被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3，使得一初級側電流124係流經該初級側第一端116、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1、該諧振電容Cr、該諧振電感Lr、該初級側繞組112、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4及該初級側第二端118，而且一次級側電流126係流經該次級側第二端122、該第四二極體D4、該次級側繞組114、該第一二極體D1及該次級側第一端120。
請參考圖6，當該LLC諧振轉換器104在該半橋第二狀態工作時，該處理器102被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2，使得該初級側電流124在該諧振電感Lr、該諧振電容Cr、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4之一寄生二極體128及該初級側繞組112之間流動，而且該次級側電流126係流經該次級側第二端122、該第二二極體D2、該次級側繞組114、該第三二極體D3及該次級側第一端120。
須知金屬氧化物半導體場效應電晶體必然具有寄生二極體(亦可稱為背接二極體)，而本發明為了更加清楚地解說電流方向，因此僅在圖6的該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4顯示該寄生二極體128。
當該LLC諧振轉換器104在該全橋工作模式FB時，該LLC諧振轉換器104被配置為輪流地在該全橋第一狀態(圖7)及該全橋第二狀態工作(圖8)。
請參考圖7，當該LLC諧振轉換器104在該全橋第一狀態工作時，該處理器102被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3，使得該初級側電流124係流經該初級側第一端116、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1、該諧振電容Cr、該諧振電感Lr、該初級側繞組112、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4及該初級側第二端118，而且該次級側電流126係流經該次級側第二端122、該第四二極體D4、該次級側繞組114、該第一二極體D1及該次級側第一端120。
請參考圖8，當該LLC諧振轉換器104在該全橋第二狀態工作時，該處理器102被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體S1及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3，使得該初級側電流124係流經該初級側第一端116、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3、該初級側繞組112、該諧振電感Lr、該諧振電容Cr、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2及該初級側第二端118，而且該次級側電流126係流經該次級側第二端122、該第二二極體D2、該次級側繞組114、該第三二極體D3及該次級側第一端120。
請參考圖9，其係為本發明在半橋工作模式時從處理器傳送至該些金屬氧化物半導體場效應電晶體的控制訊號的波形時序圖；請參考圖10，其係為本發明在全橋工作模式時從處理器傳送至該些金屬氧化物半導體場效應電晶體的控制訊號的波形時序圖。在圖9及圖10當中，由上而下第一個波形、第二個波形、第三個波形及第四個波形分別代表該處理器102傳送至該第一金屬氧化 物半導體場效應電晶體S1、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體S2、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體S3及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體S4的控制訊號(例如，脈波寬度調變訊號)的波形。本發明利用圖9的波形時序控制該LLC諧振轉換器104輪流地在該半橋第一狀態(圖5)及該半橋第二狀態(圖6)工作；本發明利用圖10的波形時序控制該LLC諧振轉換器104輪流地在該全橋第一狀態(圖7)及該全橋第二狀態工作(圖8)。
本發明之該LLC諧振轉換器104的前端可連接至一個具功因校正功能之交流轉直流轉換器(未示於該些圖式)，該交流轉直流轉換器的前端可連接至提供100伏特至240伏特的交流電網(未示於該些圖式)；該交流轉直流轉換器的特點是當輸入電壓與輸出電壓的差距較小時，可以得到較高的轉換效率。另一方面，將該LLC諧振轉換器104的輸入電壓可操作範圍向更低電壓延伸，亦有助於汲取更多的輸入電容的電能以延長保持時間。
請復參考圖2，由於本發明可涵蓋該半橋工作模式HB及該全橋工作模式FB的輸入電壓範圍，因此本發明可使該LLC諧振轉換器104具有寬輸入電壓範圍，使得保持時間(hold-up time、holding time)能夠延長以大幅地降低輸出端電容的體積及成本。本發明可使該LLC諧振轉換器104的增益更寬以使直流輸入電壓操作點能夠延伸至更低的準位以獲得更長的保持時間以及更佳的轉換效率。
然以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能限定本發明實施之範圍，即凡依本發明請求項所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍意圖保護之範疇。本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬於本發明所附的請求項的保 護範圍。綜上所述，當知本發明已具有產業利用性、新穎性與進步性，又本發明之構造亦未曾見於同類產品及公開使用，完全符合發明專利申請要件，爰依專利法提出申請。
10:改良型LLC諧振轉換裝置
102:處理器
104:LLC諧振轉換器
106:輸入電壓
130:輸出電壓

Claims (9)

  1. 一種改良型LLC諧振轉換裝置，包含：一處理器；及一LLC諧振轉換器，該LLC諧振轉換器係電性連接至該處理器，其中該LLC諧振轉換器被配置為接收一輸入電壓；當該輸入電壓大於一預設電壓時，該處理器被配置為控制該LLC諧振轉換器以進入一半橋工作模式，使得該LLC諧振轉換器被配置為作為一半橋LLC諧振轉換器工作；當該輸入電壓小於或等於該預設電壓時，該處理器被配置為控制該LLC諧振轉換器以進入一全橋工作模式，使得該LLC諧振轉換器被配置為作為一全橋LLC諧振轉換器工作；其中該LLC諧振轉換器包含：一第一金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器；一第二金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體；一第三金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體；及一第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體係電性連接至該處理器及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體，其中當該LLC諧振轉換器在該半橋工作模式時，該LLC諧振轉換器被配置為輪流地在一半橋第一狀態及一半橋第二狀態工作；當該LLC諧振轉換器在該半橋第二狀態工作時，該處理器被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場 效應電晶體、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  2. 如請求項1所述之改良型LLC諧振轉換裝置，更包含：一電壓偵測器，該電壓偵測器係電性連接至該處理器及該LLC諧振轉換器，其中該電壓偵測器被配置為偵測該輸入電壓以通知該處理器該輸入電壓，使得該處理器被配置為得知該輸入電壓的大小以決定該LLC諧振轉換器在該半橋工作模式或該全橋工作模式工作。
  3. 如請求項2所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中當該LLC諧振轉換器在該半橋第一狀態工作時，該處理器被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  4. 如請求項3所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中當該LLC諧振轉換器在該全橋工作模式時，該LLC諧振轉換器被配置為輪流地在一全橋第一狀態及一全橋第二狀態工作；當該LLC諧振轉換器在該全橋第一狀態工作時，該處理器被配置為導通該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且關斷該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體；當該LLC諧振轉換器在該全橋第二狀態工作時，該處理器被配置為關斷該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體，並且導通該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  5. 如請求項4所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中該LLC諧振轉換器更包含：一諧振電容，該諧振電容係電性連接至該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體； 一諧振電感，該諧振電感係電性連接至該諧振電容；及一激磁電感，該激磁電感係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體。
  6. 如請求項5所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中該LLC諧振轉換器更包含：一變壓器，該變壓器係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該激磁電感；一第一二極體，該第一二極體係電性連接至該變壓器；一第二二極體，該第二二極體係電性連接至該變壓器及該第一二極體；一第三二極體，該第三二極體係電性連接至該變壓器及該第一二極體；一第四二極體，該第四二極體係電性連接至該變壓器及該第三二極體；及一輸出端電容，該輸出端電容係電性連接至該第一二極體及該第三二極體。
  7. 如請求項6所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中該LLC諧振轉換器更包含：一初級側第一端，該初級側第一端係電性連接至該電壓偵測器、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體；一初級側第二端，該初級側第二端係電性連接至該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體；一次級側第一端，該次級側第一端係電性連接至該第一二極體、該第三二極體及該輸出端電容；及一次級側第二端，該次級側第二端係電性連接至該第二二極體、該第四二極體及該輸出端電容，其中該變壓器包含： 一初級側繞組，該初級側繞組係電性連接至該諧振電感、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該激磁電感；及一次級側繞組，該次級側繞組係電性連接至該第一二極體、該第三二極體及該第四二極體。
  8. 如請求項7所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中當該LLC諧振轉換器在該半橋第一狀態工作時，一初級側電流係流經該初級側第一端、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體、該諧振電容、該諧振電感、該初級側繞組、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且一次級側電流係流經該次級側第二端、該第四二極體、該次級側繞組、該第一二極體及該次級側第一端；其中當該LLC諧振轉換器在該半橋第二狀態工作時，該初級側電流在該諧振電感、該諧振電容、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體之一寄生二極體及該初級側繞組之間流動，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第二二極體、該次級側繞組、該第三二極體及該次級側第一端。
  9. 如請求項8所述之改良型LLC諧振轉換裝置，其中當該LLC諧振轉換器在該全橋第一狀態工作時，該初級側電流係流經該初級側第一端、該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體、該諧振電容、該諧振電感、該初級側繞組、該第四金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第四二極體、該次級側繞組、該第一二極體及該次級側第一端；其中當該LLC諧振轉換器在該全橋第二狀態工作時，該初級側電流係流經該初級側第一端、該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體、該初級側繞組、 該諧振電感、該諧振電容、該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體及該初級側第二端，而且該次級側電流係流經該次級側第二端、該第二二極體、該次級側繞組、該第三二極體及該次級側第一端。
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