TWI813913B - 間隙配置構件及濺鍍靶 - Google Patents

間隙配置構件及濺鍍靶 Download PDF

Info

Publication number
TWI813913B
TWI813913B TW109136267A TW109136267A TWI813913B TW I813913 B TWI813913 B TW I813913B TW 109136267 A TW109136267 A TW 109136267A TW 109136267 A TW109136267 A TW 109136267A TW I813913 B TWI813913 B TW I813913B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
protective layer
surface layer
target
base material
Prior art date
Application number
TW109136267A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202118887A (zh
Inventor
矢野智泰
打田龍彦
寺村享祐
廣藤賢太郎
Original Assignee
日商三井金屬鑛業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三井金屬鑛業股份有限公司 filed Critical 日商三井金屬鑛業股份有限公司
Publication of TW202118887A publication Critical patent/TW202118887A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI813913B publication Critical patent/TWI813913B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明係關於由積層構造所構成之間隙配置構件，並且提供一種不易藉由加熱而產生層間剝離之新穎的間隙配置構件。
一種間隙配置構件，係在濺鍍靶之基材(僅稱為「基材」)的表面側上配置複數個靶構件時，沿著相鄰之靶間的間隙介於該靶構件與基材之間之間隙配置構件，其係形成為於厚度方向積層3層以上而成之多層構造，於靶構件側的層(亦稱為「表面層」)與基材側的層(亦稱為「內面層」)之間具備中間層，構成前述中間層之材料的線膨脹率係在構成前述表面層之材料的線膨脹率與構成前述內面層之材料的線膨脹率之間的範圍內。

Description

間隙配置構件及濺鍍靶
本發明係關於一種間隙配置構件，其係在濺鍍靶之基材(僅稱為「基材」)的表面側，於與相鄰之靶構件之間設置間隙來配置複數個靶構件之分割靶中，沿著相鄰之靶構件的間隙來配置，並且介於該靶構件與基材之間，而能夠於前述間隙中不會使該基材暴露於表面側者。
所謂濺鍍，為薄膜形成技術的一項手法。該例子之一可列舉出：將Ar等惰性氣體導入真空中，對靶構件施加負電壓以產生輝光放電，藉由輝光放電將惰性氣體電漿化及離子化而成為氣體離子，接著使該氣體離子高速地於靶的表面碰撞而使構成該靶之成膜材料的粒子彈出，然後使該粒子附著並沉積於形成薄膜之基材表面，而在基材表面形成緊密且強力的薄膜之方法。
根據此濺鍍法，即使是高熔點金屬或是合金、陶瓷等之真空蒸鍍法等中難以成膜之材料亦可成膜，並且能夠以高精度來形成具有大面積之薄膜。因此，濺鍍法經常地使用在例如資訊機器、AV機器、家電製品等各種電子零件的製造。藉由濺鍍法所形成之ITO、IZO、IGZO等薄膜，係被廣泛地使用作為以液晶顯示器、觸控面板、EL顯示器等為中心之顯示裝置的電極。
近年來伴隨著顯示面板的大型化，係逐漸要求形成具有大面積之薄膜，靶構件亦須達到大型化。惟難以藉由以大面積所構成之一片靶構件來形成濺鍍所使用之靶構件。因此，係採用一種將靶構件分割為複數個靶構件，並在基材上接合複數個靶構件而形成大面積的濺鍍靶之方法(例如參考專利文獻1)。
如此，考量到基材與靶構件之熱膨脹差，分割為複數個靶構件之靶(亦稱為「分割靶」)係以可於相鄰之靶構件間形成有間隙之方式配置在該基材上，該基材與各靶構件一般是藉由In系或Sn系金屬等導熱性良好的低熔點焊料來接合。
如此接合有複數個氧化物半導體靶構件之分割濺鍍靶中，由於如上述般於各靶構件彼此之間設置間隙來配置，所以於該間隙中基材暴露出時，於濺鍍時基材亦被濺鍍，而令人擔心有混入於所形成之氧化物半導體的薄膜中之問題。因此，係有人提出一種於相鄰之靶構件彼此的間隙中設置保護構件(相當於本發明之間隙配置構件)以使基材不會暴露出之方法(例如參考專利文獻2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2005-232580號公報
專利文獻2：國際公開第2012/063524號手冊
專利文獻2中揭示一種雙層構造者，作為以於相鄰之靶構件間的間隙中基材不會暴露出，且基材表面不會被濺鍍之方式進行保護之保護構件(相當於本發明之間隙配置構件)。亦即，係揭示一種雙層構造的保護構件，其係由：配置在基材側，且由以Cu等金屬或合金所構成之金屬箔所形成之第2保護構件；以及配置在其上側，亦即靶構件側，且由包含靶構件所含有之元素的一種以上之金屬或合金或陶瓷材料所形成之第1保護構件而組成者。
然而，如此雙層構造的保護構件(相當於本發明之間隙配置構件)於藉由濺鍍等來進行加熱時，由於構成第2保護構件與第1保護構件之材料的線膨脹率差，有時會產生層間剝離。
因此，本發明係關於由積層構造所構成之間隙配置構件，其係對專利文獻2所揭示之保護構件(相當於本發明之間隙配置構件)進行改良，而提供一種即使藉由濺鍍等之加熱亦不易產生層間剝離之新穎的間隙配置構件。
本發明提出一種間隙配置構件，係在濺鍍靶之基材(僅稱為「基材」)的表面側配置複數個靶構件時，沿著相鄰之靶構件間的間隙介於該靶構件與基材之間之間隙配置構件，
前述間隙配置構件係形成為於厚度方向積層3層以上而成之多層構造，於靶構件側的層(亦稱為「表面層」)與基材側的層(亦稱為「內面層」) 之間具備中間層，構成前述中間層之材料的線膨脹率係在構成前述表面層之材料的線膨脹率與構成前述內面層之材料的線膨脹率之間的範圍內。
本發明所提出之間隙配置構件係形成為積層3層以上而成之多層構造，並且以構成前述中間層之材料的線膨脹率係在構成前述表面層之材料的線膨脹率與構成前述內面層之材料的線膨脹率之間的範圍內之方式進行調整，所以各層間的線膨脹率差變小，即使藉由濺鍍等之加熱亦不易產生層間剝離。
1:間隙配置構件
1A:表面層
1B:中間層
1C:內面層
2:基材
3:靶構件
4:間隙
5:接合材料
圖1為顯示分割靶之一例的概略之頂部透視圖。
圖2為顯示配置本發明的一例之間隙配置構件而成之濺鍍靶之一例的一部分之縱向剖面圖。
圖3為顯示本發明的一例之間隙配置構件的概略之剖面圖。
接著，根據實施型態例來說明本發明。惟本發明並不限定於下列所說明之實施型態。
〈本間隙配置構件〉
本發明之實施型態的一例之間隙配置構件(稱為「本間隙配置構件」)1係如圖1、圖2所示，在具備有下列構成，亦即在基材的表面側，於與相鄰 之靶構件3,3之間設置間隙4來配置複數個靶構件3之構成的分割靶中，沿著相鄰之靶構件3,3間的間隙4介於該靶構件3與基材2之間，換言之，係沿著相鄰之靶構件3,3間的間隙4來配置，並且介於該靶構件3與基材2之間之間隙配置構件。
本間隙配置構件1由於可沿著相鄰之靶構件3,3間的間隙4來被覆基材2的表面，所以在濺鍍時可防止於該間隙4中基材2表面被濺鍍，可有效地防止該基材2的構成材料混入成膜的薄膜中。
本間隙配置構件1係如圖3所示，可具備於厚度方向積層3層以上而成之多層構造。亦即於靶構件側的層，亦即表面層1A與基材2側的層，亦即內面層1C之間，可設置一層或兩層以上的中間層1B。
(線膨脹率)
構成中間層1B之材料的線膨脹率較佳者係在構成表面層1A之材料的線膨脹率與構成內面層1C之材料的線膨脹率之間的範圍內。此時所謂範圍內，亦包括構成中間層1B之材料的線膨脹率與構成表面層1A之材料的線膨脹率為相同之情形，或是構成中間層1B之材料的線膨脹率與構成內面層1C之材料的線膨脹率為相同之情形。
例如在本間隙配置構件1是從表面側依序積層第1保護層(表面層1A)、第2保護層(中間層1B)及第3保護層(內面層1C)而成之三層構造之情形下，構成各層之材料的線膨脹率較佳為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層，其中尤佳為第1保護層<第2保護層<第3保護層。
此外，在本間隙配置構件1是依序積層第1保護層(表面層1A)、第2保護層(中間層1B)、第3保護層(中間層1B)及第4保護層(內面層1C)而 成之四層構造之情形下，構成各層之材料的線膨脹率較佳為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層≦第4保護層，其中尤佳為第1保護層<第2保護層<第3保護層<第4保護層。
構成中間層1B與表面層1A之材料以及構成中間層1B與內面層1C之材料之線膨脹率的差，較佳為9.0×10-6/K以下，其中更佳為7.0×10-6/K以下，其中又更佳為5.0×10-6/K以下。
此外，從較佳地確保本間隙配置構件1與基材2的接合之觀點來看，構成本間隙配置構件1的內面層1C與基材2之材料之線膨脹率的差，較佳為9.0×10-6/K以下，其中更佳為7.0×10-6/K以下，其中又更佳為5.0×10-6/K以下，其中尤更佳為3.0×10-6/K以下，其中再更佳為1.0×10-6/K以下，特佳為相同。
(形狀)
本間隙配置構件1的平面圖形狀例如可列舉出矩形、帶狀、交叉帶狀、格子狀等。惟並不限定於此等平面圖形狀。
(層厚)
從抑制由熱膨脹率差所造成之翹曲或是於保護膜形成時相對於應力之翹曲等觀點來看，前述內面層1C的厚度與前述表面層1A的厚度相比，較佳為相同或更大。
此時內面層1C與表面層1A之厚度差，較佳為0mm以上1.0mm以下，其中更佳為0.8mm以下，其中又更佳為0.5mm以下。
從抑制由熱膨脹率差所造成之翹曲或是於保護膜形成時相對於應力之翹曲等觀點來看，前述內面層1C的厚度與前述中間層1B的厚度相比，較佳為相同或更大。
此時內面層1C與中間層1B之厚度差，較佳為0mm以上1.0mm以下，其中更佳為0.8mm以下，其中又更佳為0.5mm以下。
從得到緩和表面層1A與內面層1C的熱膨脹差之效果之觀點來看，前述中間層1B的厚度與前述表面層1A的厚度相比，較佳為相同或更大。
此時中間層1B與表面層1A之厚度差，較佳為0mm以上0.5mm以下，其中更佳為0.3mm以下，其中又更佳為0.1mm以下。
因此，例如在本間隙配置構件1是依序積層第1保護層(表面層1A)、第2保護層(中間層1B)及第3保護層(內面層1C)而成之三層構造之情形下，各層的厚度較佳係至少為第1保護層≦第3保護層，其中更佳為第1保護層<第3保護層。此外，較佳為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層，其中更佳為第1保護層<第2保護層<第3保護層。
此外，在本間隙配置構件1是依序積層第1保護層(表面層1A)、第2保護層(中間層1B)、第3保護層(中間層1B)及第4保護層(內面層1C)而成之四層構造之情形下，各層的厚度較佳係至少為第1保護層≦第4保護層，其中更佳為第1保護層<第4保護層。此外，較佳為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層≦第4保護層，其中更佳為第1保護層<第2保護層<第3保護層<第4保護層。
此外，至少於靶構件3被濺鍍之間，本間隙配置構件1的表面層1A必須承受氣體離子的碰撞，所以前述表面層1A的厚度較佳為靶構件3的厚度之0.2%以上，其中更佳為0.5%以上，其中又更佳為1.0%以上。另一方面，從黏合層厚度或冷卻效率之觀點來看，較佳為靶構件3的厚度之20%以下，其中更佳為10%以下，其中又更佳為5%以下。
各層的厚度本身較佳是從靶構件3的大小等來適當地設定。
作為其標準，表面層1A的厚度例如可列舉出0.05mm以上0.5mm以下，其中為0.1mm以上或0.3mm以下，其中為0.2mm以下。
內面層1C的厚度例如可列舉出0.2mm以上1.0mm以下，其中為0.8mm以下，其中為0.5mm以下。
中間層1B的厚度例如可列舉出0.05mm以上0.5mm以下，其中為0.1mm以上或0.3mm以下，其中為0.2mm以下。
此外，本間隙配置構件1全體之厚度的標準可列舉出0.3mm以上2mm以下，其中為0.4mm以上或1.5mm以下，其中為1.0mm以下。
(材料)
本間隙配置構件1的表面層1A較佳是由即使混入於成膜的薄膜時亦不會帶來不良影響之材料，或是可抑制濺鍍現象之材料所構成。
即使混入成膜的薄膜時亦不會帶來不良影響之材料，例如可使用構成靶構件3的組成之元素的全部或一部分、或是含有此等元素之合金或氧化物等。
另一方面，可抑制濺鍍現象之材料例如可使用體積電阻較靶構件3大之物質，亦即高電阻物質作為間隙配置構件的材料。在將如此高電阻物質 用作為間隙配置構件的材料之情形下，高電阻物質的體積電阻率(Ω‧cm)較佳係具有靶構件3的體積電阻率之10倍以上的值。
更具體而言，前述表面層1A較佳是由構成靶構件3之金屬材料、或陶瓷材料、或高分子材料、或此等之2種以上的複合材料所形成。
此時，陶瓷材料較佳係與靶構件3為相同組成，或是由一部分組成與靶構件3為相同之材料所構成之陶瓷材料，或者是ZrO2、Al2O3等之電阻高的陶瓷材料。若為電阻高的陶瓷材料，則於濺鍍時可抑制電漿往分割部分之進入而有效地防止Zr或Al的濺鍍。
構成本間隙配置構件1的內面層1C之材料較佳為與基材2之線膨脹率差較小，且不會與接合材料(例如In焊料)反應之材料。
從該觀點來看，前述內面層1C較佳是由金屬材料、或陶瓷材料、或此等之複合材料所形成。
本間隙配置構件1的中間層1B可為能夠與表面層1A及內面層1C積層之材料，且係可將線膨脹率調整為上述範圍之材料。
因此，前述中間層1B較佳是由金屬材料、或陶瓷材料、或此等之複合材料所形成。
在此，例如於靶構件3為IGZO(In-Ga-Zn-O)時，構成前述靶構件3之金屬材料為In、Zn及Ga中任一種以上的金屬材料，於靶構件3為IZO(In-Zn-O)時，則為In或Zn的金屬材料。
前述陶瓷材料可列舉出由含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg中任一種以上之氧化物或氮化物所構成之材料。具體而言，例如可 列舉出：In2O3、ZnO、Al2O3、ZrO2、TiO2、IZO、IGZO等，或是ZrN、TiN、AlN、GaN、ZnN、InN等。
前述高分子材料例如可列舉出：酚樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、脲樹脂、氯乙烯樹脂、聚乙烯、聚丙烯等合成樹脂材料；或是聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等通用塑膠材料；聚乙酸乙烯酯、ABS樹脂、AS樹脂、丙烯酸樹脂等半通用塑膠材料等。再者，亦可使用：聚縮醛、聚碳酸酯、改質聚苯醚(PPE：Polyphenylene Ether)、聚對苯二甲酸丁二酯等工程塑膠，或是聚芳酯、聚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂等超級工程塑膠。尤其是聚醯亞胺樹脂等亦有帶狀的材料，耐熱性、絕緣性亦高，故較佳。
由於如此高分子材料為高電阻物質，所以於濺鍍時可抑制於靶構件3,3的間隙4中之濺鍍現象，而防止對成膜的薄膜帶來不良影響。
例如在本間隙配置構件1是依序積層第1保護層(表面層1A)、第2保護層(中間層1B)及第3保護層(內面層1C)而成之三層構造之情形下，較佳係表面層1A由包含靶構件3所含有之元素的一種以上之單金屬或合金或陶瓷材料所形成，中間層1B由金屬材料或陶瓷材料所形成，內面層1C亦由金屬材料或陶瓷材料所形成，並且以構成各層之材料的線膨脹率成為上述範圍之方式進行調整。
(本間隙配置構件的製造方法)
本間隙配置構件1之製造方法的一例可列舉如下：首先形成或是準備由形成內面層1C之材料，亦即由金屬材料、或陶瓷材料、或此等之複合材料所構成之膠帶、片、膜或是箔，然後使用形成中間層1B之材料，利用蒸 鍍法、鍍覆法、濺鍍法、電漿噴塗法、塗佈法等一般所知的膜形成方法將中間層1B形成於此內面層1C的表面，然後與該中間層1B相同來形成表面層1A。惟並不限定於此等製造方法。
〈靶構件〉
應用本間隙配置構件1之靶構件3較佳係於相鄰之靶構件3,3間設置間隙4而配置。
此時該間隙4通常約為0.2mm至0.5mm。
靶構件3較佳係呈現具有方形面之板狀或圓筒狀。惟並不限定於此等形狀。
靶構件3的材料並無特別限定。例如可列舉出：由含有Cu、Al、In、Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Ga、W中任一種以上之氧化物所構成之氧化物半導體用靶。或是透明電極用靶(ITO等)或Al等金屬靶。
前述氧化物半導體用靶例如可列舉出：In-Ti-O、In-Ga-Zn-O、Ga-Zn-O、In-Zn-O、In-W-O、In-Zn-W-O、Zn-O、Sn-Ba-O、Sn-Zn-O、Sn-Ti-O、Sn-Ca-O、Sn-Mg-O、Zn-Mg-O、Zn-Ge-O、Zn-Ca-O、Zn-Sn-Ge-O、Cu2O、CuAlO2、CuGaO2、CuInO2等。
靶構件3的厚度並無特別限定，通常為3mm至20mm。
〈基材〉
基材2係呈板狀或圓筒狀，該材料可為Ti、SUS或Cu等單一金屬或此等之合金。惟並不限定於此等。
此外，基材2的厚度並無特別限定。
在靶構件3及基材2呈板狀之情形下，通常是在板狀基材2上，於前後左右方隔著間隔來配置複數個靶構件3，並藉由接合材料來接合靶構件3及基材2。
此外，在靶構件3及基材2呈圓筒狀之情形下，通常是在圓筒狀基材2的圓柱軸方向，隔著適當的間隔來配置複數個靶構件3，並藉由接合材料來接合靶構件3及基材2。
〈接合材料〉
基材2與靶構件3以及基材2與本間隙配置構件1可藉由接合材料5來相互地接合。
接合材料5只要是可使用在此類靶構件3與基材2之接合者即可，並無特別限定。例如可列舉出：In金屬、In-Sn金屬、或是於In添加有微量金屬成分之In合金金屬等焊料金屬或焊料合金。
〈濺鍍靶的製造〉
首先於基材2的表面隔著既定的間隔來配置複數個本間隙配置構件1。
接著在本間隙配置構件1的表面側，於與相鄰之靶構件3,3之間設置間隙4來配置複數個靶構件3。此時，本間隙配置構件1係以沿著間隙4介於靶構件3與基材2之間之方式來配置。然後使用焊料來接合本間隙配置構件1、基材2及靶構件3。
惟並不限定於此方法。
〈語句的說明〉
於本說明書中表現為「X至Y」之情形下，在未特別言明時為「X以上Y以下」之涵義，並且亦包括「較佳係大於X」或「較佳係小於Y」之涵義。
此外，於表現為「X以上」(X為任意數字)或「Y以下」(Y為任意數字)之情形下，亦包括「較佳係大於X」或「較佳係未達Y」之涵義。
此外，於表現為「X≦」(X為任意數字)或「Y≧」(Y為任意數字)之情形下，亦包括「較佳為X<」或「較佳為Y>」之涵義。
[實施例]
以下係根據實施例來說明本發明。惟本發明並不限定於在此所說明之實施例。
〈實施例1〉
首先準備厚度0.3mm、縱×橫為200mm×20mm之從上方觀看時呈長方形狀的銅板(內面層)，藉由將ZrO2噴塗於此銅板的表面來形成中間層，然後噴塗Al2O3以形成表面層，而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成內面層之銅(Cu)的線膨脹率為17×10-6/K，構成中間層之ZrO2的線膨脹率為11×10-6/K，構成表面層之Al2O3的線膨脹率為7×10-6/K。
〈實施例2〉
於實施例1中，除了噴塗Y2O3來取代Al2O3以形成表面層之外，其他與實施例1相同而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成表面層之Y2O3的線膨脹率為7×10-6/K。
〈實施例3〉
於實施例1中，除了噴塗MgO來取代ZrO2以形成中間層，並且噴塗ZrO2來取代Al2O3以形成表面層之外，其他與實施例1相同而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成中間層之MgO的線膨脹率為13×10-6/K。
〈實施例4〉
於實施例2中，除了使用鎳(Ni)來取代構成內面層之銅(Cu)之外，其他與實施例2相同而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成內面層之Ni的線膨脹率為13×10-6/K。
〈實施例5〉
於實施例3中，除了使用鎳(Ni)來取代構成內面層之銅(Cu)之外，其他與實施例3相同而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成內面層之Ni的線膨脹率為13×10-6/K。
〈實施例6〉
首先準備厚度0.3mm、縱×橫為200mm×20mm之從上方觀看時呈長方形狀的鈦板(內面層)，藉由將Al2O3噴塗於此鈦板的表面來形成中間層，然後噴塗富鋁紅柱石(Mullite)以形成表面層，而製作由表面層(厚度100μm)/中間層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之3層構造的間隙配置構件(樣本)。
構成內面層之鈦(Ti)的線膨脹率為9×10-6/K，構成中間層之Al2O3的線膨脹率為7×10-6/K，構成表面層之富鋁紅柱石(3Al2O3‧2SiO2)的線膨脹率為5×10-6/K。
〈比較例1〉
於實施例1中，除了未形成中間層之外，其他與實施例1相同而製作由表面層(厚度100μm)/內面層(厚度0.3mm)所構成之2層構造的間隙配置構件(樣本)。
〈剝離評估試驗〉
依據JIS Z 0237：2009，使用電熱爐將實施例及比較例中所得到之間隙配置構件(樣本)加熱至物品溫度到達200℃後，冷卻至25℃並實施下述剝離試驗。
剝離試驗係將間隙配置構件(樣本)安裝於治具，並將黏著膠帶(Nichiban股份有限公司製Cellotape(註冊商標)CT-18)貼附於其表面，以90°的角度並以300mm/min的速度剝離該黏著膠帶，並藉由下列基準來評估剝離後的狀態。
A(very good)：剝離面積為0%。
B(good)：剝離面積未達10%。
C(poor)：剝離面積為10%以上。
[表1]
Figure 109136267-A0202-12-0016-1
從上述實施例及比較例以及至目前為止本發明者所進行之多數的試驗結果中，可得知藉由以使構成中間層之材料的線膨脹率成為構成表面層之材料的線膨脹率與構成內面層之材料的線膨脹率之間的範圍內之方式進行調整，可使各層間的線膨脹率差變小，防止藉由加熱而產生層間剝離之情形。
於專利文獻2(WO2012/063524)的段落[0039]至[0044]中，係確認到使保護構件(相當於本發明之間隙配置構件)介於靶構件(大小210mm×355mm、厚度6mm、線膨脹率5×10-6/K)與基材(厚度30mm、線膨脹率17×10-6/K)之間，於相鄰之靶構件間的間隙中可防止基材被濺鍍。由於本發明係對該專利文獻2(WO2012/063524)所揭示之保護構件進行改良，故以專利文獻2(WO2012/063524)的段落[0039]至[0044]所記載之試驗內容及試驗結果作為參考試驗而援引於本申請案說明書中。
1:間隙配置構件
1A:表面層
1B:中間層
1C:內面層

Claims (8)

  1. 一種間隙配置構件，係在濺鍍靶之基材的表面側配置複數個靶構件時，沿著相鄰之靶構件間的間隙介於該靶構件與基材之間之間隙配置構件，前述間隙配置構件係形成為於厚度方向積層3層以上而成之多層構造，於屬於靶構件側的層之表面層與屬於基材側的層之內面層之間具備中間層，構成前述中間層之材料的線膨脹率係在構成前述表面層之材料的線膨脹率與構成前述內面層之材料的線膨脹率之間的範圍內。
  2. 如請求項1所述之間隙配置構件，其中從靶構件朝向基材側依序積層屬於第1保護層之表面層、屬於第2保護層之中間層及屬於第3保護層之內面層而成，構成各層之材料的線膨脹率為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層。
  3. 如請求項1所述之間隙配置構件，其中從靶構件朝向基材側依序積層屬於第1保護層之表面層、屬於第2保護層之中間層及屬於第3保護層之內面層而成，構成各層之材料的線膨脹率為第1保護層<第2保護層<第3保護層。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之間隙配置構件，其中前述內面層的厚度與前述表面層的厚度相比為相同或更大。
  5. 如請求項1至3中任一項所述之間隙配置構件，其中從靶構件朝向基材側依序積層屬於第1保護層之表面層、屬於第2保護層之中間層及屬於第3保護層之內面層而成，各層的厚度為第1保護層≦第2保護層≦第3保護層。
  6. 如請求項1至3中任一項所述之間隙配置構件，其中前述表面層的厚度為靶構件的厚度之0.2至20%。
  7. 如請求項1至3中任一項所述之間隙配置構件，其中前述表面層是由構成靶構件之金屬材料、或陶瓷材料、或高分子材料、或此等之2種以上的複合材料所構成；前述內面層是由金屬材料、或陶瓷材料、或此等之複合材料所構成；前述中間層是由金屬材料、或陶瓷材料、或高分子材料、或此等之2種以上的複合材料所構成。
  8. 一種濺鍍靶，其係具備：基材、配置在該基材的表面側之複數個靶構件、以及如請求項1至7中任一項所述之間隙配置構件。
TW109136267A 2019-11-01 2020-10-20 間隙配置構件及濺鍍靶 TWI813913B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019200199 2019-11-01
JP2019-200199 2019-11-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202118887A TW202118887A (zh) 2021-05-16
TWI813913B true TWI813913B (zh) 2023-09-01

Family

ID=75715044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109136267A TWI813913B (zh) 2019-11-01 2020-10-20 間隙配置構件及濺鍍靶

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TWI813913B (zh)
WO (1) WO2021084838A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118159686A (zh) 2022-01-31 2024-06-07 三井金属矿业株式会社 溅射靶

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060272941A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Simpson Wayne R Large area elastomer bonded sputtering target and method for manufacturing
JP2015004116A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 株式会社アルバック ターゲットアセンブリ及びその製造方法
TWI561657B (zh) * 2012-07-20 2016-12-11 Kobelco Res Inst Inc
JP2019104964A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 デクセリアルズ株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットを製造する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060272941A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Simpson Wayne R Large area elastomer bonded sputtering target and method for manufacturing
TWI561657B (zh) * 2012-07-20 2016-12-11 Kobelco Res Inst Inc
JP2015004116A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 株式会社アルバック ターゲットアセンブリ及びその製造方法
JP2019104964A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 デクセリアルズ株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットを製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202118887A (zh) 2021-05-16
WO2021084838A1 (ja) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI403605B (zh) 分割濺鍍靶及其製造方法
KR100885664B1 (ko) 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 후막제조방법
WO2016204208A1 (ja) モジュールおよびその製造方法
JP5799154B2 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI813913B (zh) 間隙配置構件及濺鍍靶
CN108715992A (zh) 一种集成电路陶瓷电路板表面铜-石墨烯复合涂层及其制备方法
KR20120087992A (ko) 분할 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
KR100867756B1 (ko) 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 세라믹인쇄회로기판의 원판 제조 방법
JP6836023B1 (ja) 隙間配置部材
JP5142849B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP6110224B2 (ja) ターゲットアセンブリ及びその製造方法
TWI783190B (zh) 層積體
JP7426418B2 (ja) スパッタリングターゲット
KR101350648B1 (ko) 전자부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타겟재
JP2016153214A (ja) 導電性フィルム及びそれを用いた電磁波シールドシート
JP7419379B2 (ja) 分割スパッタリングターゲット
JP6202392B2 (ja) 透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜の製造装置
JP6442603B2 (ja) スパッタリングターゲット、ターゲット製造方法
JP2009230935A (ja) 多層膜の形成方法及び多層膜並びに半導体デバイス又は液晶デバイス
CN111954726A (zh) 透明氧化物层叠膜、透明氧化物层叠膜的制造方法、溅射靶和透明树脂基板
KR20180045499A (ko) NiTe계 박막 제조방법 및 그로 인해 제조된 전도성 기판.
TH66590A (th) ซับสเทรทที่เคลือบผิวด้วยฟิล์มแบบมีหลายชั้นและกระบวนการสำหรับการผลิตซับสเทรทดังกล่าว
PL396935A1 (pl) Target do wytwarzania przezroczystych warstw pólprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu