TWI808460B - 半導體處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於在半導體處理裝置中，於不設置大型之排氣裝置下，抑制來自外部之電磁雜訊及噪音之侵入，且抑制控制機器發出之熱對於半導體造成之影響。  本發明之半導體處理裝置具備覆蓋本體裝置與控制裝置之本體罩，前述本體罩具有用於交接半導體之交接開口，前述本體罩進而具有於前述本體罩內部產生水平方向之氣流之吸氣口。

Description

半導體處理裝置

本發明係關於一種對半導體進行檢查、加工等之半導體處理裝置。

伴隨著近年之半導體元件之細微化，不僅於半導體製造裝置中，而且於進行半導體之檢查及評估之裝置中，亦謀求高精度地對半導體之位置等予以處理之技術。例如，作為測定形成於半導體晶圓上之電路之形狀尺寸並進行檢查之裝置，存在使用電子顯微鏡進行攝像，並讀取電路之尺寸之測長SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)等。

於當前之半導體電路中以數奈米之線寬形成電路，且電路以與其同等級之間隔排列。於以電子顯微鏡拍攝其並進行檢查之情形下，於非常小之視野進行攝像。因此，於將半導體晶圓定位之載台裝置產生略微的溫度變化之情形下，因裝置之熱變形，靜止之半導體晶圓之位置亦移動。該情形下，亦有無法知悉進行哪一部位攝像之情形。由於在測長SEM中，使用電子顯微鏡，故必須將作為試料之半導體晶圓置放於真空腔室，將該腔室稱為試料室。因在該試料室之內部存在載台裝置，將半導體晶圓定位，而必須極力將試料室本身之溫度保持為一定。

同樣，於半導體製造裝置中亦然，於進行半導體晶圓之定位之裝置等引起略微的溫度變化之情形下，製造之半導體電路之位置亦偏移。因此，進行晶圓之定位等之裝置重要的是極力抑制溫度變化，高精度地使溫度穩定化。

另一方面，於組入如電子顯微鏡之利用電子射線之裝置之情形下，若電磁波之雜訊自外部侵入，則於電子射線之軌道產生略微的變化，成為精度惡化之要因。因此，於半導體處理裝置中，以金屬之罩覆蓋裝置整體來抑制電磁雜訊之侵入，對於精度提高，成為有效。又，於追求奈米等級之精密度之裝置中，亦產生因音波之侵入，聲音使裝置振動，該動作成為雜訊之問題。因此，以罩覆蓋裝置本體，亦具有防止因周圍之其他裝置發出之噪音所致之音波之侵入之作用。惟，半導體處理裝置為了驅動其主裝置，而利用各種控制機器，主裝置與控制機器作為一組而成為1個裝置。因此，於本體罩中，除了主裝置以外，亦包含多數個控制機器。於此處言及之控制機器中，亦包含例如用於控制機器之電源裝置。

於控制機器中，利用電性，並產生伴隨著能量損失之發熱。各個發熱若於該零件之周圍存在空氣之流動，則經由空氣被散熱，但從裝置整體來看，個別零件之發熱帶來罩內之空氣溫度上升。如此之空氣溫度之上升導致與半導體晶圓接觸之裝置之熱變形，帶來精度惡化。一般而言，半導體處理裝置於潔淨室內使用。潔淨室內通常將空氣溫度保持為一定，且去除空氣中之灰塵。然而，於由本體罩覆蓋之裝置中，存在產生如上述之空氣之溫度變化之要因。

專利文獻1記載有與上文相關之技術。於同文獻中，曾描述下述手段，即：在相當於潔淨室之後院之機械室置放鼓風機，藉由經由管道自半導體處理裝置吸引空氣，半導體處理裝置吸入潔淨室之經調溫之空氣，而防止裝置內部之空氣溫度上升。

專利文獻2曾記載將在半導體處理裝置中使用之控制機器有效地冷卻之技術。於該技術中，構成將構成控制機器之殼體單元積層複數個並予以收納之機架，於該機架與排氣管道之間設置導風室，以導風室內之調整板調整朝排氣管道吸引之空氣流量，將複數個殼體單元均等地冷卻。  [先前技術文獻]  [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平7-335707號公報  [專利文獻2]日本特開2005-268546號公報

[發明所欲解決之問題]

作為用於將半導體處理裝置之內部空氣溫度保持為之手段，有在與供置放裝置之潔淨室不同之房間設置鼓風機，將該鼓風機與半導體處理裝置之間以管道連接，藉由鼓風機，噴出半導體處理裝置之排熱之方法。該情形下，每當設置半導體處理裝置時，必須要有排氣管道之施工，用於設置裝置之負載較大。

另一方面，亦有半導體處理裝置具備排氣風扇，將裝置之排熱朝潔淨室內噴出之方法。該情形下，無需排氣管道之施工，但另一方面，若半導體處理裝置抱持如鼓風機之大型之風扇，則裝置本身承受鼓風機之振動及噪音，成為精密之動作之妨礙。為了抑制風扇之振動及噪音，而可使用較鼓風機為低輸出之風扇，越低輸出化，振動、噪音越降低，但另一方面，排氣流量亦越降低。

為此，必須要有用於即便為較少之排氣流量，亦將半導體處理裝置之內部空氣溫度保持為一定之技術。尤其是，於如測長SEM之裝置中，在本體罩中具備各種控制機器，於該機器發熱，且熱容易滯留於本體罩中之狀況下，尤其須要將如試料室之對半導體晶圓予以處理之部位為一定溫度。

本發明係鑒於如上述之問題而完成者，目的在於在半導體處理裝置中，於不設置大型之排氣裝置下，抑制來自外部之電磁雜訊及噪音之侵入，且抑制控制機器發出之熱對半導體造成之影響。  [解決問題之技術手段]

本發明之半導體處理裝置具備覆蓋本體裝置與控制裝置之本體罩，前述本體罩具有用於交接半導體之交接開口，前述本體罩更具有於前述本體罩內部產生水平方向之氣流之吸氣口。  [發明之效果]

藉由使用上述構成，而半導體處理裝置防止來自外部之電磁雜訊及音波之侵入，且防止具有相互矛盾關係之控制機器之發熱滯留於罩內之現象，並且，為了防止該熱之滯留，而於不使用振動、噪音成為問題之大型之風扇下，以低輸出之風扇，有效率地排熱。藉此，抑制對半導體予以處理之本體裝置周圍之空氣溫度上升至潔淨室之溫度以上，防止本體裝置之熱變形與振動影響，實現半導體處理裝置之精密之作動。

圖1係顯示本發明之實施形態之半導體處理裝置1之整體構成之圖。半導體處理裝置1被分成由本體罩2覆蓋之區域、及半導體交接裝置3。本體罩2收容本體裝置。本體裝置係對半導體進行檢查、加工等之裝置。於本實施形態中，作為本體裝置，以測長SEM為例進行了說明，於其他半導體製造裝置等中亦可使用本發明。

半導體之各種處理步驟係由設置於潔淨室內之各種裝置實施，但於在該裝置間移動時，將半導體晶圓裝入傳送盒而搬送。傳送盒藉由設為完全密閉，而防止微小之異物附著於晶圓表面。然而，於自該傳送盒取出半導體晶圓並交接至處理裝置時，因曝露於潔淨室之空氣，而有可能附著微小之異物。因此，半導體交接裝置3具備風扇過濾單元(FFU)13，藉由以風扇吸入潔淨室之空氣，經由過濾器將空氣清潔化，並將該清潔之空氣均一地朝向下方流動，而局部地製作清潔之環境。於半導體交接裝置3中，自打開傳送盒時，半導體晶圓與清潔之空氣接觸，並以機械手取出晶圓，朝本體裝置交接晶圓。

測長SEM藉由使用掃描型電子顯微鏡拍攝半導體晶圓，根據該圖像測定形成於晶圓之電路之線寬等，而檢查電路。於圖1中，藉由電子顯微鏡18，實施其。於使用電子顯微鏡18時，由於必須使空氣不妨礙電子射線之軌道，故將作為攝像對象之試料置放於高真空之環境。出於該目的，存在與電子顯微鏡18成為一體之試料室7，將內部保持為高真空。藉由在試料室7中設置載台裝置，該載台搭載半導體晶圓並移動至任意之部位，而可任意地選擇電子顯微鏡18拍攝之部位。近年之半導體電路以奈米等級構成最小線寬，於檢查其時，必須以與檢查對象相應之倍率進行攝像，越提高倍率，攝像範圍越變窄。另一方面，於在將半導體晶圓定位之載台裝置中產生溫度變化之情形下，即便將載台裝置固定，因載台之熱變形，亦將晶圓之位置移動。此時，若測長SEM進行非常窄之範圍之攝像，則可能引起無法知悉進行該攝像之部位為晶圓上之何處之情形。因此，必須密切關注載台裝置，以不引起溫度變化，因此，必須使收置載台裝置之試料室7不引起溫度變化，因此，必須盡量減小包圍試料室7之空氣之溫度變化。

試料室7之內部必須保持為高真空，但由於朝此處投入之半導體晶圓於大氣壓之環境下運送，故為了使其介置，而存在試料室用半導體取放裝置19。試料室用半導體取放裝置19於大氣壓之開放狀態下，自半導體交接裝置3承接晶圓，於將出入口關閉之後實施抽真空，於接近試料室7之真空度之後，將位於其間之擋門打開，將晶圓自取放裝置19轉移至位於試料室7中之載台裝置。

為了避免在將半導體晶圓自傳送盒取出、直至收置於試料室用半導體取放裝置19中為止之期間中，附著微小之異物，而於該期間必須讓晶圓被清潔之空氣包圍。於是，半導體交接裝置3之FFU 13供給之清潔之空氣，除了於半導體交接裝置3中形成下降氣流以外，亦使空氣經由半導體交接部4朝向本體罩2中流動。為了製作如此之流動，於半導體交接部4中，必須使半導體交接裝置3之側之壓力，高於本體罩2之內部之壓力。作為用於實現其之手段，以自FFU 13供給之空氣於在半導體交接裝置3之下部朝外流出之部位，於流動上產生阻力之方式構成。具體而言，例如將半導體交接裝置3之排氣口之流路面積縮窄。如此做，讓處理半導體交接裝置3之內部之晶圓之空間，相對於外部設為正壓。

於本體罩2中，除了本體裝置(電子顯微鏡18、試料室7、取放裝置19)以外，亦配置用於驅動其之各種控制機器。一部分之控制機器8配置於試料室7之下側空間，且，另一部分之控制機器10配置於試料室7之背面側之空間。該等控制機器與消耗之電力相應地產生發熱，為釋放該熱，最好各控制機器空開間隔地配置。然而，若如上述般設計，則半導體處理裝置會大型化，於潔淨室內佔有之佔地面積會增加。潔淨室必須不斷供給清潔、且溫濕度受到管理之空氣，會耗費龐大之運轉成本。因此，意指若於潔淨室內佔有之佔地面積增加，則會耗費相應之龐大之運轉成本。因而，半導體處理裝置1謀求盡量小型化，但由於越高密度地安裝機器，熱越容易滯留，其造成之溫度上升會成為精密動作之妨礙，故存在相互矛盾之問題。

於已進行高密度安裝之裝置中，為了進行充分之散熱，有效的是藉由強力之風扇來進行換氣。然而，於半導體處理裝置中，風扇之噪音亦會成為問題。亦即，風扇噪音因其發出之音波而對裝置表面賦予壓力變動，因該變動壓力，而裝置搖動並引起振動，振動之影響會顯現於奈米等級之精密動作。因而，於以風扇對本體罩2中進行換氣時，亦必須以更低輸出之風扇來獲得充分必要之效果。為了解決該等問題，就施加於本體罩2之構造，利用圖2A詳細地說明。

圖2A係僅舉出本體罩2，將其內部開放而表示之圖。作為用於有效率之換氣之構成，於本體罩2之背面側上部設置排氣風扇11，經由排氣管道12朝向下方排氣。由於因控制機器之發熱而加溫之空氣藉由自然對流而向上方流動，故將排氣風扇11設置於上部有助於排出較熱之空氣。若排氣風扇11排出溫度幾乎未上升之空氣，會導致溫度上升後之空氣滯留於其他部位，溫度上升抑制效果降低。因此，於本體罩2中在背面側上部設置排氣風扇11，有助於風扇吸入溫度上升最多之空氣並排氣，成為風扇之有效的使用方法。

本體罩2內之上部區域，係例如於高度方向上較中心靠上側之區域，下部區域係例如於高度方向上較中心靠下側之區域。惟，嚴密而言，並不限定於此，只要配置於上部之機器與配置於下部之機器之間之相對的位置關係成為上下關係，即可發揮同樣之效果。於以下之說明中亦同樣。

作為排氣風扇11，可將螺旋槳型之軸流風扇橫向排列複數個來使用。軸流風扇與其他形式之風扇相比，適合以低壓送出大流量。軸流風扇為了使更多之空氣流動，而必須增加葉片之轉速，或增大葉片之直徑。然而，若增加葉片之轉速，則風氣流噪音增大，噪音變大。且，若增大葉片之直徑，則風扇大型化，裝置整體之尺寸增加。為此，為了在不增加裝置尺寸下，以低噪音之風扇增加流量，而適合將軸流風扇於橫向排列，增加風扇之數量來確保流量。

於排氣管道12之內部，設置具有金屬之蜂巢構造之板24，供空氣通過，且抑制電磁波之侵入。蜂巢構造可形成多數個剖面形狀為六角形之流路，且若將蜂巢之壁製作地較薄，則可抑制流路面積之減小，可減小對於使空氣流動之障礙。另一方面，由於在電磁波通過小口徑之管路時，可期待與管路長/管路徑成比例之衰減，故藉由設置蜂巢構造之板，而可抑制空氣之流動之壓力損失，增大侵入之電磁波之衰減。

作為用於有效率之換氣之如下之構成，於本體罩2之內部設置分隔板9。於在較本體裝置靠背面側設置有控制機器之情形下，因其等之排熱而溫度上升之空氣以自然對流往向上方。然而，於個別之機器中，亦存在本身具有風扇者，難以形成均勻之氣流，因在各個方向流動之力發揮作用，而容易引起加溫之空氣之擴散。為此，藉由特別將空氣加溫之上側之空間分隔成控制機器用之空間、與本體裝置用之空間，而可防止加溫之空氣朝本體裝置之周圍擴散。另一方面，為了抑制空氣溫度上升本身，而有效的是以較小之驅動力形成更多之空氣之流動，故而分隔板9僅設置於上側空間，下側空間容易供空氣流動。

作為用於有效率之換氣之如下之構成，於本體罩2之正面，設置上部吸氣口5及下部吸氣口6。於對本體罩2內之空氣進行換氣時，作為空氣之供給源，第一利用自半導體交接裝置3經由半導體交接部4流入之空氣。並且，若於本體罩2設置開口，吸入外部之空氣，而可實現更多之換氣流量。惟，若於本體罩2設置開口，則電磁雜訊及噪音容易自此處侵入。作為其對策，開口部設為設置有多數個小口徑之孔之構造。藉此，電磁雜訊之通過略減弱。並且，藉由在相當於半導體交接裝置3之後側之部位設置吸氣口5、6、22、23，而抑制電磁雜訊及噪音之侵入。亦即，自正面到來之電磁雜訊及噪音由半導體交接裝置3反射，避免直接之侵入。對於自側面到來之電磁雜訊及噪音亦然，由於開口面不朝向側面，故可避免直接之侵入。並且，自吸氣口5、6流入之空氣於進入本體罩2之後，可於水平方向流動。

例如，根據本發明者之研究，可明確在無吸氣口5之情形下，自半導體交接部4流入之空氣雖然於圖1之圖式上朝右流入，但由於在試料室7之上存在較大之空間，故於該空間產生逆時針之流動。若存在如此大之渦流，則使因控制機器之排熱而加溫之空氣大幅度擴散，本體裝置周圍之空氣溫度亦於某種程度上上升。另一方面，若存在吸氣口5，則於上述之逆時針之渦流之上側賦予朝右之流動，可將逆時針之渦流抵消。若該渦流不復存在，則空氣之流動水平化，避免本體裝置周圍之空氣溫度上升。尤其是，由於包圍試料室7之空氣之溫度對精密動作而言較重要，故藉由如此之空氣之流動，有助於在裝置內部之半導體處理之高精度化。自下部吸氣口6流入之空氣有助於配置於試料室7之下側之控制機器8之冷卻，且防止因控制機器8之排熱而溫度上升之空氣到達試料室7之底面，有助於試料室7之周圍溫度穩定化。

如圖2A所示般，於本體罩2之正面之左右2邊進一步設置吸氣口22、23亦為有效，且該等吸氣口22、23設置有多數個小口徑之孔。亦即，雖然為左右之吸氣口，但共通的是皆為半導體交接裝置3之背側，故與吸氣口5、6同樣地，具有抑制電磁雜訊及噪音之侵入，且容易吸入用於換氣之空氣之效果。又，藉由將設置於本體罩2之正面之吸氣口設置於較中央部更靠緣部，而減小對於空氣之流入之壓力損失，有助於以更低輸出之排氣風扇實現更大之換氣流量。

再次參照圖1。於殼體14中將具備發熱體15之控制機器積層並高密度地安裝，並於各殼體設置排氣風扇16，將該經積層之排氣風扇以排氣管道17連結，而相對於本體罩2之外部朝向下方排氣。藉由採用如此之構成，而可藉由排氣風扇16，將發熱體15冷卻，同時，可利用排氣風扇16之排出流動，自本體罩2朝外部排氣，可增加本體罩內之換氣流量。又，利用自本體罩正面之下部吸氣口6流入之空氣之流動，連續實施控制機器8之冷卻、及發熱體15之冷卻，同時，有助於將本體罩2中之空氣流動保持為水平。亦即，將流動保持為水平會導致防止較大之渦流之產生，可以溫度始終不上升之空氣包圍試料室7。

圖2B係顯示排氣管道12與17之位置關係之示意圖。排氣管道12與17配置於本體罩2之背面部，於水平方向上相對於彼此偏移地配置。亦即，控制機器10配置於本體罩2內部之上部空間之左右任一側，殼體14配置於本體罩2內部之下部空間之左右方向之另一側。排氣管道12與17亦依照該配置關係配置。藉此，由於無須將排氣管道12與17構成為一系列之同一排氣管道，故藉由將各排氣管道形成得較短，而可抑制送風阻力，使排氣風扇小型化。進而，藉由將排氣管道12與17於水平方向挪移，而可寬廣地確保排氣口，以不會由排氣管道17覆蓋排氣管道12之排氣口。排氣管道12之排氣口與排氣管道17可於水平方向重疊一部分，但由於若完全重疊，則排氣口變窄，故並不理想。

針對將具備排氣風扇之殼體積層並高密度安裝之構造之具體例，利用圖3、4、5進行說明。於本實施形態中，以在殼體內，內置複數個開關電源之電源單元為例進行說明。

圖3係殼體14之外形圖。為便於記載，針對被分成複數個部分之構成要素，藉由字母之尾標，來區別各構成要素。於殼體14a安裝排氣風扇16a，於殼體14b安裝排氣風扇16b，於殼體14c安裝排氣風扇16c，於殼體14d安裝排氣風扇16d，於殼體14e安裝排氣風扇16e。將該等5個排氣風扇以排氣管道17連接，朝向下方朝外部排氣。

圖4係將殼體14內部之構造開放而顯示之圖。此處，例示開關電源15，作為發熱體15之例。於殼體14a中收納有相當於發熱體之開關電源15a。排氣管道17成為僅與排氣風扇16連接之部位與出口開口，其餘部位關閉之構造。進而，於排氣管道17之出口，設置有用於減少電磁雜訊之侵入之蜂巢。於本實施形態之排氣管道中，由於排出5個風扇之合計流量，故容易產生伴隨著高流速化之壓力損失。若壓力損失變大，則為了克服其，而必須要有高輸出之風扇，噪音之產生增加。因而，對於半導體處理裝置而言，較佳為以下述方式設計：設置盡量大之流路剖面積與出口開口，減小壓力損失，而散熱能力以低輸出之風扇成立。另一方面，若增大排氣管道17之出口開口面積，則來自外部之電磁雜訊會變得容易侵入。因此，以金屬製作具有蜂巢狀之剖面構造之板，且設置於排氣管道17之出口開口部。藉由將該蜂巢構造之板較水平傾斜地設置，而與水平設置之情形相比，可確保較大之流路面積。

亦可將排氣管道12之板24傾斜地配置。但該情形下，來自排氣管道12之排氣自正下方朝向略橫向地排出。由於如此，排氣吹抵至與半導體處理裝置1鄰接之其他裝置之可能性增加，故並不理想。於如此之情形，板24不傾斜較為理想。另一方面，由於排氣管道17配置於下側區域，故認為即便排氣朝向橫向排出，對於其他裝置造成之影響亦較小。

圖5係顯示本實施形態之電源單元之構成之圖。於本構成中，在殼體14中，排列配置4個開關電源。該開關電源擔負其他控制機器之直流電源。伴隨半導體處理裝置1使用大量的控制機器，因而亦必須要有大量的電源。亦可將電源裝置另外放置，但該情形下，必須要有用於供給電源之大量纜線。與使用變壓器之電源比較，若使用開關電源，便可實現小型化與低發熱化。因此，藉由將多數個開關電源安裝於殼體內，且將如此之殼體積層而配置，而將所有控制機器之電源設置於半導體處理裝置1之本體罩2內時，可削減另外放置電源之情形下所需之大量纜線。另一方面，電源裝置由於使用之電力大，故發熱容易變大，即便開關電源化，亦會產生相應之發熱。於是，若將複數個開關電源配置於殼體內，以較大口徑之風扇供給冷卻用空氣，則可高效率地將開關電源冷卻。

作為此時之冷卻構造，設置噴出殼體14中之空氣之形式之排氣風扇16，於其相反之面設置吸氣口21。於本實施形態中，為了儘可能地減少通過吸氣口21之電磁雜訊，而設置多個較細之長孔作為吸氣口。此外，亦可設置多個小口徑之圓孔，形成吸氣口。

開關電源15將長方體之外形形狀之最長之邊，與自吸氣口向排氣風扇之方向平行地設置，將次長之邊設置於上下方向。並且，將開關電源15排列於最短之邊之方向。藉由排氣風扇16之動作，殼體14之內部成為負壓，藉此自吸氣口21吸入空氣。此時，由於空氣垂直地流入吸氣口21之開口面，故可以氣流吹抵至各開關電源之方式來設置吸氣口。藉此，可以所需最小限度之輸出之風扇將多數個開關冷卻，並且，亦同時實施本體罩內之換氣。

藉由將開關電源15如以上般配置，而可於殼體14內高密度地配置複數個開關電源15，且藉由寬廣地確保氣流與開關電源15接觸之面積，來有效率地進行冷卻。

＜關於本發明之變化例＞  於以上之實施形態中，舉出測長SEM，來作為對半導體進行檢查或加工之半導體處理裝置1之本體裝置之例，但本發明亦適用於其他半導體處理裝置。於如例如曝光裝置等之半導體處理裝置中，可與本發明同樣地藉由本體罩2覆蓋本體裝置，且使本體罩2內之排氣效率化，緩和對於半導體造成之影響。

1:半導體處理裝置 2:本體罩 3:半導體交接裝置 4:半導體交接部 5:上部吸氣口/吸氣口 6:下部吸氣口/吸氣口 7:試料室 8:控制機器(下側) 9:分隔板 10:控制機器(背面側) 11, 16, 16a~16e:排氣風扇 12, 17:排氣管道 13:風扇過濾單元(FFU) 14:控制機器殼體 14a~14e:殼體 15:發熱體 15a:開關電源 18:電子顯微鏡 19:試料室用半導體取放裝置/取放裝置 20:電背面下部排氣管道用蜂巢 21, 22, 23:吸氣口 24:板

圖1係顯示半導體處理裝置1之整體構成之圖。  圖2A係僅舉起本體罩2，將其內部開放而顯示之圖。  圖2B係顯示排氣管道12與17之位置關係之示意圖。  圖3係殼體14之外形圖。  圖4係將殼體14內部之構造開放而顯示之圖。  圖5係顯示電源單元之構成之圖。

1:半導體處理裝置

2:本體罩

3:半導體交接裝置

4:半導體交接部

5:上部吸氣口/吸氣口

6:下部吸氣口/吸氣口

7:試料室

8:控制機器(下側)

9:分隔板

10:控制機器(背面側)

11,16:排氣風扇

12,17:排氣管道

13:風扇過濾單元(FFU)

14:控制機器殼體

15:發熱體

18:電子顯微鏡

19:試料室用半導體取放裝置/取放裝置

Claims (15)

1. 一種半導體處理裝置，其特徵在於其係包含對半導體進行檢查或加工之本體裝置、控制前述本體裝置之控制裝置、及在與前述本體裝置之間交接前述半導體之交接裝置者；且  前述半導體處理裝置進而包含覆蓋前述本體裝置與前述控制裝置之本體罩；  前述本體罩包含用於在與前述交接裝置之間交接前述半導體之交接開口；  前述交接裝置包含風扇過濾單元，該風扇過濾單元構成為在前述交接裝置之內部產生下降氣流，且將前述下降氣流吹抵至前述半導體；  前述本體罩進而包含在前述本體罩之內部之上部區域中，產生水平方向之氣流之上部吸氣口；  前述本體罩進而包含將前述上部區域之水平方向之氣流排氣之排氣口。
2. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述本體罩進而包含在前述本體罩之內部之下部區域中，產生水平方向之氣流之下部吸氣口；且  前述本體罩進而包含將前述下部區域之水平方向之氣流排氣之排氣口。
3. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述本體罩於正面側包含前述交接開口；且  前述本體罩進而於前述本體罩之內部之背面側之上部包含第1排氣風扇；  前述本體罩進而包含將前述第1排氣風扇排出之空氣朝向下方導引之第1排氣管道。
4. 如請求項3之半導體處理裝置，其中前述第1排氣風扇係藉由將複數個軸流風扇並排配置而構成。
5. 如請求項3之半導體處理裝置，其中於前述第1排氣管道之排氣路徑，配置有具有蜂巢構造之金屬板。
6. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述控制裝置中之一部分，包含配置於前述本體罩之內部之背面側之上部之上部控制裝置；且  於前述本體罩之內部之上部區域，配置有分隔板；  前述分隔板配置於前述上部控制裝置與前述本體裝置之間。
7. 如請求項2之半導體處理裝置，其中前述上部吸氣口與前述下部吸氣口，係藉由將複數個開口排列而構成。
8. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述本體罩進而包含分別配置於前述交接開口之兩側部之側部吸氣口；且  各前述側部吸氣口係藉由將複數個開口排列而構成。
9. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述控制裝置中之一部分，包含配置於前述本體罩之內部之背面側之下部之下部控制裝置；且  前述半導體處理裝置進而包含下部控制裝置殼體，該下部控制裝置殼體配置於前述本體罩之內部之背面側之下部區域，且收容前述下部控制裝置；  前述下部控制裝置係藉由將複數個控制裝置積層配置而構成；  前述下部控制裝置殼體，包含將前述下部控制裝置之內部之空氣排氣之第2排氣風扇。
10. 如請求項3之半導體處理裝置，其中前述控制裝置中之一部分，包含配置於前述本體罩之內部之背面側之下部之下部控制裝置；且  前述半導體處理裝置進而包含下部控制裝置殼體，該下部控制裝置殼體配置於前述本體罩之內部之背面側之下部區域，且收容前述下部控制裝置；  前述下部控制裝置殼體包含：將前述下部控制裝置之內部之空氣排氣之第2排氣風扇、將前述第2排氣風扇排出之空氣向下方導引之第2排氣管道；  前述第1排氣管道與前述第2排氣管道，係以藉由在水平方向上相對於彼此偏移地配置，而前述第2排氣管道不覆蓋前述第1排氣管道之排氣口之方式配置。
11. 如請求項1之半導體處理裝置，其中前述控制裝置中之一部分，包含配置於前述本體罩之內部之背面側之下部之下部控制裝置；且  前述半導體處理裝置進而包含下部控制裝置殼體，該下部控制裝置殼體配置於前述本體罩之內部之背面側之下部區域，且收容前述下部控制裝置；  前述下部控制裝置殼體包含：將前述下部控制裝置之內部之空氣排氣之第2排氣風扇、將前述第2排氣風扇排出之空氣向下方導引之第2排氣管道；  於前述第2排氣管道之排氣路徑，配置有具有蜂巢構造之金屬板。
12. 如請求項11之半導體處理裝置，其中前述金屬板相對於前述第2排氣管道之排氣路徑之延伸方向傾斜地配置。
13. 如請求項9之半導體處理裝置，其中前述下部控制裝置殼體於背面包含前述第2排氣風扇，且於正面包含殼體吸氣口；且  前述殼體吸氣口係藉由複數個孔構成。
14. 如請求項9之半導體處理裝置，其中前述下部控制裝置係對於前述下部控制裝置以外之前述控制裝置供給電力之電源單元；且  前述電源單元係藉由開關元件構成。
15. 如請求項14之半導體處理裝置，其中前述電源單元之形狀具有短邊及長邊；且  前述長邊沿由前述第2排氣風扇排出之氣流延伸；  前述下部控制裝置係藉由將複數個前述電源單元，於相對於前述氣流正交之方向上並排配置而構成。