TWI808205B - 用以清潔基板之噴頭以及其製造方法 - Google Patents

用以清潔基板之噴頭以及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI808205B
TWI808205B TW108121878A TW108121878A TWI808205B TW I808205 B TWI808205 B TW I808205B TW 108121878 A TW108121878 A TW 108121878A TW 108121878 A TW108121878 A TW 108121878A TW I808205 B TWI808205 B TW I808205B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow path
lower flow
main
cleaning
branch
Prior art date
Application number
TW108121878A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202000314A (zh
Inventor
金範鎭
金賢信
Original Assignee
南韓商Hs高科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Hs高科技股份有限公司 filed Critical 南韓商Hs高科技股份有限公司
Publication of TW202000314A publication Critical patent/TW202000314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI808205B publication Critical patent/TWI808205B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18Roses; Shower heads
    • B05B1/185Roses; Shower heads characterised by their outlet element; Mounting arrangements therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/08Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using ultrasonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/10Particular design of joint configurations particular design of the joint cross-sections
    • B29C66/11Joint cross-sections comprising a single joint-segment, i.e. one of the parts to be joined comprising a single joint-segment in the joint cross-section
    • B29C66/112Single lapped joints
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/10Particular design of joint configurations particular design of the joint cross-sections
    • B29C66/11Joint cross-sections comprising a single joint-segment, i.e. one of the parts to be joined comprising a single joint-segment in the joint cross-section
    • B29C66/114Single butt joints
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/10Particular design of joint configurations particular design of the joint cross-sections
    • B29C66/12Joint cross-sections combining only two joint-segments; Tongue and groove joints; Tenon and mortise joints; Stepped joint cross-sections
    • B29C66/124Tongue and groove joints
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/50General aspects of joining tubular articles; General aspects of joining long products, i.e. bars or profiled elements; General aspects of joining single elements to tubular articles, hollow articles or bars; General aspects of joining several hollow-preforms to form hollow or tubular articles
    • B29C66/51Joining tubular articles, profiled elements or bars; Joining single elements to tubular articles, hollow articles or bars; Joining several hollow-preforms to form hollow or tubular articles
    • B29C66/53Joining single elements to tubular articles, hollow articles or bars
    • B29C66/534Joining single elements to open ends of tubular or hollow articles or to the ends of bars
    • B29C66/5346Joining single elements to open ends of tubular or hollow articles or to the ends of bars said single elements being substantially flat
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/71General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the composition of the plastics material of the parts to be joined
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/73General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset
    • B29C66/739General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset
    • B29C66/7392General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of at least one of the parts being a thermoplastic
    • B29C66/73921General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of at least one of the parts being a thermoplastic characterised by the materials of both parts being thermoplastics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本發明是有關於一種對基板噴出清潔液的用以清潔基板之噴頭以及其製造方法。用以清潔基板之噴頭包括:上部流路部,與主孔連通;以及下部流路部,使所述上部流路部與噴出孔連通,且所述上部流路部的上部表面與所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔開。

Description

用以清潔基板之噴頭以及其製造方法
本發明是有關於一種對基板噴出清潔液的用以清潔基板之噴頭以及其製造方法。
對用於製造半導體晶片、發光二極體(Light Emitting Diode,LED)晶片等的基板執行光微影法(photolithography)、蝕刻、薄膜蒸鍍等各種製程。
如上所述,於對基板執行各種製程的過程中,產生粒子(particle)等異物,為了去除此種異物,於各個製程執行之前或執行之後的步驟中,執行對基板進行清潔的清潔製程。
作為清潔製程,噴射化學品、或噴射混合有氣體的處理液、或噴射清潔液以去除殘留於基板上的異物。其中,噴射清潔液的方式為對用以清潔基板之噴頭供給清潔液來噴出清潔液。
作為噴射所述清潔液的方式的用以清潔基板之噴頭,公開有記載於韓國註冊專利第10-1842128號(以下,稱為「專利文獻1」)中者。
專利文獻1的噴頭包括如下部件而構成:流路,於內部 流動處理液;本體,形成有與所述流路連通並噴出處理液的噴出孔;以及壓電元件,對於所述本體中流動的所述處理液進行加壓並藉由所述噴出孔使所述處理液以液滴形態噴出;且處理液藉由沿上下方向形成的主流路流入,並藉由沿水平方向形成的流路由噴出孔噴出。
此種噴頭承受於噴頭內部流動的處理液(或清潔液)的壓力(以下,稱為「流動壓」)的程度,即噴頭的耐壓特性頗為重要。其原因在於在流動壓高於噴頭的耐壓的情況下,噴頭內部的流路會因高流動壓而破損、或於噴頭結合部位等產生洩漏(leak)。
作為流動壓上昇的原因,存在如下情況:因供給的處理液(或清潔液)的壓力(以下,稱為「供給壓」)高而流動壓被保持得高的情況;及噴出孔被粒子等異物堵塞而流動壓不正常地急劇上昇的情況。
供給壓與由噴頭的噴出孔噴出的處理液的噴出壓力(以下,稱為「噴出壓」)有關係。其原因在於,若供給壓高,則流動壓被保持得高而噴出壓亦被保持得高。此種供給壓根據噴頭的耐壓特性來確定,且越是具有高耐壓特性的噴頭越可藉由高供給壓而發揮高噴出壓性能。換言之,噴頭的高耐壓特性是使噴頭的噴出性能上昇的原因。
另一方面,於因異物堵塞噴出孔而流動壓不正常地急劇上昇的情況下,若噴頭的耐壓特性差,則流路會因處理液而破損。特別是,如專利文獻1的圖5的實施例所示,於曲折的第三流路 連接第一流路與第二流路並於整體上具有連續的「S」形形狀的形狀的情況下,於作為第一流路、第二流路的連接部的第三流路中,存在因無壓力抵消效果而無法承受高流動壓,進而產生破損的問題點。
如上所述,噴頭的高耐壓特性於噴頭的噴出性能與噴頭的強度方面而言是重要的,因此需要開發具有高耐壓特性的用以清潔基板之噴頭。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]韓國註冊專利第10-1842128號
本發明是為了解決如上所述的問題而提出的,其目的在於藉由提供一種具有高耐壓特性的用以清潔基板之噴頭以及其製造方法,從而提高用以清潔基板之噴頭的噴出性能、及防止用以清潔基板之噴頭內部流路的破損。
根據本發明的用以清潔基板之噴頭,其包括:上部流路部,與主孔連通;以及下部流路部,使所述上部流路部與噴出孔連通,且所述上部流路部的上部表面與所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔開。
在一實施例中,噴頭更包括:第一主體;以及第二主體, 以使所述第一主體的下表面與第二主體的上表面抵接的方式與所述第一主體的下部結合,所述上部流路部以所述上部流路部的下部開放的狀態,形成於所述第一主體的下表面,所述下部流路部以所述下部流路部的上部開放的狀態,形成於所述第二主體的上表面,且所述噴出孔將所述噴出孔的上部與所述下部流路部的下部表面連通,並以所述噴出孔的下部開放的狀態形成於所述第二主體的下表面。
在一實施例中,所述上部流路部具有將所述上部流路部的端部的呈開放的下部與所述下部流路部的呈開放的上部連通的分支區間,但所述分支區間的端部被所述第一主體堵塞。
在一實施例中,所述下部流路部包括彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路。
在一實施例中,在各個所述多個下部流路連通有多個所述噴出孔。
在一實施例中,與各個所述多個下部流路連通的多個所述噴出孔沿各個所述多個下部流路的長度方向排列為一列。
在一實施例中,所述上部流路部包括與所述下部流路部的一側連通的第一上部流路部、及與所述下部流路部的相反側連通的第二上部流路部,所述第一上部流路部與所述第二上部流路部在同一平面上彼此不連通。
在一實施例中,所述上部流路部包括:主流路,與和所述主孔連通的上下流路以彼此垂直的方式連通;以及分支區間, 與所述主流路連通,且所述分支區間的端部的下部與所述下部流路部的上部連通。
在一實施例中,所述下部流路部包括多個下部流路,藉由所述上下流路、所述主流路及所述分支區間而流動至各個所述多個下部流路的清潔液的流動距離相同。
根據本發明的用以清潔基板之噴頭的製造方法,其特徵在於包括如下步驟:主體準備步驟,準備第一主體,於所述第一主體的下表面形成第一上部流路部及第二上部流路部,且於所述第一主體的的上表面形成與第一上部流路部連通的第一主孔、及與第二上部流路部連通的第二主孔,準備第二主體,於所述第二主體的上表面形成有彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路;以及結合步驟,以如下方式將所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面結合:所述多個下部流路的一側的上部與所述第一上部流路部的第一分支區間的端部的下部連通,所述多個下部流路的相反側的上部與所述第二上部流路部的第二分支區間的端部的下部連通。
在一實施例中,在所述主體準備步驟中,所述第一上部流路部、第二上部流路部與所述多個下部流路分別藉由加工而形成,於所述結合步驟中,所述第一主體、第二主體的非加工部位與所述第一主體、第二主體的加工部位形成對向且密閉的流路構造。
在一實施例中,在所述主體準備步驟中,於所述第一主 體的下表面及所述第二主體的上表面中的任一者形成有熔接突起,並於所述第一主體的下表面及所述第二主體的上表面中的另外一者形成有供所述熔接突起插入的熔接槽,但所述熔接突起及所述熔接槽的至少一部分以包圍所述第一上部流路部、第二上部流路部及所述多個下部流路的方式形成於所述第一上部流路部、第二上部流路部及所述多個下部流路的外側方向。
在一實施例中,在所述主體準備步驟中,所述第一主體及所述第二主體包括聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)材質,於所述結合步驟中,所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面的結合藉由利用超音波熔接使所述熔接突起與所述熔接槽熔接來執行。
根據如以上說明所示般的本發明的用以清潔基板之噴頭,具有如下的效果。
因上部流路部與下部流路部分別形成的第一平面及第二平面沿上下方向彼此隔開,而於上部流路部及下部流路部的連通區間形成上下落差,藉此,用以清潔基板之噴頭可具有高耐壓特性。因此,可保障由噴出孔噴出的清潔液的均勻性,從而噴出清潔液而無死區。
供給至用以清潔基板之噴頭的內部的清潔液與未經加工的面觸碰而流動,因此與先前的用以清潔基板之噴頭相比具有高耐壓特性。因此,可保障由噴出孔噴出的清潔液的均勻性,從 而噴出清潔液而無死區。
上部流路部的分支區間的端部被第一主體堵塞,因此自上部流路部向下部流路部的清潔液的流動可順利地進行。
由於下部流路部的多個下部流路以彼此獨立地相互隔開的方式形成,且對彼此對向的下部流路施加的力被抵消,因此可有助於用以清潔基板之噴頭的高耐壓特性。
藉由上下流路、主流路、及分支區間流動至各個多個下部流路的清潔液的流動距離相同,因此可將相同量的清潔液供給至多個下部流路中的每一個,藉此可保障噴出清潔液的均勻性。
第一上部流路部、第二上部流路部在相同的X-Y平面,即第一平面上彼此並不連通,因此供給至第一主孔、第二主孔的清潔液並不對第一上部流路部、第二上部流路部相互間產生影響。因此,可保持在第一上部流路部、第二上部流路部內的均勻的清潔液的流動壓力。
因用以清潔基板之噴頭的高耐壓特性,不僅可防止用以清潔基板之噴頭內部的流路破損,而且可防止接合部位破損。
藉由用以清潔基板之噴頭的製造方法,不僅可容易地形成流路構造,而且可減少流路加工比率,藉此可有助於用以清潔基板之噴頭的高耐壓特性。
藉由利用用以清潔基板之噴頭的製造方法執行超音波熔接,從而於第一主體、第二主體結合時,無需另外的接著劑,可藉由強力的分子結合而非常堅固地保持結合狀態。另外,因如 上所述的第一主體、第二主體的高結合力,可防止流路的破損,因此可有助於保持用以清潔基板之噴頭的高耐壓特性。
10、10':用以清潔基板之噴頭
100、100':第一主體
101:空心
110:第一主孔
111:第一上下流路
120:第二主孔
121:第二上下流路
130:第一上部流路部
131:第一主流路
132:第一主分支流路
133:第一分支區間
133a:第1-1分支流路
133b:第1-2分支流路
133c:第1-3分支流路
133d:第1-4分支流路
133e:第1-5分支流路
133f:第1-6分支流路
140:第二上部流路部
141:第二主流路
142:第二主分支流路
143:第二分支區間
143a:第2-1分支流路
143b:第2-2分支流路
143c:第2-3分支流路
143d:第2-4分支流路
143e:第2-5分支流路
143f:第2-6分支流路
180:熔接槽
200、200':第二主體
211:第一下部流路
212:第二下部流路
213:第三下部流路
214:第四下部流路
215:第五下部流路
216:第六下部流路
217:第七下部流路
218:第八下部流路
230:噴出孔
280:熔接突起
300:壓電元件
圖1是根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭的立體圖。
圖2是圖1的用以清潔基板之噴頭的分解立體圖。
圖3是表示圖2的第一主體的下表面的仰視圖。
圖4是表示圖2的第二主體的上表面的俯視圖。
圖5是表示圖1的第一主體、第二主體內部的流路構造的俯視透視圖。
圖6是圖5的A-A'的剖面圖。
圖7是表示僅圖5的第一主體、第二主體內部的流路構造的立體圖。
圖8是表示根據本發明變形例的用以清潔基板之噴頭的第一主體的下表面的仰視圖。
圖9是表示根據本發明變形例的用以清潔基板之噴頭的第二主體的上表面的俯視圖。
圖10是表示圖8的第一主體與圖9的第二主體處於接合狀態的內部的流路構造的俯視透視圖。
以下的內容僅例示發明的原理。因此,雖未於本說明書中明確地說明或圖示,但該領域的技術人員可發明使發明的原理 得到實現並包括於發明的概念與範圍的各種裝置。另外,本說明書中列舉的所有條件性用語及實施例原則上明確地僅旨在用以使發明的概念得到理解,且應理解為並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
上述的目的、特徵及優點藉由與隨附圖式相關的下文的詳細說明而變得更加清晰,藉此於發明所屬的技術領域內具有常識者可容易地實施發明的技術思想。
本說明書中記述的實施例是參考本發明的理想的例示圖,即剖面圖及/或立體圖來說明。因此,本發明的實施例並不限制為所圖示的特定形態,亦包括根據製造製程而產生的形態的變化。
於進行說明之前,對以下的事項進行定義。
於附圖中,上下方向意指Z軸方向,左右方向意指X軸方向,前後方向意指Y軸方向。
以下,參照圖1至圖7,對根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭10進行說明。
圖1是根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭的立體圖,圖2是圖1的用以清潔基板之噴頭的分解立體圖,圖3是表示圖2的第一主體的下表面的仰視圖,圖4是表示圖2的第二主體的上表面的俯視圖,圖5是表示圖1的第一主體、第二主體內部的流路構造的俯視透視圖,圖6是圖5的A-A'的剖面圖,圖7是表示僅圖5的第一主體、第二主體內部的流路構造的立體 圖。
如圖1及圖2所示,根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭10可包括如下部件而構成:上部流路部,與主孔連通;下部流路部,將上部流路部與噴出孔230連通;第一主體100,於下表面形成有上部流路部;以及第二主體200,於上表面形成有下部流路部,且於下表面形成有噴出孔230。於此情況下,上部流路部的上部表面與下部流路部的下部表面沿上下方向,即Z軸方向彼此隔開。
第一主體100
以下,參照圖1至圖5,對第一主體100進行說明。
如圖1至圖3及圖6所示,於第一主體100的中央形成有供壓電元件300插入的空心101,於第一主體100的上表面形成有供給清潔液的主孔,且於第一主體100的下表面形成有上部流路部。
壓電元件300插入至空心101。若藉由電極等施加電,則壓電元件300振動,從而發揮幫助由噴出孔230噴出的清潔液的噴出的功能。因此,為了將所述振動的效果極大化,壓電元件300較佳為以與第一主體100接觸的方式插入至空心101。
主孔發揮如下功能:藉由與主孔連通的上下流路及上部流路部而使清潔液流動至用以清潔基板之噴頭10內部。
主孔可包括:第一主孔110,與第一上下流路111及第一上部流路部130連通;以及第二主孔120,與第二上下流路121 及第二上部流路部140連通。第一主孔110形成於第一主體100的上表面左側,第二主孔120形成於第一主體100的上表面右側。因此,空心101配置於第一主孔110、第二主孔120之間。
第一上下流路111於第一主體100的內部沿上下方向,即Z軸方向形成。
第一上下流路111的上部端部與第一主孔110連通,且第一上下流路111的下部端部與第一上部流路部130的第一主分支流路132連通。
第二上下流路121於第一主體100的內部沿上下方向,即Z軸方向形成。
第二上下流路121的上部端部與第二主孔120連通,且第二上下流路121的下部端部與第二上部流路部140的第二主分支流路142連通。
如上所述的第一主孔110及第一上下流路111與第二主孔120及第二上下流路121以第一主體100的中心線為基準彼此對稱地配置。
上部流路部以上部流路部的下部開放的狀態,形成於第一主體100的下表面,且發揮使藉由主孔及上下流路流動的清潔液流動至下部流路部的功能。如上所述,因以上部流路部的下部開放的狀態形成於第一主體100的下表面,而於第一主體100、第二主體200結合時,上部流路部的下部表面成為第二主體200的上表面。
上部流路部可包括主流路與分支區間而構成,其中所述主流路與和主孔連通的上下流路以彼此垂直的方式連通,所述分支區間與主流路連通,且所述分支區間端部的下部與下部流路部的上部連通。
於此情況下,下部流路部可包括多個下部流路,且藉由上下流路、主流路及分支區間而流動至各個多個下部流路的清潔液的流動距離相同。
分支區間的端部被第一主體堵塞。因此,流動至分支區間的端部的清潔液藉由分支區間端部的下部及下部流路部的上部流動至下部流路部。
上部流路部可包括與下部流路部的一側連通的第一上部流路部130、及與下部流路部的相反側連通的第二上部流路部140。於此情況下,下部流路部的一側為圖7的左側,下部流路部的相反側為圖7的右側。
主流路及分支區間可更包括第一主流路131、第二主流路141、及第一分支區間133、第二分支區間143。於此情況下,第一上部流路部130、第二上部流路部140以第一主體100的中心線為基準彼此對稱地配置。對於此種第一上部流路部130、第二上部流路部140的詳細說明後文將述。另外,第一分支區間133、第二分支區間143具有呈「
Figure 108121878-A0305-02-0014-3
」形狀的多個分支流路連續地連通的形狀,且對其的詳細說明後文將述。
所述的上部流路部,即第一上部流路部130、第二上部流路部140是對第一主體100的下表面進行加工而形成。第一上部流路部130、第二上部流路部140的加工可藉由機械加工等來完成。於此情況下,上部流路部,即第一上部流路部130、第二上部流路部140以使其下部開放的方式進行加工。
第二主體200
以下,參照圖1至圖6,對第二主體200進行說明。
第二主體200以使第一主體100的下表面與第二主體200的上表面抵接的方式與第一主體100的下部結合,於第二主體200的上表面形成下部流路部,於第二主體200的下表面形成多個噴出孔230。
於在第一主體100的下部結合第二主體200時,第一主體100的下表面與第二主體200的上表面抵接。因此,較佳為第二主體200的直徑與第一主體100的下表面的直徑相同地形成。
下部流路部以下部流路部的上部開放的狀態形成於第二主體200的上表面。
多個噴出孔230以噴出孔230的上部與下部流路部的下部表面連通,且噴出孔230的下部開放的狀態,形成於第二主體200的下表面。
如上所述,因以下部流路部的上部開放的狀態形成於第二主體200的下表面,而於第一主體100、第二主體200結合時,下部流路部的上部表面成為第一主體100的下表面。
下部流路部可包括多個下部流路,於本發明中包括八個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218。
此種多個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218以彼此獨立地形成且相互隔開的方式形成於第二主體200的上表面。
第一下部流路211至第八下部流路218相互隔開的隔開距離相同,並自左側向右側方向,即X軸方向長長地形成。第一下部流路211至第八下部流路218能夠以其一端及另一端位於同一線上的方式沿Y軸方向並排地配置。
於第一下部流路211至第八下部流路218的下部表面(或底表面)排列有噴出孔230,以使各個多個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218與多個噴出孔230連通。於此情況下,與各個多個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218連通的多個噴出孔可沿各個第一下部流路211至第八下部流路218的長度方向,即左右方向或X軸方向排列為一列。
多個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218是對第二主體200的上表面進行加工而形成。第一下部流路211至第八下部流路218的加工可藉由機械加工等來完成。
多個噴出孔230可藉由雷射等形成於經加工的第一下部流路211至第八下部流路218的底表面。於此情況下,噴出孔230的直徑可具有5μm~15μm的大小。
所述的第一主體100與第二主體200可包括石英 (Quartz)、氧化鋁材質的藍寶石(Sappahire)、工程塑膠(Engineering Plastics)材質。
工程塑膠具有500kgf/cm2以上的拉伸強度、20,000kgf/cm2以上的彎曲彈性率、100℃以上的耐熱性,可分為當加熱時可成形的熱可塑性工程塑膠與當加熱時硬化的熱硬化性工程塑膠。作為此種熱可塑性工程塑膠的例子,有聚醯胺(polyamide)、聚縮醛(Polyacetal,POM)、聚對苯二甲酸丁二酯(Polybutylene Terephthalate,PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、間規聚苯乙烯(Syndiotactic Polystyrene,SPS)、聚醚碸(Polyether Sulfone,PES)、PEEK(Polyetheretherketone)等,作為熱硬化性工程塑膠的例子,有苯酚、尿素、三聚氰胺、醇酸樹脂、不飽和聚酯、環氧樹脂、鄰苯二甲酸二芳基酯、矽酮、聚胺酯等。
熱可塑性工程塑膠中的PEEK是藉由鹵化二苯甲酮與對苯二酚的溶液中的縮合反應來製造,具有耐熱性、強韌性、耐鹽性、耐藥品性等優異的特徵。另外,具有含有10%、20%、30%的面向高強度、高剛性、高尺寸精度用途的玻璃纖維的等級,於玻璃纖維(glass fiber,GF)為20%的強化製品的情況下,熱變形溫度為約300℃,於UL溫度指數中長期耐熱性為240℃。並且,即便具有優異的耐熱性,亦可利用通常的射出成型機或擠壓成型機來成形,且具有對伽馬射線照射的耐性以及良好的特性。
可藉由將接著劑塗佈於第一主體100的下表面中不形成 流路的面,與第二主體200的上表面中不形成流路的面,來將第一主體100、第二主體200結合而完成。換言之,第一主體100與第二主體200的結合可藉由接著劑來完成。
另外,第一主體100與第二主體200的結合亦可藉由超音波熔接來完成,下文將詳細說明。
第一上部流路部130
以下,參照圖2至圖7,對第一上部流路部130進行說明。
第一上部流路部130形成於第一主體100的下表面的左側,且第一上部流路部130可包括第一主流路131及第一分支區間133而構成,其中所述第一主流路131與和第一主孔110連通的第一上下流路111以彼此垂直的方式連通,所述第一分支區間133與第一主流路131連通,且所述第一分支區間133的端部的下部與下部流路部的第一下部流路211至第八下部流路218的一側的上部連通。
第一分支區間133包括如下部件而構成:與第一主流路131連通的第一主分支流路132、與第一主分支流路132的一端(於圖3中第一主分支流路132的前方端部)連通的第1-1分支流路133a、與第1-1分支流路133a的一端(於圖3中第1-1分支流路133a的前方端部)連通的第1-2分支流路133b、與第1-1分支流路133a的另一端(於圖3中第1-1分支流路133a的後方端部)連通的第1-3分支流路133c、與第一主分支流路132的另一端(於 圖3中第一主分支流路132的後方端部)連通的第1-4分支流路133d、與第1-4分支流路133d的一端(於圖3中第1-4分支流路133d的前方端部)連通的第1-5分支流路133e、以及與第1-4分支流路133d的另一端(於圖3中第1-4分支流路133d的後方端部)連通的第1-6分支流路133f。
第一主分支流路132具有「
Figure 108121878-A0305-02-0019-1
」形狀,且發揮使在第一主流路131中流動的清潔液沿180度方向向相反側分支的功能。
第1-1分支流路至第1-6分支流路133f具有「
Figure 108121878-A0305-02-0019-4
」形狀,且發揮使在與其之前連通的流路中流動的清潔液沿180度方向向相反側分支的功能。
第1-2分支流路133b的一端(於圖3及圖7中第1-2分支流路133b的前方端部)的下部與下部流路部的第一下部流路211的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-2分支流路133b的另一端(於圖3及圖7中第1-2分支流路133b的後方端部)的下部與下部流路部的第二下部流路212的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-3分支流路133c的一端(於圖3及圖7中第1-3分支流路133c的前方端部)的下部與下部流路部的第三下部流路213的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-3分支流路133c的另一端(於圖3及圖7中第1-3分支流路133c的後方端部)的下部與下部流路部的第四下部流路214的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-5分支流路133e的一端(於圖3及圖7中第1-5分支流路133e的前方端部)的下部與下部流路部的第五下部流路215)的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-5分支流路133e的另一端(於圖3及圖7中第1-5分支流路133e的後方端部)的下部與下部流路部的第六下部流路216的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-6分支流路133f的一端(於圖3及圖7中第1-6分支流路133f的前方端部)的下部與下部流路部的第七下部流路217的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-6分支流路133f的另一端(於圖3及圖7中第1-6分支流路133f的後方端部)的下部與下部流路部的第八下部流路218的一側(圖4及圖7的左側)的上部連通。
第1-2分支流路133b、第1-3分支流路133c、第1-5分支流路133e、第1-6分支流路133f各自的端部以被第一主體100堵塞的方式形成。
流動至各個第1-2分支流路133b、第1-3分支流路133c、第1-5分支流路133e、第1-6分支流路133f的端部的清潔液僅流動至與各個的端部,即各個的一端及另一端的下部分別連通的第一下部流路211至第八下部流路218的一側的上部。
第二上部流路部140
以下,參照圖2至圖7,對第二上部流路部140進行說明。
第二上部流路部140形成於第一主體100的下表面的右 側,且第二上部流路部140可包括第二主流路141及第二分支區間143而構成,其中所述第二主流路141與和第二主孔120連通的第二上下流路121以彼此垂直的方式連通,所述第二分支區間143與第二主流路141連通,且所述第二分支區間143端部的下部與下部流路部的第一下部流路211至第八下部流路218的相反側的上部連通。
第二分支區間143包括如下部件而構成:與第二主流路141連通的第二主分支流路142、與第二主分支流路142的一端(於圖3中第二主分支流路142的前方端部)連通的第2-1分支流路143a、與第2-1分支流路143a的一端(於圖3中第2-1分支流路143a的前方端部)連通的第2-2分支流路143b、與第2-1分支流路143a的另一端(於圖3中第2-1分支流路143a的後方端部)連通的第2-3分支流路143c、與第二主分支流路142的另一端(於圖3中第二主分支流路142的後方端部)連通的第2-4分支流路143d、與第2-4分支流路143d的一端(於圖3中第2-4分支流路143d的前方端部)連通的第2-5分支流路143e、以及與第2-4分支流路143d的另一端(於圖3中第2-4分支流路143d的後方端部)連通的第2-6分支流路143f。
第二主分支流路142具有「
Figure 108121878-A0305-02-0021-2
」形狀,且發揮使在第二主流路141中流動的清潔液沿180度方向向相反側分支的功能。
第2-1分支流路至第2-6分支流路143f具有「
Figure 108121878-A0305-02-0021-5
」形狀,且發揮使在與其之前連通的流路中流動的清潔液沿180度方向 向相反側分支的功能。
第2-2分支流路143b的一端(於圖3及圖7中第2-2分支流路143b的前方端部)的下部與下部流路部的第二下部流路212的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-2分支流路143b的另一端(於圖3及圖7中第2-2分支流路143b的後方端部)的下部與下部流路部的第二下部流路212的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-3分支流路143c的一端(於圖3及圖7中第2-3分支流路143c的前方端部)的下部與下部流路部的第三下部流路213的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-3分支流路143c的另一端(於圖3及圖7中第2-3分支流路143c的後方端部)的下部與下部流路部的第四下部流路214的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-5分支流路143e的一端(於圖3及圖7中第2-5分支流路143e的前方端部)的下部與下部流路部的第五下部流路215)的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-5分支流路143e的另一端(於圖3及圖7中第2-5分支流路143e的後方端部)的下部與下部流路部的第六下部流路216的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-6分支流路143f的一端(於圖3及圖7中第2-6分支流路143f的前方端部)的下部與下部流路部的第七下部流路217的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
第2-6分支流路143f的另一端(於圖3及圖7中第2-6分支流路143f的後方端部)的下部與下部流路部的第八下部流路218的相反側(圖4及圖7的右側)的上部連通。
各個第2-2分支流路143b、第2-3分支流路143c、第2-5分支流路143e、第2-6分支流路143f的端部以被第一主體100堵塞的方式形成。
流動至各個第2-2分支流路143b、第2-3分支流路143c、第2-5分支流路143e、第2-6分支流路143f的端部的清潔液僅流動至與各個的端部,即各個的一端及另一端的下部分別連通的第一下部流路211至第八下部流路218的相反側的上部。
上部流路部的上部表面,即第一上部流路部130的上部表面與第二上部流路部140的上部表面形成於相同平面,即第一平面。第一平面意指在第一主體100的下表面沿Z軸方向按照第一上部流路部130、第二上部流路部140的深度而與上部隔開的X-Y平面。於此情況下,前提是第一上部流路部130、第二上部流路部140以使其下部開放的方式在第一主體100的下表面上沿Z軸方向,即上部方向加工而形成。
各個下部流路部的下部表面,即第一下部流路211至第八下部流路218的下部表面形成於相同平面,即第二平面。第二平面意指在第二主體200的上表面沿Z軸方向按照第一下部流路211至第八下部流路218的深度而與下部隔開的X-Y平面。於此情況下,前提是第一下部流路211至第八下部流路218以使其上 部開放的方式在第二主體200的上表面上沿Z軸方向,即下部方向加工而形成。
於第一主體100與第二主體200結合而上部流路部與下部流路部連通時(即,於第一上部流路部130與第一下部流路211至第八下部流路218的左側上部連通,且第二上部流路部140與第一下部流路211至第八下部流路218的右側上部連通時),形成有上部流路部的第一平面與形成有下部流路部的第二平面沿上下方向,即Z軸方向彼此隔開。因此,上部流路部,即第一上部流路部130、第二上部流路部140分別與下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218的連通區間沿上下形成落差。此種落差發揮降低供給至用以清潔基板之噴頭10的清潔液的供給壓的效果,因此,可保障均勻的清潔液的噴出壓。對其的詳細說明後文將述。
第一上部流路部130與第二上部流路部140在第一主體100的下表面形成,第一上部流路部130的上部表面與第二上部流路部140的上部表面以位於第一平面上的方式形成,且第一上部流路部130與第二上部流路部140的深度相同。然而,第一上部流路部130與第二上部流路部140僅藉由下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218連通,彼此並不連通。換言之,在第一主體100中,第一上部流路部130與第二上部流路部140彼此並不連通。
因第一上部流路部130與第二上部流路部140在第一主 體100中彼此並不連通,從而第一上部流路部130與第二上部流路部140的清潔液的流動分別獨立地進行而彼此不產生影響。
假如,於藉由第一主孔110及第二主孔120供給清潔液的情況下,對第一上部流路部130供給的清潔液與對第二上部流路部140供給的清潔液獨立地流動在各個第一上部流路部130、第二上部流路部140。因此,第一上部流路部130與第二上部流路部140的清潔液的供給壓彼此並不產生影響,藉此,可保持在第一上部流路部130、第二上部流路部140內的均勻的清潔液的流動壓。
如上所述,用以清潔基板之噴頭10隨著第一主體100、第二主體200結合,第一上部流路部130、第二上部流路部140的下部表面由第二主體200的上表面形成,第一下部流路211至第八下部流路218的上部表面由第一主體100的下表面形成。
具有所述的構成的用以清潔基板之噴頭10可具有其他的變形例。
根據本發明的變形例的用以清潔基板之噴頭10’
以下,參照圖8至圖10,對根據本發明的變形例的用以清潔基板之噴頭10’進行說明。
圖8是表示根據本發明變形例的用以清潔基板之噴頭的第一主體的下表面的仰視圖,圖9是表示根據本發明變形例的用以清潔基板之噴頭的第二主體的上表面的俯視圖,圖10是表示圖8的第一主體與圖9的第二主體處於接合狀態的內部的流路構造的俯視透視圖。
用以清潔基板之噴頭10’於第一主體100’的下表面形成有熔接槽180,用以清潔基板之噴頭10’於第二主體200’的上表面形成有插入至熔接槽180的熔接突起280。換言之,具有如下形狀:於所述的用以清潔基板之噴頭10的第一主體100的下表面追加形成熔接槽180,於用以清潔基板之噴頭10的第二主體200的上表面追加形成熔接突起280。
如圖8所示,熔接槽180形成於第一主體100’的下表面,且發揮提供供熔接突起280插入的空間的作用。
熔接槽180形成多個,多個熔接槽180中的至少一部分以包圍第一上部流路部130、第二上部流路部140的方式形成於第一上部流路部130、第二上部流路部140的外側方向。
多個熔接槽180的一部分,即另外一部分形成於第一上部流路部130、第二上部流路部140的內側方向。
於此情況下,熔接槽180形成於如下區域:不形成第一上部流路部130、第二上部流路部140的區域,及不形成第二主體200’的下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218(或多個下部流路)的區域。
如圖10所示,形成於第一上部流路部130、第二上部流路部140的外側方向的熔接槽180於第一主體100’、第二主體200’結合時,以呈包圍第一上部流路部130、第二上部流路部140與第一下部流路211至第八下部流路218的形狀的方式形成於第一主體100’的下表面。
另外,形成於第一上部流路部130、第二上部流路部140的內側方向的熔接槽180於第一主體100’、第二主體200’結合時,以呈位於流路之間的形狀的方式形成於第一主體100’的下表面。
例如,如圖10所示,形成於第一上部流路部130、第二上部流路部140的內側方向的熔接槽180能夠以如下方式形成於第一主體100’的下表面:位於(1)第1-2分支流路133b、第2-2分支流路143b的端部與第一下部流路211、第二下部流路212之間;(2)第1-3分支流路133c、第2-3分支流路143c的端部與第三下部流路213、第四下部流路214之間;(3)第1-5分支流路133e、第2-5分支流路143e的端部與第五下部流路215、第六下部流路216之間;(4)第1-6分支流路133f、第2-6分支流路143f的端部與第七下部流路217、第八下部流路218之間;(5)第1-1分支流路133a、第2-1分支流路143a的端部與第二下部流路212、第三下部流路213之間;(6)第1-4分支流路133d、第2-4分支流路143d的端部與第六下部流路216、第七下部流路217之間;(7)第一主分支流路132、第二主分支流路142與第四下部流路214、第五下部流路215之間。
如圖9所示,熔接突起280形成於第二主體200’的上表面,且於第一主體100’、第二主體200’結合時發揮插入至熔接槽180的功能。
熔接突起280以具有與熔接槽180對應的形狀的方式形 成多個,且多個熔接突起280中的至少一部分以包圍下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218(或多個下部流路)的方式形成於第一下部流路211至第八下部流路218的外側方向。
多個熔接槽180的一部分,即另外一部分形成於第一下部流路211至第八下部流路218的內側方向,即第一下部流路211至第八下部流路218之間。
於此情況下,熔接突起280形成於如下區域:不形成下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218(或多個下部流路)的區域;及不形成第一主體100’的第一上部流路部130、第二上部流路部140的區域。
如圖10所示,形成於第一下部流路211至第八下部流路218的外側方向的熔接突起280於第一主體100’、第二主體200’結合時,以呈包圍第一上部流路部130、第二上部流路部140與第一下部流路211至第八下部流路218的形狀的方式形成於第二主體200’的上表面。
另外,形成於第一下部流路211至第八下部流路218的內側方向的熔接突起280於第一主體100’、第二主體200’結合時,以呈位於流路之間的形狀的方式形成於第二主體200’的上表面。
例如,如圖10所示,形成於第一下部流路211至第八下部流路218的內側方向的熔接突起280能夠以如下方式形成於第二主體200’的上表面:位於(1)第1-2分支流路133b、第2-2 分支流路143b的端部與第一下部流路211、第二下部流路212之間;(2)第1-3分支流路133c、第2-3分支流路143c的端部與第三下部流路213、第四下部流路214之間;(3)第1-5分支流路133e、第2-5分支流路143e的端部與第五下部流路215、第六下部流路216之間;(4)第1-6分支流路133f、第2-6分支流路143f的端部與第七下部流路217、第八下部流路218之間;(5)第1-1分支流路133a、第2-1分支流路143a的端部與第二下部流路212、第三下部流路213之間;(6)第1-4分支流路133d、第2-4分支流路143d的端部與第六下部流路216、第七下部流路217之間;(7)第一主分支流路132、第二主分支流路142與第四下部流路214、第五下部流路215之間。換言之,於第一主體100’、第二主體200’結合時,熔接突起280具有與熔接槽180對應的形狀,以便插入至熔接槽180。
所述的熔接槽180的深度以比第一上部流路部130、第二上部流路部140及下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218的深度更深的方式形成。其原因在於,熔接槽180的深度隨著所述的流路的深度變深,而於超音波熔接時,流路熔融之前,插入至熔接槽180的熔接突起280或熔接山狀物首先熔融,從而防止產生流路的破損。
另外,可於熔接槽180及熔接突起280中的任一者形成熔接山狀物(未圖示)。
於熔接山狀物形成於熔接槽180的情況下,可於熔接槽 180的面中的供熔接突起280插入並接觸的面沿熔接槽180突出地形成。
於熔接山狀物形成於熔接突起280的情況下,可於熔接突起280的面中的插入至熔接槽180並接觸的面沿熔接突起280突出地形成。
此種熔接山狀物於進行超音波熔接時,與熔接槽180及熔接突起280的接觸面之間接觸並熔融,對其的詳細說明後文將述。
熔接突起280與所述不同地,可形成於第一主體100’的下表面,藉此熔接槽180可形成於第二主體200’的上表面。
換言之,熔接槽180可形成於第一主體100’、第二主體200’中的任一者,而熔接突起280可形成於第一主體100’、第二主體200’中的另外一者。
根據所述本發明的變形例的用以清潔基板之噴頭10’的熔接槽180與熔接突起280發揮實現第一主體100’、第二主體200’容易結合的功能,且對其的詳細說明於後述的製造方法中進行說明。
用以清潔基板之噴頭10、10’的製造方法
以下,對根據具有所述構成的本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭10的製造方法進行說明。
根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭10的製造方法,可包括如下步驟而構成:主體準備步驟,準備第一主 體100,所述第一主體100於下表面形成第一上部流路部130及第二上部流路部140,且於上表面形成與第一上部流路部130連通的第一主孔110、及與第二上部流路部140連通的第二主孔120,準備第二主體200,所述第二主體200於上表面形成有彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路(於本發明的情況下,可為第一下部流路211至第八下部流路218);以及結合步驟,以如下方式將所述第一主體100的下表面與所述第二主體200的上表面結合:多個下部流路的一側的上部與第一上部流路部130的第一分支區間133的端部的下部連通,多個下部流路的相反側的上部與第二上部流路部140的第二分支區間143的端部的下部連通。
另外,於主體準備步驟中,於第一主體100的中央,於第一主孔110、第二主孔120之間可形成空心101,於主體準備步驟中執行的於第一主體100形成第一上部流路部130、第二上部流路部140、第一主孔110、第二主孔120、空心101的操作可藉由加工形成來執行。
於主體準備步驟中,第一主孔110藉由第一上下流路111與第一上部流路部130連通,且第二主孔120藉由第二上下流路121與第二上部流路部140連通。
另外,於主體準備步驟中,第一上部流路部130可包括第一主流路131、第一主分支流路132、第一分支區間133而構成,第二上部流路部140可包括第二主流路141、第二主分支流路142、第二分支區間143而構成,對其的說明已於前述說明。
於主體準備步驟中執行的於第二主體200形成多個下部流路的操作可藉由加工形成而執行。多個下部流路構成下部流路部,且可包括第一下部流路211至第八下部流路218。對其的說明已於前述說明。
於結合步驟中,第一上部流路部130、第二上部流路部140與多個下部流路分別藉由加工形成,第一主體100、第二主體200的非加工部位與第一主體100、第二主體200的加工部位形成對向且密閉的流路構造。於此情況下,第一主體100的非加工部位意指第一主體100的下表面中的不形成第一上部流路部130、第二上部流路部140的部位,第二主體200的非加工部位意指第二主體200的上表面中的不形成多個下部流路的部位。
於主體準備步驟中,第一上部流路部130、第二上部流路部140其下部表面成為第二主體200的非加工部位,且形成密閉的流路構造,多個下部流路其上部表面成為第一主體100的非加工部位,且形成密閉的流路構造。但,第一上部流路部130、第二上部流路部140與多個下部流路連通的區間(即,第一分支區間133、第二分支區間143的端部區間)藉由第一主體100、第二主體200的加工部位形成流路構造。
於結合步驟中執行的第一主體100的下表面與第二主體200的上表面的結合可為第一主體100、第二主體200的非加工部位的結合,即第一主體100的下表面中不形成第一上部流路部、第二上部流路部的面與所述第二主體的上表面中不形成所述多個 下部流路的面的結合。
所述的用以清潔基板之噴頭10的製造方法具有如下的效果。
藉由於各個第一主體100、第二主體200形成流路構造,使第一主體100、第二主體200結合,從而可易於實現流路構造的形成。
另外,如上所述,因第一上部流路部130、第二上部流路部140與多個下部流路分別藉由加工形成,第一主體100、第二主體200的非加工部位與第一主體100、第二主體200的加工部位形成對向且密閉的流路構造,從而可減少流路加工比率,藉此,可有助於用以清潔基板之噴頭10的高耐壓特性。
於根據具有熔接槽180及熔接突起280的本發明的變形例的用以清潔基板之噴頭10’的情況下,可利用如下般的製造方法。
如圖8至圖10所示,於具有熔接槽180及熔接突起280的用以清潔基板之噴頭10’的情況下,於主體準備步驟中,於第一主體100’的下表面及第二主體200’的上表面中的任一者形成熔接突起280,於第一主體100’的下表面及第二主體200’的上表面中的另外一者形成供熔接突起280插入的熔接槽180,但熔接突起280及熔接槽180的至少一部分以包圍第一上部流路部130、第二上部流路部140及多個下部流路(或下部流路部、或第一下部流路至第八下部流路211~218)的方式形成於第一上部流路部130、 第二上部流路部140及多個下部流路的外側方向。
另外,於具有熔接槽180及熔接突起280的用以清潔基板之噴頭10’的情況下,於主體準備步驟中,第一主體100’及第二主體200’包括樹脂材質,於結合步驟中,第一主體100’的下表面與第二主體200’的上表面的結合可藉由利用超音波熔接使熔接突起280與熔接槽180熔接來執行。於此情況下,構成第一主體100’及第二主體200’的樹脂材質較佳為包括PEEK材質。
超音波熔接是根據塑膠本身的因超音波振動引起的發熱、軟化、熔融現象而使兩個以上的塑膠接合面密接,並於該處產生擴散作用從而實現熔接,可分為熔接(WELDING)、點焊(SPOT WELDING)、鉚接(STAKING)、埋植(INSERTING)、成型(SWAGING)、切割(SLITTING)等方式。用於此種超音波熔接的超音波熔接機的原理可為:藉由產生器(Generator)將100V~250V、50Hz~60Hz的電源轉換為20KHz與35KHz的電能,並藉由轉換器(Converter)再次將該電能轉換為機械振動能,之後利用變壓器(Booster)調節其振幅,並藉由焊頭(Horn)將如上所述般形成的超音波振動能傳遞至熔接物,同時於熔接物的接合面處瞬間產生摩擦熱,塑膠熔解並接著而實現強力的分子結合。
於結合步驟中執行的超音波熔接可藉由如下方式實現:於超音波熔接機的焊頭處藉由振動子將電能轉換為機械振動能,之後於第一主體100’與第二主體200’積層的狀態下,藉由焊頭發射超音波,以及若對第一主體100’、第二主體200’中的至少 任一者進行加壓,則第一主體100’與第二主體200’的結合面,即於接合面瞬間產生強烈的摩擦熱,從而結合面熔解接著。
如上所述,隨著藉由焊頭使插入至熔接槽180的熔接突起280熔融,熔接突起280與熔接槽180熔接而彼此結合。因此,第一主體100’、第二主體200’可結合。換言之,插入至熔接槽180的熔接突起280的插入面為結合面或接合面。
於結合步驟中執行的超音波熔接可藉由利用第二主體200’的下表面發射自焊頭生成的超音波來執行,於此情況下,為了精密的熔接,亦可僅對熔接槽180及熔接突起280發射超音波。
如上所述,根據於結合步驟中,藉由超音波熔接而實現第一主體100’、第二主體200’的結合,從而於結合步驟中,可易於執行第一主體100’、第二主體200’的結合。
另外,因熔接突起280及熔接槽180以其一部分包圍流路的方式形成,且另外一部分以位於流路之間的方式形成,從而可藉由熔接突起280及熔接槽180的熔接而堅固地保持流路的結合,藉此可防止自流路漏出清潔液。
另外,因熔接槽180的深度比流路的深度更深地形成,而於超音波熔接時,可防止流路熔融而破損。
另外,無需另外的接著劑,可藉由強力的分子結合而非常堅固地保持結合狀態。因如上所述般強的結合力,可防止流路的破損,因此有助於保持用以清潔基板之噴頭10’的高耐壓特性。
另外,超音波熔接於0.1秒至1秒以內完成製程而製程 時間非常短,因此有利於大量生產,可乾淨地進行接合加工而無製品表面的變形及改質。
另外,使用與石英等玻璃材質相比蝕刻現象少的半導體,即樹脂材質,因此為半永久性的,且於第一主體100’、第二主體200’結合時,可具有如下效果:不僅電力消耗少、可減少製品的不良率,而且節省製程費用。
於主體準備步驟中,如上所述,可於熔接槽180及熔接突起280形成熔接山狀物,此種熔接山狀物藉由於結合步驟中自超音波熔接機生成的超音波而熔融,從而可實現因熔接槽180及熔接突起280的熔接引起的結合。
若詳細地進行說明,則於超音波熔接時,於熔接突起280的下部空間並未順利地充滿熔接突起280熔融的熔融液,因此產生於特定部位產生氣孔的現象(孔隙(Void)現象),如上所述,根據以與氣孔主要產生的部位對應的方式形成熔接山狀物,從而可有效地防止孔隙(Void)現象。
於在熔接槽180或熔接突起280形成熔接山狀物的情況下,於主體準備步驟中,於形成熔接突起280時,可減少熔接山狀物的熔融量並使熔接突起280的高度以低於現有高度的方式形成(或可使熔接槽180的深度以深於現有深度的方式形成)。
藉由利用所述的製造方法製造的用以清潔基板之噴頭10、10’將第一主體100、100’與第二主體200、200’單獨分開、進行製作及準備,並將各個第一主體100、100’與第二主體200、200’ 結合,從而具有可容易地形成各種形態的流路的效果。
另外,利用樹脂材質製作第一主體100’與第二主體200’,並藉由超音波熔接使其結合,從而有助於用以清潔基板之噴頭10’的高耐壓特性,並藉此可於各種壓力範圍內接收清潔液來清潔基板。
用以清潔基板之噴頭10的清潔液的流動
以下,參照圖6及圖7,對具有所述的構成的用以清潔基板之噴頭10的清潔液的流動進行說明。
若藉由第一主孔110供給清潔液,則清潔液流動至第一上下流路111。
流動至第一上下流路111的清潔液經由第一主流路131而流動至第一主分支流路132。於此情況下,第一上下流路111與第一主流路131以彼此垂直的方式連通,因此藉由第一上下流路111流動的清潔液與第二主體200的上表面觸碰後,流動至第一主流路131及第一主分支流路132。
流動至第一主分支流路132的清潔液藉由第一分支區間133並由形成於各個第一下部流路211至第八下部流路218的底表面的噴出孔230向外部噴出,其流動如下。
流動至第一主分支流路132的一端的清潔液經由第1-1分支流路133a及第1-2分支流路133b而流動至第一下部流路211與第二下部流路212的一側(圖7的左側),或經由第1-1分支流路133a及第1-3分支流路133c而流動至第三下部流路213與第四 下部流路214的一側(圖7的左側)。
流動至第一下部流路211至第四下部流路214的一側(圖7的左側)的清潔液藉由分別形成於第一下部流路211至第四下部流路214的底表面的多個噴出孔230而向用以清潔基板之噴頭10的外部噴出。
流動至第一主分支流路132的另一端的清潔液經由第1-4分支流路133d及第1-5分支流路133e而流動至第五下部流路215)與第六下部流路216的一側(圖7的左側),或經由第1-4分支流路133d及第1-6分支流路133f而流動至第七下部流路217與第八下部流路218的一側(圖7的左側)。
流動至第五下部流路215至第八下部流路218的一側(圖7的左側)的清潔液藉由分別形成於第五下部流路215至第八下部流路218的底表面的多個噴出孔230而向用以清潔基板之噴頭10的外部噴出。
若藉由第二主孔120供給清潔液,則清潔液流動至第二上下流路121。
流動至第二上下流路121的清潔液經由第二主流路141流動至第二主分支流路142。於此情況下,第二上下流路121與第二主流路141以彼此垂直的方式連通,因此藉由第二上下流路121流動的清潔液與第二主體200的上表面觸碰後,流動至第二主流路141及第二主分支流路142。
流動至第二主分支流路142的清潔液藉由第二分支區間 143並藉由形成於各個第一下部流路211至第八下部流路218的底表面的噴出孔230向外部噴出,其流動如下。
流動至第二主分支流路142的一端的清潔液經由第2-1分支流路143a及第2-2分支流路143b而流動至第一下部流路211與第二下部流路212的相反側(圖7的右側),或經由第2-1分支流路143a及第2-3分支流路143c而流動至第三下部流路213與第四下部流路214的相反側(圖7的右側)。
流動至第一下部流路211至第四下部流路214的相反側(圖7的右側)的清潔液藉由分別形成於第一下部流路211至第四下部流路214的底表面的多個噴出孔230而向用以清潔基板之噴頭10的外部噴出。
流動至第二主分支流路142的另一端的清潔液經由第2-4分支流路143d及第2-5分支流路143e而流動至第五下部流路215)與第六下部流路216的相反側(圖7的右側),或經由第1-4分支流路133d及第1-6分支流路133f而流動至第七下部流路217與第八下部流路218的相反側(圖7的右側)。
流動至第五下部流路215至第八下部流路218的相反側(圖7的右側)的清潔液藉由分別形成於第五下部流路215至第八下部流路218的底表面的多個噴出孔230而向用以清潔基板之噴頭10的外部噴出。
如上所述,因流路的構造及清潔液的流動,根據本發明的較佳實施例的用以清潔基板之噴頭10具有如下的效果。
如上所述,隨著第一主體100、第二主體200結合,第一上部流路部130、第二上部流路部140的下部表面由第二主體200的上表面構成。因此,供給至第一上下流路111的清潔液與第二主體200的上表面觸碰後,流動至第一主流路131,供給至第二上下流路121的清潔液與第二主體200的上表面觸碰後,流動至第二主流路141。
於先前的噴頭的情況下,被供給的清潔液觸碰的面為流路經加工的面的反面,於本發明的情況下,藉由第一上下流路、第二上下流路111、121供給的清潔液觸碰的面為第二主體200的未經加工的面(換言之,流路未經加工的面)。因此,所述未經加工的面的強度進一步加強,因此耐壓特性比先前的噴頭更高。
換言之,本發明的用以清潔基板之噴頭10具有與先前的噴頭相比高的耐壓特性。因此,與先前的噴頭相比,即便提高清潔液的供給壓並對用以清潔基板之噴頭10供給,亦防止用以清潔基板之噴頭10的流路破損,藉此,可發揮高的噴出壓性能。換言之,因用以清潔基板之噴頭10的高耐壓特性而利用高的供給壓來發揮高的噴出壓性能,或可保障由噴出孔230噴出的清潔液的均勻性,噴出清潔液而無死區。
另外,因如上所述的高耐壓特性,不僅可防止用以清潔基板之噴頭10內部的流路破損,而且可防止第一主體100、第二主體200的結合部位破損。
另外,如上所述,第一主體100與第二主體200結合而 上部流路部與下部流路部連通時(即,第一上部流路部130與第一下部流路211至第八下部流路218的左側上部連通,且第二上部流路部140與第一下部流路211至第八下部流路218的右側上部連通時),上部流路部的上部表面與下部流路部的下部表面沿上下方向,即Z軸方向彼此隔開(或第一平面與第二平面沿上下方向,即Z軸方向彼此隔開),因此,第一上部流路部130、第二上部流路部140分別與下部流路部,即第一下部流路211至第八下部流路218的連通區間沿上下形成落差區間。於此情況下,落差區間為第一下部流路211至第八下部流路218的深度。
因如上所述的落差區間,清潔液沿X-Y平面流動後在連通區間中沿Z軸流動,此種流動流帶來如下效果:降低因清潔液的壓力產生的負荷。因此,藉由所述落差區間,用以清潔基板之噴頭10具有高耐壓特性。
另外,如上所述,各個第1-2分支流路133b、第1-3分支流路133c、第1-5分支流路133e、第1-6分支流路133f、第2-2分支流路143b、第2-3分支流路143c、第2-5分支流路143e、第2-6分支流路143f的端部以被第一主體100堵塞的方式形成。該情形由於所述端部被第一主體100堵塞,因此可使清潔液的流動方向沿直角方向自然地改變,從而可使清潔液更平穩地流動至所述連通區間。
另外,第一下部流路211至第八下部流路218彼此獨立地形成並相互隔開,沿Y軸方向並排地配置,因此可藉由流動至 第一下部流路211至第八下部流路218的清潔液的流動壓抵消對彼此對向的流路施加的力。
若更詳細地說明,則流動至第一下部流路211至第八下部流路218的清潔液的流動壓沿各個第一下部流路211至第八下部流路218的前方及後方方向施加力。於此情況下,第一下部流路211與第二下部流路212之間、第二下部流路212與第三下部流路213之間、第三下部流路213與第四下部流路214之間、第四下部流路214與第五下部流路215之間、第五下部流路215與第六下部流路之間216、第六下部流路216與第七下部流路217之間、第七下部流路217與第八下部流路218之間的力由於其方向彼此相反,因此彼此抵消。因此,與先前的具有曲折的形狀的噴頭不同,可有效地防止第一下部流路211至第八下部流路218破損。此種第一下部流路211至第八下部流路218的效果亦有助於提高用以清潔基板之噴頭10的耐壓特性。
所述的用以清潔基板之噴頭10的高耐壓特性亦可於清潔液的供給壓力為「4.5Mpa~6Mpa」的情況下發揮。
因第一上部流路部130及第二上部流路部140的構造,藉由第一上下流路111及第一上部流路部130,流動至第一下部流路211至第八下部流路218的清潔液的流動距離,以及藉由第二上下流路121及第二上部流路部140,流動至第一下部流路211至第八下部流路218的清潔液的流動距離均相同。因此,相同的量的清潔液被供給至第一下部流路211至第八下部流路218的兩 側,因此可保障藉由噴出孔230噴出的清潔液的均勻噴出。
如上所述,由於均勻地保持藉由第一上部流路部130、第二上部流路部140而流動至噴出孔230的清潔液的流動壓,因此即便供壓電元件300插入的空心101形成於第一主孔110、第二主孔120之間,藉由位於壓電元件300的外圍的噴出孔230噴出的清潔液的大小亦可整體均勻地噴出。因此,與先前的噴頭相比可插入小的壓電元件300,因此可實現用以清潔基板之噴頭10的小型化。
於所述的說明中,以藉由第一主孔110、第二主孔120供給清潔液為基準進行說明,亦可僅於第一主孔110、第二主孔120中的任一者供給清潔液。
另外,於因清潔液所含有的粒子等異物堵塞噴出孔230等的原因而用以清潔基板之噴頭10內部的壓力不正常地急劇上昇的情況下,為了使壓力下降,亦可藉由第一主孔110、第二主孔120中的至少任一者排出清潔液。於此情況下,藉由第一上部流路部130、第二上部流路部140流出的清潔液誘發與下部流路部的第一下部流路211至第八下部流路218垂直的上昇壓,可利用垂直的上昇壓將堵塞噴出孔230的異物弄出。
於所述的本發明的用以清潔基板之噴頭10中,以形成有八個下部流路,即第一下部流路211至第八下部流路218為基準進行說明,但此種下部流路的個數可根據用以清潔基板之噴頭10的用途及清潔的基板的大小而不同,與此對應地,第一上部流 路部130、第二上部流路部140的第一分支區間133、第二分支區間143的分支次數亦可不同。
如上所述,參照本發明的較佳實施例進行說明,但相應技術領域的通常的技術入員可於不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域範圍內對本發明實施各種修正或變形。
10:用以清潔基板之噴頭
100:第一主體
101:空心
110:第一主孔
120:第二主孔
200:第二主體

Claims (13)

  1. 一種用以清潔基板之噴頭,其特徵在於包括:第一主體;第二主體,以使所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面抵接的方式與所述第一主體的下部結合;上部流路部,形成在所述第一主體且與主孔連通;以及下部流路部,形成在所述第二主體且與所述上部流路部及噴出孔連通,且所述上部流路部的上部表面與所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔開,所述上部流路部包括:上下流路,與所述主孔連通;主流路,與所述上下流路垂直連通;以及分支區間,與所述主流路相通,其中所述分支區間的端部的呈開放的下部與下部流路部的呈開放的上部連通。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用以清潔基板之噴頭,其中:所述上部流路部以所述上部流路部的下部開放的狀態,形成於所述第一主體的下表面,所述下部流路部以所述下部流路部的上部開放的狀態,形成於所述第二主體的上表面,所述噴出孔將所述噴出孔的上部與所述下部流路部的所述下部表面連通,並以所述噴出孔的下部開放的狀態形成於所述第二 主體的下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用以清潔基板之噴頭,其中所述分支區間的端部被所述第一主體堵塞。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用以清潔基板之噴頭,其中所述下部流路部包括彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的用以清潔基板之噴頭,其中於所述多個下部流路中的每一個連通有多個所述噴出孔。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的用以清潔基板之噴頭,其中與所述多個下部流路中的每一個連通的多個所述噴出孔沿所述多個下部流路中的每一個的長度方向排列為一列。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的用以清潔基板之噴頭,其中所述上部流路部包括與所述下部流路部的一側連通的第一上部流路部、及與所述下部流路部的相反側連通的第二上部流路部,所述第一上部流路部與所述第二上部流路部在同一平面上彼此不連通。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的用以清潔基板之噴頭,其中所述上部流路部包括:主流路,與和所述主孔連通的上下流路以彼此垂直的方式連通;以及分支區間,與所述主流路連通,且所述分支區間的端部的下部與所述下部流路部的上部連通。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的用以清潔基板之噴頭,其中所述下部流路部包括多個下部流路,藉由所述上下流路、所述主流路及所述分支區間而流動至所述多個下部流路中的每一個的清潔液的流動距離相同。
  10. 一種用以清潔基板之噴頭的製造方法,其特徵在於包括如下步驟:主體準備步驟,準備第一主體,於所述第一主體的下表面形成第一上部流路部及第二上部流路部,且於所述第一主體的上表面形成與所述第一上部流路部連通的第一主孔、及與所述第二上部流路部連通的第二主孔,準備第二主體,於所述第二主體的上表面形成有彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路;以及結合步驟,以如下方式將所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面結合:所述多個下部流路的一側的上部與所述第一上部流路部的第一分支區間的端部的下部連通,所述多個下部流路的相反側的上部與所述第二上部流路部的第二分支區間的端部的下部連通。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的用以清潔基板之噴頭的製造方法,其中於所述主體準備步驟中,所述第一上部流路部、所述第二上部流路部與所述多個下部流路分別藉由加工而形成,於所述結合步驟中,所述第一主體、所述第二主體的非加工部位與所述第一主體、所述第二主體的加工部位形成對向且密閉的流路構造。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的用以清潔基板之噴頭的製造方法,其中於所述主體準備步驟中,於所述第一主體的下表面及所述第二主體的上表面中的任一者形成有熔接突起,並於所述第一主體的下表面及所述第二主體的上表面中的另外一者形成有供所述熔接突起插入的熔接槽,所述熔接突起及所述熔接槽的至少一部分以包圍所述第一上部流路部、所述第二上部流路部及所述多個下部流路的方式形成於所述第一上部流路部、所述第二上部流路部及所述多個下部流路的外側方向。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的用以清潔基板之噴頭的製造方法,其中於所述主體準備步驟中,所述第一主體及所述第二主體包括聚醚醚酮材質,於所述結合步驟中,所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面的結合藉由利用超音波熔接使所述熔接突起與所述熔接槽熔接來執行。
TW108121878A 2018-06-25 2019-06-24 用以清潔基板之噴頭以及其製造方法 TWI808205B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0072752 2018-06-25
KR1020180072752A KR102116534B1 (ko) 2018-06-25 2018-06-25 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202000314A TW202000314A (zh) 2020-01-01
TWI808205B true TWI808205B (zh) 2023-07-11

Family

ID=68987408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108121878A TWI808205B (zh) 2018-06-25 2019-06-24 用以清潔基板之噴頭以及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11724268B2 (zh)
KR (1) KR102116534B1 (zh)
CN (1) CN112335027B (zh)
TW (1) TWI808205B (zh)
WO (1) WO2020004866A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102369020B1 (ko) * 2018-06-25 2022-03-02 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101011882A (zh) * 2001-12-20 2007-08-08 精工爱普生株式会社 喷头单元、该喷头单元的电子装置及其它们的制造方法
US7363727B2 (en) * 2002-09-30 2008-04-29 Lam Research Corporation Method for utilizing a meniscus in substrate processing
CN103155104A (zh) * 2010-10-06 2013-06-12 株式会社Eugene科技 通过对称型流入口和流出口供给反应气体的基板处理装置
KR20170038184A (ko) * 2017-03-27 2017-04-06 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10277449A (ja) * 1997-04-09 1998-10-20 Iwaki:Kk 液体分配ユニット及びこれを用いた定圧噴霧装置
US6749814B1 (en) * 1999-03-03 2004-06-15 Symyx Technologies, Inc. Chemical processing microsystems comprising parallel flow microreactors and methods for using same
US6659116B1 (en) * 2000-06-26 2003-12-09 Lam Research Corporation System for wafer carrier in-process clean and rinse
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US7632376B1 (en) * 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7520285B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7293571B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7003899B1 (en) * 2004-09-30 2006-02-28 Lam Research Corporation System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head
JP4277810B2 (ja) 2005-02-21 2009-06-10 ブラザー工業株式会社 ノズルプレートの製造方法及びノズルプレート
JP4861031B2 (ja) * 2006-03-27 2012-01-25 大阪ガスエンジニアリング株式会社 ノズル装置
US8291921B2 (en) * 2008-08-19 2012-10-23 Lam Research Corporation Removing bubbles from a fluid flowing down through a plenum
US7811423B2 (en) * 2006-10-06 2010-10-12 Lam Research Corporation Proximity processing using controlled batch volume with an integrated proximity head
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US7998304B2 (en) * 2007-12-20 2011-08-16 Lam Research Corporation Methods of configuring a proximity head that provides uniform fluid flow relative to a wafer
WO2009100409A2 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Lam Research Corporation Apparatus for substantially uniform fluid flow rates relative to a proximity head in processing of a wafer surface by a meniscus
US8235062B2 (en) 2008-05-09 2012-08-07 Fsi International, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation
US8739805B2 (en) * 2008-11-26 2014-06-03 Lam Research Corporation Confinement of foam delivered by a proximity head
US8246755B2 (en) * 2009-11-05 2012-08-21 Lam Research Corporation In situ morphological characterization of foam for a proximity head
KR101061614B1 (ko) 2009-12-21 2011-09-01 주식회사 케이씨텍 세정장치의 노즐유닛
JP5533064B2 (ja) * 2010-03-15 2014-06-25 ニッテツ北海道制御システム株式会社 マーキング装置
JP5702223B2 (ja) * 2011-05-16 2015-04-15 武蔵エンジニアリング株式会社 膜状塗布ノズル、塗布装置および塗布方法
JP6013808B2 (ja) 2012-07-03 2016-10-25 東日本旅客鉄道株式会社 多ノズル式スプレーヘッド
KR102250359B1 (ko) 2014-07-07 2021-05-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160008720A (ko) * 2014-07-14 2016-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102055370B1 (ko) * 2015-04-16 2019-12-16 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR20160141249A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101980214B1 (ko) * 2015-09-18 2019-05-20 주식회사 일진저스템 진동체를 이용한 기판 세정용 노즐 제조 방법
KR20170118995A (ko) * 2016-04-15 2017-10-26 세메스 주식회사 노즐 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP6696322B2 (ja) * 2016-06-24 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体
KR101909984B1 (ko) * 2017-11-30 2018-10-19 주식회사 쓰리디프리욜 기판 세정용 노즐

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101011882A (zh) * 2001-12-20 2007-08-08 精工爱普生株式会社 喷头单元、该喷头单元的电子装置及其它们的制造方法
US7363727B2 (en) * 2002-09-30 2008-04-29 Lam Research Corporation Method for utilizing a meniscus in substrate processing
CN103155104A (zh) * 2010-10-06 2013-06-12 株式会社Eugene科技 通过对称型流入口和流出口供给反应气体的基板处理装置
KR20170038184A (ko) * 2017-03-27 2017-04-06 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN112335027B (zh) 2024-07-30
CN112335027A (zh) 2021-02-05
US20210331184A1 (en) 2021-10-28
KR20200000665A (ko) 2020-01-03
WO2020004866A1 (ko) 2020-01-02
US11724268B2 (en) 2023-08-15
KR102116534B1 (ko) 2020-05-28
TW202000314A (zh) 2020-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100480338B1 (ko) 극소량의 유체제어를 위한 미세 유체제어소자
TWI694873B (zh) 基板清洗用噴嘴
TWI808205B (zh) 用以清潔基板之噴頭以及其製造方法
JP5725155B2 (ja) 射出成形用金型の製造方法、射出成形用金型、射出成形用金型セット、マイクロチップ用基板の製造方法、及びこの金型を用いたマイクロチップ製造方法
JP2012223889A (ja) レーザ接合方法
JP4141877B2 (ja) 真空チャック
KR101980214B1 (ko) 진동체를 이용한 기판 세정용 노즐 제조 방법
JP2009095800A (ja) 微細流路構造体およびその製造方法
JP2006234600A (ja) プラスチック製マイクロチップおよびその製造方法
EP3723912B1 (en) Mounting of an aerosol generator aperture plate to a support
JP2012007920A (ja) マイクロ流路デバイスの製造方法
JP2014122831A (ja) マイクロ流路デバイス
JP5598432B2 (ja) マイクロ流路デバイスの製造方法及びマイクロ流路チップ
KR102369020B1 (ko) 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법
KR102102990B1 (ko) 기판 세정용 노즐
CN101617387A (zh) 局部结合的方法和设备
JP2004256380A (ja) ガラス基板の接合方法
KR102011937B1 (ko) 기판 세정용 노즐
KR100839775B1 (ko) 도포 노즐 및 상기 노즐의 제조 방법
JP2017109383A (ja) 複合成形部材、複合成形部材の製造方法、および電子部品
JP2008249346A (ja) マイクロチップの製造方法及びマイクロチップ
CN102319593B (zh) 膜动聚合物微流控芯片及其制备方法
KR101980215B1 (ko) 진동체를 이용한 기판 세정용 노즐 제조 방법
JP2005305234A (ja) マイクロリアクタチップ
JP7307601B2 (ja) マイクロ流路デバイス