TWI805185B - 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法 - Google Patents

資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI805185B
TWI805185B TW111101364A TW111101364A TWI805185B TW I805185 B TWI805185 B TW I805185B TW 111101364 A TW111101364 A TW 111101364A TW 111101364 A TW111101364 A TW 111101364A TW I805185 B TWI805185 B TW I805185B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
test
self
storage device
data storage
burn
Prior art date
Application number
TW111101364A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202328701A (zh
Inventor
林文生
Original Assignee
慧榮科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 慧榮科技股份有限公司 filed Critical 慧榮科技股份有限公司
Priority to TW111101364A priority Critical patent/TWI805185B/zh
Priority to CN202210265198.0A priority patent/CN116486886A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI805185B publication Critical patent/TWI805185B/zh
Publication of TW202328701A publication Critical patent/TW202328701A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

一種資料儲存裝置的自我燒機測試系統及方法，其中自我燒機測試系統包括測試載具及測試機台，測試機台耦接測試載具。測試載具裝載資料儲存裝置。自我燒機測試方法包括：感測資料儲存裝置的內部溫度，其中資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；當內部溫度小於或等於第一臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對多個晶片同時地執行自我燒機測試。藉此，可有效降低資料儲存裝置的資料區塊的錯誤位元率。

Description

資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法
本發明是有關一種資料儲存裝置的燒機測試，尤其是一種資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法。
資料儲存裝置中損壞區塊的數量多寡會影響寫入資料至資料儲存裝置的效能、垃圾收集的效率、寫入放大指標(Write amplifier indicator,WAI)的高低以及資料儲存裝置的等級，因此需要一種精確判斷損壞區塊的數量的技術。在資料儲存裝置的自我燒機測試的過程中，資料儲存裝置的內部溫度同樣會影響每一資料區塊的錯誤位元率，甚至是無法透過錯誤修正碼修正，而造成損壞區塊的數量增加，因此需要一種依據資料儲存裝置的內部溫度調整資料儲存裝置的測試範圍以降低資料區塊的錯誤位元率的技術。
本發明提供一種資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法，可依據資料儲存裝置的內部溫度調整資料儲存裝置的測試範圍以降低資料區塊的錯誤位元率以及損壞區塊的數量。
本發明所提供的資料儲存裝置的自我燒機測試方法，適用於自我燒機測試系統。自我燒機測試系統包括測試載具及測試機台，其中測試機台耦接測試載具，測試載具裝載資料儲存裝置，自我燒機測試方法包括以下操作：感測資料儲存裝置的內部溫度，其中資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；以及當內部溫度小於或等於第一臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對上述多個晶片同時地執行自我燒機測試。
本發明所提供的資料儲存裝置的自我燒機測試系統包括測試載具及測試機台。上述測試載具用以裝載資料儲存裝置。測試機台耦接測試載具。上述自我燒機測試系統執行自我燒機測試方法。自我燒機測試方法包括：感測資料儲存裝置的內部溫度，其中資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；以及當內部溫度小於或等於第一臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對上述多個晶片同時地執行自我燒機測試。
在本發明的一實施例中，上述自我燒機測試方法更包括：當資料儲存裝置的內部溫度介於第一臨界值與第二臨界值之間時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對部分的晶片同時地執行自我燒機測試。
在本發明的一實施例中，上述自我燒機測試方法更包括：當資料儲存裝置的內部溫度大於第二臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲 存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的儲存矩陣同時地執行自我燒機測試。
在本發明的一實施例中，上述測試載具包括溫度感測器，並用以感測資料儲存裝置的內部溫度。
在本發明的一實施例中，上述資料儲存裝置包括溫度感測器，並用以感測資料儲存裝置的內部溫度。
本發明所提供的資料儲存裝置的自我燒機測試方法，適用於自我燒機測試系統。自我燒機測試系統包括測試載具及測試機台，其中測試機台耦接測試載具，測試載具裝載資料儲存裝置，自我燒機測試方法包括以下操作：感測資料儲存裝置的內部溫度，其中資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；判斷資料儲存裝置的內部溫度是否小於或等於第一臨界值；以及當判斷資料儲存裝置的內部溫度小於或等於第一臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對多個晶片同時地執行自我燒機測試。
本發明所提供的資料儲存裝置的自我燒機測試系統包括測試載具及測試機台。上述測試載具用以裝載資料儲存裝置。測試機台耦接測試載具。上述自我燒機測試系統執行自我燒機測試方法包括：感測資料儲存裝置的內部溫度，其中資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；判斷資料儲存裝置的內部溫度是否小於或等於第一臨界值；以及當判斷資料儲存裝置的內部溫度小於或等於第一臨界值時，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對多個晶片同時地執行自我燒機測試。
在本發明的一實施例中，當判斷資料儲存裝置的內部溫度大於第一臨界值時，判斷資料儲存裝置的內部溫度是否小於或等於第二臨界值；以及當判斷資料儲存裝置的內部溫度小於或等於第二臨界值，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對部分的晶片同時地執行自我燒機測試；其中第一臨界值小於第二臨界值。
在本發明的一實施例中，當判斷資料儲存裝置的內部溫度大於第二臨界值，加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置並通過轉接介面裝設資料儲存裝置於高低溫測試機台上以初始化自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的儲存矩陣同時地執行自我燒機測試。
在本發明的一實施例中，上述測試載具包括溫度感測器，用以感測資料儲存裝置的內部溫度。
在本發明的一實施例中，上述資料儲存裝置包括溫度感測器，用以感測資料儲存裝置的內部溫度。
本發明因採用溫度感測器感測資料儲存裝置的內部溫度，因此可依據資料儲存裝置的內部溫度調整資料儲存裝置的測試範圍以降低資料區塊的錯誤位元率以及損壞區塊的數量。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
1,1’:自我燒機測試系統
2:測試載具
3:測試機台
5,5’:資料儲存裝置
21,21’:第一控制裝置
31:第二控制裝置
32:儲存裝置
33:輸入輸出裝置
51:控制單元
52:資料儲存媒體
53:溫度感測器
211:溫度感測器
D0、D1、D2、…、D(s-1):晶圓
PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1):儲存矩陣
B0、B1、B2、…、B(z-1):資料區塊
P0、P1、P2、…、P(n-1):資料頁
S1,S3,S5,S7,S11,S13,S15,S17,S19,S21:步驟
圖1為本發明一實施例所提供的自我燒機測試系統的示意圖；圖2為本發明一實施例所提供的資料儲存裝置的示意圖； 圖3為本發明一實施例所提供的晶圓的示意圖；圖4為本發明一實施例所提供的儲存矩陣的示意圖；圖5為本發明一實施例所提供的自我燒機測試方法的流程圖；圖6為本發明另一實施例所提供的自我燒機測試系統的示意圖；圖7為本發明另一實施例所提供的資料儲存裝置的示意圖；以及圖8為本發明另一實施例所提供的自我燒機測試方法的流程圖。
請參閱圖1，為本發明一實施例所提供的自我燒機測試系統的示意圖。自我燒機測試系統1包括測試載具2以及測試機台3，其中測試載具2可選擇性地連接至測試機台3，並透過一特定通訊標準與測試機台3溝通，其中特定通訊標準可包含(但不限於)串列高級技術附件(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)標準、通用序列匯流排(Universal Serial Bus,USB)標準、快捷外設互聯(Peripheral Component Interconnect Express,PCIe)標準。測試載具2包括第一控制裝置21，以及一或多個插槽(未繪示)以裝載資料儲存裝置5，其中第一控制裝置21包括溫度感測器211以感測資料儲存裝置5的內部溫度。當資料儲存裝置5裝設置上述插槽中時，資料儲存裝置5係耦接至第一控制裝置21，以使溫度感測器211感測資料儲存裝置5的內部溫度。其中，第一控制裝置21可包含(但不限於)：微處理器(Microprocessor)或中央處理器(Central Processing Unit,CPU)。此外，測試載具2可包含一唯讀記憶體(未繪示)，其用來儲存一程式碼，而第一控制裝置21係執行程式碼以控制資料儲存裝置5的存取。資料儲存裝置5可包含(但不限於)：符合嵌入式多媒體記憶卡(embedded Multi Media Card,eMMC)標準、或通用快閃記憶體儲存(Universal Flash Storage,UFS)標 準)之各種嵌入式(embedded)記憶裝置。測試機台3包括第二控制裝置31、儲存裝置32以及輸入輸出裝置33，其中第二控制裝置31耦接儲存裝置32以及輸入輸出裝置33。儲存裝置32用以儲存資料儲存裝置5的自我燒機測試韌體、量產版韌體，而輸入輸出裝置33用以顯示資料儲存裝置5的自我燒機測試的相關資訊，以及提供測試者一操作介面以操作測試機台3。另外，第二控制裝置31可依據測試者之操作選擇性地加載自我燒機測試韌體、量產版韌體至資料儲存裝置5以及對資料儲存裝置5進行分級。其中第二控制裝置31可包含(但不限於)：微處理器(Microprocessor)或中央處理器(Central Processing Unit,CPU)。儲存裝置32可包含(但不限於)：可攜式記憶裝置(諸如符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS標準之一記憶卡)、硬碟(Hard Disk Drive,HDD)、固態硬碟(solid state drive,SSD)及/或分別符合UFS以及eMMC標準之各種嵌入式記憶裝置。輸入輸出裝置33可包含(但不限於)：發光二極體(LED)螢幕、陰極射線管(CRT)螢幕、液晶顯示器(LCD)螢幕等輸出裝置、以及鍵盤、滑鼠及/或觸控面板等輸入裝置。
請參閱圖2-圖4，分別為本發明一實施例的資料儲存裝置5、晶圓(Die)、以及儲存矩陣(Planes)的示意圖。本發明的資料儲存裝置5包括控制單元51及資料儲存媒體52，其中資料儲存媒體52可以是非易失性記憶體，例如閃存記憶體，MRAM(磁性RAM)，ERAM(鐵電RAM)，PCM(相變記憶體)，STTRAM(自旋轉移矩RAM)，ReRAM(電阻RAM)或能夠長時間儲存資料的憶阻器。資料儲存媒體52可包括多個晶圓(Dies)D0、D1、D2、…、D(s-1)。控制單元51利用晶片致能(CE)針腳來致能要被存取的至少一晶圓D0、D1、D2、…、D(s-1)。每一晶圓D0、D1、D2、…、D(s-1)包括多個儲存矩陣PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)。每一儲存矩陣PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)包括多個資料區塊(Blocks)B0、B1、B2、…、B(z-1)。每 一資料區塊B0、B1、B2、…、B(z-1)包括多個資料頁(pages)P0、P1、P2、…、P(n-1)。每一資料頁P0、P1、P2、…、P(n-1)包括具有資料區與備用區的複數個資料行。另外，上述中的n、t、s及z皆為大於1的正整數。
請參閱圖5，為本發明一實施例所提供的自我燒機測試方法的流程圖。在步驟S1中，第二控制裝置31通過測試載具2的第一控制裝置21感測資料儲存裝置5的內部溫度。詳細地說，第二控制裝置31通過溫度感測器211感測資料儲存裝置5的內部溫度。
在步驟S3中，當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度小於或等於第一臨界值時，第二控制裝置31加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對資料儲存裝置5中的所有晶片D0、D1、D2、…、D(s-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量，其中轉接介面為用以裝設多個資料儲存裝置5的多埠電路板，而初始化的定義為高低溫測試機台通過轉接介面提供電源至資料儲存裝置5、提供時鐘訊號給資料儲存裝置5以及使資料儲存裝置5進入開機模式。此外，測試者可通過輸入輸出裝置33所顯示的使用者介面來執行加載自我燒機韌體於資料儲存裝置5的動作以對自我燒機韌體進行參數設定如執行幾個迴圈、是否要重新測試、測試的範圍尺寸等。藉此，使資料儲存裝置5執行自我燒機測試以記錄資料儲存裝置5自我燒機測試的結果。另外，可以注意的是，資料儲存裝置5自我燒機測試的結果會儲存在資料儲存裝置5的一區塊當中，以便在資料儲存裝置5的自我燒機測試完成後從轉接介面拆卸下並重新裝設置於測試載具2的插槽上時，可供第二控制裝置31通過第一控制裝置21讀取自我燒機測試的結果。其中，第一臨界值較佳地為115度C。然而，本領域技術人員可以依據資料 儲存裝置5的硬體設定及製程定義第一臨界值的數值，因此本案並不以上述數值為限制。一示例中，假設資料儲存裝置5包括2個晶圓D0及D1，晶圓D0及D1各別包括2個儲存矩陣PL0及PL1，以及第一臨界值為115度C。當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度等於105度C時，第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5是在115度C的溫度範圍內，因此加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5以讓資料儲存裝置5中的所有晶片D0及D1同時地執行自我燒機測試，以找出所有損壞區塊的數量。
在步驟S5中，當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度介於第一臨界值與第二臨界值之間時，第二控制裝置31加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對部分的晶片D0、D1、D2、…、D(s-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量。其中，第二臨界值大於第一臨界值。並且，本領域技術人員可以依據資料儲存裝置5的硬體設定及製程定義第二臨界值的數值。一示例中，假設資料儲存裝置5包括2個晶圓D0及D1，晶圓D0及D1各別包括2個儲存矩陣PL0及PL1，第一臨界值為115度C以及第二臨界值為125度C。當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度為120度C之間時，第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度是在115度C與125度C之間的溫度範圍內，因此加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5以讓資料儲存裝置5中的晶片D0或D1中的所有儲存矩陣PL0、PL1同時地執行自我燒機測試，以找出晶片D0或D1中所有損壞區塊的數量。
在步驟S7中，當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度大於第二臨界值時，第二控制裝置31加載自我燒機測試 韌體於資料儲存裝置5中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的儲存矩陣PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量。一示例中，假設資料儲存裝置5包括2個晶圓D0及D1，晶圓D0及D1各別包括2個儲存矩陣PL0及PL1，以及第二臨界值為125度C。當第二控制裝置31通過溫度感測器211感測到資料儲存裝置5的內部溫度為130度C時，第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度是大於125度C，因此加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5以讓資料儲存裝置5中的晶片D0或D1中的儲存矩陣PL0或PL1中的所有資料區塊(Blocks)B0、B1、B2、…、B(z-1)同時地執行自我燒機測試，以找出晶片D0或D1中的儲存矩陣PL0或PL1中的所有損壞區塊的數量。
請參閱圖6及7，為本發明另一實施例所提供的自我燒機測試系統與資料儲存裝置示意圖。本發明實施例的自我燒機測試系統1’與前一實施例的自我燒機測試系統1的差異僅在於自我燒機測試系統1’的第一控制裝置21’未包括溫度感測器211，以及資料儲存裝置5’包括溫度感測器53。而兩系統所要解決的技術問題，所要執行的技術手段，以及所要達成的技術功效皆相同，故於此不在贅述。
請參閱圖8，為本發明另一實施例所提供的自我燒機測試方法的流程圖。在步驟S11中，第二控制裝置31通過測試載具2的第一控制裝置21感測資料儲存裝置5的內部溫度，其中第二控制裝置31通過溫度感測器211感測資料儲存裝置5的內部溫度。
在步驟S13中，第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度是否小於或等於第一臨界值。
在步驟S15中，當第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度小於或等於第一臨界值時，第二控制裝置31加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對資料儲存裝置5中的所有晶片D0、D1、D2、…、D(s-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量。
在步驟S17中，當第二控制裝置31通判斷資料儲存裝置5的內部溫度大於第一臨界值時，第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度是否小於或等於第二臨界值。
在步驟S19中，當第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度小於或等於第二臨界值，第二控制裝置31加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對部分的晶片D0、D1、D2、…、D(s-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量。
在步驟S21中，當第二控制裝置31判斷資料儲存裝置5的內部溫度大於第二臨界值，第二控制裝置31加載自我燒機測試韌體於資料儲存裝置5中，並且資料儲存裝置5通過轉接介面(未繪示)以裝設於高低溫測試機台(未繪示)上來初始化自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的儲存矩陣PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)同時地執行自我燒機測試，以判斷資料儲存裝置5中損壞區塊的數量。
此外，可以注意的是，上述本發明多個實施例定義的測試範圍並非是限定本發明，本領域技術人員可以依據資料儲存裝置5的硬體設定及製程定義步驟S3、S5、S7、S15、S19、S21中資料儲存裝置5的測試範圍。
綜上所述，本發明所提供的資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法，可達到依據資料儲存裝置的內部溫度調整資料儲存裝置的測試範圍以便降低資料區塊的錯誤位元率以及損壞區塊的數量的目的。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1,S3,S5,S7:步驟

Claims (20)

  1. 一種資料儲存裝置的自我燒機測試方法，適用於一自我燒機測試系統，該自我燒機測試系統包括一測試載具及一測試機台，其中該測試機台耦接該測試載具，該測試載具裝載該資料儲存裝置，該自我燒機測試方法包括以下操作：感測該資料儲存裝置的一內部溫度，其中該資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；當該內部溫度小於或等於一第一臨界值時，加載一自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過一轉接介面裝設該資料儲存裝置於一高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對該些晶片同時地執行一自我燒機測試；以及當該內部溫度大於該第一臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  2. 如請求項1所述之自我燒機測試方法，更包括：當該內部溫度介於該第一臨界值與一第二臨界值之間時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  3. 如請求項2所述之自我燒機測試方法，更包括：當該內部溫度大於該第二臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的該些儲存矩陣同時地執行該自我燒機測試。
  4. 如請求項1所述之自我燒機測試方法，其中該測試載具包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  5. 如請求項1所述之自我燒機測試方法，其中該資料儲存裝置包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  6. 一種資料儲存裝置的自我燒機測試系統，包括：一測試載具，用以裝載該資料儲存裝置；以及一測試機台，耦接該測試載具；其中該自我燒機測試系統執行一自我燒機測試方法包括：感測該資料儲存裝置的一內部溫度，其中該資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；當該內部溫度小於或等於一第一臨界值時，加載一自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過一轉接介面裝設該資料儲存裝置於一高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對該些晶片同時地執行一自我燒機測試；以及當該內部溫度大於該第一臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  7. 如請求項6所述之自我燒機測試系統，其中該自我燒機測試方法更包括：當該內部溫度介於該第一臨界值與一第二臨界值之間時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫 測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  8. 如請求項7所述之自我燒機測試系統，其中該自我燒機測試方法更包括：當該內部溫度大於該第二臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的該些儲存矩陣同時地執行該自我燒機測試。
  9. 如請求項6所述之自我燒機測試系統，其中該測試載具包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  10. 如請求項6所述之自我燒機測試系統，其中該資料儲存裝置包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  11. 一種資料儲存裝置的自我燒機測試方法，適用於一自我燒機測試系統，該自我燒機測試系統包括一測試載具及一測試機台，其中該測試機台耦接該測試載具，該測試載具裝載該資料儲存裝置，該自我燒機測試方法包括以下操作：感測該資料儲存裝置的一內部溫度，其中該資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；判斷該內部溫度是否小於或等於一第一臨界值；當判斷該內部溫度小於或等於該第一臨界值時，加載一自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過一轉接介面裝設該資料儲存裝置於一高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對該些晶片同時地執行一自我燒機測試；以及 當該內部溫度大於該第一臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  12. 如請求項11所述之自我燒機測試方法，更包括：當判斷該內部溫度大於該第一臨界值時，判斷該內部溫度是否小於或等於一第二臨界值；以及當判斷該內部溫度小於或等於該第二臨界值，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試；其中該第一臨界值小於該第二臨界值。
  13. 如請求項12所述之自我燒機測試方法，更包括：當判斷該內部溫度大於該第二臨界值，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的該些儲存矩陣同時地執行該自我燒機測試。
  14. 如請求項11所述之自我燒機測試方法，其中該測試載具包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  15. 如請求項11所述之自我燒機測試方法，其中該資料儲存裝置包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  16. 一種資料儲存裝置的自我燒機測試系統，包括：一測試載具，用以裝載該資料儲存裝置；以及一測試機台，耦接該測試載具； 其中該自我燒機測試系統執行一自我燒機測試方法包括：感測該資料儲存裝置的一內部溫度，其中該資料儲存裝置包括多個晶片，每一晶片包括多個儲存矩陣，以及每一儲存矩陣包括多個資料區塊；判斷該內部溫度是否小於或等於一第一臨界值；當判斷該內部溫度小於或等於該第一臨界值時，加載一自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過一轉接介面裝設該資料儲存裝置於一高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對該些晶片同時地執行一自我燒機測試；以及當該內部溫度大於該第一臨界值時，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試。
  17. 如請求項16所述之自我燒機測試系統，其中該自我燒機測試方法更包括：當判斷該內部溫度大於該第一臨界值時，判斷該內部溫度是否小於或等於一第二臨界值；以及當判斷該內部溫度小於或等於該第二臨界值，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對部分的該些晶片同時地執行該自我燒機測試；其中該第一臨界值小於該第二臨界值。
  18. 如請求項17所述之自我燒機測試系統，其中該自我燒機測試方法更包括： 當判斷該內部溫度大於該第二臨界值，加載該自我燒機測試韌體於該資料儲存裝置並通過該轉接介面裝設該資料儲存裝置於該高低溫測試機台上以初始化該自我燒機測試韌體以對一晶片中部分的該些儲存矩陣同時地執行該自我燒機測試。
  19. 如請求項16所述之自我燒機測試系統，其中該測試載具包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
  20. 如請求項16所述之自我燒機測試系統，其中該資料儲存裝置包括一溫度感測器，用以感測該資料儲存裝置的該內部溫度。
TW111101364A 2022-01-13 2022-01-13 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法 TWI805185B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111101364A TWI805185B (zh) 2022-01-13 2022-01-13 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法
CN202210265198.0A CN116486886A (zh) 2022-01-13 2022-03-17 数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111101364A TWI805185B (zh) 2022-01-13 2022-01-13 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI805185B true TWI805185B (zh) 2023-06-11
TW202328701A TW202328701A (zh) 2023-07-16

Family

ID=87225546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111101364A TWI805185B (zh) 2022-01-13 2022-01-13 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN116486886A (zh)
TW (1) TWI805185B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1141596C (zh) * 1999-05-21 2004-03-10 台达电子工业股份有限公司 电器烧机故障测试方法及装置
US20070269911A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Kingston Technology Corp. Memory-Module Manufacturing Method with Memory-Chip Burn-In and Full Functional Testing Delayed Until Module Burn-In
CN101769985A (zh) * 2008-12-30 2010-07-07 京元电子股份有限公司 Ic组件烧机设备及其所使用的ic加热装置
TW201037327A (en) * 2009-04-02 2010-10-16 King Yuan Electronics Co Ltd Chip burn-in machine with group testing
WO2020090262A1 (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 オムロン株式会社 温度閾値決定装置、温度異常判定システム、温度閾値決定方法、およびプログラム
TWM615379U (zh) * 2021-01-19 2021-08-11 伊士博國際商業股份有限公司 內建可撓性電連接之燒機插座

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1141596C (zh) * 1999-05-21 2004-03-10 台达电子工业股份有限公司 电器烧机故障测试方法及装置
US20070269911A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Kingston Technology Corp. Memory-Module Manufacturing Method with Memory-Chip Burn-In and Full Functional Testing Delayed Until Module Burn-In
CN101769985A (zh) * 2008-12-30 2010-07-07 京元电子股份有限公司 Ic组件烧机设备及其所使用的ic加热装置
TW201037327A (en) * 2009-04-02 2010-10-16 King Yuan Electronics Co Ltd Chip burn-in machine with group testing
WO2020090262A1 (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 オムロン株式会社 温度閾値決定装置、温度異常判定システム、温度閾値決定方法、およびプログラム
TWM615379U (zh) * 2021-01-19 2021-08-11 伊士博國際商業股份有限公司 內建可撓性電連接之燒機插座

Also Published As

Publication number Publication date
CN116486886A (zh) 2023-07-25
TW202328701A (zh) 2023-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9747200B1 (en) Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices
CN113220220B (zh) 控制器、控制器的操作方法及包括该控制器的存储装置
US10878924B2 (en) Data storage device intergrating host read commands and method of operating the same
CN114566207B (zh) 存储器的测试方法及测试装置
CN110286847B (zh) 数据存储装置及其操作方法
US11481153B2 (en) Data storage device and operating method thereof
WO2016105649A1 (en) Measuring memory wear and data retention individually based on cell voltage distributions
US11422708B2 (en) Memory interface, data storage device including the same and operating method thereof
US11036493B2 (en) Memory system and operating method thereof
CN109582483B (zh) 数据存储装置及其操作方法
US20210303432A1 (en) Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card
KR20220132026A (ko) 메모리 디바이스의 다중 핀 구성
TWI805185B (zh) 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法
CN110299181B (zh) 非易失性存储器装置、其操作方法及数据存储装置
JP2023033158A (ja) データをリフレッシュするデータ記憶装置およびその動作方法
TWI831118B (zh) 資料儲存裝置及其編程應力消除方法
CN112394879B (zh) 操作存储设备的方法、存储设备及操作存储系统的方法
US11194512B2 (en) Data storage device which selectively performs a cache read or a normal read operation depending on work load and operating method thereof
US11157401B2 (en) Data storage device and operating method thereof performing a block scan operation for checking for valid page counts
CN112540881B (zh) 存储装置测试管理方法以及存储装置测试管理系统
TWI837552B (zh) 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法
TW202324100A (zh) 資料儲存裝置的自我燒機測試系統及其方法
KR20190061942A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US20230229553A1 (en) Zero voltage program state detection
KR102678655B1 (ko) 메모리 인터페이스, 이를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그 동작 방법