CN116486886A - 数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法 - Google Patents

数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法 Download PDF

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Abstract

一种数据储存装置的自我烧机测试系统及方法，其中自我烧机测试系统包括测试载具及测试机台，测试机台耦接测试载具。测试载具装载数据储存装置。自我烧机测试方法包括：感测数据储存装置的内部温度，其中数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，及每一储存矩阵包括多个数据区块；当内部温度小于或等于第一临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对多个芯片同时地执行自我烧机测试。借此，可有效降低数据储存装置的数据区块的错误比特率。

Description

数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法
技术领域
本发明涉及一种数据储存装置的烧机测试，尤其涉及一种数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法。
背景技术
数据储存装置中损坏区块的数量多寡会影响写入数据至数据储存装置的效能、垃圾收集的效率、写入放大指标(Write amplifier indicator,WAI)的高低以及数据储存装置的等级，因此需要一种精确判断损坏区块的数量的技术。在数据储存装置的自我烧机测试的过程中，数据储存装置的内部温度同样会影响每一数据区块的错误比特率，甚至是无法通过错误修正码修正，而造成损坏区块的数量增加，因此需要一种依据数据储存装置的内部温度调整数据储存装置的测试范围以降低数据区块的错误比特率的技术。
发明内容
本发明提供了一种数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法，可依据数据储存装置的内部温度调整数据储存装置的测试范围以降低数据区块的错误比特率以及损坏区块的数量。
本发明所提供的数据储存装置的自我烧机测试方法，适用于自我烧机测试系统。自我烧机测试系统包括测试载具及测试机台，其中测试机台耦接测试载具，测试载具装载数据储存装置，自我烧机测试方法包括以下操作：感测数据储存装置的内部温度，其中数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；以及当内部温度小于或等于第一临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对上述多个芯片同时地执行自我烧机测试。
本发明所提供的数据储存装置的自我烧机测试系统包括测试载具及测试机台。上述测试载具用以装载数据储存装置。测试机台耦接测试载具。上述自我烧机测试系统执行自我烧机测试方法。自我烧机测试方法包括：感测数据储存装置的内部温度，其中数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；以及当内部温度小于或等于第一临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对上述多个芯片同时地执行自我烧机测试。
在本发明的一实施例中，上述自我烧机测试方法更包括：当数据储存装置的内部温度介于第一临界值与第二临界值之间时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对部分的芯片同时地执行自我烧机测试。
在本发明的一实施例中，上述自我烧机测试方法更包括：当数据储存装置的内部温度大于第二临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对一芯片中部分的储存矩阵同时地执行自我烧机测试。
在本发明的一实施例中，上述测试载具包括温度传感器，并用以感测数据储存装置的内部温度。
在本发明的一实施例中，上述数据储存装置包括温度传感器，并用以感测数据储存装置的内部温度。
本发明所提供的数据储存装置的自我烧机测试方法，适用于自我烧机测试系统。自我烧机测试系统包括测试载具及测试机台，其中测试机台耦接测试载具，测试载具装载数据储存装置，自我烧机测试方法包括以下操作：感测数据储存装置的内部温度，其中数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；判断数据储存装置的内部温度是否小于或等于第一临界值；以及当判断数据储存装置的内部温度小于或等于第一临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对多个芯片同时地执行自我烧机测试。
本发明所提供的数据储存装置的自我烧机测试系统包括测试载具及测试机台。上述测试载具用以装载数据储存装置。测试机台耦接测试载具。上述自我烧机测试系统执行自我烧机测试方法包括：感测数据储存装置的内部温度，其中数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；判断数据储存装置的内部温度是否小于或等于第一临界值；以及当判断数据储存装置的内部温度小于或等于第一临界值时，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对多个芯片同时地执行自我烧机测试。
在本发明的一实施例中，当判断数据储存装置的内部温度大于第一临界值时，判断数据储存装置的内部温度是否小于或等于第二临界值；以及当判断数据储存装置的内部温度小于或等于第二临界值，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对部分的芯片同时地执行自我烧机测试；其中第一临界值小于第二临界值。
在本发明的一实施例中，当判断数据储存装置的内部温度大于第二临界值，加载自我烧机测试固件于数据储存装置并通过转接接口装设数据储存装置于高低温测试机台上以初始化自我烧机测试固件以对一芯片中部分的储存矩阵同时地执行自我烧机测试。
在本发明的一实施例中，上述测试载具包括温度传感器，用以感测数据储存装置的内部温度。
在本发明的一实施例中，上述数据储存装置包括温度传感器，用以感测数据储存装置的内部温度。
本发明因采用温度传感器感测数据储存装置的内部温度，因此可依据数据储存装置的内部温度调整数据储存装置的测试范围以降低数据区块的错误比特率以及损坏区块的数量。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为发明一实施例所提供的自我烧机测试系统的示意图；
图2为本发明一实施例所提供的数据储存装置的示意图；
图3为本发明一实施例所提供的芯片的示意图；
图4为本发明一实施例所提供的储存矩阵的示意图；
图5为本发明一实施例所提供的自我烧机测试方法的流程图；
图6为本发明另一实施例所提供的自我烧机测试系统的示意图；
图7为本发明另一实施例所提供的数据储存装置的示意图；以及
图8为本发明另一实施例所提供的自我烧机测试方法的流程图。
具体实施方式
请参阅图1，为本发明一实施例所提供的自我烧机测试系统的示意图。自我烧机测试系统1包括测试载具2以及测试机台3，其中测试载具2可选择性地连接至测试机台3，并通过一特定通讯标准与测试机台3沟通，其中特定通讯标准可包含(但不限于)串行高级技术附件(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)标准、通用串行总线(UniversalSerial Bus,USB)标准、快捷外设互联(Peripheral Component Interconnect Express,PCIe)标准。测试载具2包括第一控制装置21，以及一或多个插槽(未绘示)以装载数据储存装置5，其中第一控制装置21包括温度传感器211以感测数据储存装置5的内部温度。当数据储存装置5装设置上述插槽中时，数据储存装置5系耦接至第一控制装置21，以使温度传感器211感测数据储存装置5的内部温度。其中，第一控制装置21可包含(但不限于)：微处理器(Microprocessor)或中央处理器(Central Processing Unit,CPU)。此外，测试载具2可包含一只读储存器(未绘示)，其用来储存一程序代码，而第一控制装置21执行程序代码以控制数据储存装置5的存取。数据储存装置5可包含(但不限于)：符合嵌入式多媒体卡(embedded Multi Media Card,eMMC)标准、或通用闪存储存(Universal Flash Storage,UFS)标准)之各种嵌入式(embedded)储存置。测试机台3包括第二控制装置31、储存装置32以及输入输出装置33，其中第二控制装置31耦接储存装置32以及输入输出装置33。储存装置32用以储存数据储存装置5的自我烧机测试固件、量产版固件，而输入输出装置33用以显示数据储存装置5的自我烧机测试的相关信息，以及提供测试者一操作接口以操作测试机台3。另外，第二控制装置31可依据测试者的操作选择性地加载自我烧机测试固件、量产版固件至数据储存装置5以及对数据储存装置5进行分级。其中第二控制装置31可包含(但不限于)：微处理器(Microprocessor)或中央处理器(Central Processing Unit,CPU)。储存装置32可包含(但不限于)：可携式记忆装置(诸如符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准之一记忆卡)、硬盘(Hard Disk Drive,HDD)、固态硬盘(solid state drive,SSD)及/或分别符合UFS以及eMMC标准之各种嵌入式记忆装置。输入输出装置33可包含(但不限于)：发光二极管(LED)屏幕、阴极射线管(CRT)屏幕、液晶显示器(LCD)屏幕等输出装置、以及键盘、鼠标及/或触控面板等输入设备。
请参阅图2-图4，分别为本发明一实施例的数据储存装置5、芯片(Die)、以及储存矩阵(Planes)的示意图。本发明的数据储存装置5包括控制单元51及数据储存媒体52，其中数据储存媒体52可以是非易失性内存，例如闪存内存，MRAM(磁性RAM)，FRAM(铁电RAM)，PCM(相变内存)，STTRAM(自旋转移矩RAM)，ReRAM(电阻RAM)或能够长时间储存数据的忆阻器。数据储存媒体52可包括多个芯片(Dies)D0、D1、D2、…、D(s-1)。控制单元51利用芯片致能(CE)针脚来致能要被存取的至少一芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)。每一芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)包括多个储存矩阵PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)。每一储存矩阵PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)包括多个数据区块(Blocks)B0、B1、B2、…、B(z-1)。每一数据区块B0、B1、B2、…、B(z-1)包括多个数据页(pages)P0、P1、P2、…、P(n-1)。每一数据页P0、P1、P2、…、P(n-1)包括具有数据区与备用区的多个数据列。另外，上述中的n、t、s及z皆为大于1的正整数。
请参阅图5，为本发明一实施例所提供的自我烧机测试方法的流程图。在步骤S1中，第二控制装置31通过测试载具2的第一控制装置21感测数据储存装置5的内部温度。详细地说，第二控制装置31通过温度传感器211感测数据储存装置5的内部温度。
在步骤S3中，当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度小于或等于第一临界值时，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置5中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对数据储存装置5中的所有芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量，其中转接接口为用以装设多个数据储存装置5的多端口电路板，而初始化的定义为高低温测试机台通过转接接口提供电源至数据储存装置5、提供时钟信号给数据储存装置5以及使数据储存装置5进入开机模式。此外，测试者可通过输入输出装置33所显示的用户接口来执行加载自我烧机固件于数据储存装置5的动作以对自我烧机固件进行参数设定如执行几个循环、是否要重新测试、测试的范围尺寸等。借此，使数据储存装置5执行自我烧机测试以记录数据储存装置5自我烧机测试的结果。另外，可以注意的是，数据储存装置5自我烧机测试的结果会储存在数据储存装置5的一区块当中，以便在数据储存装置5的自我烧机测试完成后从转接接口拆卸下并重新装设置于测试载具2的插槽上时，可供第二控制装置31通过第一控制装置21读取自我烧机测试的结果。其中，第一临界值较佳地为115度C。然而，本领域技术人员可以依据数据储存装置5的硬件配置及制程定义第一临界值的数值，因此本案并不以上述数值为限制。一示例中，假设数据储存装置5包括2个芯片D0及D1，芯片D0及D1各别包括2个储存矩阵PL0及PL1，以及第一临界值为115度C。当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度等于105度C时，第二控制装置31判断数据储存装置5是在115度C的温度范围内，因此加载自我烧机测试固件于数据储存装置5以让数据储存装置5中的所有芯片D0及D1同时地执行自我烧机测试，以找出所有损坏区块的数量。
在步骤S5中，当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度介于第一临界值与第二临界值之间时，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对部分的芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量。其中，第二临界值大于第一临界值。并且，本领域技术人员可以依据数据储存装置5的硬件配置及制程定义第二临界值的数值。一示例中，假设数据储存装置5包括2个芯片D0及D1，芯片D0及D1各别包括2个储存矩阵PL0及PL1，第一临界值为115度C以及第二临界值为125度C。当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度为120度C之间时，第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度是在115度C与125度C之间的温度范围内，因此加载自我烧机测试固件于数据储存装置5以让数据储存装置5中的芯片D0或D1中的所有储存矩阵PL0、PL1同时地执行自我烧机测试，以找出芯片D0或D1中所有损坏区块的数量。
在步骤S7中，当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度大于第二临界值时，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置5中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对一芯片中部分的储存矩阵PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量。一示例中，假设数据储存装置5包括2个芯片D0及D1，芯片D0及D1各别包括2个储存矩阵PL0及PL1，以及第二临界值为125度C。当第二控制装置31通过温度传感器211感测到数据储存装置5的内部温度为130度C时，第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度是大于125度C，因此加载自我烧机测试固件于数据储存装置5以让数据储存装置5中的芯片D0或D1中的储存矩阵PL0或PL1中的所有数据区块(Blocks)B0、B1、B2、…、B(z-1)同时地执行自我烧机测试，以找出芯片D0或D1中的储存矩阵PL0或PL1中的所有损坏区块的数量。
请参阅图6及7，为本发明另一实施例所提供的自我烧机测试系统与数据储存装置示意图。本发明实施例的自我烧机测试系统1’与前一实施例的自我烧机测试系统1的差异仅在于自我烧机测试系统1’的第一控制装置21’未包括温度传感器211，以及数据储存装置5’包括温度传感器53。而两系统所要解决的技术问题，所要执行的技术手段，以及所要达成的技术功效皆相同，故于此不在赘述。
请参阅图8，为本发明另一实施例所提供的自我烧机测试方法的流程图。在步骤S11中，第二控制装置31通过测试载具2的第一控制装置21感测数据储存装置5的内部温度，其中第二控制装置31通过温度传感器211感测数据储存装置5的内部温度。
在步骤S13中，第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度是否小于或等于第一临界值。
在步骤S15中，当第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度小于或等于第一临界值时，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置5中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对数据储存装置5中的所有芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量。
在步骤S17中，当第二控制装置31通判断数据储存装置5的内部温度大于第一临界值时，第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度是否小于或等于第二临界值。
在步骤S19中，当第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度小于或等于第二临界值，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对部分的芯片D0、D1、D2、…、D(s-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量。
在步骤S21中，当第二控制装置31判断数据储存装置5的内部温度大于第二临界值，第二控制装置31加载自我烧机测试固件于数据储存装置5中，并且数据储存装置5通过转接接口(未绘示)以装设于高低温测试机台(未绘示)上来初始化自我烧机测试固件以对一芯片中部分的储存矩阵PL0、PL1、PL2、…、PL(t-1)同时地执行自我烧机测试，以判断数据储存装置5中损坏区块的数量。
此外，可以注意的是，上述本发明多个实施例定义的测试范围并非是限定本发明，本领域技术人员可以依据数据储存装置5的硬件配置及制程定义步骤S3、S5、S7、S15、S19、S21中数据储存装置5的测试范围。
综上所述，本发明所提供的数据储存装置的自我烧机测试系统及其方法，可达到依据数据储存装置的内部温度调整数据储存装置的测试范围以便降低数据区块的错误比特率以及损坏区块的数量的目的。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (20)

1.一种数据储存装置的自我烧机测试方法，其特征在于，适用于一自我烧机测试系统，该自我烧机测试系统包括一测试载具及一测试机台，其中该测试机台耦接该测试载具，该测试载具装载该数据储存装置，该自我烧机测试方法包括以下操作：
感测该数据储存装置的一内部温度，其中该数据储存装置包括多个芯片，每一该些芯片包括多个储存矩阵，以及每一该些储存矩阵包括多个数据区块；以及
当该内部温度小于或等于一第一临界值时，加载一自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过一转接接口装设该数据储存装置于一高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对该些芯片同时地执行一自我烧机测试。
2.如权利要求1所述的自我烧机测试方法，其特征在于，所述自我烧机测试方法更包括：
当该内部温度介于该第一临界值与一第二临界值之间时，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对部分的该些芯片同时地执行该自我烧机测试。
3.如权利要求2所述的自我烧机测试方法，其特征在于，所述自我烧机测试方法更包括：
当该内部温度大于该第二临界值时，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对其中一个该些芯片中部分的该些储存矩阵同时地执行该自我烧机测试。
4.如权利要求1所述的自我烧机测试方法，其特征在于，该测试载具包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
5.如权利要求1所述的自我烧机测试方法，其特征在于，该数据储存装置包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
6.一种数据储存装置的自我烧机测试系统，其特征在于，包括：
一测试载具，用以装载该数据储存装置；以及
一测试机台，耦接该测试载具；
其中该自我烧机测试系统执行一自我烧机测试方法包括：
感测该数据储存装置的一内部温度，其中该数据储存装置包括多个芯片，每一该些芯片包括多个储存矩阵，以及每一该些储存矩阵包括多个数据区块；以及
当该内部温度小于或等于一第一临界值时，加载一自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过一转接接口装设该数据储存装置于一高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对该些芯片同时地执行一自我烧机测试。
7.如权利要求6所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该自我烧机测试方法更包括：
当该内部温度介于该第一临界值与一第二临界值之间时，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对部分的该些芯片同时地执行该自我烧机测试。
8.如权利要求7所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该自我烧机测试方法更包括：
当该内部温度大于该第二临界值时，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对其中一个该些芯片中部分的该些储存矩阵同时地执行该自我烧机测试。
9.如权利要求6所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该测试载具包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
10.如权利要求6所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该数据储存装置包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
11.一种数据储存装置的自我烧机测试方法，其特征在于，适用于一自我烧机测试系统，该自我烧机测试系统包括一测试载具及一测试机台，其中该测试机台耦接该测试载具，该测试载具装载该数据储存装置，该自我烧机测试方法包括以下操作：
感测该数据储存装置的一内部温度，其中该数据储存装置包括多个芯片，每一该些芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；
判断该内部温度是否小于或等于一第一临界值；以及
当判断该内部温度小于或等于该第一临界值时，加载一自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过一转接接口装设该数据储存装置于一高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对该些芯片同时地执行一自我烧机测试。
12.如权利要求11所述的自我烧机测试方法，其特征在于，所述自我烧机测试方法更包括：
当判断该内部温度大于该第一临界值时，判断该内部温度是否小于或等于一第二临界值；以及
当判断该内部温度小于或等于该第二临界值，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对部分的该些芯片同时地执行该自我烧机测试；
其中该第一临界值小于该第二临界值。
13.如权利要求12所述的自我烧机测试方法，其特征在于，所述自我烧机测试方法更包括：
当判断该内部温度大于该第二临界值，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对其中一个该些芯片中部分的该些储存矩阵同时地执行该自我烧机测试。
14.如权利要求11所述的自我烧机测试方法，其特征在于，该测试载具包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
15.如权利要求11所述的自我烧机测试方法，其特征在于，该数据储存装置包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
16.一种数据储存装置的自我烧机测试系统，其特征在于，包括：
一测试载具，用以装载该数据储存装置；以及
一测试机台，耦接该测试载具；
其中该自我烧机测试系统执行一自我烧机测试方法包括：
感测该数据储存装置的一内部温度，其中该数据储存装置包括多个芯片，每一芯片包括多个储存矩阵，以及每一储存矩阵包括多个数据区块；
判断该内部温度是否小于或等于一第一临界值；以及
当判断该内部温度小于或等于该第一临界值时，加载一自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过一转接接口装设该数据储存装置于一高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对该些芯片同时地执行一自我烧机测试。
17.如权利要求16所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该自我烧机测试方法更包括：
当判断该内部温度大于该第一临界值时，判断该内部温度是否小于或等于一第二临界值；以及
当判断该内部温度小于或等于该第二临界值，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对部分的该些芯片同时地执行该自我烧机测试；
其中该第一临界值小于该第二临界值。
18.如权利要求17所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该自我烧机测试方法更包括：
当判断该内部温度大于该第二临界值，加载该自我烧机测试固件于该数据储存装置并通过该转接接口装设该数据储存装置于该高低温测试机台上以初始化该自我烧机测试固件以对其中一个该些芯片中部分的该些储存矩阵同时地执行该自我烧机测试。
19.如权利要求16所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该测试载具包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
20.如权利要求16所述的自我烧机测试系统，其特征在于，该数据储存装置包括一温度传感器，用以感测该数据储存装置的该内部温度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1141596C (zh) * 1999-05-21 2004-03-10 台达电子工业股份有限公司 电器烧机故障测试方法及装置
US7473568B2 (en) * 2006-05-17 2009-01-06 Kingston Technology Corp. Memory-module manufacturing method with memory-chip burn-in and full functional testing delayed until module burn-in
CN101769985B (zh) * 2008-12-30 2012-07-04 京元电子股份有限公司 Ic组件烧机设备及其所使用的ic加热装置
TWI384237B (zh) * 2009-04-02 2013-02-01 King Yuan Electronics Co Ltd 可群組化測試之晶片預燒機台
JP7070339B2 (ja) * 2018-10-31 2022-05-18 オムロン株式会社 温度閾値決定装置、温度異常判定システム、温度閾値決定方法、およびプログラム
TWM615379U (zh) * 2021-01-19 2021-08-11 伊士博國際商業股份有限公司 內建可撓性電連接之燒機插座

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