TWI798838B - 預裝載腔室及半導體製程平臺 - Google Patents

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Abstract

一種預裝載腔室及半導體製程平臺，該預裝載腔室包括腔室本體和晶圓支撐架；腔室本體開設有容納腔，晶圓支撐架位於容納腔內，晶圓支撐架沿豎直方向間隔設置的多個用於承載晶圓的承載台和與多個承載台連接的支撐架本體，以及固定件，其中，多個承載台中有至少一者位於支撐架本體的上方，且開設有能夠使固定件穿過的避讓部；固定件用於將支撐架本體與腔室本體固定連接。上述方案能夠解決晶圓的傳輸效率較低的問題。

Description

預裝載腔室及半導體製程平臺
本發明涉及半導體晶片製造技術領域，尤其涉及一種預裝載腔室及半導體製程平臺。
預裝載腔室是一種將傳輸中的晶圓在真空環境和大氣環境之間轉換的過渡腔室，例如，當晶圓需要從大氣環境轉換到真空環境的情況下，首先使預裝載腔室處於大氣環境，然後通過大氣機械手將晶圓傳輸至預裝載腔室內，之後對預裝載腔室進行抽真空處理，以使得預裝載腔室從大氣環境轉換至真空環境，再由真空機械手將晶圓從預裝載腔室傳輸到真空傳輸腔室內，進而實現將晶圓從大氣環境傳輸至真空環境。
相關技術中，預裝載腔室包括腔室本體和晶圓支撐架，晶圓支撐架的底部設置有支撐件，該支撐件通過螺栓固定於腔室本體的底壁上。為了方便裝配，晶圓支撐架與支撐件之間需要預留出安裝高度，以滿足操作人員在使用安裝工具安裝上述螺釘時所需的空間，但是該安裝高度會佔用較大的腔室本體的內部空間，導致腔室本體的容積較大，進而導致預裝載腔室的充氣和抽氣時間較長，從而影響晶圓的傳輸效率。
本發明公開一種預裝載腔室及半導體製程平臺，以解決晶圓的傳輸效率較低的問題。
為了解決上述問題，本發明採用下述技術方案：
一種預裝載腔室，包括腔室本體和晶圓支撐架；該腔室本體開設有容納腔，該晶圓支撐架位於該容納腔內，該晶圓支撐架包括沿豎直方向間隔設置的多個用於承載晶圓的承載台和與該多個承載台連接的支撐架本體，以及固定件，其中，該多個承載台中有至少一者位於該支撐架本體的上方，且開設有能夠使該固定件穿過的避讓部；該固定件用於將該支撐架本體與該腔室本體固定連接。
一種半導體製程平臺，包括真空傳輸腔室、大氣傳輸腔室和至少一個上述的預裝載腔室，該真空傳輸腔室上的傳輸口與該真空傳片口相連通，該大氣傳輸腔室的傳輸口與該大氣傳片口相連通。
本發明採用的技術方案能夠達到以下有益效果：
本發明公開的預裝載腔室中，晶圓支撐架包括沿豎直方向間隔設置的多個用於承載晶圓的承載台和與多個承載台連接的支撐架本體，以及固定件，其中，多個承載台中有至少一者位於支撐架本體的上方，且開設有能夠使固定件穿過的避讓部；固定件用於將支撐架本體與腔室本體固定連接。此方案中，操作人員在安裝固定件時，可以從上方將固定件經由位於支撐架本體上方的承載台的避讓部穿過，進而安裝在支撐架本體與腔室本體上，以實現二者的固定連接，由此，無需在晶圓支撐架與腔室本體的底壁之間預留安裝固定件的操作空間，從而可以降低晶圓支撐架的整體高度，進而可以減小容納腔的容積，從而可以縮短預裝載腔室的充氣和抽氣時間，進而提高晶圓的傳輸效率。
本發明公開的半導體製程平臺，其通過採用本發明公開的上述預裝載腔室，可以縮短預裝載腔室的充氣和抽氣時間，進而提高晶圓的傳輸效率。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
以下結合附圖，詳細說明本發明各個實施例公開的技術方案。
如圖1~圖9所示，本發明實施例公開一種預裝載腔室100，該公開的預裝載腔室100包括腔室本體110和晶圓支撐架120。
腔室本體110為預裝載腔室100的主體部件，其為預裝載腔室100的其他組成部件提供安裝基礎。如圖7所示，腔室本體110開設有容納腔111，晶圓支撐架120位於容納腔111內。如圖8所示，晶圓支撐架120包括沿豎直方向間隔設置的多個用於承載晶圓300的承載台121和與多個承載台121連接的支撐架本體122，以及固定件130，多個承載台121中有至少一者位於支撐架本體122的上方，例如，圖8中示出了兩個承載台，其中一個承載台為第一承載台121a，其位於支撐架本體122的上方，其中另一個承載台為第二承載台121b，其與支撐架本體122一體成型，換言之，該第二承載台121b在支撐架本體122上加工而成，這樣可以進一步簡化晶圓支撐架120的結構，減少晶圓支撐架120的佔用空間。當然，在實際應用中，根據具體需要，承載台121的數量還可以為三個以上，而且，也可以採用所有的承載台121與支撐架本體122均是相互獨立的結構。
需要說明的是，任意相鄰的兩個承載台121之間，例如第一承載台121a和第二承載台121b之間需要預留出晶圓300移動所需的間隙，第一承載台121a與腔室本體110的頂壁也需要預留出晶圓300移動所需的間隙，從而防止晶圓300在移動的過程中發生碰撞。
可選地，容納腔111的深度可以為40mm，第一承載台121a的承載面與第二承載台121b的承載面之間的距離可以為10mm。第一承載台121a的承載面與腔室本體110的頂壁之間的距離可以為12mm。第二承載台121b的承載面與腔室本體110的底壁之間的距離可以為18mm。當然，還可以為其他數值，本文對此不作限制。
如圖8所示，位於支撐架本體122上方的第一承載台121a開設有能夠使固定件130穿過的避讓部1211，該避讓部1211例如為沿豎直方向貫通第一承載台121a的通孔，或者也可以是避讓缺口。固定件130用於將支撐架本體122與腔室本體110固定連接。固定件130可穿過避讓部1211裝配於支撐架本體122與腔室本體110上，以實現支撐架本體122與腔室本體110的固定連接。
具體的操作過程中，支撐架本體122背離第一承載台121a的一側與腔室本體110的底部相接觸，操作人員在安裝固定件130時，可以從上方將固定件130經由避讓部1211穿過，進而安裝在支撐架本體122與腔室本體110上，以實現二者的固定連接，由此，無需在支撐架本體122與腔室本體110的底壁之間預留安裝固定件的操作空間，從而可以降低晶圓支撐架120的整體高度，進而可以減小容納腔111的容積，從而可以縮短預裝載腔室的充氣和抽氣時間，進而提高晶圓的傳輸效率。
需要注意的是，避讓部1211的最小的端面的面積需要大於固定件130最大的端面的面積，從而能夠使得固定件130能夠穿過避讓部1211。
可選地，支撐架本體122上，且位於避讓部1211的下方開設有安裝孔1221，該安裝孔1221可以為通孔，也可以為螺紋孔。固定件130例如為緊固螺釘，該緊固螺釘一端穿過安裝孔1221，並與腔室本體110螺紋連接。固定件130可以為鉚釘，也可以為螺栓。
需要說明的是，上述固定件130還可以採用其他任意結構將支撐架本體122與腔室本體110固定連接，例如，卡接結構、插接結構等等，根據不同結構的固定件130，可以適應性地在支撐架本體122與腔室本體110上設計相應的連接結構。
本文提供一種腔室本體110的具體結構，當然還可以採用其他結構，本文對此不作限制。具體地，如圖7所示，腔室本體110可以包括主體部113、底板114和蓋體112，主體部113內可以設有在豎直方向貫通主體部113的貫通腔，該貫通腔是指由主體部113的上端面貫穿至下端面。蓋體112和底板114分別可拆卸地設置於主體部113的上端面和下端面，且蓋體112的底面、主體部113構成上述貫通腔的內壁和底板114的頂面共同圍合形成容納腔111。固定件130用於將支撐架本體122與底板114固定連接。
上述腔室本體110是由主體部113、底板114和蓋體112構成的分體式結構，這樣，當腔室本體110的局部損壞時，可以更換腔室本體110上對應的部件，從而無需對腔室本體110整體進行更換，進而提高了腔室本體110的可維修性能，進而延長了腔室本體110的使用壽命。另外，當預裝載腔室100需要加入其它功能時，可以通過更換腔室本體110的底板114或蓋體112即可完成，從而使得預裝載腔室100能夠集成更多的功能，進而提高了預裝載腔室100的使用性能。
上述實施例中，底板114可以為上文所述的主體部113的部分底壁，也就是說底板114可以為腔室本體110的部分底壁。蓋體112可以為上文所述的主體部113的頂壁，也就是說蓋體112可以為腔室本體110的頂壁。
具體地，蓋體112與主體部113可以採用螺紋或卡接等連接方式，當然還可以採用其他連接方式文本不作限制。主體部113與底板114也可以採用螺紋或者卡接等連接方式，當然還可以採用其他方式本文不作限制。
進一步地，上述腔室本體110是由主體部113、底板114和蓋體112構成的分體式結構，在將腔室本體110組合前，可以先將晶圓支撐架120固定於底板114上，然後再將底板114安裝入主體部113內的貫通腔中。此時，晶圓支撐架120固定於底板114的安裝過程可以在貫通腔外進行，從而使得具有較大的操作空間，進而不容易造成操作人員的磕碰，提高操作人員的人身安全。需要注意的是，先將晶圓支撐架120固定於底板114上，再將底板114插入貫通腔時，主體部113上需要開設避讓空間或者設計晶圓支撐架120外輪廓尺寸使其避讓貫通腔，從而防止主體部113與晶圓支撐架120發生干涉。
在一種可選的實施例中，底板114內可以設置有冷卻裝置，該冷卻裝置用於對置於晶圓支撐架120（即，承載台121）上的晶圓300進行冷卻。此時，底板114具有冷卻功能，從而可以滿足晶圓300在加工時需要對晶圓300進行冷卻的加工製程，進而使得預裝載腔室100的功能性更強。
可選地，冷卻裝置可以為水冷型冷卻裝置，在底板114內設置有水冷用銅管，銅管與冷卻水循環系統相連通，銅管內可以通入溫度較低的冷卻水，從而使得底板114保持較低的溫度，底板114與溫度較高的晶圓300之間形成溫度差，進而對晶圓300進行冷卻。當然，冷卻裝置也可以為其他類型的冷卻裝置，對於冷卻裝置的具體類型本文不作限制。
或者，在另一種可選的實施例中，底板114內設置有加熱裝置，該加熱裝置用於對置於晶圓支撐架120（即，承載台121）上的晶圓300進行加熱。此時，底板114具有加熱功能，因此可以對預裝載腔室100內的晶圓300進行加熱，進而使得預裝載腔室100的功能性更強。
可選地，加熱裝置可以為電熱絲，對電熱絲進行通電，電熱絲溫度升高，從而使得底板114保持較高的溫度，底板114與溫度較低的晶圓300之間形成溫度差，進而對晶圓300進行加熱。當然，加熱裝置也可以為其他結構，本文不作限制。
上述實施例中，預裝載腔室100設置有功能元件，該功能元件能夠實現預裝載腔室100的多種功能，功能元件可以包括真空規、抽氣元件和充氣元件等。主體部113上開設有用於晶圓300進出的傳片口，上述功能組件均設置於主體部113，會佔用傳片口的空間。為此，在另一種可選的實施例中，如圖4所示，底板114上可以開設有第一接口1141，該第一接口1141與容納腔111相連通，第一接口1141用於安裝功能元件。此方案中，底板114上開設第一接口1141，可以將上述功能元件中的至少一部分安裝至底板114上，從而可以避免因設置於主體部113上的功能元件過多而導致的佔用傳片口的空間的問題，進而使得主體部113上有足夠的空間設計較大的傳片口。
例如，第一接口1141可以用於安裝充氣元件，當然，第一接口1141還可以用於安裝其他功能元件，本文不作限制。
可選地，第一接口1141的具體尺寸可以根據所安裝的功能元件的外形尺寸靈活選擇，本文不作限制。
在另一種可選的實施例中，主體部113的側壁可以開設有相對設置的大氣傳片口和真空傳片口，大氣傳片口與大氣傳輸腔室相連通，真空傳片口與真空傳輸腔室200相連通。大氣傳片口的頂面和真空傳片口的頂面均與蓋體112的底面相平齊，且大氣傳片口的底面和真空傳片口的底面均與底板114的頂面相平齊。此方案中，大氣傳片口頂面至大氣傳片口底面的距離為大氣傳片口的高度，真空傳片口頂面至真空傳片口底面的距離為真空傳片口的高度，大氣傳片口的高度和真空傳片口的高度與容納腔111的高度相同，此時，整個容納腔111均用於晶圓300進行傳片，從而使得晶圓300具有較大的傳片空間，同時，容納腔111的高度與傳片口位置相當，能夠進一步減小預裝載腔室100的容積，能夠進一步縮短預裝載腔室100的充氣和抽氣時間。
進一步地，大氣傳片口的中心軸線與真空傳片口的中心軸線的交點與晶圓支撐架120（即，承載台121）用於承載晶圓300的承載面中心之間的連線垂直於該承載面。也就是說，晶圓300在預裝載腔室100與真空傳輸腔室200之間的傳輸路徑沿真空傳片口的中心軸線傳輸，進而實現晶圓300在預裝載腔室100與真空傳輸腔室200之間的直進直出，進而使得晶圓300在進出預裝載腔室100時無需調整位置，提高晶圓300的傳輸效率。
為了方便對容納腔111內的晶圓300進行觀測，在另一種可選的實施例中，蓋體112可以開設有第一觀察窗1121，主體部113的側壁可以開設有第二觀察窗1122，第一觀察窗1121和第二觀察窗1122均可以用於觀察晶圓300在容納腔111內的位置。此方案中，第一觀察窗1121可以對晶圓300的中心區域進行觀測，第二觀察窗1122可以對晶圓300的邊緣進行觀測，通過第一觀察窗1121和第二觀察窗1122能夠準確的觀測晶圓300在容納腔111內的位置，從而便於對晶圓300的位置進行調整維護。
上述實施例中，底板114上安裝有晶圓支撐架120，因此底板114與主體部113的安裝位置精度較低，有可能影響晶圓支撐架120在容納腔111內的安裝精度。基於此，在另一種可選的實施例中，如圖8所示，底板114位於主體部113內的貫通腔內，且底板114的外周壁上設置有定位凸部1142，且對應地在主體部113的底壁上設置有定位凹部，該定位凹部與定位凸部1142彼此相對的表面相抵，且定位凸部1142與主體部113可拆卸連接。通過使定位凹部與定位凸部1142相配合，可以定位底板114與主體部113的安裝位置，從而提高底板114與主體部113的安裝精度，進而提高晶圓300支撐架120在容納腔111內的安裝精度。同時，底板114通過貫通腔插入主體部113內，可使容納腔111的深度分別與大氣傳片口和真空傳片口的上下位置平齊，進一步減小了容納腔的容積。
進一步地，主體部113與蓋體112之間也可以採用與上述定位凹部與定位凸部1142相類似的定位結構定位，本文在此不再贅述。
為了提高腔室本體110的裝配的密封性能，在另一種可選的實施例中，蓋體112與主體部113彼此相對的表面之間可以設有第一密封件，此時，第一密封件能夠封堵蓋體112與主體部113之間的間隙，從而提高蓋體112與主體部113之間的密封性能，進而提高腔室本體110的密封性能。
當然，底板114與主體部113之間彼此相對表面之間也可以設有第二密封件。具體地，如圖8所示，定位凹部與定位凸部1142之間設有第二密封件160。此時，第二密封件160能夠封堵定位凹部與定位凸部1142之間的間隙，從而提高底板114與主體部113之間的密封性能，進一步提高腔室本體110的密封性能。
在一種可選的實施例中，晶圓支撐架120為至少兩個，且沿圓周方向間隔設置，並且，每個晶圓支撐架120上的各個承載台121與其他的晶圓支撐架120上的各個承載台121一一對應地同層設置，同一層的承載台121用於共同支撐晶圓300。例如，如圖9所示，晶圓支撐架120為三個，且沿圓周方向間隔設置，並且，其中一個晶圓支撐架120上的各個承載台121與其餘兩個晶圓支撐架120上的各個承載台121一一對應地同層設置。通過採用由多個晶圓支撐架120構成的分體式支架，可以在保證對晶圓300穩定支撐的基礎上，減小支架整體體積，從而使得晶圓支撐架120佔用容納腔111的空間較小，更有利於預裝載腔室100傳輸晶圓300。
當然，在實際應用中，晶圓支撐架120也可以為一個完整的支架，例如，支撐架本體採用整體式結構，且每個承載台均包括連接在該支撐架本體上的多個子承載台，多個子承載台沿圓周方向間隔，且同層設置，用於共同支撐晶圓300。或者，每個承載台也可以採用整體式結構，且在每個承載臺上設置有避讓開口，用以供晶圓300和機械手進出。
在另一種可選的實施例中，如圖8所示，晶圓支撐架120還包括定位件150，且對應地分別在支撐架本體122與腔室本體110彼此相對的表面上設置有定位孔，定位件150的兩端分別位於支撐架本體122與腔室本體110上的定位孔中。此方案能夠提高晶圓支撐架120與腔室本體110的安裝精度，進而提高預裝載腔室100的裝配精度。可選地，定位件150可以為定位銷，當然還可以採用其他定位結構，本文不作限制。
基於本發明上述任一實施例的預裝載腔室100，本發明實施例還公開一種半導體製程平臺，所公開的半導體製程平臺包括至少一個上述任一實施例的預裝載腔室100。
本發明公開的半導體製程平臺還包括真空傳輸腔室200，真空傳輸腔室200的傳輸口和預裝載腔室100的真空傳片口相連通。
在一種可選的實施例中，真空傳輸腔室200的傳輸口的中心軸線與對應連通的真空傳片口的中心軸線相重合。此方案中，晶圓300在預裝載腔室100與真空傳輸腔室200之間的傳輸路徑沿真空傳片口的中心軸線傳輸，進而實現晶圓300在預裝載腔室100與真空傳輸腔室200之間的直進直出，進而使得晶圓300在進出預裝載腔室100時無需調整位置，提高晶圓300的傳輸效率。
可選地，真空傳輸腔室200設置有門閥210，預裝載腔室100可以通過螺栓與門閥210固定連接，此時，真空傳輸腔室200與預裝載腔室100可拆卸連接。
在另一種可選的實施例中，半導體製程平臺還包括大氣傳輸腔室，大氣傳輸腔室的傳輸口和預裝載腔室100的大氣傳片口相連通，且大氣傳輸腔室的傳輸口的中心軸線與對應連通的大氣傳片口的中心軸線相重合，此方案能夠實現晶圓300在預裝載腔室100與大氣傳輸腔室之間的直進直出，進而提高晶圓300的傳輸效率。
在另一種可選的實施例中，預裝載腔室100的數量可以為兩個，兩個預裝載腔室100的大氣傳片口的中心軸線相平行。此時，半導體製程平臺的兩個預裝載腔室100可以交替使用，進而能夠提高半導體加工平臺的加工效率。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
100:預裝載腔室 110:腔室本體 111:容納腔 112:蓋體 113:主體部 114:底板 120:晶圓支撐架 121a:第一承載台 121:承載台 121b:第二承載台 122:支撐架本體 130:固定件 140:支架驅動裝置 150:定位件 160:第二密封件 200:真空傳輸腔 210:門閥 300:晶圓 1121:第一觀察窗 1122:第二觀察窗 1141:第一接口 1142:定位凸部 1211:避讓部 1221:安裝孔
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1為本發明實施例公開的半導體製程平臺的結構示意圖； 圖2~圖4為本發明實施例公開的預裝載腔室的軸測圖； 圖5為本發明實施例公開的預裝載腔室的俯視圖； 圖6為本發明實施例公開的預裝載腔室的仰視圖； 圖7至圖9為本發明實施例公開的預裝載腔室的局部結構的剖視圖。
113:主體部
114:底板
120:晶圓支撐架
121:承載台
121a:第一承載台
121b:第二承載台
122:支撐架本體
130:固定件
150:定位件
160:第二密封件
1142:定位凸部
1211:避讓部
1221:安裝孔

Claims (14)

  1. 一種預裝載腔室，包括一腔室本體和一晶圓支撐架； 該腔室本體開設有一容納腔，該晶圓支撐架位於該容納腔內，該晶圓支撐架包括沿豎直方向間隔設置的多個用於承載晶圓的一承載台和與該多個承載台連接的一支撐架本體，以及一固定件，其中，該多個承載台中有至少一者位於該支撐架本體的上方，且開設有能夠使該固定件穿過的一避讓部；該固定件用於將該支撐架本體與該腔室本體固定連接。
  2. 如請求項1所述的預裝載腔室，其中該晶圓支撐架為至少兩個，且沿圓周方向間隔設置，並且，每個該晶圓支撐架上的各個該承載台與其他的該晶圓支撐架上的各個該承載台一一對應地同層設置，同一層的該承載台用於共同支撐該晶圓。
  3. 如請求項1或2所述的預裝載腔室，其中該支撐架本體上，且位於該避讓部的下方開設有一安裝孔；該固定件為一緊固螺釘，該緊固螺釘一端穿過該安裝孔，並與該腔室本體螺紋連接。
  4. 如請求項1或2所述的預裝載腔室，其中該晶圓支撐架還包括一定位件，且對應地分別在該支撐架本體與該腔室本體彼此相對的表面上設置有一定位孔，該定位件的兩端分別位於該支撐架本體與該腔室本體上的該定位孔中。
  5. 如請求項1或2所述的預裝載腔室，其中該腔室本體包括一主體部、一底板和一蓋體，其中，該主體部內設有在豎直方向貫通該主體部的一貫通腔，該蓋體和該底板分別可拆卸地設置於該主體部的上端面和下端面，且該蓋體的底面、該主體部構成該貫通腔的內壁和該底板的頂面共同圍合形成該容納腔，該固定件用於將該支撐架本體與該底板固定連接。
  6. 如請求項5所述的預裝載腔室，其中該底板內設置有一冷卻裝置，該冷卻裝置用於對置於該承載臺上的晶圓進行冷卻；和/或 該底板內設置有加熱裝置，該加熱裝置用於對置於該承載臺上的該晶圓進行加熱。
  7. 如請求項5所述的預裝載腔室，其中該主體部的側壁開設有相對設置的一大氣傳片口和一真空傳片口，該大氣傳片口和該真空傳片口均與該容納腔相連通，該大氣傳片口的頂面和該真空傳片口的頂面均與該蓋體的底面相平齊，且該大氣傳片口的底面和該真空傳片口的底面均與該底板的頂面相平齊。
  8. 如請求項7所述的預裝載腔室，其中該大氣傳片口的中心軸線與該真空傳片口的中心軸線的交點與該承載台用於承載該晶圓的承載面中心之間的連線垂直於該承載面。
  9. 如請求項5所述的預裝載腔室，其中該蓋體開設有一第一觀察窗，該主體部的側壁開設有一第二觀察窗，該第一觀察窗和該第二觀察窗均用於觀察該晶圓在該容納腔內的位置。
  10. 如請求項5所述的預裝載腔室，其中該底板位於該貫通腔內，且該底板的外周壁上設置有一定位凸部，且對應地在該主體部的底壁上設置有一定位凹部，該定位凸部與該定位凹部彼此相對的表面相抵，且該定位凸部與該主體部可拆卸連接。
  11. 如請求項10所述的預裝載腔室，其中該蓋體與該主體部彼此相對的表面之間設有一第一密封件；和/或， 該定位凸部與該定位凹部彼此相對的表面之間設有一第二密封件。
  12. 一種半導體製程平臺，包括一真空傳輸腔室、一大氣傳輸腔室和至少一個請求項7至11中任一項所述的預裝載腔室，該真空傳輸腔室上的一傳輸口與該真空傳片口相連通，該大氣傳輸腔室的一傳輸口與該大氣傳片口相連通。
  13. 如請求項12所述的半導體製程平臺，其中該真空傳輸腔室的該傳輸口的中心軸線與對應連通的該真空傳片口的中心軸線相重合； 該大氣傳輸腔室的該傳輸口的中心軸線與對應連通的該大氣傳片口的中心軸線相重合。
  14. 如請求項12或13所述的半導體製程平臺，其中該預裝載腔室的數量為兩個，兩個該預裝載腔室的該大氣傳片口的中心軸線相平行。
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