TW201801226A - 負載腔室及其使用該負載腔室之多腔室處理系統 - Google Patents

Abstract

所揭露之內容為一種負載腔室，包括一腔室本體，該腔室本體包括：至少一對腔室，用於承載一或多個晶圓基板；及至少一內部管線，設置於該對腔室的兩者之間並連接該對腔室，以提供該對腔室之氣體回填或抽取。所述負載腔室具有多層結構，而該等多層結構之任一者包含該對腔室。所述腔室本體包含一框架，該框架具有複數個內壁，該等內壁定義該對腔室。所述腔視本體更包含複數個蓋板，該等蓋板以可拆卸的方式結合至該框架，並且該等蓋板與該框架的內壁定義出該對腔室。

Description

負載腔室及其使用該負載腔室之多腔室處理系統

本發明系關於一種負載腔室，尤其可為一種對稱式之多層負載腔室，用於密封一或多個晶圓。

在半導體制程中，基板產能一直是具有挑戰性的。隨著技術的進步，半導體基板必須以連續且有效率的方式進行處理。多腔室的制程設備系用來滿足這樣的需求，其可分批次處理多個基板，而不必為了某個基板的處理來改變整個處理過程的主要真空環境。這種多腔室的設備取代了僅處理單個基板並隨後再將此基板傳遞至另一腔室期間內使此基板暴露于空氣的作法。藉由將多個處理腔室連接到一共同的傳遞腔室(transfer chamber)，使得基板在一個處理腔室完成處理後，可在相同的真空環境下，將此基板傳遞至下一個處理腔室進行處理。

此外，與多個處理腔室連接的多個傳遞腔室的每一者可與一負載腔室(又稱，負載鎖定腔室，load lock chamber)連接，以提高基板製成的效率。負載腔室主要系用於將一晶圓基板 自一常壓工作環境傳遞至一用於半導體制程之真空環境。

由於負載腔室可視為整個晶圓處理常式的輸入端，而晶圓的卸載速率系影響半導體制程的因素之一。因此，提升負載腔室的運作效率為業界所存在之需求。

本發明揭露內容為一種更具有效率的負載腔室。

所述負載腔室可包括一腔室本體。該腔室本體包括：至少一對腔室，設置於該腔室本體的一層結構中，用於承載一或多個晶圓基板；至少一內部管線，設置於該對腔室的兩者之間並連接該對腔室，以提供該對腔室之氣體回填或抽取；用於承載一晶圓基板之複數個晶圓支架，該等晶圓支架定位於該對腔室中，並可與所述負載腔室之外的一機械手前端手指相互配合，其中所述晶圓支架具有複數溝槽，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。

在一實施例中，該腔室本體具有多層結構，而該等多層結構之一者包含該對腔室。

在一實施例中，該腔室本體包含一框架，該框架具有複數個內壁，該等內壁定義該對腔室。

在一實施例中，該腔視本體更包含複數個蓋板，該等蓋板以可拆卸的方式結合至該框架，並且該等蓋板與該框架的內壁定義出該對腔室。

在一實施例中，該框架具有一中間部，該中間部系根據所述至少一內部管線的排列所定義，該中間部系位於該對腔室之間。

在一實施例中，每一個晶圓支架具有複數個定位結構，每一個定位結構具有一頂端及一底端，經由該等定位結構的頂端或底端，以及經由該等定位結構抵觸所述腔室的內壁，將該等晶圓支架固定和定位於該對腔室中。

在一實施例中，所述晶圓支架具有複數個限位塊，用於限制該晶圓基板在晶圓支架中的偏移量。

在一實施例中，所述晶圓支架具有複數溝槽，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。

在一實施例中，所述晶圓支架提供有一側壁，該側壁與機械手前端手指的一邊緣之間存在一校正距離，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。

本發明更提供一種多腔室處理系統，其包括：一傳遞腔室，提供有一機械手前端手指；及一負載腔室，與該傳遞腔室耦合，並與該機械手前端手指配合。其中，該負載腔室包括一腔室本體，該腔室本體包括：至少一對腔室，設置於該腔室本體的一層結構中，用於承載一或多個晶圓基板；至少一內部管線，設置於該對腔室的兩者之間並連接該對腔室，以提供該對腔室之氣體回填或抽取；及用於承載一晶圓基板之複數個晶圓支架，該 等晶圓支架定位於該對腔室中，並可與所述負載腔室之外的一機械手前端手指相互配合，其中所述晶圓支架具有複數溝槽，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。

對於相關領域一般技術者而言這些與其他的觀點與實施例在參考後續詳細描述與伴隨圖示之後將變得明確。

100‧‧‧多腔室處理系統

101‧‧‧第一傳遞腔室

103‧‧‧第一處理腔室

105‧‧‧第一負載腔室

107‧‧‧一常壓介面

200‧‧‧負載腔室

201‧‧‧裝卸側

202‧‧‧耦合側

203‧‧‧閥門組件

204‧‧‧門框

205‧‧‧狹孔

206‧‧‧腔室本體

207‧‧‧頂部

208‧‧‧底部

209‧‧‧管線

210‧‧‧對稱軸

230‧‧‧框架

231‧‧‧水準內壁

232‧‧‧垂直壁

233‧‧‧凹槽

234‧‧‧蓋板

241‧‧‧第一腔室

242‧‧‧第二腔室

243‧‧‧第三腔室

244‧‧‧第四腔室

250‧‧‧中間部

251‧‧‧開口

260‧‧‧上層回填管線

261‧‧‧上層抽氣管線

270‧‧‧下層回填管線

271‧‧‧下層抽氣管線

280‧‧‧管線的起始位置

300‧‧‧晶圓支架

301‧‧‧支撐板

302‧‧‧定位結構

303‧‧‧溝槽

304‧‧‧螺孔

305‧‧‧支撐座

307‧‧‧限位塊

308‧‧‧支撐塊

309‧‧‧傳遞區

310‧‧‧側壁

311‧‧‧校正孔

312‧‧‧校正孔

313‧‧‧插銷

400‧‧‧機械手前端手指

L‧‧‧長度

W‧‧‧寬度

H‧‧‧高度

D‧‧‧水準距離

圖式所示之結構大小比例並不限制本發明的實際實施。

第一圖為一種多腔室處理系統的架構示意圖；第二圖系本發明之負載腔室的一實施例；第三圖系第二圖之負載腔室的橫向剖面圖；第四A圖系本發明之負載腔室其中所包含之腔室本體立體圖；第四B圖系所述腔室本體之俯視圖；第五A圖系所述腔室本體之仰視圖；第五B圖至第五E圖系根據第五A圖之剖面圖；第六圖系本發明負載腔室所包含之晶圓支架立體圖；第七A圖系所述晶圓支架的俯視圖；第七B圖系根據第七A圖之剖面圖；第八A圖顯示所述晶圓支架與機械手前端手指之配合；第八B圖系根據第八A圖之剖面；第八C圖系根據第八B圖之局部放大圖。

本發明提供一種可用於卸載晶圓基板之負載腔室。此負載腔體可為多腔室處理系統中的一部分，例如可作為兩個相鄰傳遞腔室之間的連接。或者，此負載腔室可作為多腔室處理系統的出入口，即真空介面與常壓介面之間的轉換。藉由，負載腔室的運作，無論晶圓基板是由常壓進入真空(或是由真空進入常壓)皆不需改變多腔式處理系統內的真空條件，使系統中的各項處理可持續進行。

現在將參考本發明之伴隨圖式詳細描述實施例。在該伴隨圖式中，相同及/或對應元件系以相同參考符號所表示。

在此將揭露各種實施例；然而，要瞭解到所揭露之實施例只用于作為可體現為各種形式之例證。此外，連接各種實施例所給予之每一範例都預期作為例示，而非用於限制。進一步的，該圖式並不一定符合尺寸比例，某些特徵系被放大以顯示特定元件之細節(且該圖式中所示之任何尺寸、材料與類似細節都預期僅為例示而非限制)。因此，在此揭露之特定結構與功能細節並不被解釋做為限制，而只是用於教導相關領域技術人員實作所揭露之實施例的基礎。

第一圖為一種多腔室處理系統100(cluster tool)的架構示意圖。多腔室處理系統，可包含一或多個傳遞腔室、耦接至傳遞腔室的多個處理腔室以及一或多個負載腔室。例如，多腔室處理系統100，包含一第一傳遞腔室101。第一傳遞腔室101的周 圍耦合複數個第一處理腔室103，且每一個第一處理腔室103可與第一傳遞腔室101機械連通。所述第一傳遞腔室101內一般具有至少一機械手臂(圖中未示)，其以可驅動地方式承載及傳遞至少一晶圓基板，藉以將待處理或已處理之晶圓基板放置於處理腔室或自處理腔室中取出。

第一處理腔室103中的各腔室，可提供各種不同的處理，例如一或多道前處理(包含晶圓基板的調整及清潔)及一或多道後處理(包含蝕刻及沉積)。實際上，系統100的處理腔室組合可以有多樣變化，並不以此為限。

多腔室處理系統100，還包含一第一負載腔室105。第一負載腔室105的一側耦合至第一傳遞腔室101，而一相對側耦合至一常壓介面107。

第一負載腔室105系用於，在真空狀態之第一傳遞腔室101和常壓介面107之間，傳遞晶圓基板(或玻璃基板)。第一負載腔室105接收來自第一傳遞腔室101的機械手臂，藉以將晶圓基板從第一負載腔室105運送至每一第一處理腔室103。

第二圖為根據本發明所提供之負載腔室的一實施例200。尤其，此負載腔室200是用在如第一圖所示的第一負載腔室105。第二圖顯示負載腔室200的立體圖。負載腔室200具有一裝卸側201及一耦合側202。負載腔室200的耦合側202固定至第一圖之第一傳遞腔室101的周圍，而負載腔室200的裝卸側201與第一圖的常壓介面107連接。裝卸側201的一部份可于常壓下進行工作。

負載腔室200的裝卸側201及耦合側202分別包含複數個閥門。如第二圖所示，負載腔室200的耦合側202具有兩個閥門元件203，每一個閥門元件203具有一門框204，其定位於耦合側202並持有複數個可驅動之閥門。所述門框204具有兩個狹孔(閥門)205，兩者在垂直方向上以一段距離隔開，以對應負載腔室200中的複數個腔室。一般而言，每一個狹孔205的尺寸系大於晶圓基板的尺寸，以讓基板能夠順利通過所述狹孔205。每一個狹孔205與腔室的連通系由閥門開關所決定。一旦狹孔(閥門)205為關閉，與此狹孔205對應之的腔室一般而言無法與傳遞腔室或常壓介面的工作腔室連通。至於位元在裝卸側201的閥門元件203也可以與耦合側202的閥門元件203具有相似的配置。尤其，位於裝卸側201和耦合側202的各閥門可獨立被驅動，使晶圓基板的調度更為彈性。所述閥門的種類或驅動閥門的方式可依據壓力介面的情況(真空環境、大氣環境)而適當地選擇。

負載腔室200包含一腔室本體206，其在裝卸側201與耦合側202之間延伸，且腔室本體206在垂直方向上具有一厚度，藉此定義所述腔室本體206的一頂部207及一底部208。腔室本體206的內部包含複數個腔體，而從頂部207至底部208的方向上可包含至少一個腔室。

如第三圖，所呈現的是負載腔室200的橫向剖面圖，其顯示腔室本體206的內部結構以及位於裝卸側201的閥門元件203。負載腔室200的內部結構為對稱。更具體而言，負載腔室200 大致上系以一管線209延伸的一延伸軸線210為一對稱軸，而將腔室本體206區分為左半部與右半部。所述管線209系耦接至負載腔室200的底部208。。腔室本體206的左右半部分別對應至位於裝卸側201及耦合側202的各別閥門組件203。左右半部分別包含複數個腔室，沿著垂直方向堆疊，並相互獨立不連通。如第三圖的腔室本體206的每一個半部包含一上腔室及一下腔室且兩者互不相通，但左半部和右半部的上腔室相互連通，左半部和右半部的下腔室相互連通。

腔室本體206具有大致在垂直方向上對稱的一框架230，其也是構成腔室本體206的主要結構。所述框架230介於頂部207與底部208之間，且框架230在對稱軸210的兩側分別水準延伸有一水準內壁231，並截止於一垂直壁232。其中內壁231的垂直方向厚度小於框架230的中間部分(靠近對稱軸210)及垂直壁232之厚度，藉此定義出水準方向上之凹槽。如第四A圖，呈現腔室本體206之框架230的立體圖，其顯示根據第二圖方位由框架230所定義出的凹槽233。

返回第三圖，腔室本體206還具有對應各凹槽的複數個蓋板234。蓋板234具有略大於凹槽的233的尺寸，以覆蓋凹槽233。蓋板234系固定至框架230。藉此由框架230和這些蓋板234定義出複數個腔室，如第一腔室241、第二腔室242、第三腔室243和第四腔室244，其中第一腔室241和第三腔室243分別位於左半部的上下位置，第二腔室242和第四腔室244分別位於右半部的上下位 置。第一腔室241與第二腔室242系位在腔室本體206的大致上相同高度處且相互連通，而第三腔室243與第四腔室244系位在腔室本體206的大致上相同高度處且相互連通。在本發明的其他實施例中，蓋板234可經由特定的固定機構以可拆卸的方式固定至框架230。更特別的是，蓋板234可為透光材質或透明材質所製成，使腔體內部的狀況能夠為外界所視。

在本發明的其他實施例中，雖然圖中未顯示，腔室本體206可包含一個以上的框架230，並垂直地相互堆疊，以實現具有更多層腔室之負載腔體。然而，雖然圖中未顯示，考慮負載腔室的體積，亦可將腔室本體縮減至僅包含最小單元之層結構，也就是僅由單一框架230與兩個蓋板234所定義的左右腔室。在本發明的一些實施例中，腔室本體206在對稱軸210的兩側可分別形成一個以上的所述凹槽233，使負載腔體的一層中可負載更多的晶圓基板。

參閱第四A圖及第四B圖，其中第四A圖顯示腔室本體206的立體圖，第四圖B顯示腔室本體206的頂部俯視圖。腔室本體206，其沿著垂直方向具有一厚度H，而沿著水準方向具有一長度L及一寬度W。腔室本體206定義有複數個凹槽233，凹槽233大致上呈扁平圓柱空間，其具有沿著水準方向延伸之徑向。如第四B圖所示，凹槽233的橫向面大致為圓形，其直徑小於腔室本體的寬度W。腔室本體206包含至少一對凹槽233，每對凹槽233沿著長度L方向排列，且該對凹槽233的直徑總和小於該長度L。

腔室本體206具有一中間部250。所述中間部250為框架230的一部分，例如可為框架230與外部管線209耦接之結構區域。如第四B圖，為框架230的俯視圖，其也顯示位於框架230的四個內部管線260、261、270、271(以虛線表示)耦接，這些內部管線的對稱點位置大致上沿著寬度W的方向排列，此排列可定義為框架230的中間部250。所述中間部250可視為腔室本體206中的對稱結構的中心。如第三圖框架230，靠近對稱軸210處，厚度較內壁231大之結構為框架230的中間部。所述中間部250可將腔室本體206分為左半部及右半部。該對凹槽233以中間部250為對稱中心而配置於框架230中，使框架230形成一對稱結構。

框架230，在裝卸側201和耦合側202處，分別定義有複數個開口251，每一個開口251沿著寬度W方向向內延伸並與對應的凹槽233相互連通。各開口251的大小是小於凹槽233的徑向大小。該等複數開口251的位置分別對應第二圖閥門元件203的狹孔205，使晶圓基板可經由閥門進入凹槽233中或自凹槽233中取出。

框架230包含多對凹槽233，每一對凹槽233一般而言位在相同水準高度且以框架230的中間部250對稱設置。所述多對凹槽233可沿著高度方向H堆疊。如第四A圖，在一低水準高度設置有一對凹槽，而在一相對高水準高度設有另一對凹槽。該等凹槽對可共同以中間部250作對稱設置。如第三圖，將蓋板234固定至框架230以覆蓋這些凹槽233，使凹槽233形成腔室，如腔室241至244。

腔室本體206包含多對腔室，每一對腔室以所述中間部250為中心而對稱分佈，且每一對腔室彼此經由至少一內部管線而相互連通。如第四B圖，框架230包含複數個內部管線，這些內部管線與外部管線連通(如第二圖及第三圖所示之管線209)。所述內部管線包含上層管線和下層管線。上層管線可包含一上層回填管線260及一上層抽氣管線261。下層管線可包含一下層回填管線270及一下層抽氣管線271。管線260、261、270及271各自獨立，且這些管線的每一者延伸至個別的腔室中並為同一層腔室所共用。例如，上層回填管線260系供應氣體至上層腔室對中，如第三圖的第一腔室241和第二腔室242；上層抽氣管線261則可抽取上層腔室中的氣體，使腔室的工作環境轉換，即真空和大氣環境互換。因此，可一併控制上層腔室中的壓力，且上層和下層可獨立受到控制。

參閱第五A圖，其呈現所述框架230的底部208視圖，顯示沿著各內部管線260、261、270及271至左半部凹槽233的剖面線。參閱第五B圖至第五E圖，其呈現根據第五A圖剖面線之剖面圖，分別顯示每一內部管線260、261、270及271的路徑。這些內部管線260、261、270及271起始於框架230的底部208並向內部延伸一段距離後，斜向延伸至上層及下層凹槽(或腔室)。較佳地，所述斜向延伸的水準方向系指向凹槽233的一中心。第五A圖還顯示這些內部管線的起始位置(亦可稱內部管線在框架230底部的終點)280，在底部208上，系呈一直線地整齊排列，該直線可視為 框架230、腔室本體206或負載腔室200之對稱結構的一對稱軸。因此，負載腔室中所包含的數個腔室、內部管線或其他通道可依據此對稱軸而設置為對稱結構。

這些內部管線260、261、270及271的起始位置280可不必排列成一直線。更少或更多的內部管線可設置於上層及/或下層中的腔室對的兩者之間，使該對腔室中的兩者可共用內部管線。此可簡化負載腔室的管線配置。負載腔室的管線，如所述內部管線261及271，可經由各別的外部管線209及其他閥門耦接至一泵浦設備，而內部管線260及270可連接至氣體回填設備，以實現負載腔室中的工作環境調控。

返回第三圖，本發明所提供之負載腔室200還包含複數個晶圓支架300，其分別容置於腔室本體206的各腔室中，用以呈載晶圓基板。所述晶圓支架300系定位於腔室中。例如，晶圓支架300可固定於框架230的內壁231。所述晶圓支架300具有校準機構，用於對齊機械手臂，尤其是對齊機械手前端手指(像是第一圖傳遞腔室101所運作的機械手臂)進入腔室的位置。

參閱第六圖，其呈現所述晶圓支架300的立體圖。第七A圖及第七B圖分別呈顯晶圓支架的俯視圖及其橫向剖面圖。晶圓支架300包含一支撐板301、用於固定晶圓支架300之複數個定位結構302及用於校準機械手臂之溝槽303。支撐板301具有一長邊和一短邊。支撐板301系於腔室中延伸，並定位於腔室中。晶圓支架300系定位於腔室中且以支撐板301的長邊面對腔室本體206兩側 的開口251。

支撐板301的一側形成有所述複數個定位結構302。定位結構302為支撐板301上的延伸結構。如第六圖，定位結構302可設置在支撐板301的角落，並沿著垂直方向延伸。如第七B圖，這些定位結構302具有大致相同的高度。定位結構302的頂端可與腔室的內壁接觸，其中定位結構302的頂端可為平整面。定位結構302的底端亦可與腔室的內壁接觸，其中定位結構302的底端可為平整面或與支撐板301共平面。晶圓支架300可經由這些定位結構302固定置腔室的內壁上。例如，定位結構302可包含一或多個螺孔304，貫穿其頂端及/或底端。可提供一螺釘，從定位結構302的頂端鎖入，或是從定位結構302的底端鎖入。因此，可以有兩種固定晶圓支架300的方式。例如，像是在第三圖的上層腔室，晶圓支架300可以定位結構302底端固定至內壁231而固定於腔室中；或者，像是在第三圖的下層腔室，晶圓支架300可以定位結構302頂端固定至內壁231而固定於腔室中。較佳地，這些定位結構302的側壁是被配置以抵觸腔室的內壁，使晶圓支架300橫向定位於腔室中。

支撐板301的一側還形成有複數個支撐座305。這些支撐座305可與定位結構302位於同一側。支撐座305亦可與定位結構302一體成形，且支撐座305系位於支撐板301與定位結構302之間。如第七B圖，支撐座305的高度系小於定位結構302的高度。支撐座305系設置以用於支撐晶圓基板。例如，每一個支撐座305還 可具有一限位塊307及一支撐塊308。限位塊307及支撐塊308系從支撐座305垂直延伸。如第七B圖，限位塊307的高度略高於支撐塊308的高度。一般而言，這些限位塊307系設置於這些支撐塊308的週邊。如第七A圖所示，由四個限位塊307所定義的一水平面積系大於由四個支撐塊308所定義的一水平面積，其中四個支撐塊308所定義的水平面積系小於晶圓基板的面積。因此，晶圓基板可被放置在這些支撐塊308上。所述支撐塊308可以是球或者具有球面的圓柱，而材料可選用單晶體之固體，如藍寶石。限位塊307系設置以用於限制放置在支撐塊308上的晶圓基板的偏移量。如第七A圖，每一個限位塊307與其相鄰的支撐塊308之間相隔一水準距離D，其允許放置在支撐塊308上的晶圓基板可以有水準方向的偏移誤差D。因此，晶圓基板可大約落在晶圓支架300的適當處。

支撐板301還具有所述溝槽303。如第六A圖及第七A圖，支撐板301的一側定義有相互平行之兩條溝槽303，溝槽303的延伸方向大致上與支撐板301的短邊平行，並且於支撐板301的相對長邊之間延伸。該等溝槽303以一距離分開，使支撐板301於該等溝槽303之間定義一傳遞區309。傳遞區309系提供機械手前端手指通過，以傳遞及放置晶圓基板。如第八A圖，其呈現根據第七A圖之視圖加上通過晶圓支架300的一機械手前端手指400(如第一圖傳遞腔室101運行的機械手臂)。

一般而言，機械手前端手指400為扁平結構，以承載機圓基板。該等溝槽303可作為校正機械手前端手指400通過路徑 之基準，或是作為機械手前端手指400之導引。如第八B圖，呈現根據第八A圖之剖面圖。機械手前端手指400可承載晶圓基板(未顯示)並以一懸空高度通過支撐板的301傳遞區309，接著機械手前端手指400垂直下降直到晶圓基板放置於該等支撐塊308上。機械手前端手指400可被驅動下降，與支撐板301接觸。基於機械手前端手指400與溝槽303的相對位置，機械手前端手指400校準得以實現。

機械手前端手指400的寬度可相當於(或略小於)該等溝槽303之間的距離。若機械手前端手指400的邊緣落在溝槽303上，則可表示機械手前端手指400在正確的傳遞路徑上。若機械手前端手指400的邊緣落在溝槽303外，則機械手前端手指400可能偏離正確的傳遞路徑，需要被校正。所述校正過程，可經由第三圖可透視之蓋板234來觀察。

參閱第八C圖，其呈現根據第八B圖之局部放大圖，顯示機械手前端手指400邊緣與溝槽303的相對位置。在本發明的其他實施例中，支撐板301的傳遞區309可略低於支撐板301本體的其他部分。如第八C圖，位於溝槽303一側的傳遞區309與位在溝槽303另一側的板體有一高度落差，使得機械手前端手指400的一部分容置在支撐板301中。可在支撐板301上提供一側壁310(如第八C圖靠近溝槽303處)藉此機械手前端手指400的邊緣與側壁310之間存在一校準間隙。此校準間隙亦可用來判斷機械手前端手指400是否在正確的傳遞路徑上。

支撐板301還可具有一校正孔。如第六圖、第七A圖及第八B圖，支撐板301在傳遞區309定義有一校正孔311。校正孔311位於支撐板301的中心點，相對於四個限位塊307的中心。機械手前端手指400具有另一校正孔312，如第八A圖所示。當機械手前端手指400通過並靜止於支撐板301上方時，較佳地，機械手前端手指400的校正孔312應對準支撐板301的校正孔311。可進一步提供一插銷313，其能夠同時穿越該等校正孔311及312，以檢驗機械手前端手指400是否在正確的傳遞路徑上。在本發明其他實施例中，更多的校正孔可被提供，或是等校置換為其他機構，像是嚙合機構。

雖然已經以一或多個實施例描述本發明支負載腔室，要瞭解到本發明揭露內容並不限制於所揭露的實施例。本發明于器涵蓋在申請專利範圍之精神與觀點中所包含的各種修改與類似配置，應給予此觀點最廣泛的詮釋，以包含所有之修改與類似結構。本發明揭露內容也包含下述申請專利範圍中的所有任何實施例。

200‧‧‧負載腔室

206‧‧‧腔室本體

207‧‧‧頂部

208‧‧‧底部

209‧‧‧管線

210‧‧‧對稱軸

230‧‧‧框架

231‧‧‧水準內壁

232‧‧‧垂直壁

234‧‧‧蓋板

241‧‧‧第一腔室

242‧‧‧第二腔室

243‧‧‧第三腔室

244‧‧‧第四腔室

300‧‧‧晶圓支架

Claims (10)

1. 一種負載腔室，包括一腔室本體，該腔室本體包括：至少一對腔室，設置於該腔室本體的一層結構中，用於承載一或多個晶圓基板；至少一內部管線，設置於該對腔室的兩者之間並連接該對腔室，使該對腔室相互連通，以提供該對腔室之氣體回填或抽取；及用於承載一晶圓基板之複數個晶圓支架，該等晶圓支架定位於該對腔室中，並可與所述負載腔室之外的一機械手前端手指相互配合，其中所述晶圓支架具有複數溝槽，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述的負載腔室，其中該腔室本體具有多層結構，而該等多層結構之一者包含該對腔室。
3. 如申請專利範圍第1項所述的負載腔室，其中該腔室本體包含一框架，該框架具有複數個內壁，該等內壁定義該對腔室。
4. 如申請專利範圍第3項所述的負載腔室，其中該腔室本體更包含複數個蓋板，該等蓋板以可拆卸的方式結合至該框架，並且該等蓋板與該框架的內壁定義出該對腔室。
5. 如申請專利範圍第3項所述的負載腔室，其中該框架具有一中間部，該中間部系根據所述至少一內部管線的排列所定義，該中間部系位於該對腔室之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的負載腔室，其中每一個晶圓支架具有複數個定位結構，每一個定位結構具有一頂端及一底端，經由該等定位結構的頂端或底端，以及經由該等定位結構抵觸所 述腔室的內壁，將該等晶圓支架固定和定位於該對腔室中。
7. 如申請專利範圍第6項所述的負載腔室，其中所述晶圓支架具有複數個限位塊，用於限制該晶圓基板在晶圓支架中的偏移量。
8. 如申請專利範圍第6項所述的負載腔室，其中所述該等溝槽之間定義了該晶圓支架的一傳遞區，該傳遞區用以提供所述機械手前端手指通過。
9. 如申請專利範圍第6項所述的負載腔室，其中所述晶圓支架提供有一側壁，該側壁與機械手前端手指的一邊緣之間存在一校正距離，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。
10. 一種多腔室處理系統，包括：一傳遞腔室，提供有一機械手前端手指；及一負載腔室，與該傳遞腔室耦合，並與該機械手前端手指配合，其中，該負載腔室包括一腔室本體，該腔室本體包括：至少一對腔室，設置於該腔室本體的一層結構中，用於承載一或多個晶圓基板；至少一內部管線，設置於該對腔室的兩者之間並連接該對腔室，以提供該對腔室之氣體回填或抽取；及用於承載一晶圓基板之複數個晶圓支架，該等晶圓支架定位於該對腔室中，並可與所述負載腔室之外的一機械手前端手指相互配合，其中所述晶圓支架具有複數溝槽，用於校正該機械手前端手指與該晶圓支架的相對位置。