CN105789091A - 负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统 - Google Patents
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Abstract
负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统。本发明所揭露之内容为一种负载腔室,包括一腔室本体,该腔室本体包括:至少一对腔室,用于承载一或多个晶圆基板;及至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,以提供该对腔室之气体回填或抽取。所述负载腔室具有多层结构,而该等多层结构之任一者包含该对腔室。所述腔室本体包含一框架,该框架具有复数个内壁,该等内壁定义该对腔室。所述腔视本体更包含复数个盖板,该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架,并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
Description
技术领域
本发明关于一种负载腔室,尤其可为一种对称式之多层负载腔室,用于密封一或多个晶圆。
背景技术
在半导体制程中,基板产能一直是具有挑战性的。随着技术的进步,半导体基板必须以连续且有效率的方式进行处理。多腔室的制程设备系用来满足这样的需求,其可分批处理多个基板,而不必为了某个基板的处理来改变整个处理过程的主要真空环境。这种多腔室的设备取代了仅处理单个基板并随后再将此基板传递至另一腔室期间内使此基板暴露于空气的作法。藉由将多个处理腔室连接到一共同的传递腔室(transferchamber),使得基板在一个处理腔室完成处理后,可在相同的真空环境下,将此基板传递至下一个处理腔室进行处理。
此外,与多个处理腔室连接的多个传递腔室的每一者可与一负载腔室(又称,负载锁定腔室,loadlockchamber)连接,以提高基板制成的效率。负载腔室主要系用于将一晶圆基板自一常压工作环境传递至一用于半导体制程之真空环境。
由于负载腔室可视为整个晶圆处理程序的输入端,而晶圆的卸除速率系影响半导体制程的因素之一。因此,提升负载腔室的运作效率为业界所存在之需求。
发明内容
本发明揭露内容为一种更具有效率的负载腔室。
所述负载腔室可包括一腔室本体。该腔室本体包括:至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,以提供该对腔室之气体回填或抽取;用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
在一实施例中,该腔室本体具有多层结构,而该等多层结构之一者包含该对腔室。
在一实施例中,该腔室本体包含一框架,该框架具有复数个内壁,该等内壁定义该对腔室。
在一实施例中,该腔视本体更包含复数个盖板,该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架,并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
在一实施例中,该框架具有一中间部,该中间部系根据所述至少一内部管线的排列所定义,该中间部系位于该对腔室之间。
在一实施例中,每一个晶圆支架具有复数个定位结构,每一个定位结构具有一顶端及一底端,经由该等定位结构的顶端或底端,以及经由该等定位结构抵触所述腔室的内壁,将该等晶圆支架固定和定位于该对腔室中。
在一实施例中,所述晶圆支架具有复数个限位块,用于限制该晶圆基板在晶圆支架中的偏移量。
在一实施例中,所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
在一实施例中,所述晶圆支架提供有一侧壁,该侧壁与机械手前端手指的一边缘之间存在一校正距离,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
本发明更提供一种多腔室处理系统,其包括:一传递腔室,提供有一机械手前端手指;及一负载腔室,与该传递腔室耦合,并与该机械手前端手指配合。其中,该负载腔室包括一腔室本体,该腔室本体包括:至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,以提供该对腔室之气体回填或抽取;及用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
对于相关领域一般技术者而言这些与其他的观点与实施例在参考后续详细描述与伴随图示之后将变得明确。
附图说明
图式所示之结构大小比例并不限制本发明的实际实施。
图1为一种多腔室处理系统的架构示意图;
图2为本发明之负载腔室的一实施例;
图3为是图2之负载腔室的横向剖面图;
图4A系本发明之负载腔室其中所包含之腔室本体立体图;
图4B系所述腔室本体之俯视图;
图5A系所述腔室本体之仰视图;
图5B至图5E系根据图5A之剖面图;图5B为K-K剖面图,图5C为L-L剖面图,图5D为M-M剖面图,图5E为N-N剖面图;
图6系本发明负载腔室所包含之晶圆支架立体图;
图7A系所述晶圆支架的俯视图;
图7B系根据图7A系之剖面图;
图8A显示所述晶圆支架与机械手前端手指之配合;
图8B系根据图8A之剖面;
图8C系根据图8B之局部放大图。
符号说明:
100多腔室处理系统234盖板
101第一传递腔室241第一腔室
103第一处理腔室242第二腔室
105第一负载腔室243第三腔室
107一常压界面244第四腔室
200负载腔室250中间部
201装卸侧251开口
202耦合侧260上层回填管线
203阀门组件261上层抽气管线
204门框270下层回填管线
205狭孔271下层抽气管线
206腔室本体280管线的起始位置
207顶部300晶圆支架
208底部301支撑板
209管线302定位结构
210对称轴303沟槽
230框架304螺孔
231水平内壁305支撑座
232垂直壁307限位块
233凹槽308支撑块
309传递区L长度
310侧壁W宽度
311校正孔H高度
312校正孔D水平距离
313插销
400机械手前端手指
具体实施方式
本发明提供一种可用于卸除晶圆基板之负载腔室。此负载腔体可为多腔室处理系统中的一部分,例如可作为两个相邻传递腔室之间的连接。或者,此负载腔室可作为多腔室处理系统的出入口,即真空接口与常压接口之间的转换。藉由,负载腔室的运作,无论晶圆基板是由常压进入真空(或是由真空进入常压)皆不需改变多腔式处理系统内的真空条件,使系统中的各项处理可持续进行。
现在将参考本发明之伴随图式详细描述实施例。在该伴随图式中,相同及/或对应组件系以相同参考符号所表示。
在此将揭露各种实施例;然而,要了解到所揭露之实施例只用于作为可体现为各种形式之例证。此外,连接各种实施例所给予之每一范例都预期作为例示,而非用于限制。进一步的,该图式并不一定符合尺寸比例,某些特征系被放大以显示特定组件之细节(且该图式中所示之任何尺寸、材料与类似细节都预期仅为例示而非限制)。因此,在此揭露之特定结构与功能细节并不被解释做为限制,而只是用于教导相关领域技术人员实作所揭露之实施例的基础。
图1为一种多腔室处理系统100(clustertool)的架构示意图。多腔室处理系统,可包含一或多个传递腔室、耦接至传递腔室的多个处理腔室以及一或多个负载腔室。例如,多腔室处理系统100,包含一第一传递腔室101。第一传递腔室101的周围耦合复数个第一处理腔室103,且每一个第一处理腔室103可与第一传递腔室101机械连通。所述第一传递腔室101内一般具有至少一机械手臂(图中未示),其以可驱动地方式承载及传递至少一晶圆基板,藉以将待处理或已处理之晶圆基板放置于处理腔室或自处理腔室中取出。
第一处理腔室103中的各腔室,可提供各种不同的处理,例如一或多道前处理(包含晶圆基板的调整及清洁)及一或多道后处理(包含蚀刻及沉积)。实际上,系统100的处理腔室组合可以有多样变化,并不以此为限。
多腔室处理系统100,还包含一第一负载腔室105。第一负载腔室105的一侧耦合至第一传递腔室101,而一相对侧耦合至一常压界面107。
第一负载腔室105系用于,在真空状态之第一传递腔室101和常压接口107之间,传递晶圆基板(或玻璃基板)。第一负载腔室105接收来自第一传递腔室101的机械手臂,藉以将晶圆基板从第一负载腔室105运送至每一第一处理腔室103。
图2为根据本发明所提供之负载腔室的一实施例200。尤其,此负载腔室200是用在如第一图所示的第一负载腔室105。第二图显示负载腔室200的立体图。负载腔室200具有一装卸侧201及一耦合侧202。负载腔室200的耦合侧202固定至第一图之第一传递腔室101的周围,而负载腔室200的装卸侧201与第一图的常压接口107连接。装卸侧201的一部份可于常压下进行工作。
负载腔室200的装卸侧201及耦合侧202分别包含复数个阀门。如图2所示,负载腔室200的耦合侧202具有两个阀门组件203,每一个阀门组件203具有一门框204,其定位于耦合侧202并持有复数个可驱动之阀门。所述门框204具有两个狭孔(阀门)205,两者在垂直方向上以一段距离隔开,以对应负载腔室200中的复数个腔室。一般而言,每一个狭孔205的尺寸系大于晶圆基板的尺寸,以让基板能够顺利通过所述狭孔205。每一个狭孔205与腔室的连通系由阀门开关所决定。一旦狭孔(阀门)205为关闭,与此狭孔205对应之的腔室一般而言无法与传递腔室或常压接口的工作腔室连通。至于位在装卸侧201的阀门组件203也可以与耦合侧202的阀门组件203具有相似的配置。尤其,位于装卸侧201和耦合侧202的各阀门可独立被驱动,使晶圆基板的调度更为弹性。所述阀门的种类或驱动阀门的方式可依据压力接口的情况(真空环境、大气环境)而适当地选择。
负载腔室200包含一腔室本体206,其在装卸侧201与耦合侧202之间延伸,且腔室本体206在垂直方向上具有一厚度,藉此定义所述腔室本体206的一顶部207及一底部208。腔室本体206的内部包含复数个腔体,而从顶部207至底部208的方向上可包含至少一个腔室。
如图3,所呈现的是负载腔室200的横向剖面图,其显示腔室本体206的内部结构以及位于装卸侧201的阀门组件203。负载腔室200的内部结构为对称。更具体而言,负载腔室200大致上系以一管线209延伸的一延伸轴线210为一对称轴,而将腔室本体206区分为左半部与右半部。所述管线209系耦接至负载腔室200的底部208。。腔室本体206的左右半部分别对应至位于装卸侧201及耦合侧202的各别阀门组件203。左右半部分别包含复数个腔室,沿着垂直方向堆栈,并相互独立不连通。如图3的腔室本体206的每一个半部包含一上腔室及一下腔室且两者互不相通,但左半部和右半部的上腔室相互连通,左半部和右半部的下腔室相互连通。
腔室本体206具有大致在垂直方向上对称的一框架230,其也是构成腔室本体206的主要结构。所述框架230介于顶部207与底部208之间,且框架230在对称轴210的两侧分别水平延伸有一水平内壁231,并截止于一垂直壁232。其中内壁231的垂直方向厚度小于框架230的中间部分(靠近对称轴210)及垂直壁232之厚度,藉此定义出水平方向上之凹槽。如图4A,呈现腔室本体206之框架230的立体图,其显示根据第二图方位由框架230所定义出的凹槽233。
返回图3,腔室本体206还具有对应各凹槽的复数个盖板234。盖板234具有略大于凹槽的233的尺寸,以覆盖凹槽233。盖板234系固定至框架230。藉此由框架230和这些盖板234定义出复数个腔室,如第一腔室241、第二腔室242、第三腔室243和第四腔室244,其中第一腔室241和第三腔室243分别位于左半部的上下位置,第二腔室242和第四腔室244分别位于右半部的上下位置。第一腔室241与第二腔室242系位在腔室本体206的大致上相同高度处且相互连通,而第三腔室243与第四腔室244系位在腔室本体206的大致上相同高度处且相互连通。在本发明的其他实施例中,盖板234可经由特定的固定机构以可拆卸的方式固定至框架230。更特别的是,盖板234可为透光材质或透明材质所制成,使腔体内部的状况能够为外界所视。
在本发明的其他实施例中,虽然图中未显示,腔室本体206可包含一个以上的框架230,并垂直地相互堆栈,以实现具有更多层腔室之负载腔体。然而,虽然图中未显示,考虑负载腔室的体积,亦可将腔室本体缩减至仅包含最小单元之层结构,也就是仅由单一框架230与两个盖板234所定义的左右腔室。在本发明的一些实施例中,腔室本体206在对称轴210的两侧可分别形成一个以上的所述凹槽233,使负载腔体的一层中可负载更多的晶圆基板。
参阅第四A图及第四B图,其中图4A显示腔室本体206的立体图,图4B显示腔室本体206的顶部俯视图。腔室本体206,其沿着垂直方向具有一厚度H,而沿着水平方向具有一长度L及一宽度W。腔室本体206定义有复数个凹槽233,凹槽233大致上呈扁平圆柱空间,其具有沿着水平方向延伸之径向。如图4B所示,凹槽233的横向面大致为圆形,其直径小于腔室本体的宽度W。腔室本体206包含至少一对凹槽233,每对凹槽233沿着长度L方向排列,且该对凹槽233的直径总和小于该长度L。
腔室本体206具有一中间部250。所述中间部250为框架230的一部分,例如可为框架230与外部管线209耦接之结构区域。如图4B,为框架230的俯视图,其也显示位于框架230的四个内部管线260、261、270、271(以虚线表示)耦接,这些内部管线的对称点位置大致上沿着宽度W的方向排列,此排列可定义为框架230的中间部250。所述中间部250可视为腔室本体206中的对称结构的中心。如图3框架230,靠近对称轴210处,厚度较内壁231大之结构为框架230的中间部。所述中间部250可将腔室本体206分为左半部及右半部。该对凹槽233以中间部250为对称中心而配置于框架230中,使框架230形成一对称结构。
框架230,在装卸侧201和耦合侧202处,分别定义有复数个开口251,每一个开口251沿着宽度W方向向内延伸并与对应的凹槽233相互连通。各开口251的大小是小于凹槽233的径向大小。该等复数开口251的位置分别对应第二图阀门组件203的狭孔205,使晶圆基板可经由阀门进入凹槽233中或自凹槽233中取出。
框架230包含多对凹槽233,每一对凹槽233一般而言位在相同水平高度且以框架230的中间部250对称设置。所述多对凹槽233可沿着高度方向H堆栈。如图4A,在一低水平高度设置有一对凹槽,而在一相对高水平高度设有另一对凹槽。该等凹槽对可共同以中间部250作对称设置。如图3,将盖板234固定至框架230以覆盖这些凹槽233,使凹槽233形成腔室,如腔室241至244。
腔室本体206包含多对腔室,每一对腔室以所述中间部250为中心而对称分布,且每一对腔室彼此经由至少一内部管线而相互连通。如图4B,框架230包含复数个内部管线,这些内部管线与外部管线连通(如图2及图3所示之管线209)。所述内部管线包含上层管线和下层管线。上层管线可包含一上层回填管线260及一上层抽气管线261。下层管线可包含一下层回填管线270及一下层抽气管线271。管线260、261、270及271各自独立,且这些管线的每一者延伸至个别的腔室中并为同一层腔室所共享。例如,上层回填管线260系供应气体至上层腔室对中,如图3的第一腔室241和第二腔室242;上层抽气管线261则可抽取上层腔室中的气体,使腔室的工作环境转换,即真空和大气环境互换。因此,可一并控制上层腔室中的压力,且上层和下层可独立受到控制。
参阅图5A,其呈现所述框架230的底部208视图,显示沿着各内部管线260、261、270及271至左半部凹槽233的剖面线。参阅图5B至图5E,其呈现根据图5A剖面线之剖面图,分别显示每一内部管线260、261、270及271的路径。这些内部管线260、261、270及271起始于框架230的底部208并向内部延伸一段距离后,斜向延伸至上层及下层凹槽(或腔室)。较佳地,所述斜向延伸的水平方向系指向凹槽233的一中心。图5A还显示这些内部管线的起始位置(亦可称内部管线在框架230底部的终点)280,在底部208上,系呈一直线地整齐排列,该直线可视为框架230、腔室本体206或负载腔室200之对称结构的一对称轴。因此,负载腔室中所包含的数个腔室、内部管线或其他通道可依据此对称轴而设置为对称结构。
这些内部管线260、261、270及271的起始位置280可不必排列成一直线。更少或更多的内部管线可设置于上层及/或下层中的腔室对的两者之间,使该对腔室中的两者可共享内部管线。此可简化负载腔室的管线配置。负载腔室的管线,如所述内部管线261及271,可经由各别的外部管线209及其他阀门耦接至一泵浦设备,而内部管线260及270可连接至气体回填设备,以实现负载腔室中的工作环境调控。
返回图3,本发明所提供之负载腔室200还包含复数个晶圆支架300,其分别容置于腔室本体206的各腔室中,用以呈载晶圆基板。所述晶圆支架300系定位于腔室中。例如,晶圆支架300可固定于框架230的内壁231。所述晶圆支架300具有校准机构,用于对齐机械手臂,尤其是对齐机械手前端手指(像是第一图传递腔室101所运作的机械手臂)进入腔室的位置。
参阅图6,其呈现所述晶圆支架300的立体图。图7A及图7B分别呈显晶圆支架的俯视图及其横向剖面图。晶圆支架300包含一支撑板301、用于固定晶圆支架300之复数个定位结构302及用于校准机械手臂之沟槽303。支撑板301具有一长边和一短边。支撑板301系于腔室中延伸,并定位于腔室中。晶圆支架300系定位于腔室中且以支撑板301的长边面对腔室本体206两侧的开口251。
支撑板301的一侧形成有所述复数个定位结构302。定位结构302为支撑板301上的延伸结构。如第六图,定位结构302可设置在支撑板301的角落,并沿着垂直方向延伸。如图7B,这些定位结构302具有大致相同的高度。定位结构302的顶端可与腔室的内壁接触,其中定位结构302的顶端可为平整面。定位结构302的底端亦可与腔室的内壁接触,其中定位结构302的底端可为平整面或与支撑板301共平面。晶圆支架300可经由这些定位结构302固定置腔室的内壁上。例如,定位结构302可包含一或多个螺孔304,贯穿其顶端及/或底端。可提供一螺钉,从定位结构302的顶端锁入,或是从定位结构302的底端锁入。因此,可以有两种固定晶圆支架300的方式。例如,像是在图3的上层腔室,晶圆支架300可以定位结构302底端固定至内壁231而固定于腔室中;或者,像是在第三图的下层腔室,晶圆支架300可以定位结构302顶端固定至内壁231而固定于腔室中。较佳地,这些定位结构302的侧壁是被配置以抵触腔室的内壁,使晶圆支架300横向定位于腔室中。
支撑板301的一侧还形成有复数个支撑座305。这些支撑座305可与定位结构302位于同一侧。支撑座305亦可与定位结构302一体成形,且支撑座305系位于支撑板301与定位结构302之间。如图7B,支撑座305的高度系小于定位结构302的高度。支撑座305系设置以用于支撑晶圆基板。例如,每一个支撑座305还可具有一限位块307及一支撑块308。限位块307及支撑块308系从支撑座305垂直延伸。如图7B,限位块307的高度略高于支撑块308的高度。一般而言,这些限位块307系设置于这些支撑块308的外围。如图7A所示,由四个限位块307所定义的一水平面积系大于由四个支撑块308所定义的一水平面积,其中四个支撑块308所定义的水平面积系小于晶圆基板的面积。因此,晶圆基板可被放置在这些支撑块308上。所述支撑块308可以是球或者具有球面的圆柱,而材料可选用单晶体之固体,如蓝宝石。限位块307系设置以用于限制放置在支撑块308上的晶圆基板的偏移量。如第七A图,每一个限位块307与其相邻的支撑块308之间相隔一水平距离D,其允许放置在支撑块308上的晶圆基板可以有水平方向的偏移误差D。因此,晶圆基板可大约落在晶圆支架300的适当处。
支撑板301还具有所述沟槽303。如图6及图7A,支撑板301的一侧定义有相互平行之两条沟槽303,沟槽303的延伸方向大致上与支撑板301的短边平行,并且于支撑板301的相对长边之间延伸。该等沟槽303以一距离分开,使支撑板301于该等沟槽303之间定义一传递区309。传递区309系提供机械手前端手指通过,以传递及放置晶圆基板。如图8A,其呈现根据图7A之视图加上通过晶圆支架300的一机械手前端手指400(如图1传递腔室101运行的机械手臂)。
一般而言,机械手前端手指400为扁平结构,以承载机圆基板。该等沟槽303可作为校正机械手前端手指400通过路径之基准,或是作为机械手前端手指400之导引。如图8B,呈现根据图8A之剖面图。机械手前端手指400可承载晶圆基板(未显示)并以一悬空高度通过支撑板的301传递区309,接着机械手前端手指400垂直下降直到晶圆基板放置于该等支撑块308上。机械手前端手指400可被驱动下降,与支撑板301接触。基于机械手前端手指400与沟槽303的相对位置,机械手前端手指400校准得以实现。
机械手前端手指400的宽度可相当于(或略小于)该等沟槽303之间的距离。若机械手前端手指400的边缘落在沟槽303上,则可表示机械手前端手指400在正确的传递路径上。若机械手前端手指400的边缘落在沟槽303外,则机械手前端手指400可能偏离正确的传递路径,需要被校正。所述校正过程,可经由第三图可透视之盖板234来观察。
参阅图8C,其呈现根据图8B之局部放大图,显示机械手前端手指400边缘与沟槽303的相对位置。在本发明的其他实施例中,支撑板301的传递区309可略低于支撑板301本体的其他部分。如图8C,位于沟槽303一侧的传递区309与位在沟槽303另一侧的板体有一高度落差,使得机械手前端手指400的一部分容置在支撑板301中。可在支撑板301上提供一侧壁310(如图8C靠近沟槽303处)藉此机械手前端手指400的边缘与侧壁310之间存在一校准间隙。此校准间隙亦可用来判断机械手前端手指400是否在正确的传递路径上。
支撑板301还可具有一校正孔。如图6、图7A及图8B,支撑板301在传递区309定义有一校正孔311。校正孔311位于支撑板301的中心点,相对于四个限位块307的中心。机械手前端手指400具有另一校正孔312,图8A所示。当机械手前端手指400通过并静止于支撑板301上方时,较佳地,机械手前端手指400的校正孔312应对准支撑板301的校正孔311。可进一步提供一插销313,其能够同时穿越该等校正孔311及312,以检验机械手前端手指400是否在正确的传递路径上。在本发明其他实施例中,更多的校正孔可被提供,或是等校置换为其他机构,像是啮合机构。
虽然已经以一或多个实施例描述本发明支负载腔室,要了解到本发明揭露内容并不限制于所揭露的实施例。本发明于器涵盖在申请专利范围之精神与观点中所包含的各种修改与类似配置,应给予此观点最广泛的诠释,以包含所有之修改与类似结构。本发明揭露内容也包含下述申请专利范围中的所有任何实施例。
Claims (10)
1.一种负载腔室,其特征在于,包括一腔室本体,该腔室本体包括:
至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,使该对腔室相互连通,以提供该对腔室之气体回填或抽取;及
用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
2.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体具有多层结构,而该等多层结构之一者包含该对腔室。
3.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体包含一框架,该框架具有复数个内壁,该等内壁定义该对腔室。
4.如权利要求3所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体更包含复数个盖板,该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架,并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
5.如权利要求3所述的负载腔室,其特征在于,其中该框架具有一中间部,该中间部系根据所述至少一内部管线的排列所定义,该中间部系位于该对腔室之间。
6.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中每一个晶圆支架具有复数个定位结构,每一个定位结构具有一顶端及一底端,经由该等定位结构的顶端或底端,以及经由该等定位结构抵触所述腔室的内壁,将该等晶圆支架固定和定位于该对腔室中。
7.如权利要求6所述的负载腔室,其特征在于,其中所述晶圆支架具有复数个限位块,用于限制该晶圆基板在晶圆支架中的偏移量。
8.如权利要求6所述的负载腔室,其特征在于,其中所述该等沟槽之间定义了该晶圆支架的一传递区,该传递区用以提供所述机械手前端手指通过。
9.权利要求6所述的负载腔室,其特征在于,其中所述晶圆支架提供有一侧壁,该侧壁与机械手前端手指的一边缘之间存在一校正距离,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
10.一种多腔室处理系统,包括:
一传递腔室,提供有一机械手前端手指;及
一负载腔室,与该传递腔室耦合,并与该机械手前端手指配合,
其中,该负载腔室包括一腔室本体,该腔室本体包括:
至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;
至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,以提供该对腔室之气体回填或抽取;及
用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018090591A1 (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室及半导体装置 |
CN111211082A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 晶圆传输装置 |
CN113257718A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-08-13 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
TWI754371B (zh) * | 2019-09-06 | 2022-02-01 | 日商佳能安內華股份有限公司 | 負載鎖定裝置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180069403A (ko) * | 2016-12-15 | 2018-06-25 | 삼성전자주식회사 | 질화 갈륨 기판의 제조 방법 |
CN109786304B (zh) * | 2019-01-17 | 2022-05-10 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种用于晶圆处理设备的装载室 |
CN113035681B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-12-15 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 晶圆气锁装置 |
CN112151431B (zh) * | 2020-09-25 | 2023-07-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 预装载腔室及半导体工艺平台 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060113806A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Asm Japan K.K. | Wafer transfer mechanism |
US20070292244A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Moore Robert B | Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same |
CN101145506A (zh) * | 2003-10-20 | 2008-03-19 | 应用材料股份有限公司 | 用于大面积基板处理系统的装载锁定室 |
US20080071417A1 (en) * | 2002-08-31 | 2008-03-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback |
CN101447406A (zh) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 诺发系统有限公司 | 负载锁设计及其使用方法 |
KR20090071862A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 주식회사 아토 | 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현 로드락 챔버 |
CN102877027A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-16 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 共用真空系统的双腔真空装载腔 |
CN104846347A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-08-19 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 双层式负载腔室的回填及抽气结构 |
CN204792730U (zh) * | 2015-04-29 | 2015-11-18 | 中勤实业股份有限公司 | 具有动态定位结构的晶片传送盒 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6486444B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Load-lock with external staging area |
US6729834B1 (en) * | 2000-11-27 | 2004-05-04 | Btu International, Inc. | Wafer manipulating and centering apparatus |
US6528427B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Methods for reducing contamination of semiconductor substrates |
US20030213560A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Yaxin Wang | Tandem wafer processing system and process |
US7654596B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
WO2008045375A2 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback |
-
2016
- 2016-03-16 CN CN201610153803.XA patent/CN105789091B/zh active Active
- 2016-04-21 TW TW105112394A patent/TWI634612B/zh active
- 2016-09-16 US US15/267,698 patent/US10497591B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080071417A1 (en) * | 2002-08-31 | 2008-03-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback |
CN101145506A (zh) * | 2003-10-20 | 2008-03-19 | 应用材料股份有限公司 | 用于大面积基板处理系统的装载锁定室 |
US20060113806A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Asm Japan K.K. | Wafer transfer mechanism |
US20070292244A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Moore Robert B | Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same |
CN101447406A (zh) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 诺发系统有限公司 | 负载锁设计及其使用方法 |
KR20090071862A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 주식회사 아토 | 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현 로드락 챔버 |
CN102877027A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-16 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 共用真空系统的双腔真空装载腔 |
CN104846347A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-08-19 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 双层式负载腔室的回填及抽气结构 |
CN204792730U (zh) * | 2015-04-29 | 2015-11-18 | 中勤实业股份有限公司 | 具有动态定位结构的晶片传送盒 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018090591A1 (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室及半导体装置 |
CN108091587A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种工艺腔室 |
CN111211082A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 晶圆传输装置 |
CN111211082B (zh) * | 2018-11-22 | 2022-10-25 | 拓荆科技股份有限公司 | 晶圆传输装置 |
TWI754371B (zh) * | 2019-09-06 | 2022-02-01 | 日商佳能安內華股份有限公司 | 負載鎖定裝置 |
CN113257718A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-08-13 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
CN113257718B (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-17 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10497591B2 (en) | 2019-12-03 |
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