TWI796439B - 發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。 根據實施形態，發光元件包括具有第1面之基板、包含第1發光層且設於第1面之第1區域之第1半導體積層體及包含第2發光層且設於第1面之第2區域之第2半導體積層體。第1半導體積層體包括第1側面及位於第1半導體積層體之第1側面之相反側之第2側面。第2半導體積層體包括與第1半導體積層體之第2側面相對向之第1側面及位於第2半導體積層體之第1側面之相反側之第2側面。第1半導體積層體之第1側面與第1區域之間的第1角度小於第1半導體積層體之第2側面與第1區域之間的第2角度。第2半導體積層體之第2側面與第2區域之間的第4角度小於第2半導體積層體之第1側面與第2區域之間的第3角度。

Description

發光元件
本發明係關於一種發光元件。
發光元件用於各種用途。根據用途，要求具有發光元件之側方之光強度較高之配光特性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5633477號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，發光元件包括具有第1面之基板、包含第1發光層且設於上述第1面之第1區域之第1半導體積層體及包含第2發光層且設於上述第1面之第2區域之第2半導體積層體。上述第1半導體積層體包括第1側面及位於上述第1半導體積層體之第1側面之相反側之第2側面。上述第2半導體積層體包括與上述第1半導體積層體之第2側面相對向且處於距離上述第1半導體積層體較近之側之第1側面、以及位於上述第2半導體積層體之第1側面之相反側且處於距離上述第1半導體積層體較遠之側之第2側面。上述第1半導體積層體之第1側面與上述第1區域之間的第1角度小於上述第1半導體積層體之第2側面與上述第1區域之間的第2角度。上述第2半導體積層體之第2側面與上述第2區域之間的第4角度小於上述第2半導體積層體之第1側面與上述第2區域之間的第3角度。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，可提供一種具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。
以下，一面參考圖式一面對本發明之各實施形態進行說明。 再者，圖式係模式性或概念性者，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等未必與實物相同。又，即使於表示相同部分之情形時，亦存在根據圖式而相互之尺寸或比率不同表示之情形。 再者，於本案說明書中，對與就已有之圖於前文所描述者相同之元件標註相同之符號並適當省略詳細說明。
(第1實施形態) 圖1係例示第1實施形態之發光元件之模式性剖視圖。 圖2係例示第1實施形態之發光元件之模式性俯視圖。 圖1係圖2之I-I線剖視圖。圖2係自圖1之箭頭AR觀察之俯視圖。於圖2中，為了便於觀察圖，描繪時省略了一部分元件。
如圖1及圖2所示，實施形態之發光元件110包括基板50、第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B。
如圖1所示，基板50具有第1面50a及第2面50b。第2面50b係與第1面50a相反側之面。第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B係設於第1面50a。於此例中，基板50之第1面50a及第2面50b係大致正方形狀。於基板50為大致正方形狀之情形時，可將一邊之長度設為300 μm以上3000 μm以下程度，較佳為500 μm以上1500 μm以下程度。
將相對於第1面50a垂直之方向設為Z軸方向。將相對於Z軸方向垂直之1個方向設為X軸方向。將相對於Z軸方向及X軸方向垂直之方向設為Y軸方向。
例如，將自第1半導體積層體10A向第2半導體積層體10B之方向設為X軸方向。
如圖1所示，第1面50a包括第1區域R1及第2區域R2。於此例中，自第1區域R1向第2區域R2之方向係沿X軸方向。
第1半導體積層體10A設於第1區域R1。第2半導體積層體10B設於第2區域R2。第1面50a中之設置第1半導體積層體10A之區域對應於第1區域R1。第1面50a中之設置第2半導體積層體10B之區域對應於第2區域R2。
第1半導體積層體10A例如包含第1發光層13A、n型半導體層11A及p型半導體層12A。n型半導體層11A包括第1部分區域11a及第2部分區域11b。例如，於第1半導體積層體10A中，於p型半導體層12A與第1區域R1之間設置第1發光層13A。於第1發光層13A與第1區域R1之間設置第2部分區域11b。第1部分區域11a於Z軸方向上不與p型半導體層12A及第1發光層13A重疊。
第2半導體積層體10B例如包含第2發光層13B、n型半導體層11B及p型半導體層12B。n型半導體層11B亦包括第1部分區域11a及第2部分區域11b。例如，於第2半導體積層體10B中，於p型半導體層12B與第2區域R2之間設置第2發光層13B。於第2發光層13B與第2區域R2之間設置第2部分區域11b。第1部分區域11a於Z軸方向上不與p型半導體層12B及第2發光層13B重疊。
該等半導體層例如包含氮化物半導體等。發光層例如包含氮化物半導體等。於氮化物半導體中，例如含有InX AlY Ga1-X-Y N(0≤X、0≤Y、X+Y＜1)。
於此例中，於p型半導體層12A設有第1導電膜12AE。另一方面，於p型半導體層12B設有第2導電膜12BE。該等導電膜例如含有具有較高之反射率之金屬。可獲得較高之反射率。導電膜例如可使用Al或Ag等。
於此例中，於第1半導體積層體10A之第1部分區域11a電性連接有第1導電構件41。第1導電構件41與第1電極41E電性連接。
於與p型半導體層12A電性連接之第1導電膜12AE電性連接有連接構件40之一端。連接構件40之另一端與第2半導體積層體10B之n型半導體層11B之第1部分區域11a電性連接。
於與第2半導體積層體10B之p型半導體層12B電性連接之導電膜12BE電性連接有第2導電構件42。第2導電構件42與第2電極42E電性連接。
於上述導電性構件之間設有絕緣層35及絕緣層36。進而，絕緣層35被覆除電極外之部分。該等絕緣層例如含有氧化矽、氮化矽、及氮氧化矽之至少任一者。於此例中，設有第1反射層31。第1反射層31設於半導體積層體之側面等。第1反射層31例如具有絕緣性。關於第1反射層31之例，將於後文描述。
第1半導體積層體10A與第2半導體積層體10B相互串聯連接。例如，向第1電極41E及第2電極42E之間施加電壓。於半導體積層體之各者中流通電流，自各者之發光層發射光。半導體積層體例如係LED(Light Emitting Diode，發光二極體)。
如圖1及圖2所示，第1半導體積層體10A包括第1~第4側面s1~s4。該等側面與X-Y平面交叉。第2側面s2位於第1半導體積層體10A之第1側面s1之相反側。第4側面s4位於第1半導體積層體10A之第3側面s3之相反側。
同樣地，第2半導體積層體10B包括第1~第4側面s1~s4。該等側面與X-Y平面交叉。第2半導體積層體10B之第2側面s2位於第2半導體積層體10B之第1側面s1之相反側。第2半導體積層體10B之第4側面s4位於第2半導體積層體10B之第3側面s3之相反側。
如圖2所示，於第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B中，例如，第1側面s1及第2側面s2係沿Y軸方向延伸。例如，第1側面s1及第2側面s2係與X軸方向交叉。例如，自第1側面s1向第2側面s2之方向係沿X軸方向。例如，第3側面s3及第4側面s4係沿X軸方向延伸。第3側面s3及第4側面s4係與Y軸方向交叉。例如，自第3側面s3向第4側面s4之方向係沿Y軸方向。
第2半導體積層體10B之第1側面s1與第1半導體積層體10A之第2側面s2相對向且處於距離第1半導體積層體10A較近之側。第2半導體積層體10B之第2側面s2位於第2半導體積層體10B之第1側面s1之相反側且處於距離第1半導體積層體10A較遠之側。
例如，第2半導體積層體10B之第1側面s1與第1半導體積層體10A(例如第1半導體積層體10A之第2側面s2)之間的距離短於第2半導體積層體10B之第2側面s2與第1半導體積層體10A(例如第1半導體積層體10A之第2側面s2)之間的距離。
例如，於第1半導體積層體10A之第1側面s1與第2半導體積層體10B之第2側面s2之間存在第1半導體積層體10A之第2側面s2。於第1半導體積層體10A之第2側面s2與第2半導體積層體10B之第2側面s2之間存在第2半導體積層體10B之第1側面s1。
如圖1所示，將第1半導體積層體10A之第1側面s1與第1區域R1之間之角度設為第1角度θ1。將第1半導體積層體10A之第2側面s2與第1區域R1之間之角度設為第2角度θ2。於實施形態中，第1角度θ1小於第2角度θ2。
將第2半導體積層體10B之第1側面s1與第2半導體積層體10B之第2區域R2之間之角度設為第3角度θ3。將第2半導體積層體10B之第2側面s2與第2半導體積層體10B之第2區域R2之間之角度設為第4角度θ4。於實施形態中，第4角度θ4小於第3角度θ3。
藉由具有此種角度之半導體積層體之側面，可如以下所說明般提供一種具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。
以下，首先對不設置第1反射層31之情形進行說明。於該情形時，於半導體積層體之側面設置樹脂等密封構件。或，於側面亦可存在空氣。例如，自第1發光層13A發射之光於半導體積層體及基板50等中傳送並到達至第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B之第1側面s1及第2側面s2。此時，例如會產生因半導體積層體(例如GaN等)之高折射率與半導體積層體之外部(例如樹脂或空氣等)之低折射率之差而導致之反射(例如全反射)。
於實施形態中，第1半導體積層體10A之第1側面s1之第1角度θ1較小。藉此，例如，來自發光層之光由第1半導體積層體10A之第1側面s1反射之後變得易於向側方出射。另一方面，第1半導體積層體10A之第2側面s2之第2角度θ2較大。藉此，來自發光層之光由第1半導體積層體10A之第2側面s2反射，並由基板50之第2面50b等反射，藉此到達至基板50之側面。
第2半導體積層體10B之第2側面s2之第4角度θ4較小。藉此，例如，光由第2半導體積層體10B之第2側面s2反射之後變得易於向側方出射。另一方面，第2半導體積層體10B之第1側面s1之第3角度θ3較大。藉此，來自發光層之光由第2半導體積層體10B之第1側面s1反射，並由基板50之第2面50b等反射，藉此到達至基板50之側面。
於實施形態中，朝向第1半導體積層體10A之第2側面s2及第2半導體積層體10B之第1側面s1之光易於向半導體積層體之其他側面反射。進而，朝向第1半導體積層體10A之第1側面s1及第2半導體積層體10B之第2側面s2之光易於向側方出射。因此，於發光元件110中可獲得側方之光強度較高之配光特性。
於實施形態中，第1半導體積層體10A之第3側面s3與第1區域R1之間的角度可小於第1半導體積層體10A之第2側面s2與第1區域R1之間的第2角度θ2。第1半導體積層體10A之第4側面s4與第1區域R1之間的角度可小於第2角度θ2。第2半導體積層體10B之第3側面s3與第2區域R2之間的角度可小於第2半導體積層體10B之第1側面s1與第2區域R2之間的第3角度θ3。第2半導體積層體10B之第4側面s4與第2區域R2之間的角度可小於第3角度θ3。例如，於Y軸方向，可獲得側方之光強度較高之配光特性。
於實施形態中，亦可設置第1反射層31。如圖1所示，第1反射層31設於第1半導體積層體10A之第1側面s1及第2側面s2與第2半導體積層體10B之第1側面s1及第2側面s2。第1反射層31反射來自第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B之光。
於設置第1反射層31之情形時，亦因第1半導體積層體10A之第1側面s1之第1角度θ1較小，故光由第1半導體積層體10A之第1側面s1反射之後變得易於向側方出射。因第2半導體積層體10B之第2側面s2之第4角度θ4較小，故光由第2半導體積層體10B之第2側面s2反射之後變得易於向側方出射。可獲得側方之光強度較高之配光特性。
於實施形態中，第1角度θ1及第4角度θ4之各者例如為30度以上45度以下。第2角度θ2及第3角度θ3之各者為60度以上70度以下。藉由此種角度之差，可獲得側方之光強度較高之配光特性。該等角度可藉由控制半導體積層體之一部分之去除(蝕刻)條件而進行控制。
第1反射層31例如可包含金屬膜。或，第1反射層31亦可包含複數個介電層積層而成之介電多層膜。
以下，對第1反射層31之例進行說明。 圖3A~圖3D係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 該等圖例示了第1反射層31。 如圖3A所示，第1反射層31包含第1膜31a及第2膜31b。該等膜之折射率相互不同。例如，第1膜31a具有第1折射率。第2膜31b具有第2折射率。第2折射率與第1折射率不同。如圖3A所示，第2膜31b設於第1側面s1與第1膜31a之間。於此例中，複數個第1膜31a及複數個第2膜31b係交替設置。可適當變更第1膜31a及第2膜31b各自之厚度而使來自發光層之光反射。
如圖3B所示，第2膜31b設於第2側面s2與第1膜31a之間。如圖3C所示，第2膜31b設於第3側面s3與第1膜31a之間。如圖3D所示，第2膜31b設於第4側面s4與第1膜31a之間。
例如，第1膜31a及第2膜31b之一者含有氧化鈦。例如，第1膜31a及第2膜31b之另一者含有氧化矽。第1膜31a及第2膜31b亦可含有氧化鈮。
藉由此種構成，於第1反射層31可獲得較高之反射率。於第1反射層31可獲得較高之絕緣性。可抑制半導體積層體之漏光等。
如圖1及圖2所示，基板50之第1面50a包括中間區域Rs0。中間區域Rs0位於第1區域R1與第2區域R2之間。於此例中，第1反射層31與中間區域Rs0相接。於此例中，2個半導體積層體相互分離。例如，第1半導體積層體10A之n型半導體層11A遠離第2半導體積層體10B之n型半導體層11B。藉此，可減少經由半導體層於第1半導體積層體10A與第2半導體積層體10B之間傳送之光。進而，第1半導體積層體10A之側面s2及第2半導體積層體10B之側面s1之面積增加，設於該側面之第1反射層31之反射區域增加。如此，於兩個半導體積層體相互分離之情形時，藉由將第1反射層31設於其等之間之區域(中間區域Rs0)，可於中間區域Rs0有效率地反射光。
如圖1及圖2所示，於此例中，基板50之第1面50a進而包括第1外周區域Rs1及第2外周區域Rs2。於第1外周區域Rs1與第2外周區域Rs2之間設置第1區域R1與第2區域R2。於第1區域R1與第2外周區域Rs2之間設置第2區域R2。於此例中，第1反射層31與第1外周區域Rs1及第2外周區域Rs2相接。藉由於第1外周區域Rs1及第2外周區域Rs2設置第1反射層31，即便於該等外周區域亦可實現利用基板50之導光。例如，可進而提高側方之光強度。
如此，第1面50a亦可進而包括基板50之外緣50E與第1區域R1之間之外周區域Rs(例如第1外周區域Rs1及第2外周區域Rs2等)。例如，第1反射層31與外周區域Rs相接。
圖4係例示第1實施形態之另一發光元件之模式性剖視圖。 如圖4所示，實施形態之發光元件111除基板50、第1半導體積層體10A、第2半導體積層體10B以外，進而包括第2反射層32。於此例中，亦設有第1反射層31。於發光元件111中，第2反射層32以外之構成係與發光元件110之構成相同。以下，對第2反射層32之例進行說明。
如已說明般，基板50具有位於第1面50a之相反側之第2面50b。於第2面50b設置第2反射層32。第2反射層32反射來自第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B之光。
例如，於第2反射層32與第1半導體積層體10A之間設置基板50之一部分(例如第1區域R1)。於第2反射層32與第2半導體積層體10B之間設置基板50之另一部分(例如第2區域R2)。
藉由設置第2反射層32，可抑制自第2面50b出射之光。藉此，例如，可進而提高側方之光強度。
第2反射層32例如可包含金屬膜。或，第2反射層32亦可包含複數個介電層積層而成之介電多層膜。以下，對第2反射層32之例進行說明。
圖5係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 如圖5所示，第2反射層32包含第3膜32c及第4膜32d。第3膜32c具有第3折射率。第4膜32d具有第4折射率。第4折射率與第3折射率不同。第4膜32d設於基板50與第3膜32c之間。於此例中，複數個第3膜32c及複數個第4膜32d係交替設置。
例如，第3膜32c及第4膜32d之一者含有氧化鈦。例如，第3膜32c及第4膜32d之另一者含有氧化矽。第1膜31a及第2膜31b亦可含有氧化鈮。
(第2實施形態) 圖6係例示第2實施形態之發光元件之模式性俯視圖。 圖7及圖8係例示第2實施形態之發光元件之模式性剖視圖。 圖7係圖6之VII-VII線剖視圖。圖8係圖6之VIII-VIII線剖視圖。圖6係自圖7及圖8之箭頭AR觀察之俯視圖。於圖6中，為了便於觀察圖，描繪時省略了一部分元件。
如圖6所示，第2實施形態之發光元件120除基板50、第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B以外，亦包括第3半導體積層體10C及第4半導體積層體10D。於發光元件120中，第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B之構成與發光元件111相同，因此省略說明。
基板50之第1面50a除第1區域R1及第2區域R2以外，亦包括第3區域R3及第4區域R4。
第3半導體積層體10C設於第3區域R3。第4半導體積層體10D設於第4區域R4。
自第3半導體積層體10C向第4半導體積層體10D之方向沿自第1半導體積層體10A向第2半導體積層體10B之第1方向(例如X軸方向)。自第1半導體積層體10A向第3半導體積層體10C之第2方向與自第1半導體積層體10A向第2半導體積層體10B之第1方向(例如X軸方向)交叉。第2方向例如為Y軸方向。自第2半導體積層體10B向第4半導體積層體10D之方向沿第2方向(Y軸方向)。
如圖7所示，第3半導體積層體10C例如包含第3發光層13C、n型半導體層11C及p型半導體層12C。n型半導體層11C包括第1部分區域11a及第2部分區域11b。例如，於第3半導體積層體10C中，於p型半導體層12C與第3區域R3之間設置第3發光層13C。於第3發光層13C與第3區域R3之間設置第2部分區域11b。第1部分區域11a於Z軸方向上不與p型半導體層12C及第3發光層13C重疊。
第4半導體積層體10D例如包含第4發光層13D、n型半導體層11D及p型半導體層12D。n型半導體層11D亦包括第1部分區域11a及第2部分區域11b。例如，於第2半導體積層體10D中，於p型半導體層12D與第4區域R4之間設置第4發光層13D。於第4發光層13D與第4區域R4之間設置第2部分區域11b。第1部分區域11a於Z軸方向上不與p型半導體層12D及第4發光層13D重疊。
對於第3半導體積層體10C及第4半導體積層體10D，可分別應用第1半導體積層體10A及第2半導體積層體10B之構成。
於此例中，於p型半導體層12C設有第3導電膜12CE。另一方面，於p型半導體層12D設有第4導電膜12DE。
如圖7所示，於第3半導體積層體10C之p型半導體層12C電性連接有第3導電構件43。第3導電構件43與第3電極43E電性連接。於此例中，於第3半導體積層體10C之第1部分區域11a電性連接有另一連接構件40A之一端。連接構件40A之另一端與第4半導體積層體10D之p型半導體層12D電性連接。
於第4半導體積層體10D之第1部分區域11a電性連接有第4導電構件44。第4導電構件44例如亦可與第2半導體積層體10B之p型半導體層12B(參考圖1)電性連接。
如圖6所示，第1~第4半導體積層體10A~10D之各者包括第1~第4側面s1~s4。
如圖8所示，第1半導體積層體10A包括第3側面s3及第4側面s4。第1半導體積層體10A之第4側面s4位於第1半導體積層體10A之第3側面s3之相反側。
第3半導體積層體10C具有第3側面s3及第4側面s4。第3半導體積層體10C之第3側面s3與第1半導體積層體10A之第4側面s4相對向，且處於距離第1半導體積層體10A較近之側。第3半導體積層體10C之第4側面s4位於第3半導體積層體10C之第3側面s3之相反側，且處於距離第1半導體積層體10A較遠之側。
例如，第3半導體積層體10C之第3側面s3與第1半導體積層體10A(例如第1半導體積層體10A之第4側面s4)之間的距離短於第3半導體積層體10C之第4側面s4與第1半導體積層體10A(例如第1半導體積層體10A之第4側面s4)之間的距離。
例如，於第1半導體積層體10A之第3側面s3與第3半導體積層體10C之第4側面s4之間存在第1半導體積層體10A之第4側面s4。於第1半導體積層體10A之第4側面s4與第3半導體積層體10C之第4側面s4之間存在第3半導體積層體10C之第3側面s3。
將第1半導體積層體10A之第3側面s3與第1區域R1之間之角度設為第5角度θ5。將第1半導體積層體10A之第4側面s4與第1區域R1之間之角度設為第6角度θ6。於實施形態中，第5角度θ5小於第6角度θ6。
將第3半導體積層體10C之第3側面s3與第3區域R3之間之角度設為第7角度θ7。將第3半導體積層體10C之第4側面s4與第3區域R3之間之角度設為第8角度θ8。於實施形態中，第8角度θ8小於第7角度θ7。
藉由此種角度(第5~第8角度θ5~θ8)，與關於第1~第4角度θ1~θ4所說明之情形同樣地，可獲得具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。
以下，對實施形態之發光元件之應用例進行說明。
圖9係例示使用了實施形態之發光元件之照明裝置之模式性剖視圖。 如圖9所示，於照明裝置310中，於安裝基板211之上表面設置複數個發光元件(此例中為發光元件111)。於複數個發光元件111之間設置反射體212。反射體212具有相對於安裝基板211之主面211a傾斜之傾斜面。
於反射體212之上方，例如，依序設置擴散板213、螢光體片材214、第1稜鏡215、第2稜鏡216及偏光膜217。
自發光元件111出射例如藍色之光111L。光111L沿安裝基板211之主面211a出射。光111L由反射體212反射。所反射之光212L朝向擴散板213行進。
於實施形態中，自發光元件111出射之光111L實質上係沿主面211a。例如，光111L並不自發光元件111直接朝向擴散板213。藉此，可縮短主面211a與擴散板213之間之距離D1。於距離D1較短之情形時，亦可獲得亮度均勻之照明裝置310。照明裝置310例如可用作液晶顯示裝置等之背光源。
根據實施形態，可提供一種具有側方之光強度較高之配光特性之發光元件。
以上，一面參考具體例，一面對本發明之實施形態進行了說明。然而，本發明並不限定於該等具體例。例如，關於發光元件中所包括之基板、半導體積層體、發光層、半導體層及反射層等各自之具體構成，只要藉由業者自公知之範圍內適當選擇而可以相同之方式實施本發明並獲得相同之效果，則亦包含於本發明之範圍內。
又，關於將各具體例之任意2個以上之元件於技術上可能之範圍內組合而成者，只要包含本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍內。
此外，基於作為本發明之實施形態於上文所描述之發光元件而可由業者適當變更設計並實施之所有半發光元件只要包含本發明之主旨，則亦屬於本發明之範圍。
此外，於本發明之思想範疇內，只要為業者則可想到各種變更例及修正例，應當瞭解是的該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍內。
10A‧‧‧第1半導體積層體 10B‧‧‧第2半導體積層體 10C‧‧‧第3半導體積層體 10D‧‧‧第4半導體積層體 11A‧‧‧n型半導體層 11B‧‧‧n型半導體層 11C‧‧‧n型半導體層 11D‧‧‧n型半導體層 11a‧‧‧第1部分區域 11b‧‧‧第2部分區域 12A‧‧‧p型半導體層 12B‧‧‧p型半導體層 12C‧‧‧p型半導體層 12D‧‧‧p型半導體層 12AE‧‧‧第1導電膜 12BE‧‧‧第2導電膜 12CE‧‧‧第3導電膜 12DE‧‧‧第4導電膜 13A‧‧‧第1發光層 13B‧‧‧第2發光層 13C‧‧‧第3發光層 13D‧‧‧第4發光層 31‧‧‧第1反射層 31a‧‧‧第1膜 31b‧‧‧第2膜 32‧‧‧第2反射層 32c‧‧‧第3膜 32d‧‧‧第4膜 35‧‧‧絕緣層 36‧‧‧絕緣層 40‧‧‧連接構件 40A‧‧‧連接構件 41‧‧‧第1導電構件 41E‧‧‧第1電極 42‧‧‧第2導電構件 42E‧‧‧第2電極 43‧‧‧第3導電構件 43E‧‧‧第3電極 44‧‧‧第4導電構件 50‧‧‧基板 50a‧‧‧第1面 50b‧‧‧第2面 50E‧‧‧外緣 110‧‧‧發光元件 111‧‧‧發光元件 111L‧‧‧光 120‧‧‧發光元件 211‧‧‧安裝基板 211a‧‧‧主面 212‧‧‧反射體 212L‧‧‧光 213‧‧‧擴散板 214‧‧‧螢光體片材 215‧‧‧第1稜鏡 216‧‧‧第2稜鏡 217‧‧‧偏光膜 310‧‧‧照明裝置 AR‧‧‧箭頭 D1‧‧‧距離 R1‧‧‧第1區域 R2‧‧‧第2區域 R3‧‧‧第3區域 R4‧‧‧第4區域 Rs‧‧‧外周區域 Rs0‧‧‧中間區域 Rs1‧‧‧第1外周區域 Rs2‧‧‧第2外周區域 s1‧‧‧第1側面 s2‧‧‧第2側面 s3‧‧‧第3側面 s4‧‧‧第4側面 θ1‧‧‧第1角度 θ2‧‧‧第2角度 θ3‧‧‧第3角度 θ4‧‧‧第4角度 θ5‧‧‧第5角度 θ6‧‧‧第6角度 θ7‧‧‧第7角度 θ8‧‧‧第8角度
圖1係例示第1實施形態之發光元件之模式性剖視圖。 圖2係例示第1實施形態之發光元件之模式性俯視圖。 圖3A係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 圖3B係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 圖3C係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 圖3D係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 圖4係例示第1實施形態之另一發光元件之模式性剖視圖。 圖5係例示第1實施形態之發光元件之一部分之模式性剖視圖。 圖6係例示第2實施形態之發光元件之模式性俯視圖。 圖7係例示第2實施形態之發光元件之模式性剖視圖。 圖8係例示第2實施形態之發光元件之模式性剖視圖。 圖9係例示使用了實施形態之發光元件之照明裝置之模式性剖視圖。
10A‧‧‧第1半導體積層體
10B‧‧‧第2半導體積層體
11A‧‧‧n型半導體層
11B‧‧‧n型半導體層
11a‧‧‧第1部分區域
11b‧‧‧第2部分區域
12A‧‧‧p型半導體層
12B‧‧‧p型半導體層
12AE‧‧‧第1導電膜
12BE‧‧‧第2導電膜
13A‧‧‧第1發光層
13B‧‧‧第2發光層
31‧‧‧第1反射層
35‧‧‧絕緣層
36‧‧‧絕緣層
40‧‧‧連接構件
41‧‧‧第1導電構件
41E‧‧‧第1電極
42‧‧‧第2導電構件
42E‧‧‧第2電極
50‧‧‧基板
50E‧‧‧外緣
50a‧‧‧第1面
50b‧‧‧第2面
110‧‧‧發光元件
AR‧‧‧箭頭
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
Rs‧‧‧外周區域
Rs0‧‧‧中間區域
Rs1‧‧‧第1外周區域
Rs2‧‧‧第2外周區域
s1‧‧‧第1側面
s2‧‧‧第2側面
θ1‧‧‧第1角度
θ2‧‧‧第2角度
θ3‧‧‧第3角度
θ4‧‧‧第4角度

Claims (11)

  1. 一種發光元件，其具備：基板，其具有第1面；第1半導體積層體，其包含第1發光層且設於上述第1面之第1區域；及第2半導體積層體，其包含第2發光層且設於上述第1面之第2區域；且上述第1半導體積層體包括：第1側面；及第2側面，其位於上述第1半導體積層體之第1側面之相反側；且上述第2半導體積層體包括：第1側面，其與上述第1半導體積層體之第2側面相對向且處於距離上述第1半導體積層體較近之側；及第2側面，其位於上述第2半導體積層體之第1側面之相反側且處於距離上述第1半導體積層體較遠之側；且上述第1半導體積層體之第1側面與上述第1區域之間的第1角度小於上述第1半導體積層體之第2側面與上述第1區域之間的第2角度；上述第2半導體積層體之第2側面與上述第2區域之間的第4角度小於上述第2半導體積層體之第1側面與上述第2區域之間的第3角度。
  2. 如請求項1之發光元件，其進而具備第1反射層，該第1反射層設於上述第1半導體積層體之第1及第2側面與上述第2半導體積層體之第1及第2側面，反射來自上述第1及第2半導體積層體之光。
  3. 如請求項2之發光元件，其中上述第1反射層包括：第1膜，其具有第1折射率；及第2膜，其設於上述第1側面與上述第1膜之間，且具有與上述第1折射率不同之第2折射率。
  4. 如請求項2或3之發光元件，其中上述第1面進而包括上述第1區域與上述第2區域之間之中間區域，且上述第1反射層與上述中間區域相接。
  5. 如請求項4之發光元件，其中上述第1面進而包括上述基板之外緣與上述第1區域之間之外周區域，且上述第1反射層與上述外周區域相接。
  6. 如請求項1至3中任一項之發光元件，其中上述基板具有位於上述第1面之相反側之第2面，且於上述第2面設有反射來自上述第1及第2半導體積層體之光之第2反射層。
  7. 如請求項6之發光元件，其中上述第2反射層包括：第3膜，其具有第3折射率；第4膜，其設於上述基板與上述第3膜之間，且具有與上述第3折射率 不同之第4折射率。
  8. 如請求項1至3中任一項之發光元件，其中上述第1及第4角度之各者為30度以上45度以下，且上述第2及第3角度之各者為60度以上70度以下。
  9. 如請求項1至3中任一項之發光元件，其進而具備：第3半導體積層體，其包含第3發光層且設於上述第1面之第3區域；及第4半導體積層體，其包含第4發光層且設於上述第1面之第4區域；且上述第1半導體積層體包括：第3側面；及第4側面，其位於上述第1半導體積層體之第3側面之相反側；且上述第3半導體積層體包括：第3側面，其與上述第1半導體積層體之第4側面相對向且處於距離上述第1半導體積層體較近之側；及第4側面，其位於上述第3半導體積層體之第3側面之相反側且處於距離上述第1半導體積層體較遠之側；且上述第1半導體積層體之第3側面與上述第1區域之間的第5角度小於上述第1半導體積層體之第4側面與上述第1區域之間的第6角度，上述第3半導體積層體之第4側面與上述第3區域之間的第8角度小於上述第3半導體積層體之第4側面與上述第3區域之間的第7角度。
  10. 如請求項1之發光元件，其中， 上述第1半導體積層體包括：第3側面；及第4側面，其位於上述第1半導體積層體之第3側面之相反側；且上述第1半導體積層體之第1側面及第2側面自上述第1半導體積層體之第3側面延伸至上述第1半導體積層體之第4側面；上述第2半導體積層體包括：第3側面；及第4側面，其位於上述第2半導體積層體之第3側面之相反側；且上述第2半導體積層體之第1側面及第2側面自上述第2半導體積層體之第3側面延伸至上述第2半導體積層體之第4側面。
  11. 如請求項10之發光元件，其中，上述第1半導體積層體之第4側面與上述第1區域之間的角度小於上述第1半導體積層體之第2側面與上述第1區域之間的上述第2角度，上述第2半導體積層體之第4側面與上述第2區域之間的角度小於上述第2半導體積層體之第1側面與上述第2區域之間的上述第3角度。
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