TWI795524B - 堆疊體及其製造方法以及觸控面板 - Google Patents

Abstract

一種堆疊體，其依序具備：由樹脂A所形成之第一樹脂層、導電層與由樹脂B所形成之第二樹脂層，前述樹脂A在25℃時之儲存彈性模數為500 MPa以上且20000 MPa以下，前述樹脂B在25℃時之儲存彈性模數為10 MPa以上且1000 MPa以下。

Description

堆疊體及其製造方法以及觸控面板

本發明係關於堆疊體及其製造方法以及觸控面板。

以往，作為透明導電性構件，已知於玻璃板上形成有氧化銦薄膜的導電性玻璃。然而，導電性玻璃之基材為玻璃，故可撓性差，而難以依用途來應用。於是，作為可撓性優異的透明導電性構件，已提案有利用樹脂的堆疊體（專利文獻1）。

『專利文獻』 專利文獻1：日本專利公開第2017-65217號公報

專利文獻1所記載之堆疊體，具備可撓性基材、形成於此可撓性基材上之導電層與形成於此導電層上之黏合劑層。然而，此種以往之堆疊體的耐彎折性不足。具體而言，以往的堆疊體在反覆彎折操作的情況下，在彎折部分容易發生白化或導電層破損。因此，要求進一步改善耐彎折性。

本發明係有鑑於前述問題而首創者，目的在於提供：具有優異之耐彎折性的堆疊體及其製造方法；以及具備前述堆疊體的觸控面板。

本發明人為能解決前述問題而潛心進行研究。其結果，本發明人發現，依序具備：由具有指定儲存彈性模數之樹脂A所形成之第一樹脂層、導電層與由具有指定儲存彈性模數之樹脂B所形成之第二樹脂層的堆疊體，在反覆彎折操作的情況下可抑制外觀變化及導電層破損，進而完成本發明。

亦即，本發明包含下述內容。

[1]一種堆疊體，其依序具備：由樹脂A所形成之第一樹脂層、導電層與由樹脂B所形成之第二樹脂層，其中 前述樹脂A在25℃時之儲存彈性模數為500 MPa以上且20000 MPa以下， 前述樹脂B在25℃時之儲存彈性模數為10 MPa以上且1000 MPa以下。

[2]如[1]所記載之堆疊體，其中 前述第一樹脂層之厚度為1 μm以上且100 μm以下， 前述第二樹脂層之厚度為1 μm以上且100 μm以下。

[3]如[1]或[2]所記載之堆疊體，其中 前述樹脂A包含含有脂環結構之聚合物， 前述樹脂B包含亦可導入烷氧基矽基之嵌段共聚物氫化物。

[4]如[1]～[3]之任一項所記載之堆疊體，其中前述樹脂A之玻璃轉移溫度為130℃以上。

[5]如[1]～[4]之任一項所記載之堆疊體，其中前述導電層包含選自由金屬、導電性金屬氧化物、導電性奈米線及導電性聚合物而成之群組之至少1種的導電材料。

[6]一種觸控面板，其係以自觀看側依序設置第一樹脂層、導電層及第二樹脂層之方式具備如[1]～[5]之任一項所記載之堆疊體的觸控面板，其中 前述堆疊體能將觀看側之面作為外側彎曲。

[7]一種堆疊體之製造方法，其係如[1]～[5]之任一項所記載之堆疊體之製造方法，其包含： 準備第一樹脂層之工序； 於前述第一樹脂層上形成導電層之工序；與 於前述導電層上形成第二樹脂層之工序。

根據本發明，可提供：具有優異之耐彎折性的堆疊體及其製造方法；以及具備前述堆疊體的觸控面板。

以下揭示實施型態及例示物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所示之實施型態及例示物者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得任意變更而實施。

［1.堆疊體之概要］

圖1及圖2分別係繪示本發明之一實施型態相關之堆疊體10的剖面示意圖。

如圖1所示，本發明之一實施型態相關之堆疊體10在厚度方向上依序具備：由樹脂A所形成之第一樹脂層110、導電層120與由樹脂B所形成之第二樹脂層130。再者，樹脂A及樹脂B分別在25℃時具有指定範圍之儲存彈性模數。

此種堆疊體10之耐彎折性優異。於此，所謂堆疊體10之耐彎折性，意謂即使反覆該堆疊體10之彎折操作，仍不易發生導電層120破損及白化等外觀變化的性質。據此，此堆疊體10即使在反覆彎折操作的情況下，仍可抑制在彎折部分中之白化及導電層破損的發生。尤其，堆疊體10如圖2所示，對於將第一樹脂層110側之面110D作為外側且將第二樹脂層130側之面130U作為內側的彎折，具有高耐受性。

並且，相較於僅在導電層之單側具備樹脂層的堆疊體，在導電層120之兩側具備第一樹脂層110及第二樹脂層130作為樹脂層的堆疊體10，其由各層體的熱收縮差異所致之翹曲較小。據此，前述堆疊體10通常可抑制由熱所致之翹曲。

堆疊體10除了第一樹脂層110、導電層120及第二樹脂層130以外，亦可具備任意層體。惟第一樹脂層110與導電層120以直接接觸為佳。並且，導電層120與第二樹脂層130以直接接觸為佳。於此，所謂某2層體接觸的態樣為「直接」，係指此2層體之間無其他層體。再者，堆疊體10以僅具備第一樹脂層110、導電層120及第二樹脂層130之3層結構的薄膜為尤佳。

［2.第一樹脂層］

第一樹脂層係由在25℃時具有指定範圍之儲存彈性模數之樹脂A所形成的樹脂層。第一樹脂層所包含之樹脂A在25℃時之具體的儲存彈性模數通常為500 MPa以上，以800 MPa以上為佳，以1100 MPa以上為尤佳，且通常為20000 MPa以下，以18000 MPa以下為佳，以16000 MPa以下為尤佳。

藉由在由具有如前述範圍之儲存彈性模數之樹脂A所形成的第一樹脂層與由具有指定範圍之儲存彈性模數之樹脂B所形成的第二樹脂層之間形成導電層，可抑制由彎折所致之導電層破損。並且，前述樹脂A不易產生由曲折所致之白化。據此，可提升堆疊體之耐彎折性。尤其，藉由樹脂A之儲存彈性模數為前述範圍之下限值以上，可優化耐熱尺寸穩定性。並且，藉由樹脂A之儲存彈性模數為前述範圍之上限值以下，可減小內部殘留應力。

樹脂之儲存彈性模數得使用動態黏彈性量測裝置在頻率1 Hz之條件下量測。具體的量測條件得採用後述實施例之條件。

作為樹脂A，可使用包含聚合物並得視需求進一步包含任意成分之樹脂。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。作為樹脂A所包含之聚合物，以包含含有脂環結構之聚合物的樹脂為佳。以下適時將含有脂環結構之聚合物稱作「含脂環結構聚合物」。

含脂環結構聚合物之機械強度優異，故可有效提高堆疊體的耐彎折性。並且，含脂環結構聚合物通常其透明性、低吸水性、耐濕性、尺寸穩定性及輕量性優異。

含脂環結構聚合物係於重複單元中含有脂環結構之聚合物，可列舉例如：得藉由將環烯烴作為單體使用之聚合反應來獲得的聚合物或其氫化物等。並且，作為前述含脂環結構聚合物，無論於主鏈中含有脂環結構之聚合物及於側鏈含有脂環結構之聚合物皆可使用。其中，含脂環結構聚合物以於主鏈含有脂環結構為佳。作為脂環結構，可列舉例如：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等的觀點而言以環烷結構為佳。

1個脂環結構所包含之碳原子的數量以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為尤佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量處於上述範圍內，可高度平衡機械強度、耐熱性及成形性。

含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之重複單元的比例以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為更佳，以90重量%以上為尤佳。藉由將具有脂環結構之重複單元的比例定為如前所述之多，可提高耐熱性。

並且，於含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之重複單元以外的殘餘部分並無特別限定，得視使用目的而適當選擇。

作為含脂環結構聚合物，可使用具有結晶性者及不具有結晶性者之任一者，亦可組合兩者使用。於此，所謂具有結晶性之聚合物，係指具有熔點Mp之聚合物。並且，所謂具有熔點Mp之聚合物，即係指可藉由示差掃描熱量計（DSC）觀測熔點Mp之聚合物。藉由使用具有結晶性之含脂環結構聚合物，可尤為有效提高堆疊體之機械強度，故可顯著改善耐彎折性。並且，藉由使用不具有結晶性之含脂環結構聚合物，可降低堆疊體之製造成本。

作為具有結晶性之含脂環結構聚合物，可列舉例如：下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此些之中，就可輕易獲得耐熱性優異之堆疊體而言，作為具有結晶性之含脂環結構聚合物，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：係為環烯烴單體之開環聚合物且具有結晶性者。 聚合物（β）：係為聚合物（α）之氫化物且具有結晶性者。 聚合物（γ）：係為環烯烴單體之加成聚合物且具有結晶性者。 聚合物（δ）：係為聚合物（γ）之氫化物等且具有結晶性者。

具體而言，作為具有結晶性之含脂環結構聚合物，以係為二環戊二烯之開環聚合物且具有結晶性者及係為二環戊二烯之開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為較佳，以係為二環戊二烯之開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂二環戊二烯之開環聚合物，係指「源自二環戊二烯之結構單元相對於所有結構單元的比例通常為50重量%以上，以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳」的聚合物。

具有結晶性之含脂環結構聚合物在製造堆疊體之前亦可不結晶化。然而，於製造堆疊體之後，該堆疊體所包含之具有結晶性之含脂環結構聚合物通常藉由結晶化而可具有高結晶化度。具體的結晶化度之範圍得視期望性能而適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳。藉由將堆疊體所包含之含脂環結構聚合物的結晶化度定於前述範圍之下限值以上，可對堆疊體賦予高耐熱性及化學抗性。結晶化度得藉由X線繞射法量測。

具有結晶性之含脂環結構聚合物之熔點Mp以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Mp之具有結晶性之含脂環結構聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更為優異的堆疊體。

如前所述之具有結晶性之含脂環結構聚合物，得藉由例如國際專利公開第2016/067893號所記載的方法來製造。

另一方面，不具有結晶性之含脂環結構聚合物，可列舉例如：（1）降𦯉烯系聚合物、（2）單環的環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯脂環烴聚合物及此些的氫化物等。此些之中，就透明性及成形性的觀點而言，以降𦯉烯系聚合物及其氫化物為較佳。

作為降𦯉烯系聚合物，可列舉例如：降𦯉烯系單體之開環聚合物、降𦯉烯系單體與能開環共聚合之其他單體之開環共聚物及此些的氫化物；降𦯉烯系單體之加成聚合物、降𦯉烯系單體與能共聚合之其他單體之加成共聚物等。此些之中，就透明性的觀點而言，以降𦯉烯系單體之開環聚合物氫化物為尤佳。

上述含脂環結構聚合物可選自例如日本專利公開第2002-321302號公報所揭示之聚合物。

作為包含不具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂，市售有各種商品，故得於此些之中適當選擇具有期望特性者來使用。作為此種市售品之例，可列舉：商品名「ZEONOR」（日本瑞翁股份有限公司製）、「ARTON」（JSR股份有限公司製）、「APEL」（三井化學股份有限公司製）、「TOPAS」（Polyplastics Co., Ltd.製）的製品群組。

樹脂A所包含之聚合物之重量平均分子量（Mw）以10,000以上為佳，以15,000以上為較佳，以20,000以上為尤佳，且以100,000以下為佳，以80,000以下為較佳，以50,000以下為尤佳。具有此種重量平均分子量之聚合物之機械強度、成形加工性及耐熱性的平衡優異。

樹脂A所包含之聚合物之分子量分布（Mw／Mn）以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，以1.8以上為尤佳，且以3.5以下為佳，以3.4以下為較佳，以3.3以下為尤佳。藉由分子量分布為前述範圍之下限值以上，可提高聚合物的生產性、抑制製造成本。並且，藉由為上限值以下，低分子成分的量減少，故可抑制高溫暴露時的鬆弛，而提高堆疊體的穩定性。

聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，得藉由使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析法（以下簡稱作「GPC」。）以聚異戊二烯換算之值量測。在樹脂不溶解於環己烷的情況下，得使用甲苯作為溶劑。溶劑為甲苯時，重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn得以聚苯乙烯換算之值量測。

樹脂A中之聚合物的比例就獲得耐熱性及耐彎折性尤為優異之堆疊體的觀點而言，以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為更佳，以98重量%～100重量%為尤佳。

樹脂A亦可包含任意成分組合於上述聚合物。作為任意成分之例，可列舉：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。作為此些任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。惟就使本發明之效果顯著發揮的觀點而言，任意成分的含有比例以少為佳。

樹脂A之玻璃轉移溫度Tg以130℃以上為佳，以140℃以上為較佳，以150℃以上為更佳。藉由樹脂A具有如前所述之高的玻璃轉移溫度Tg，可提高樹脂A的耐熱性，故可抑制高溫環境中之第一樹脂層的尺寸變化。由於導電層之形成方法有如蒸鍍法、濺射法等在高溫環境的形成方法，故藉由樹脂A具有如前所述之優異的耐熱性，能適當進行導電層之形成。尤其，樹脂A具有優異的耐熱性，在欲形成具有細微圖案形狀之導電層的情況下，實屬有用。樹脂A之玻璃轉移溫度的上限，就容易取得樹脂A的觀點而言，以200℃以下為佳，以190℃以下為較佳，以180℃以下為尤佳。玻璃轉移溫度可依照後述實施例所記載的方法量測。

第一樹脂層通常具有高透明性。第一樹脂層之具體的全光線穿透率以70%以上為佳，以80%以上為較佳，以90%以上為更佳。全光線穿透率得使用紫外線／可見光分光計在波長400 nm～700 nm的範圍量測。

並且，第一樹脂層之霧度以5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為尤佳，理想上為0%。霧度得採用：遵循JIS K7361-1997，使用日本電色工業公司製之「濁度計NDH-300A」，量測5處，自此而求得的平均值。

第一樹脂層之厚度以1 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以13 μm以上為尤佳，且以100 μm以下為佳，以80 μm以下為較佳，以60 μm以下為尤佳。藉由第一樹脂層之厚度為前述範圍之下限值以上，可利用第一樹脂層來抑制水分往導電層滲入。據此，可有效抑制水分所致之導電層的劣化。另一方面，藉由第一樹脂層之厚度為前述範圍之上限值以下，可減小因彎折而產生之應力，故可有效提高堆疊體之耐彎折性。

第一樹脂層之製造方法並無限制。作為第一樹脂層之製造方法，可列舉例如：熔融成形法、溶液流延法等。其中，就可抑制溶劑等揮發性成分殘留於第一樹脂層而言，以熔融成形法為佳。熔融成形法可更詳細分類成擠製成形法、加壓成形法、吹脹成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。此些方法之中，為了獲得機械強度及表面精確度優異之第一樹脂層，以擠製成形法、吹脹成形法及加壓成形法為佳，就可有效率並簡單製造第一樹脂層的觀點而言，以擠製成形法為尤佳。

［3.導電層］

導電層通常包含具有導電性之材料（以下適時稱作「導電材料」。）。作為此種導電材料，可列舉例如：金屬、導電性金屬氧化物、導電性奈米線、導電性聚合物等。並且，導電材料可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，就提高堆疊體之耐彎折性的觀點而言，導電層以包含選自由金屬、導電性奈米線及導電性聚合物而成之群組之至少1種的導電材料為佳。

作為金屬，可列舉例如：金、鉑、銀及銅。其中以銀、銅及金為佳，以銀為較佳。此些金屬可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。在藉由此些金屬形成導電層的情況下，可藉由將導電層形成為細線狀，而獲得透明的導電層。舉例而言，藉由做成形成為格子狀之金屬網格層來形成導電層，可獲得透明的導電層。

包含金屬的導電層，可藉由例如包含塗布含金屬粒子之導電層形成用組成物的形成方法來形成。此時，藉由將前述導電層形成用組成物印刷成指定之格子圖案，可獲得做成金屬網格層之導電層。再者，可藉由例如塗布包含銀鹽之導電層形成用組成物，並透過曝光處理及顯影處理而將金屬細線形成為指定之格子圖案，以將導電層做成金屬網格層而形成。關於此種導電層及其形成方法之詳情，得參照日本專利公開第2012-18634號公報、日本專利公開第2003-331654號公報。

作為導電性金屬氧化物，可列舉例如：ITO（氧化銦錫）、IZO（氧化銦鋅）、ZnO（氧化鋅）、IWO（氧化銦鎢）、ITiO（氧化銦鈦）、AZO（氧化鋁鋅）、GZO（氧化鎵鋅）、XZO（鋅系特殊氧化物）、IGZO（氧化銦鎵鋅）等。此些之中，就光線穿透性及耐久性的觀點而言，以ITO為尤佳。導電性金屬氧化物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

包含導電性金屬氧化物之導電層。得藉由包含例如：蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、離子束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法、鍍金法，及此些之組合等成膜方法的形成方法來形成。此些之中，以蒸鍍法及濺射法為佳，以濺射法為尤佳。濺射法中，由於可形成厚度均勻的導電層，故可抑制於導電層產生局部較薄的部分。

所謂導電性奈米線，係指形狀為針狀或線狀且外徑為奈米級尺寸的導電性物質。導電性奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。此種導電性奈米線藉由導電性奈米線彼此形成間隙而成為網目狀，即使是少量的導電性奈米線仍可形成良好的電性傳導路徑，可實現電阻為小的導電層。並且，導電性線藉由成為網目狀而於網目的間隙形成開口部，故可獲得光穿透率為高的導電層。

導電性奈米線之粗度d與長度L之比（長寬比：L／d）以10～100,000為佳，以50～100,000為較佳，以100～10,000為尤佳。若使用長寬比為如此大的導電性奈米線，則導電性奈米線會良好交叉，而可藉由少量導電性奈米線來顯現高導電性。其結果，可獲得透明性優異的堆疊體。於此，所謂「導電性奈米線之粗度」，在導電性奈米線之截面為圓形的情形中意謂其直徑，在為橢圓形的情形中意謂其短徑，在為多邊形之情形中意謂最長對角線。導電性奈米線之粗度及長度得藉由掃描型電子顯微鏡或穿透型電子顯微鏡量測。

導電性奈米線之粗度以未達500 nm為佳，以未達200 nm為較佳，以10 nm～100 nm為更佳，以10 nm～50 nm為尤佳。藉此，可提高導電層之透明性。

導電性奈米線之長度以2.5 μm～1000 μm為佳，以10 μm～500 μm為較佳，以20 μm～100 μm為尤佳。藉此，可提高導電層之導電性。

作為導電性奈米線，可列舉例如：由金屬所構成之金屬奈米線、包含碳奈米管之導電性奈米線等。

作為金屬奈米線所包含之金屬，以導電性高的金屬為佳。作為合適金屬之例，可列舉：金、鉑、銀及銅，其中以銀、銅及金為佳，以銀為較佳。並且，亦可使用已於上述金屬進行鍍處理（例如鍍金處理）的材料。再者，前述材料可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

作為金屬奈米線之製造方法，得採用任意適當的方法。舉例而言，可列舉：在溶液中還原硝酸銀的方法；自探針的尖端部分使施加電壓或電流作用於前驅物表面，在探針的尖端部分拉出金屬奈米線，而連續形成該金屬奈米線的方法；等。於溶液中還原硝酸銀的方法中，得藉由在乙二醇等多元醇及聚乙烯氫吡咯酮的存在下進行硝酸銀等銀鹽之液相還原，來合成銀奈米線。均勻尺寸的銀奈米線，能遵循例如Xia, Y.etal., Chem.Mater. (2002), 14, 4736-4745、Xia, Y.etal., Nano letters (2003)3(7), 955-960所記載的方法而大量生產。

作為碳奈米管，可使用例如：直徑為約0.3 nm～100 nm、長度為約0.1 μm～20 μm之所謂的多層碳奈米管、雙層碳奈米管、單層碳奈米管等。其中，就導電性為高這點而言，以直徑10 nm以下、長度1 μm～10 μm之單層或雙層碳奈米管為佳。並且，碳奈米管之聚集體中，以不含非晶碳及觸媒金屬等雜質為佳。作為碳奈米管之製造方法，得採用任意適當的方法。以使用由電弧放電法所製作之碳奈米管為佳。由電弧放電法所製作之碳奈米管由於結晶性優異，故為佳。

包含導電性奈米線之導電層，可藉由例如：包含將使導電性奈米線分散於溶劑而獲得之導電性奈米線分散液塗布及使之乾燥的形成方法來形成。

作為導電性奈米線分散液所包含之溶劑，可列舉例如：水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香系溶劑等，其中就減低環境負荷的觀點而言，以使用水為佳。並且，溶劑可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

導電性奈米線分散液中之導電性奈米線的濃度以0.1重量%～1重量%為佳。藉此，可形成導電性及透明性優異的導電層。

導電性奈米線分散液得包含任意成分組合於導電性奈米線及溶劑。作為任意成分，可列舉例如：抑制導電性奈米線之腐蝕的腐蝕抑制劑、抑制導電性奈米線之凝集的界面活性劑、用以將導電性奈米線維持於導電層之黏合劑聚合物等。並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

作為導電性奈米線分散液的塗布方法，可列舉例如：噴塗法、棒塗法、輥塗法、模塗法、噴墨塗法、網版塗法、浸塗法、槽模塗法、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作為乾燥方法，得採用任意適當的乾燥方法（例如：自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥）。舉例而言，在加熱乾燥的情況下，得將乾燥溫度定為100℃～200℃，將乾燥時間定為1分鐘～10分鐘。

導電層中之導電性奈米線的比例相對於導電層的總重量，以80重量%～100重量%為佳，以85重量%～99重量%為較佳。藉此，可獲得導電性及光穿透性優異的導電層。

作為導電性聚合物，可列舉例如：聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚對伸苯伸乙烯系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚伸苯系聚合物、經丙烯酸系聚合物改質之聚酯系聚合物等。其中，以聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚對伸苯伸乙烯系聚合物及聚吡咯系聚合物為佳。

其中，以聚噻吩系聚合物為尤佳。藉由使用聚噻吩系聚合物，可獲得透明性及化學穩定性優異之導電層。作為聚噻吩系聚合物的具體例，可列舉：聚噻吩；聚(3-己基噻吩)等聚(3-C_1-8 烷基噻吩)；聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)、聚(3,4-伸丙二氧基噻吩)、聚[3,4-(1,2-伸環己基)二氧基噻吩]等聚(3,4-伸（環）烷二氧基噻吩)；聚噻吩乙烯等。於此，所謂「C_1-8 烷基」，表示碳原子數為1～8之烷基。並且，前述導電性聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

導電性聚合物以在陰離子性聚合物的存在下聚合為佳。舉例而言，聚噻吩系聚合物以在陰離子性聚合物的存在下使之氧化聚合為佳。作為陰離子性聚合物，可列舉：具有羧基、磺酸基或其鹽的聚合物。以使用聚苯乙烯磺酸等具有磺酸基之陰離子性聚合物為佳。

包含導電性聚合物之導電層，可藉由例如：包含將含導電性聚合物之導電層形成用組成物塗布並使之乾燥的形成方法來形成。關於包含導電性聚合物之導電層，得參照日本專利公開第2011-175601號公報。

導電層由如前所述之導電材料所形成，故具有導電性。導電層的導電性可例如由表面電阻值表示。導電層之具體的表面電阻值得視堆疊體的用途而設定。於某實施型態中，導電層的表面電阻值以1000 Ω／sq.以下為佳，以900 Ω／sq.以下為較佳，以800 Ω／sq.以下為尤佳。導電層之表面電阻值的下限並無特別限制，但就製造容易而言，以1 Ω／sq.以上為佳，以2.5 Ω／sq.以上為較佳，以5 Ω／sq.以上為尤佳。

導電層可形成於第一樹脂層及第二樹脂層之間的整體，亦可形成於一部分。舉例而言，導電層亦可圖案化成具有指定俯視形狀之圖案而形成。於此所謂俯視形狀，係指自層體的厚度方向觀看之情形中的形狀。導電層之圖案的俯視形狀得視堆疊體的用途而設定。舉例而言，在使用堆疊體作為電路基板的情況下，導電層的俯視形狀亦可形成為對應於電路之佈線形狀的圖案。並且，舉例而言，在使用堆疊體作為觸控面板用之感測器薄膜的情況下，導電層的俯視形狀以作為觸控面板（例如：電容式觸控面板）良好運作之圖案為佳，若要舉出具體例，可列舉：日本專利公表第2011-511357號公報、日本專利公開第2010-164938號公報、日本專利公開第2008-310550號公報、日本專利公表第2003-511799號公報、日本專利公表第2010-541109號公報所記載之圖案。

導電層通常具有高透明性。據此，可見光通常可穿透此導電層。導電層之具體的透明性得視堆疊體的用途而調整。導電層之具體的全光線穿透率以80%以上為佳，以90%以上為較佳，以95%以上為更佳。

導電層之每1層的厚度以0.010 μm以上為佳，以0.020 μm以上為較佳，以0.025 μm以上為尤佳，且以10 μm以下為佳，以3 μm以下為較佳，以1 μm以下為尤佳。藉此，可提高導電層之透明性。

［4.第二樹脂層］

第二樹脂層係由在25℃時具有指定範圍之儲存彈性模數之樹脂B所形成的樹脂層。第二樹脂層所包含之樹脂B在25℃時之具體的儲存彈性模數通常為10 MPa以上，以15 MPa以上為佳，以30 MPa以上為尤佳，且通常為1000 MPa以下，以950 MPa以下為佳，以900 MPa以下為尤佳。

藉由在由具有如前述範圍之儲存彈性模數之樹脂B所形成的第二樹脂層與如前所述由樹脂A所形成的第一樹脂層之間形成導電層，可提升堆疊體之耐彎折性。尤其，藉由樹脂B之儲存彈性模數為前述範圍之下限值以上，可提高耐熱性。並且，藉由樹脂B之儲存彈性模數為前述範圍之上限值以下，可提高耐彎折性。

如前所述之第一樹脂層與第二樹脂層的組合中，比起第一樹脂層所包含之樹脂A之儲存彈性模數，第二樹脂層所包含之樹脂B之儲存彈性模數通常更小。據此，第二樹脂層比起第一樹脂層具更優異的可撓性，因此對於變形的耐受性更優異。是以，堆疊體通常對於以將第一樹脂層側之面作為外側且將第二樹脂層側之面作為內側之方向的彎折，可發揮尤高的耐彎折性。

作為樹脂B，可使用包含聚合物並得視需求進一步包含任意成分之樹脂。聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。作為樹脂B所包含之聚合物，以嵌段共聚物氫化物為佳。前述嵌段共聚物氫化物係將嵌段共聚物氫化的氫化物。於以下說明中，適時將前述嵌段共聚物稱作「嵌段共聚物［1］」。並且，於以下說明中，適時將前述嵌段共聚物［1］的氫化物稱作「氫化物［2］」。

嵌段共聚物［1］以包含含有芳族乙烯化合物單元之聚合物嵌段［A］與含有鏈狀共軛二烯化合物單元（直鏈狀共軛二烯化合物單元、支鏈狀共軛二烯化合物單元等）之聚合物嵌段［B］為佳。其中，嵌段共聚物［1］以每1分子嵌段共聚物［1］具有2個以上之聚合物嵌段［A］且每1分子嵌段共聚物［1］具有1個以上之聚合物嵌段［B］為尤佳。

聚合物嵌段［A］係含有芳族乙烯化合物單元之聚合物嵌段。於此，所謂芳族乙烯化合物單元，係指具有將芳族乙烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。

作為聚合物嵌段［A］所具有之對應於芳族乙烯化合物單元的芳族乙烯化合物，可列舉例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1～6之烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。此些之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類等不含有極性基的芳族乙烯化合物為佳，就工業易取得性而言，以苯乙烯為尤佳。

聚合物嵌段［A］中之芳族乙烯化合物單元的含有率以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。藉由於聚合物嵌段［A］中芳族乙烯化合物單元的量為如前所述之多，可提高第二樹脂層之硬度及耐熱性。

聚合物嵌段［A］於芳族乙烯化合物單元以外亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［A］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率組合2種以上而包含。

作為聚合物嵌段［A］得包含之任意結構單元。可舉出例如：鏈狀共軛二烯化合物單元。於此，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為對應於鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：與作為聚合物嵌段［B］所具有之對應於鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物之例而舉出者相同之例。

並且，作為聚合物嵌段［A］得包含之任意結構單元，可列舉例如：具有將除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外的任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為任意不飽和化合物，可列舉例如：鏈狀乙烯化合物、環狀乙烯化合物等乙烯化合物；不飽和之環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物；等。此些化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥羰基或鹵基等取代基。此些之中，就吸濕性的觀點而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子為碳數2～20之鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等每1分子為碳數5～20之環烯烴；等不具有極性基的乙烯化合物為佳，以每1分子為碳數2～20之鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為尤佳。

聚合物嵌段［A］中之任意結構單元的含有率以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為尤佳。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［A］的數量以2個以上為佳，且以5個以下為佳，以4個以下為較佳，以3個以下為尤佳。1分子中有多個的聚合物嵌段［A］，可彼此相同，亦可相異。

聚合物嵌段［B］係含有鏈狀共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段。如前所述，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成之結構的結構單元。

作為此聚合物嵌段［B］所具有之對應於鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：直鏈狀共軛二烯化合物、支鏈狀共軛二烯化合物等。作為鏈狀共軛二烯化合物的具體例，可列舉：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，就可降低吸濕性而言，以不含有極性基的鏈狀共軛二烯化合物為佳，以1,3-丁二烯、異戊二烯為尤佳。

聚合物嵌段［B］中之鏈狀共軛二烯化合物單元的含有率以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。藉由於聚合物嵌段［B］中鏈狀共軛二烯化合物單元的量為如前所述之多，可提升第二樹脂層之可撓性。

聚合物嵌段［B］於鏈狀共軛二烯化合物單元以外亦可包含任意結構單元。聚合物嵌段［B］可單獨包含1種任意結構單元，亦可以任意比率組合2種以上而包含。

作為聚合物嵌段［B］得包含之任意結構單元，可列舉例如：芳族乙烯化合物單元，以及具有將除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外之任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元。作為此些芳族乙烯化合物單元，以及具有將任意不飽和化合物聚合而形成之結構的結構單元，可列舉例如：與作為聚合物嵌段［A］所亦可包含者而示例者相同之例。

聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為尤佳。藉由聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率為低，可提升第二樹脂層之可撓性。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［B］的數量通常為1個以上，但亦可為2個以上。在嵌段共聚物［1］中之聚合物嵌段［B］的數量為2個以上的情況下，此些聚合物嵌段［B］可彼此相同，亦可相異。

嵌段共聚物［1］之嵌段型態，可為鏈型嵌段，亦可為星型嵌段。其中，鏈型嵌段之機械強度優異而為佳。在嵌段共聚物［1］具有鏈型嵌段型態的情況下，藉由嵌段共聚物［1］之分子鏈的兩端為聚合物嵌段［A］，可將第二樹脂層之黏性抑至期望之低值。

嵌段共聚物［1］之尤佳嵌段型態，係如由［A］―［B］―［A］所表示「於聚合物嵌段［B］的兩端鍵結聚合物嵌段［A］」的三嵌段共聚物；如由［A］―［B］―［A］―［B］―［A］所表示「於聚合物嵌段［A］的兩端鍵結聚合物嵌段［B］，且更於該兩聚合物嵌段［B］的另一端分別鍵結聚合物嵌段［A］」的五嵌段共聚物。尤其，［A］―［B］―［A］之三嵌段共聚物由於製造容易且可輕易使物性落於期望範圍，故為尤佳。

於嵌段共聚物［1］中，嵌段共聚物［1］之整體中聚合物嵌段［A］所佔的重量分率wA與嵌段共聚物［1］之整體中聚合物嵌段［B］所佔的重量分率wB之比（wA／wB），以落於特定範圍為佳。具體而言，前述比（wA／wB）以30／70以上為佳，以40／60以上為更佳，以45／55以上為尤佳，且以85／15以下為佳，以70／30以下為更佳，以55／45以下為尤佳。藉由前述比wA／wB為前述範圍之下限值以上，可提升第二樹脂層之剛性及耐熱性、減小雙折射。並且，藉由前述比wA／wB為前述範圍之上限值以下，可提升第二樹脂層之可撓性。於此，聚合物嵌段［A］的重量分率wA表示聚合物嵌段［A］整體的重量分率，聚合物嵌段［B］的重量分率wB表示聚合物嵌段［B］整體的重量分率。

前述嵌段共聚物［1］之重量平均分子量（Mw）以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以50,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。

並且，嵌段共聚物［1］之分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。

前述嵌段共聚物［1］之重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由將四氫呋喃（THF）定為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC）量測為聚苯乙烯換算之值。

作為嵌段共聚物［1］之製造方法，得採用例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載的方法。

氫化物［2］係將嵌段共聚物［1］之不飽和鍵氫化而獲得的聚合物。於此，於經氫化之嵌段共聚物［1］的不飽和鍵，無論嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之「芳香性及非芳香性」的碳―碳不飽和鍵皆有包含。

氫化物［2］之氫化率以90%以上為佳，以97%以上為較佳，以99%以上為尤佳。氫化物［2］之氫化率除非另有註記，否則係嵌段共聚物［1］之主鏈及側鏈之「芳香性及非芳香性」的碳―碳不飽和鍵中經氫化之鍵結的比例。氫化率愈高，可愈優化第二樹脂層之透明性、耐熱性及耐候性，更愈容易減小第二樹脂層之雙折射。於此，氫化物［2］之氫化率得藉由依據¹ H-NMR之量測而求得。

尤其，非芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高非芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率，可更為提高第二樹脂層之耐光性及耐氧化性。

並且，芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為尤佳。藉由提高芳香性的碳―碳不飽和鍵之氫化率，會提高將聚合物嵌段［A］氫化而獲得之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度，故可有效提高第二樹脂層之耐熱性。再者，可降低樹脂B的光彈性係數。

氫化物［2］之重量平均分子量（Mw）以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以45,000以上更為較佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下更為較佳。藉由氫化物［2］之重量平均分子量（Mw）落於前述範圍，可提升第二樹脂層之機械強度及耐熱性，更容易減小第二樹脂層之雙折射。

氫化物［2］之分子量分布（Mw／Mn）以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.8以下為尤佳，且以1.0以上為佳。藉由氫化物［2］之分子量分布（Mw／Mn）落於前述範圍，可提升第二樹脂層之機械強度及耐熱性，更容易減小第二樹脂層之雙折射。

氫化物［2］之重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由將四氫呋喃定為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算之值量測。

前述氫化物［2］得藉由將嵌段共聚物［1］氫化來製造。作為氫化方法，以可提高氫化率、嵌段共聚物［1］之斷鏈反應少的氫化方法為佳。作為此種氫化方法，可列舉例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載的方法。

於樹脂B所包含之氫化物［2］，亦可導入烷氧基矽基。尤其，以下將氫化物［2］之中經導入烷氧基矽基者適時稱作「烷氧基矽基改質物［3］」。藉由導入烷氧基矽基，烷氧基矽基改質物［3］展現對於其他材料為高之密合性。據此，由包含烷氧基矽基改質物［3］之樹脂B所形成之第二樹脂層，由於對於導電層之密合性優異，故可提升堆疊體整體的機械強度。因此，藉由使用烷氧基矽基改質物［3］，能尤為優化耐彎折性。

烷氧基矽基改質物［3］係於上述嵌段共聚物［1］之氫化物［2］導入烷氧基矽基而獲得之聚合物。此時，烷氧基矽基可直接鍵結於上述氫化物［2］，亦可中介例如伸烷基等2價有機基而間接鍵結。

烷氧基矽基改質物［3］中之烷氧基矽基的導入量相對於烷氧基矽基導入前之氫化物［2］100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。若使烷氧基矽基的導入量落於前述範圍，則可抑制經水分等分解之烷氧基矽基彼此間之交聯度過度升高，故可高度維持第二樹脂層之密合性。

烷氧基矽基的導入量得藉由¹ H-NMR光譜來測量。並且，於測量烷氧基矽基的導入量時，在導入量為少的情況下，得增加累算次數來測量。

烷氧基矽基改質物［3］之重量平均分子量（Mw）由於所導入之烷氧基矽基之量為少，故通常自導入烷氧基矽基前之氫化物［2］之重量平均分子量（Mw）無大幅變化。惟在導入烷氧基矽基時通常會在過氧化物的存在下使氫化物［2］進行改質反應，故會發生此氫化物［2］之交聯反應及斷裂反應，分子量分布有大幅變化的傾向。烷氧基矽基改質物［3］之重量平均分子量（Mw）以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以45,000以上更為較佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下更為較佳。並且，烷氧基矽基改質物［3］之分子量分布（Mw／Mn）以3.5以下為佳，以2.5以下為較佳，以2.0以下為尤佳，且以1.0以上為佳。若烷氧基矽基改質物［3］之重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）為此範圍，則可維持第二樹脂層之良好的機械強度及拉伸伸長率。

烷氧基矽基改質物［3］之重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由將四氫呋喃（THF）定為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC）量測作為聚苯乙烯換算之值。

烷氧基矽基改質物［3］得藉由於前述嵌段共聚物［1］之氫化物［2］導入烷氧基矽基來製造。作為於氫化物［2］導入烷氧基矽基的方法，可列舉例如：國際專利公開第2015/099079號、日本專利公開第2016-204217號公報所記載的方法。

樹脂B中之氫化物［2］（包含烷氧基矽基改質物［3］）等聚合物的比例以80重量%～100重量%為佳，以90重量%～100重量%為較佳，以95重量%～100重量%為尤佳。藉由樹脂B中之聚合物的比例落於前述範圍，易於使樹脂B之儲存彈性模數落於上述範圍。

樹脂B亦可包含任意成分組合於上述聚合物。作為任意成分，可列舉例如：與樹脂A得包含之任意成分相同之例。並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

第二樹脂層通常具有高透明性。第二樹脂層之具體的全光線穿透率以70%以上為佳，以80%以上為較佳，以90%以上為更佳。並且，第二樹脂層之霧度以5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為尤佳，理想上為0%。

第二樹脂層之厚度以1 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為尤佳，且以100 μm以下為佳，以80 μm以下為較佳，以60 μm以下為尤佳。藉由第二樹脂層之厚度為前述範圍之下限值以上，可利用第二樹脂層來抑制水分往導電層滲入。據此，可有效抑制水分所致之導電層的劣化。另一方面，藉由第二樹脂層之厚度為前述範圍之上限值以下，可減小因彎折而產生之應力，故可有效提高堆疊體之耐彎折性。

對於第二樹脂層之製造方法並無限制。作為第二樹脂層之製造方法，可列舉例如：熔融成形法、溶液流延法等。其中，就可抑制溶劑等揮發性成分殘留於第二樹脂層而言，以熔融成形法為佳。再者，為了獲得機械強度及表面精確度優異的第二樹脂層，於熔融成形法之中，以擠製成形法、吹脹成形法及加壓成形法為佳，就可有效率並簡單製造第二樹脂層的觀點而言，以擠製成形法為尤佳。

［5.任意層體］

堆疊體得視需求而更包含任意層體組合於上述第一樹脂層、導電層及第二樹脂層。舉例而言，堆疊體亦可於第一樹脂層之與導電層相反之側、第二樹脂層之與導電層相反之側等位置具備任意層體。作為任意層體，可列舉例如：支撐體層、硬塗層、折射率匹配層、接合層、相位差層、偏光件層、光學補償層等。

［6.堆疊體之物性及厚度］

堆疊體具有優異的耐彎折性。據此，堆疊體即使在進行反覆彎折的情況下，仍可抑制導電層破損及白化等外觀變化。舉例而言，於某實施型態中，即使在依照後述實施例所記載之折返試驗反覆折返1萬次的情況下，仍可抑制在折返部分之導電層破損及外觀變化，以無導電層破損及外觀變化為佳。

堆疊體可如前所述發揮優異耐彎折性的機制，係如同下述推測。惟本發明之技術範圍並非受限於下述所說明的機制。

第二樹脂層所包含之樹脂B具有合適範圍之儲存彈性模數，故具有優異的可撓性。因此，在彎曲堆疊體的情況下，第二樹脂層可輕易變形而吸收彎曲所致之應力。再者，於導電層之與第二樹脂層相反側藉由具有合適儲存彈性模數之樹脂A來設置第一樹脂層，故可更有效抑制大量應力集中於導電層中。因此，可有效抑制由彎折而產生之應力所致之導電層破損。

並且，第一樹脂層及第二樹脂層具有合適範圍之儲存彈性模數，故在彎曲堆疊體的情況下，不易發生第一樹脂層及第二樹脂層的破壞。再者，藉由合適之儲存彈性模數的作用，不易發生第一樹脂層與導電層的剝離及第二樹脂層與導電層的剝離。因此，不易發生由前述破壞或剝離所致之微小空隙的產生，故不易導致彎折部分中之霧度的上升，因而可抑制白化等外觀變化。

堆疊體具備具有可撓性的第一樹脂層及第二樹脂層作為用以支撐導電層之層體，故比起導電性玻璃，通常耐衝擊性及加工性優異。再者，堆疊體通常較導電性玻璃更為輕量。

堆疊體之全光線穿透率就使用堆疊體作為光學構件的觀點而言，以70%以上為佳，以80%以上為較佳，以90%以上為更佳。

並且，堆疊體之霧度就提高組裝有堆疊體之影像顯示裝置之影像鮮明性的觀點而言，以5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為尤佳，理想上為0%。

堆疊體之厚度以2 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳，以7.5 μm以上為更佳，以10 μm以上為尤佳，且以200 μm以下為佳，以175 μm以下為較佳，以150 μm以下為尤佳。藉由堆疊體之厚度為前述範圍之下限值以上，可提高堆疊體之機械強度，在形成導電層時防止皺褶。並且，藉由堆疊體之厚度為前述範圍之上限值以下，可尤為優化堆疊體之耐彎折性，進一步能薄膜化堆疊體。

［7.堆疊體之製造方法］

對於堆疊體之製造方法並無限制。舉例而言，就簡單製造前述堆疊體的觀點而言，堆疊體以藉由包含：準備第一樹脂層之工序；於第一樹脂層上形成導電層之工序；與於導電層上形成第二樹脂層之工序；的製造方法來製造為佳。

於準備第一樹脂層之工序中，藉由例如前述第一樹脂層之製造方法，自樹脂A形成第一樹脂層。

於形成導電層之工序中，藉由例如前述導電層之形成方法，於第一樹脂層上形成導電層。導電層亦可中介任意層體而間接形成於第一樹脂層上。惟導電層以直接形成於第一樹脂層上為佳。於此，所謂於某層體上形成另一層體之態樣為「直接」，係指於此2層體之間無其他層體。

於形成第二樹脂層之工序中，於導電層之與第一樹脂層相反之側形成第二樹脂層。第二樹脂層亦可中介任意層體而間接形成於導電層上。舉例而言，亦可在依照前述第二樹脂層之製造方法準備好第二樹脂層之後，中介黏合劑或接合劑將此第二樹脂層貼合於導電層。惟第二樹脂層以直接形成於導電層上為佳。舉例而言，可藉由將第二樹脂層壓合於導電層之表面，並視需求同時加熱，而於導電層上直接形成第二樹脂層。並且，舉例而言，亦可藉由將包含樹脂B及溶劑之塗布液塗布於導電層上，並視需求使之乾燥，而於導電層上直接形成第二樹脂層。

堆疊體之製造方法亦可更包含任意工序組合於前述工序。

［8.觸控面板］

前述堆疊體可使用於各種光學用途。舉例而言，堆疊體可作為觸控面板的構件使用。堆疊體之耐彎折性優異，故尤為適合於具有可撓性的觸控面板。

於具備堆疊體之觸控面板中，堆疊體的方向係為任意。舉例而言，可於觸控面板中自觀看側依序設置第一樹脂層、導電層及第二樹脂層。並且，舉例而言，亦可於觸控面板中自觀看側依序設置第二樹脂層、導電層及第一樹脂層。

一般考量到觸控面板多將觀看側之面作為外側而使之彎曲來使用。據此，設置於觸控面板之堆疊體的方向，以可獲得能將觀看側之面作為外側彎曲之觸控面板的方式設定為佳。如前所述，堆疊體通常對於將第一樹脂層側之面作為外側的彎折具有高耐受性。據此，為了能將堆疊體之觀看側之面作為外側而彎曲該堆疊體，堆疊體之方向以設定成自觀看側依序設置第一樹脂層、導電層及第二樹脂層為佳。藉此，可獲得能將觀看側之面作為外側彎曲之觸控面板。

觸控面板通常具備影像顯示元件組合於堆疊體。作為影像顯示元件，可列舉例如：液晶顯示元件、有機電致發光顯示元件（以下適時稱作「有機EL顯示元件」。）。通常，堆疊體設置於前述影像顯示元件之觀看側。

為了獲得具有可撓性之觸控面板，以採用具有可撓性之影像顯示元件（可撓性顯示元件）作為影像顯示元件為佳。作為具有如此可撓性之影像顯示元件，可舉出例如：有機EL顯示元件。

有機EL顯示元件通常於基板上依序具備第一電極層、發光層及第二電極層，藉由自第一電極層及第二電極層施加電壓，而發光層得產生光線。作為構成有機發光層的材料之例，可列舉：聚對伸苯伸乙烯系、聚茀系及聚乙烯咔唑系之材料。並且，發光層亦可具有多個發光色相異之層體的堆疊體，或者於某色素之層體摻雜相異色素之混合層。再者，有機EL顯示元件亦可具備障壁層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、等電位面形成層、電荷產生層等功能層。

『實施例』

以下揭示實施例具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所示之實施例者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得任意變更而實施。

於以下說明中，表示量的「%」及「份」除非另有註記，否則為重量基準。並且，於以下說明中，除非另有註記，否則「sccm」為氣體流量單位，其係以氣體在25℃、1 atm之情形中的體積（cm³ ）來表示每1分鐘所流通之此氣體的量。再者，以下說明之操作除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。

［評價方法］

[分子量之量測方法]

聚合物之重量平均分子量及數量平均分子量，係於38℃量測作為藉由將四氫呋喃定為溶析液之凝膠滲透層析法的標準聚苯乙烯換算值。作為量測裝置，使用東曹公司製之HLC8320GPC。

[氫化率之量測方法]

聚合物之氫化率係藉由¹ H-NMR來量測。

[玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp之量測方法]

使用示差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘升溫，求得試樣之玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp。

[聚合物之外消旋二單元組之比例的量測方法]

將鄰二氯苯-d⁴ ／1,2,4-三氯苯（TCB）-d₃ （混合比（質量基準）1／2）作為溶劑，在200℃應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物之¹³ C-NMR量測。自此¹³ C-NMR量測之結果，將鄰二氯苯-d⁴ 之127.5 ppm尖峰作為參考位移，辨別源自內消旋二單元組之43.35 ppm的訊號與源自外消旋二單元組之43.43 ppm的訊號。根據此些訊號的強度比，求得聚合物之外消旋二單元組的比例。

[樹脂之儲存彈性模數的量測方法]

自作為試樣之樹脂，藉由擠製成形法，獲得厚度1 mm之量測用薄膜。針對此量測用薄膜，藉由動態黏彈性量測裝置（TA Instruments公司製之「ARES」），在剪切模式、頻率1 Hz之量測條件下，量測25℃時之儲存彈性模數。

[依照折返試驗之耐彎折性的評價]

對於堆疊薄膜進行折返試驗。此折返試驗中，使用曲折試驗機（YUASA SYSTEM機器公司製之「TCDM111LH」），對於堆疊薄膜進行1萬次曲率半徑為5 mm之折返操作。之後，藉由目視觀察堆疊薄膜，以下述基準判定。 「良」：與試驗前無變化。或者，於堆疊薄膜看見淺淺的白色部分。 「不良」：堆疊薄膜白化。或者，在試驗過程中於堆疊薄膜發生破損。

[利用濺射形成導電層所致之尺寸變化的評價方法]

針對於第一樹脂層上利用濺射來形成ITO層作為導體層的實施例1、2及4～7以及比較例1～2，評價是否因利用濺射形成導電層而於第一樹脂層發生尺寸變化。具體而言，於濺射之前及之後分別量測第一樹脂層之長度及幅寬。然後，驗看所量測之長度及幅寬是否因濺射而變化。

並且，為了參考，亦於實施例3評價是否因形成導電層而於第一樹脂層發生尺寸變化。具體而言，在使第一樹脂層上所塗布之分散液於120℃乾燥之前及之後，分別量測第一樹脂層之長度及幅寬。然後，驗看所量測之長度及幅寬是否因乾燥而變化。

［製造例1：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的Si改質樹脂之製造］

（第一階段：利用聚合反應之第一嵌段St的延長）

於充分乾燥並以氮氣置換之具備攪拌裝置的不鏽鋼製反應器置入脫水環己烷550份、苯乙烯25份及二丁基醚0.475份，在60℃攪拌的同時添加正丁基鋰溶液（含15重量%之己烷溶液）0.68份，以起始聚合反應，進行第1段的聚合反應。在反應起始後1小時的時間點，自反應混合物採取試樣，藉由氣相層析法（GC）分析的結果，聚合轉化率為99.5%。

（第二階段：利用聚合反應之第二嵌段Ip的延長）

於上述第一階段所獲得之反應混合物添加脫水異戊二烯50份，就此持續攪拌30分鐘。起始後續第二階段之聚合反應。在第二階段之聚合反應起始後1小時的時間點，自反應混合物採取試樣，藉由GC分析的結果，聚合轉化率為99.5%。

（第三階段：利用聚合反應之第三嵌段St的延長）

於上述第二階段所獲得之反應混合物添加脫水苯乙烯25份，起始後續第三階段之聚合反應。在第三階段之聚合反應起始後1小時的時間點，自反應混合物採取試樣，量測嵌段共聚物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn。並且，藉由GC分析於此時間點所採取之試樣的結果，聚合轉化率近乎100%。之後隨即於反應混合物添加異丙醇0.5份以使反應停止。藉此，獲得包含嵌段共聚物之混合物。

可知所獲得之嵌段共聚物，係具有第一嵌段St―第二嵌段Ip―第三嵌段St＝25―50―25（重量比）的三嵌段分子結構的聚合物。嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為47200，分子量分布（Mw／Mn）為1.05。

（第四階段：嵌段共聚物之氫化）

其次，將包含上述嵌段共聚物之混合物移至具備攪拌裝置之耐壓反應器，添加作為氫化觸媒之矽藻土承載型鎳觸媒（Süd-Chemie觸媒公司製之「T-8400RL」）3.0份及脫水環己烷100份，並混合之。以氫氣置換反應器內部，進一步供給氫氣並同時攪拌溶液，在溫度190℃、壓力4.5 MPa進行氫化反應8小時。藉由氫化反應所獲得之反應溶液所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為49900，分子量分布（Mw／Mn）為1.06。

（第五階段：揮發成分之去除）

氫化反應結束後，過濾反應溶液，去除氫化觸媒。之後，於反應溶液添加已溶解係為酚系抗氧化劑之肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（松原產業公司製之「Songnox 1010」）0.1份的二甲苯溶液2.0份，並使之溶解。

隨後，使用圓筒型濃縮乾燥器（日立製作所公司製之「KONTRO」），在溫度260℃、壓力0.001 MPa以下，自上述反應溶液去除係為溶劑之環己烷、二甲苯及其他揮發成分。自模具將熔融聚合物擠製成股狀，冷卻後，使用造粒機，製作包含嵌段共聚物之氫化物的樹脂顆粒。

所獲得之顆粒狀的樹脂所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為49500，分子量分布（Mw／Mn）為1.10，氫化率近乎100%。

（第六階段：乙烯性不飽和矽烷化合物所致之改質）

對於前述樹脂顆粒100份添加乙烯基三甲氧基矽烷3.0份及2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)己烷（日油公司製之「PERHEXA（註冊商標） 25B」）0.2份，獲得混合物。使用雙軸擠製機，在樹脂溫度220℃、滯留時間60秒鐘～70秒鐘混練此混合物，並擠製成股狀。將所擠製之混合物置於空氣中冷卻後，藉由造粒機切割，獲得包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的樹脂顆粒96份。

將包含烷氧基矽基改質物之樹脂顆粒10份溶解於環己烷100份，獲得溶液。將此溶液倒入脫水甲醇400份中，使烷氧基矽基改質物凝聚，濾出凝聚物。在25℃真空乾燥過濾物，單獨分離出烷氧基矽基改質物的碎屑9.0份。

經量測烷氧基矽基改質物之FT-IR光譜，於與乙烯基三甲氧基矽烷之源自Si－OCH₃ 基、Si－CH基之吸收帶（1075 cm⁻¹ 、808 cm⁻¹ 及766 cm⁻¹ ）相異的位置，在1090 cm⁻¹ 觀察到源自Si－OCH₃ 基之新的吸收帶、在825 cm⁻¹ 與739 cm⁻¹ 觀察到源自Si－CH₂ 基之新的吸收帶。

並且，經量測烷氧基矽基改質物之¹ H-NMR光譜（氘代氯仿中），於3.6 ppm觀察到根據甲氧基之質子的尖峰。自此尖峰面積比，確認到對於改質前之嵌段共聚物之氫化物的100份鍵結有乙烯基三甲氧基矽烷1.8份。

將包含如此獲得之烷氧基矽基改質物的樹脂適當稱作氫化嵌段樹脂X1。

［製造例2：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的Si改質樹脂之製造］

（第一階段至第三階段：利用聚合反應之嵌段共聚物的製造）

將第一階段中所置入的苯乙烯之量自25份變更為30份。並且，將第一階段中所置入的正丁基鋰溶液（含15重量%之己烷溶液）之量自0.68份變更為0.61份。再者，將第二階段中所置入的異戊二烯之量自50份變更為40份。並且，將第三階段中所置入的苯乙烯之量自25份變更為30份。除了以上事項以外，進行與製造例1之（第一階段）～（第三階段）相同的操作，獲得包含嵌段共聚物之混合物。所獲得之嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為80,400，分子量分布（Mw／Mn）為1.03，wA／wB＝60／40。

（第四階段：嵌段共聚物之氫化）

其次，藉由與製造例1之（第四階段）相同的操作進行上述嵌段共聚物之氫化。藉由氫化反應所獲得之反應溶液所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為80,400，分子量分布（Mw／Mn）為1.04。

（第五階段：揮發成分之去除）

藉由與製造例1之（第五階段）相同的操作，進行對於嵌段共聚物之氫化物的抗氧化劑之添加與濃縮乾燥，製作包含嵌段共聚物之氫化物的樹脂顆粒95份。

所獲得之顆粒狀的樹脂所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為80,200，分子量分布（Mw／Mn）為1.04，氫化率近乎100%。

（第六階段：乙烯性不飽和矽烷化合物所致之改質）

使用前述樹脂顆粒，進行與製造例1之（第六階段）相同的操作，獲得包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的樹脂。將包含如此獲得之烷氧基矽基改質物的樹脂適當稱作氫化嵌段樹脂X2。

［製造例3：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的Si改質樹脂之製造］

（第一階段至第三階段：利用聚合反應之嵌段共聚物的製造）

將第一階段中所置入的苯乙烯之量自25份變更為35份。並且，將第一階段中所置入的正丁基鋰溶液（含15重量%之己烷溶液）之量自0.68份變更為0.32份。再者，將第二階段中所置入的異戊二烯之量自50份變更為30份。並且，將第三階段中所置入的苯乙烯之量自25份變更為35份。除了以上事項以外，進行與製造例1之（第一階段）～（第三階段）相同的操作，獲得包含嵌段共聚物之混合物。所獲得之嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為141,000，分子量分布（Mw／Mn）為1.04，wA／wB＝70／30。

（第四階段：嵌段共聚物之氫化）

其次，藉由與製造例1之（第四階段）相同的操作進行上述嵌段共聚物之氫化。藉由氫化反應所獲得之反應溶液所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為143,000，分子量分布（Mw／Mn）為1.06。

（第五階段：揮發成分之去除）

除了將濃縮乾燥器的溫度自260℃變更為270℃以外，藉由與製造例1之（第五階段）相同的操作，進行對於嵌段共聚物之氫化物的抗氧化劑之添加與濃縮乾燥，製作包含嵌段共聚物之氫化物的樹脂顆粒88份。

所獲得之顆粒狀的樹脂所包含之嵌段共聚物之氫化物的重量平均分子量（Mw）為142,000，分子量分布（Mw／Mn）為1.41，氫化率近乎100%。

（第六階段：乙烯性不飽和矽烷化合物所致之改質）

使用前述樹脂顆粒，進行與製造例1之（第六階段）相同的操作，獲得包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的樹脂。將包含如此獲得之烷氧基矽基改質物的樹脂適當稱作氫化嵌段樹脂X3。

［製造例4：包含二環戊二烯之開環聚合物之氫化物的結晶性樹脂COP2之製造］

將金屬製之耐壓反應器充分乾燥之後，以氮氣置換。於此耐壓反應器加入環己烷154.5份、二環戊二烯（內型異構物含有率99%以上）之濃度70%的環己烷溶液42.8份（作為環戊二烯之量為30份）及1-己烯1.9份，加熱至53℃。

將四氯化苯基醯亞胺鎢(四氫呋喃)錯合物0.014份溶解於0.70份的甲苯，製備溶液。於此溶液加入濃度19%之二乙基乙氧基鋁／正己烷溶液0.061份並攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。

將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，維持在53℃的同時使之反應4小時，獲得二環戊二烯之開環聚合物的溶液。

所獲得之二環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，自此些所求得之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。

於所獲得之二環戊二烯之開環聚合物的溶液200份加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加熱至60℃，攪拌1小時使聚合反應停止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製之「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加熱至60℃，攪拌1小時。之後，加入過濾助劑（昭和化學工業公司製之「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP褶筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製之「TCP-HX」）濾掉吸附劑與溶液。

於過濾後之二環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫氣壓力6 MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含二環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。

將前述反應液所包含之氫化物與溶液，使用離心分離器分離，在60℃減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之二環戊二烯之開環聚合物之氫化物28.5份。此氫化物之氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點Mp為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。

於所獲得之二環戊二烯之開環聚合物之氫化物100份，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製之「IRGANOX（註冊商標）1010」）1.1份之後，放入具備4個內徑3 mmΦ之模孔的雙軸擠製機（東芝機械公司製之「TEM-37B」）。藉由使用雙軸擠製機之熱熔融擠製成形，將樹脂做成股狀的成形體之後，藉由股線細切機細切，獲得結晶性樹脂COP2的顆粒。此結晶性樹脂COP2係包含二環戊二烯之開環聚合物之氫化物作為具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂（玻璃轉移溫度為92℃，熔點Mp為260℃）。

前述雙軸擠製機之運轉條件如下所述。 ・料桶設定溫度＝270℃～280℃。 ・模具設定溫度＝250℃。 ・螺桿轉速＝145 rpm。 ・進料器轉速＝50 rpm。

［實施例1］

（1-1.第一樹脂層之準備）

準備由作為含脂環結構聚合物之降𦯉烯系聚合物所形成的樹脂薄膜（日本瑞翁公司製之「ZeonorFilm ZF16」；厚度50 μm；樹脂之玻璃轉移溫度160℃）作為第一樹脂層。

（1-2.導電層之形成）

對第一樹脂層之表面，在大氣中以放電量150 W／m² ／分鐘施以電暈處理。於第一樹脂層之電暈處理面使用薄膜收捲式磁控濺射裝置進行濺射，形成厚度25 nm之ITO層作為導電層。前述濺射使用將氧化錫及氧化銦燒結者作為靶材，在氬氣（Ar）流量150 sccm、氧氣（O₂ ）流量10 sccm、輸出4.0 kW、真空度0.3 Pa、薄膜輸送速度0.5 m／min的條件下進行。藉此，獲得具備第一樹脂層及導電層的多層薄膜。

（1-3.第二樹脂層之形成）

自於製造例1製造之氫化嵌段樹脂X1，藉由擠製成形法成形為薄膜狀，獲得厚度50 μm之作為第二樹脂層的薄膜。使用真空層壓機（Nisshinbo Mechatronics Inc.製之「PVL0505S」），將此第二樹脂層熱層壓於前述多層薄膜的導電層側之面。具體而言，此熱層壓以下述程序進行。

將第二樹脂層置於多層薄膜之導電層上。將多層薄膜及第二樹脂層在減壓下於溫度150℃預熱5分鐘。之後，在溫度150℃、壓力0.03 MPa將多層薄膜及第二樹脂層壓合10分鐘。

藉此，獲得具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層的堆疊薄膜。針對此堆疊薄膜，以前述方法進行評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例2］

藉由在溫度180℃延伸於實施例1作為第一樹脂層準備之樹脂薄膜，獲得厚度13 μm的延伸薄膜。將此樹脂薄膜作為第一樹脂層使用。

並且，藉由變更擠製成形條件，將作為第二樹脂層之氫化嵌段樹脂X1之薄膜的厚度變更為5 μm。

除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例3］

準備包含銀奈米線的分散液（Cambrios Technologies Corporation公司製之「ClearOhm」）作為導電性奈米線分散液。在與實施例1中所使用之第一樹脂層相同的第一樹脂層上，使用棒塗機，塗布前述分散液，在120℃使之乾燥。藉此，於第一樹脂層上形成厚度1 μm的導電層，獲得具備第一樹脂層及導電層的多層薄膜。於此多層薄膜上，藉由與實施例1中之第二樹脂層之形成方法相同的方法，熱層壓第二樹脂層，獲得具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層的堆疊薄膜。針對此堆疊薄膜，以前述方法進行評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例4］

準備作為含脂環結構聚合物之降𦯉烯系聚合物的樹脂顆粒（日本瑞翁公司製之「ZEONOR」；玻璃轉移溫度126℃）。使用T字模式薄膜擠製成形機將此樹脂顆粒成形，獲得厚度50 μm的樹脂薄膜。除了將此樹脂薄膜作為第一樹脂層使用以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例5］

藉由在溫度180℃延伸於實施例1作為第一樹脂層準備之樹脂薄膜，獲得厚度40 μm的延伸薄膜。將此樹脂薄膜作為第一樹脂層使用。

並且，自於製造例2製造之氫化嵌段樹脂X2，藉由擠製成形法成形為薄膜狀，獲得厚度50 μm的薄膜。將此氫化嵌段樹脂X2的薄膜作為第二樹脂層使用。

除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例6］

藉由在溫度180℃延伸於實施例1作為第一樹脂層準備之樹脂薄膜，獲得厚度30 μm的延伸薄膜。將此樹脂薄膜作為第一樹脂層使用。

並且，自於製造例3製造之氫化嵌段樹脂X3，藉由擠製成形法成形為薄膜狀，獲得厚度30 μm的薄膜。將此氫化嵌段樹脂X3的薄膜作為第二樹脂層使用。

除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［實施例7］

使用T字模式薄膜擠製成形機，將於製造例4製造之結晶性樹脂COP2的顆粒成形，獲得厚度50 μm的樹脂薄膜。除了將此樹脂薄膜作為第一樹脂層使用以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，折返部分並無變化。

［比較例1］

使用與於實施例1作為第一樹脂層使用之樹脂薄膜相同的樹脂薄膜作為第二樹脂層。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行具備第一樹脂層／導電層／第二樹脂層之堆疊薄膜的製造及評價。折返試驗的結果，在折返次數1000次時，於第一樹脂層、第二樹脂層及導電層發生破損。並且，於折返試驗後，折返部分白化。

［比較例2］

（導電層之形成）

使用聚對酞酸乙二酯薄膜（TORAY公司製之「Lumirror T-60」、厚度38 μm、在25℃時之儲存彈性模數4000 MPa、熔點Mp 260℃、玻璃轉移溫度70℃），代替由降𦯉烯系聚合物所形成之樹脂薄膜，作為第一樹脂層。除了以上事項以外，藉由與實施例1中之導電層之形成方法相同的方法，於第一樹脂層上形成導電層，獲得具備第一樹脂層及導電層的多層薄膜。

（相當於第二樹脂層之黏合劑層的形成）

混合丙烯酸丁酯67重量份、丙烯酸環己酯14重量份、丙烯酸-4-羥基丁酯27重量份、丙烯酸羥基乙酯9重量份、光聚合起始劑（BASF公司製之「Irgacure 651」）0.05重量份及光聚合起始劑（BASF公司製之「Irgacure 184」）0.05重量份，獲得單體混合物。將此單體混合物在氮氣環境下暴露於紫外線而使之局部光聚合，藉此獲得聚合率約10重量%之部分聚合粗產物（丙烯酸系聚合物漿液）。於所獲得之部分聚合粗產物100重量份，添加六丙烯酸二新戊四醇酯（日本化藥公司製之「KAYARAD DPHA」）0.15重量份、矽烷偶合劑（信越化學工業公司製之「KBM-403」）0.3重量份並均勻混合，獲得丙烯酸系黏合劑組成物。

將前述丙烯酸系黏合劑組成物以黏合劑層形成後之厚度成為100 μm的方式，塗布於剝離薄膜（三菱樹脂公司製之「DIAFOIL MRF#38」）之經剝離處理之面上，形成黏合劑組成物層。隨後，將剝離薄膜（三菱樹脂公司製之「DIAFOIL MRN#38」）以該剝離薄膜之剝離處理面成為黏合劑組成物層側之方式，被覆於此黏合劑組成物層之表面。藉此，將黏合劑組成物層隔絕於氧。

之後，在照度5 mW／cm² 、光量1500 mJ／cm² 的條件下對黏合劑組成物層進行紫外線照射，使黏合劑組成物層光固化，獲得具有離型薄膜／黏合劑層／離型薄膜之黏合片。被覆於黏合劑層之雙面的離型薄膜發揮作為剝離襯裡之功能。此外，作為黏合劑層之基底聚合物之丙烯酸系聚合物的重量平均分子量（Mw）為200萬。

將黏合片之其中一離型薄膜剝離。將因剝離而現出之黏合劑層之面，貼合於前述多層薄膜之導電層。之後，將另一離型薄膜剝離，獲得具備第一樹脂層／導電層／相當於第二樹脂層之黏合劑層的堆疊薄膜。針對此堆疊薄膜，以前述方法進行評價。折返試驗的結果，折返部分白化。

［結果］

前述實施例及比較例的結果揭示於下述表1。下述表中，簡稱之意義如下所述。 「COP」：降𦯉烯系聚合物。 「COP2」：結晶性樹脂COP2。 「PET」：聚對酞酸乙二酯。 「銀奈米」：銀奈米線。 「樹脂X1」：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的氫化嵌段樹脂X1。 「樹脂X2」：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的氫化嵌段樹脂X2。 「樹脂X3」：包含嵌段共聚物之氫化物之烷氧基矽基改質物的氫化嵌段樹脂X3。 「Tg」：玻璃轉移溫度。

『表1』 ［表1.實施例及比較例的結果］

10‧‧‧堆疊體 110‧‧‧第一樹脂層 110D‧‧‧堆疊體之第一樹脂層側之面 120‧‧‧導電層 130‧‧‧第二樹脂層 130U‧‧‧堆疊體之第二樹脂層側之面

［圖1］係繪示本發明之一實施型態相關之堆疊體的剖面示意圖。 ［圖2］係繪示本發明之一實施型態相關之堆疊體的剖面示意圖。

10‧‧‧堆疊體

110‧‧‧第一樹脂層

120‧‧‧導電層

130‧‧‧第二樹脂層

Claims (7)

1. 一種堆疊體，其依序具備：由樹脂A所形成之第一樹脂層、導電層與由樹脂B所形成之第二樹脂層，其中前述樹脂A在25℃時之儲存彈性模數為500MPa以上且20000MPa以下，前述樹脂B在25℃時之儲存彈性模數為10MPa以上且1000MPa以下，前述樹脂A包含具有1.2以上且3.5以下之分子量分布的聚合物，前述聚合物包含具有熔點Mp之含有脂環結構之聚合物。
2. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述第一樹脂層之厚度為1μm以上且100μm以下，前述第二樹脂層之厚度為1μm以上且100μm以下。
3. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述樹脂B包含選自由嵌段共聚物氫化物及導入烷氧基矽基之嵌段共聚物氫化物而成之群組之至少一種。
4. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述樹脂A之玻璃轉移溫度為130℃以上。
5. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述導電層包含選自由金屬、導電性金屬氧化物、導電性奈米線及導電性聚合物而成之群組之至少1種的導電材料。
6. 一種觸控面板，其係以自觀看側依序設置第一樹脂層、導電層及第二樹脂層之方式具備如請求項1至5之任一項所述之堆疊體的觸控面板，其中前述堆疊體能將觀看側之面作為外側彎曲。
7. 一種堆疊體之製造方法，其係如請求項1至5之任一項所述之堆疊體之製造方法，其包含：準備第一樹脂層之工序；於前述第一樹脂層上形成導電層之工序；與於前述導電層上形成第二樹脂層之工序。

Images