TWI794829B - 金屬層蝕刻液及其回收設備 - Google Patents
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Abstract
一種金屬層蝕刻液,包含0.01至20wt%的氧化劑、0.01至3wt%的腐蝕抑制劑、0.6至6wt%的溶劑、1至10wt%的酸鹼值調整劑、1至20wt%的有機酸、0.01至30wt%的螯合劑,及補至100wt%的水性介質。其中,該螯合劑是選自二甲基乙醛二肪、乙醯酮、生長激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羥基乙叉二膦酸、二氮雜菲的其中之一或其混合物。本發明之回收設備能以離子交換的方式回收蝕刻液內含的銅離子。
Description
本發明是關於一種蝕刻液,特別是指一種能以離子交換方式回收再利用的金屬層蝕刻液及其回收設備。
在平板顯示器的生產程序中,基板上所濺鍍的金屬配線為銅合金,相較於以往的鋁合金,擁有更佳的電導率,但銅與基板的黏著性差,易造成銅層脫落,為此通常使用鉬合金做為銅層與基板間的膜層,因此蝕刻液的類型亦須考量到鉬層的蝕刻效能。在蝕刻過程中,銅的蝕刻速率大於鉬的蝕刻速率,因此在多數的銅鉬蝕刻液文獻中,多以過氧化氫做為主要成分,並常添加氟化物來調整鉬的蝕刻速率,但氟離子的毒性高,且對環境汙染大,並同時會腐蝕玻璃基板。
在蝕刻過程中,隨著蝕刻的次數與時間增長,蝕刻液中的銅離子濃度亦會隨之上升,此時蝕刻液會逐漸變的不穩定,當銅離子濃度達一定程度後,現行方法多採用添加劑的方式去延長蝕刻液的使用壽命,但此方法無法完全解決蝕刻液在高銅離子濃度下所呈現的不穩定狀態,且當銅離子濃度再繼續升高後,此廢棄的蝕刻液中含極高濃度的銅離子,其廢水處理成本高昂。
另外,市售蝕刻液中配方對銅離子具有高親和力,難以藉由離子交換的方式回收銅離子。
因此,本發明之目的,即在提供一種不使用氟離子,且能回收銅離子的金屬層蝕刻液。
本發明金屬層蝕刻液,包含0.01至20wt%的氧化劑、0.01至3wt%的腐蝕抑制劑、0.6至6wt%的溶劑、1至10wt%的酸鹼值調整劑、1至20wt%的有機酸、0.01至30wt%的螯合劑,及補至100wt%的水性介質。其中,該螯合劑是選自二甲基乙醛二肪、乙醯酮、生長激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羥基乙叉二膦酸、二氮雜菲的其中之一或其混合物。
本發明的另一技術手段,是在於該氧化劑選自於過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、乙酸,及過錳酸鉀所組成之一群組中的至少一者。
本發明的另一技術手段,是在於該腐蝕抑制劑選自於苯並三唑、三聚氰酸、1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-硝基-1,2,4-三唑、波沛得、苯並三唑-5-羧酸、3-胺基-1,2,4-三唑-5-羧酸、1-羥基苯並三唑,及硝基苯並三唑所組成之一群組中的至少一者。
本發明的另一技術手段,是在於該溶劑選自於苯脲、乙二醇單苯醚、二乙二醇單甲醚、乙酰苯胺,及單乙醇胺所組成之一群組中的至少一者。
本發明的另一技術手段,是在於該酸鹼值調整劑選自於亞氨基二乙酸、依替膦酸、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、乙二胺四乙酸、二甲基乙醇胺、硝基三乙酸、及乙酰苯胺所組成之一群組中的至少一者。
本發明的另一技術手段,是在於該有機酸選自於琥珀酸、丙二酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、酒石酸、乙醇酸、丙氨酸,及胱氨酸所組成之一群組中的至少一者。
本發明的另一技術手段,是在於該水性介質為去離子水,其含量較佳為30至50wt%,該氧化劑的含量較佳為1至15wt%,該腐蝕抑制劑的含量為0.04至1wt%,該溶劑的含量較佳為1.2至4wt%,該酸鹼值調整劑的含量較佳為2至8wt%,該螯合劑的含量較佳為0.1至10 wt%。
本發明之另一目的,是提供一種回收前述金屬層蝕刻液的回收設備。
本發明蝕刻液的回收設備,包含一蝕刻槽、一離子交換系統,及一樹脂再生系統。該蝕刻槽盛裝有蝕刻液,並具有一第一銅離子監測設備,用以量測該蝕刻液的銅離子濃度。該離子交換系統與該蝕刻槽連通,用以將該蝕刻槽內銅離子濃度過高的蝕刻液進行離子交換以降低銅離子濃度,並進行添加劑的補充後,蝕刻液會再送回蝕刻槽重複使用。該樹脂再生系統,用以對進行離子交換後的離子交換系統進行再生,並將再生後產生的洗脫液收集至一洗脫液槽,回收洗脫液內的銅離子。
本發明的另一技術手段,是在於該離子交換系統包括至少一與該蝕刻槽連通的暫存桶、至少一連通該暫存桶的樹脂塔,及一量測該暫存桶內之蝕刻液的第二銅離子監測設備,蝕刻液進入該暫存桶後,是與該樹脂塔進行循環式的銅離子吸附,該第二銅離子監測設備量測該暫存桶內之蝕刻液的銅離子濃度降至適當範圍後,蝕刻液可再送回蝕刻槽重複使用。
本發明的另一技術手段,是在於該離子交換系統還包括一添加劑槽,用以對該暫存桶進行添加劑的補充,其中,以蝕刻液總量為100wt%,該添加劑至少包括蝕刻液總量之0.5~5wt%的過氧化氫、蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的唑類化合物,以及蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的胺類化合物。
本發明的另一技術手段,是在於該樹脂再生系統包括一用以對該樹脂塔通入無機酸液的酸液桶槽,及一收集該樹脂塔之洗脫液的洗脫液槽。
本發明的另一技術手段,是在於當該蝕刻槽內蝕刻液的銅離子濃度大於4000ppm時需輸送至該離子交換系統進行銅離子的回收,當該暫存桶內之蝕刻液的銅離子濃度小於3000ppm時可再送回蝕刻槽重複使用。
本發明的另一技術手段,是在於離子交換系統的樹脂塔是選自於弱陽型離子交換樹脂、強陽型離子交換樹脂、弱陰型離子交換樹脂、強陰型離子交換樹脂,以及螯合型離子交換樹脂的至少一種。
有關本發明之相關申請專利特色與技術內容,在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中,將可清楚的呈現。在進行詳細說明前應注意的是,類似的元件是以相同的編號作表示。
本發明金屬蝕刻液之較佳實施例,包含0.01至20wt%的氧化劑、0.01至3wt%的腐蝕抑制劑、0.6至6wt%的溶劑、1至10wt%的酸鹼值調整劑、1至20wt%的有機酸、0.01至30wt%的螯合劑,及補至100wt%的水性介質。
氧化劑選自於:過氧化氫(H
2O
2)、硝酸鐵(Fe(NO
3)
3)、碘酸鉀(KIO
3)、乙酸(CH
3COOOH),及過錳酸鉀(KMnO
4) 所組成之一群組中的至少一者。
腐蝕抑制劑是選自於:苯並三唑、三聚氰酸(1,3,5-triazine-2,4,6-triol)、1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-硝基-1,2,4-三唑、波沛得(purpald)、苯並三唑-5-羧酸、3-胺基-1,2,4-三唑-5-羧酸,及1-羥基苯並三唑或硝基苯並三唑所組成之一群組中的至少一者。
溶劑是選自於:苯脲(Phenylurea)、乙二醇單苯醚(Ethylene glycol monophenyl ether)、二乙二醇單甲醚(Diethylene Glycol Monomethyl Ether)、乙酰苯胺(Acetanilide),及單乙醇胺(Monoethanolamine) 所組成之一群組中的至少一者。
酸鹼值調整劑是選自於:亞氨基二乙酸(Iminodiacetic acid) 、依替膦酸(Etidronic acid) 、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol, 1-amino-2-propanol)、乙二胺四乙酸(Ethylenediaminetetraacetic acid) 、二甲基乙醇胺(Dimethyl-ethanolamine) 、硝基三乙酸(Nitrilotriacetic acid) ,及乙酰苯胺(Acetanilide) 所組成之一群組中的至少一者。
有機酸是選自於:琥珀酸(Succinic acid)、丙二酸(Malonic acid)、 乳酸(Lactic acid)、蘋果酸(Malic acid)、檸檬酸(Citric acid)、酒石酸(Tartaric acid)、乙醇酸(Glycolic acid) 、丙氨酸(Alanine) 、胱氨酸(Cystine) 所組成之一群組中的至少一者。有機酸的填加可以增進螯合作用。
螯合劑是選自於:二甲基乙醛二肪(dimethylglyoxime)、乙醯酮(acetylacetone)、生長激素(auxin)、胺基乙酸(glycine)、乙二胺四乙酸 (ethylenediamine-tetra-acetic acid, EDTA)、乙二胺(ethylene diamine)、羥基乙叉二膦酸(HEDP)、二氮雜菲(phenanthyoline) 的其中之一或其混合物。
分類 | 成分 | 實驗例 1 | 實驗例 2 | 實驗例 3 | 實驗例 4 | 實驗例 5 | 實驗例 6 | 實驗例 7 | 實驗例 8 | 實驗例 9 | 實驗例 10 | 實驗例 11 | 實驗例 12 | 實驗例 13 | 實驗例 14 | 實驗例 15 |
氧化劑 | 過氧化氫 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
腐蝕抑制劑 | 苯並三唑 | 0.1 | 0.05 | |||||||||||||
1,2,3-三唑 | 0.1 | 0.05 | ||||||||||||||
3-胺基-1,2,4-三唑 | 0.1 | 0.05 | ||||||||||||||
3-硝基-1,2,4-三唑 | 0.1 | 0.05 | ||||||||||||||
苯並三唑-5-羧酸 | 0.1 | 0.05 | ||||||||||||||
3-胺基-1,2, 4-三唑-5-羧酸 | 0.1 | 0.05 | ||||||||||||||
1-羥基苯並三唑 | 0.1 | |||||||||||||||
硝基苯並三唑 | 0.1 | |||||||||||||||
波沛得 | 0.1 | |||||||||||||||
溶劑 | 苯脲 | 1 | 2 | 0.5 | ||||||||||||
乙二醇單苯醚 | 1 | 2 | 0.5 | |||||||||||||
二乙二醇單甲醚 | 1 | 2 | 0.5 | |||||||||||||
乙酰苯胺 | 1 | 2 | 0.5 | |||||||||||||
單乙醇胺 | 1 | 2 | 0.5 | |||||||||||||
酸鹼值調整劑 | 亞氨基二乙酸 | 1 | 1 | 2 | 1 | 3 | ||||||||||
依替膦酸 | 1 | 2 | 3 | |||||||||||||
2-氨基-2-甲基-1-丙醇 | 1 | 2 | 3 | |||||||||||||
二甲基乙醇胺 | 1 | 1 | 2 | 3 | ||||||||||||
硝基三乙酸 | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | 3 | ||||||||||
有機酸 | 琥珀酸 | 1 | 2 | |||||||||||||
丙二酸 | 1 | 2 | 1 | |||||||||||||
乳酸 | 1 | 2 | ||||||||||||||
蘋果酸 | 2 | 1 | 2 | |||||||||||||
檸檬酸 | 1 | 1 | 2 | |||||||||||||
酒石酸 | 1 | 2 | ||||||||||||||
乙醇酸 | 1 | 3 | ||||||||||||||
丙氨酸 | 1 | 1 | ||||||||||||||
胱氨酸 | 1 | |||||||||||||||
螯合劑 | 二甲基乙醛二肪 | 1 | 1 | 2 | 3 | |||||||||||
乙醯酮 | 1 | 2 | ||||||||||||||
生長激素 | 1 | 2 | ||||||||||||||
胺基乙酸 | 1 | 1 | 2 | 1 | ||||||||||||
乙二胺四乙酸 | 2 | 1 | 2 | |||||||||||||
乙二胺 | 1 | 1 | 2 | |||||||||||||
二氮雜菲 | 1 | 2 | ||||||||||||||
水性介質 | 81.9 | 84.9 | 82.9 | 85.9 | 83.9 | 83.9 | 81.9 | 82.9 | 80.9 | 81.95 | 79.45 | 81.45 | 82.45 | 80.45 | 80.45 | |
pH值 | 3.81 | 4.01 | 4.05 | 4.12 | 3.83 | 3.95 | 3.91 | 4.21 | 4.3 | 4.11 | 4.16 | 4.05 | 3.87 | 4.26 | 4.08 |
以上表格所載為本發明之各實驗例,本發明金屬層蝕刻液的主要技術特徵在於螯合劑的選用,以使蝕刻液中的銅離子能以離子交換的方式被回收。由於目前市售蝕刻液裡面的配方會與離子交換樹脂競爭銅離子,故需要選用特定螯合劑,才能使離子交換樹脂吸附蝕刻液中的銅離子。由於銅離子對應不同的螯合劑會有親和力強弱的不同,所以若選用與銅離子具強親和力的螯合劑,銅離子會傾向於與蝕刻液中的螯合劑結合,而難以被離子交換樹脂吸附。因此本發明是選用與銅離子親和力較弱之螯合劑。
另外,圖1為本發明蝕刻液的回收設備之較佳實施例,則是用來回收前述金屬層蝕刻液,包含一蝕刻槽2、一離子交換系統3,及一樹脂再生系統4。
其中,該蝕刻槽2盛裝有蝕刻液,並具有一第一銅離子監測設備21,用以量測該蝕刻液的銅離子濃度。要說明的是,由於銅離子在溶液中會呈現藍色,因此該第一銅離子監測設備21是利用特定波長的有色光照射該蝕刻槽2內的蝕刻液,並測其吸收度,就能計算出蝕刻液內所含的銅離子濃度。於本實施例中,該蝕刻槽2內的蝕刻液濃度大於4000ppm時需輸送至該離子交換系統3進行銅離子的回收。於實際實施時,可視情況更改設定值。
該離子交換系統3與該蝕刻槽2連通,用以將該蝕刻槽2內銅離子濃度過高的蝕刻液進行離子交換以降低銅離子濃度,並進行添加劑的補充後,蝕刻液會再送回蝕刻槽2重複使用。更詳細地說,該離子交換系統3包括至少一與該蝕刻槽連通的暫存桶31、至少一連通該暫存桶31的樹脂塔32、一量測該暫存桶31內之蝕刻液的第二銅離子監測設備33,及一添加劑槽34。於本實施例中使用一第一暫存桶31a與一第二暫存桶31b,兩者之間可由三向閥與蝕刻槽2相互連通。該第一暫存桶31a與該第二暫存桶31b可用於分流兩種蝕刻液:待處理的蝕刻液與處理完的蝕刻液,例如:當該蝕刻槽2中的蝕刻液達一定銅離子濃度後,可將待處理的蝕刻液導入第一暫存桶31a後,再將第二暫存桶31b中的處理完的蝕刻液導回蝕刻槽2,反之亦然。
本實施例亦使用一第一樹脂塔32a與一第二樹脂塔32b,分別對應該第一暫存桶31a與該第二暫存桶31b進行銅離子的吸附。兩樹脂塔32互為緩衝與預備使用的關係,當其中一樹脂塔32進行銅離子吸附時,另一樹脂塔32可進行再生、水洗並備用。其中,該樹脂塔32是選自於弱陽型離子交換樹脂、強陽型離子交換樹脂、弱陰型離子交換樹脂、強陰型離子交換樹脂,以及螯合型離子交換樹脂的至少一種。其中,弱陽型離子交換樹脂、強陽型離子交換樹脂與螯合型離子交換樹脂效果較佳,螯合型離子交換樹脂效果最佳。
於本實施例中,蝕刻液由該蝕刻槽2進入該第一暫存桶31a後,是與該第一樹脂塔32a進行循環式的銅離子吸附,該第二銅離子監測設備33量測該第一暫存桶31a內之蝕刻液的銅離子濃度是否降至適當範圍。於本實施例中,當該第一暫存桶31a內之蝕刻液的銅離子濃度小於3000ppm時可再重複使用。該第二銅離子監測設備33的量測方式與該第一銅離子監測設備21相同,不再贅述。
蝕刻液完成離子交換作業要由該暫存桶31送回蝕刻槽2之前,還需要透過該添加劑槽34將蝕刻液內已耗損的成分進行補充,該添加劑至少包括蝕刻液總量之0.5~5wt%的過氧化氫、蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的唑類化合物,以及蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的胺類化合物。添加劑補充完成後,蝕刻液即可再送回蝕刻槽2重複使用。
當離子交換系統3的樹脂塔32達吸附飽和後,將樹脂塔32內的蝕刻液排空,並以該樹脂再生系統4使樹脂塔32進行再生步驟,該樹脂再生系統4包括一用以對該樹脂塔32通入無機酸液的酸液桶槽,41及一收集該樹脂塔32之洗脫液的洗脫液槽42。而在再生步驟前,需先以純水清洗樹脂塔32,避免殘留的蝕刻液進到後續的洗脫液中。該酸液桶槽41盛裝有15%的硫酸,通入該樹脂塔32進行再生,使銅離子由該樹脂塔32脫附,並可得一含銅的洗脫液,接著再以純水將樹脂塔32洗至出口端達中性,樹脂塔32便可用於下一次的銅吸附步驟,而此含銅的洗脫液為硫酸銅溶液,銅離子濃度約為15000ppm~20000ppm,可經其他精煉過程,再製成銅相關的產品,透過此再生方法的樹脂再生率可達95%以上。
由以下表1可知,本案之蝕刻液透過該離子交換系統3進行處理後,確實可以降低蝕刻液內銅離子的濃度。表2為洗脫液內所含的銅離子濃度,可看出經再生步驟獲得之洗脫液內的銅離子濃度超過13000ppm,顯示銅離子確實能經由離子交換的方式被吸附而回收。本發明中的蝕刻液的銅處理量可達16000ppm,遠高於目前其他用於LCD製程類型的蝕刻液,且可回收蝕刻製程中產生的銅離子,大幅降低含銅廢液的處理成本。
表 1
表 2
蝕刻液 | 銅離子濃度(ppm) |
吸附前 | 4237 |
吸附後 | 2388 |
銅離子濃度(ppm) | |
硫酸銅 | 13515 |
另外,以未使用過之新鮮蝕刻液,以及回收後的蝕刻液分別進行蝕刻測試,判斷被蝕刻的斷面的錐角、臨界尺寸損失 (Critical Dimension Loss, CD Loss),以及鉬殘留量,其結果如表3所示。
表 3
錐角(◦) | CD loss(μm) | 鉬殘留 | |
新鮮液 | 43 | 1.356 | No |
一次循環 | 49 | 1.404 | No |
二次循環 | 45 | 1.371 | No |
三次循環 | 46 | 1.459 | No |
由表3的結果可以看出,即使經過三次回收後的蝕刻液,仍然可以維持與新鮮蝕刻液相近的蝕刻效果,證明本案之蝕刻液組成在經過多次循環之後仍然可以維持蝕刻效果,進而延長蝕刻液的使用壽命,更為環保,也能降低蝕刻製程的成本。
綜上所述,本發明之蝕刻液選用特定的螯合劑,並與該回收設備配合使用,使得蝕刻液內的銅離子能以離子交換的方式被樹脂塔吸附,進而降低蝕刻液內的銅離子含量,在經過適當補充之後可以重複進行蝕刻作業,延長蝕刻液的使用壽命,同時減少蝕刻廢液內的銅離子含量及其處理成本,進而降低整體蝕刻製程的成本。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
2:蝕刻槽
21:第一銅離子監測設備
3:離子交換系統
31:暫存桶
31a:第一暫存桶
31b:第二暫存桶
32:樹脂塔
32a:第一樹脂塔
32b:第二樹脂塔
33:第二銅離子監測設備
34:添加劑槽
4:樹脂再生系統
41:酸液桶槽
42:洗脫液槽
圖1是一示意圖,為本發明蝕刻液之回收設備的較佳實施例。
2:蝕刻槽
21:第一銅離子監測設備
3:離子交換系統
31:暫存桶
31a:第一暫存桶
31b:第二暫存桶
32:樹脂塔
32a:第一樹脂塔
32b:第二樹脂塔
33:第二銅離子監測設備
34:添加劑槽
4:樹脂再生系統
41:酸液桶槽
42:洗脫液槽
Claims (10)
- 一種蝕刻液的回收設備,用以回收一金屬層蝕刻液所吸附的銅離子,該金屬層蝕刻液包含0.01至20wt%的氧化劑、0.01至3wt%的腐蝕抑制劑、0.6至6wt%的溶劑、1至10wt%的酸鹼值調整劑、1至20wt%的有機酸、0.01至30wt%的螯合劑,及補至100wt%的水性介質,其中,該螯合劑是選自二甲基乙醛二肪、乙醯酮、生長激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羥基乙叉二膦酸、二氮雜菲的其中之一或其混合物,該回收設備包含:一蝕刻槽,盛裝有金屬層蝕刻液,並具有一第一銅離子監測設備,用以量測該金屬層蝕刻液的銅離子濃度;一離子交換系統,與該蝕刻槽連通,用以將該蝕刻槽內銅離子濃度過高的金屬層蝕刻液進行離子交換以降低銅離子濃度,並進行添加劑的補充後,該金屬層蝕刻液會再送回蝕刻槽重複使用,其中,該金屬層蝕刻液之螯合劑吸附銅離子的能力是弱於該離子交換系統吸附銅離子的能力;及一樹脂再生系統,用以對進行離子交換後的離子交換系統進行再生,並將再生後產生的洗脫液收集至一洗脫液槽,回收洗脫液內的銅離子。
- 如請求項1所述蝕刻液的回收設備,其中,該離子交換系統包括至少一與該蝕刻槽連通的暫存桶、至少一連通該暫存桶的樹脂塔,及一量測該暫存桶內之金屬層蝕刻液的第二銅離子監測設備,金屬層蝕刻液進入該暫存桶後,是與該樹脂塔進 行循環式的銅離子吸附,該第二銅離子監測設備量測該暫存桶內之金屬層蝕刻液的銅離子濃度是否降至適當範圍。
- 如請求項2所述蝕刻液的回收設備,其中,該離子交換系統還包括一添加劑槽,用以對該暫存桶進行添加劑的補充,其中,以金屬層蝕刻液總量為100wt%,該添加劑至少包括金屬層蝕刻液總量之0.5~5wt%的過氧化氫、金屬層蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的唑類化合物,以及金屬層蝕刻液總量之0.02~0.2wt%的胺類化合物。
- 如請求項2所述蝕刻液的回收設備,其中,該離子交換系統的樹脂塔是選自於弱陽型離子交換樹脂、強陽型離子交換樹脂、弱陰型離子交換樹脂、強陰型離子交換樹脂,以及螯合型離子交換樹脂的至少一種,該樹脂再生系統包括一用以對該樹脂塔通入無機酸液的酸液桶槽,及一收集該樹脂塔之洗脫液的洗脫液槽。
- 如請求項2所述蝕刻液的回收設備,其中,當該蝕刻槽內金屬層蝕刻液的銅離子濃度大於4000ppm時需輸送至該離子交換系統進行銅離子的回收,當該暫存桶內之金屬層蝕刻液的銅離子濃度小於3000ppm時可再送回蝕刻槽重複使用。
- 一種金屬層蝕刻液,適用於使用在如請求項1~5任一項所述蝕刻液的回收設備,其包含:0.01至20wt%的氧化劑;0.01至3wt%的腐蝕抑制劑; 0.6至6wt%的溶劑;1至10wt%的酸鹼值調整劑;1至20wt%的有機酸;0.01至30wt%的螯合劑,其中,該螯合劑是選自二甲基乙醛二肪、乙醯酮、生長激素、胺基乙酸、乙二胺四乙酸、乙二胺、羥基乙叉二膦酸、二氮雜菲的其中之一或其混合物;及水性介質,補至100wt%。
- 如請求項6所述的金屬層蝕刻液,其中,該氧化劑選自於:過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、乙酸,及過錳酸鉀所組成之一群組中的至少一者,該有機酸選自於:琥珀酸、丙二酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、酒石酸、乙醇酸、丙氨酸,及胱氨酸所組成之一群組中的至少一者。
- 如請求項6所述的金屬層蝕刻液,其中,該腐蝕抑制劑選自於:苯並三唑、三聚氰酸、1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-硝基-1,2,4-三唑、波沛得、苯並三唑-5-羧酸、3-胺基-1,2,4-三唑-5-羧酸、1-羥基苯並三唑,及硝基苯並三唑所組成之一群組中的至少一者。
- 如請求項6所述的金屬層蝕刻液,其中,該溶劑選自於:苯脲、乙二醇單苯醚、二乙二醇單甲醚、乙酰苯胺,及單乙醇胺所組成之一群組中的至少一者,該酸鹼值調整劑選自於:亞氨基二乙酸、依替膦酸、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、乙二胺四乙酸、 二甲基乙醇胺、硝基三乙酸、及乙酰苯胺所組成之一群組中的至少一者。
- 如請求項6所述的金屬層蝕刻液,其中,該水性介質為去離子水,其含量為30至50wt%,該氧化劑的含量為1至15wt%,該腐蝕抑制劑的含量為0.04至1wt%,該溶劑的含量為1.2至4wt%,該酸鹼值調整劑的含量為2至8wt%,該螯合劑的含量為0.1至10wt%。
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TW110120841A TWI794829B (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 金屬層蝕刻液及其回收設備 |
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TW110120841A TWI794829B (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 金屬層蝕刻液及其回收設備 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202248456A TW202248456A (zh) | 2022-12-16 |
TWI794829B true TWI794829B (zh) | 2023-03-01 |
Family
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TW110120841A TWI794829B (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 金屬層蝕刻液及其回收設備 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI794829B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWM405639U (en) * | 2006-09-28 | 2011-06-11 | San Fu Chemical Co Ltd | Device for recycling and recovering ito etching waste solution |
TW201629268A (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-16 | Kanto Ppc Inc | 蝕刻液組成物及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法 |
CN106637209A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种蚀刻液组合物及该组合物的金属膜刻蚀方法 |
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