TWI794333B - 劃線裝置以及劃線方法 - Google Patents

劃線裝置以及劃線方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI794333B
TWI794333B TW107140758A TW107140758A TWI794333B TW I794333 B TWI794333 B TW I794333B TW 107140758 A TW107140758 A TW 107140758A TW 107140758 A TW107140758 A TW 107140758A TW I794333 B TWI794333 B TW I794333B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
scribing
line
cutting line
translation compensation
substrate
Prior art date
Application number
TW107140758A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201939592A (zh
Inventor
武田真和
吉田圭吾
山本淳
林和夫
Original Assignee
日商三星鑽石工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三星鑽石工業股份有限公司 filed Critical 日商三星鑽石工業股份有限公司
Publication of TW201939592A publication Critical patent/TW201939592A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI794333B publication Critical patent/TWI794333B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本發明的目的是要降低形成彼此平行的多條切割線時的切割線的形成位置的不均一。一種用以在基板上劃線形成切割線的裝置,包括:劃線輪,在壓接於基板的水平被劃線面的狀態下在水平方向上轉動,藉此在基板上形成切割線;保持器,與劃線輪之間具有既定的空隙的狀態下,以在鉛直面可自由旋轉的方式保持劃線輪;以及平移補償處理手段,在被劃線面上以劃線輪形成彼此平行的複數條切割線的情況下,將前一條形成的切割線從劃線預定位置偏移的偏移量,特定為平移補償量,其中將下一條要形成的切割線的劃線預定位置平移補償平移補償量。

Description

劃線裝置以及劃線方法
本發明係有關於一種對基板形成用以切割的切割線之裝置,特別有關於其形成位置的設定。
做為切割玻璃基板、半導體基板或陶瓷基板等的脆性材料基板、或者是這些基板複數片貼合而成貼合基板(以下,也將它們單純稱為基板)的方法,有一種公知的方法是將劃線裝置中具備的劃線輪(切割輪)一邊抵接於該基板的表面一邊使其轉動,藉此形成切割線,然後在裂片裝置中沿著切割線對該基板壓上裂片板使龜裂從切割線延展,藉此將基板切割(例如參照專利文獻1)。
先行技術文獻
專利文獻1:日本特開2016-213235號公報
實施以劃線輪形成切割線以及之後以裂片來切割基板的典型的加工步驟的例子,是對於表面上(或者是包括更內部)矩陣狀地以既定的間距2維地反覆形成裝置等的圖樣的基板(母基板),在彼此正交的2個方向上,形成彼此平行的多條切割線,藉此將基板切割為各個單位圖樣(以各個裝置單位進行單片化)的加工步驟(單片化步驟)。在這個情況下,切割線形成於被稱為線道的將各單位圖樣(成為各個裝置的領域)劃分開來的格子狀的領域。
近年來,使用於智慧型手機及其他的電子機器、光學機器等的電子裝置或光學裝置被要求更加小型化及精密化、或者是從降低成本的觀點來 看,會要求將設置於基板的線道寬度做得比習知技術更狹窄,增加從一片母基板中取出的裝置個數,或者是使裝置比習知更加小型化並且確保尺寸的精度。為了要實現這些要求,必須使以劃線輪來形成切割線的形成精度比習知技術更加提高。
另一方面,現在已經實用化的劃線裝置一般為了使劃線輪良好地轉動(旋轉),在劃線輪以及一邊以可自由旋轉的方式保持劃線輪一邊水平移動的保持器之間,設置既定的間隙(空隙)。因此,劃線輪在垂直於其旋轉面的方向上,能夠在該空隙範圍內位移。同樣地,起因於保持器以及安裝了保持器的劃線頭,有時劃線輪的位置會產生微小的位移。
這個位移如果在裝置的尺寸精度的範圍內的話就不會造成問題,但因為上述降低線道寬度以及確保裝置的尺寸精度的要求,近年來因為位移而造成的切割線的形成位置的變動變得無法忽視。
本發明係有鑑於上述的問題,目的是要降低形成彼此平行的多條切割線時的切割線的形成位置的不均一。
為了解決上述課題,申請專利範圍第1項的發明是一種劃線裝置,用以在基板上劃線形成切割線,包括:劃線輪,在壓接於該基板的水平被劃線面的狀態下在水平方向上轉動,藉此在該基板上形成該切割線;保持器,與該劃線輪之間具有既定的空隙的狀態下,以在鉛直面可自由旋轉的方式保持該劃線輪;以及平移補償處理手段,在該被劃線面上以該劃線輪形成彼此平行的複數條切割線的情況下,將前一條形成的切割線從劃線預定位置偏移的偏移量,特定為平移補償量,其中將下一條要形成的切割線的劃線預定位置平移補償該平移補償量。
申請專利範圍第2項的發明是申請專利範圍第1項所述之劃線裝置,其中:該平移補償處理手段會執行以下動作:預先定出距離該前一條形成的切割線的劃線預定位置相等的一對的基準部位;以及假設該平移補償量為△,假設該一對的基準部位各自與該前一條形成的切割線的形成位置之間的距離為A、B(其中B≧A),則藉由△=(B-A)/2的式子來求出該平移補償量。
申請專利範圍第3項的發明是申請專利範圍第2項所述之劃線裝置,更包括:拍攝手段,能夠拍攝該劃線面,該平移補償處理手段根據該拍攝手段在同一視野下所拍攝的,該前一條形成的切割線的拍攝影像以及該一對的基準部位的拍攝影像,求出該平移補償量。
申請專利範圍第4項的發明是一種劃線方法,將劃線輪在壓接於基板的水平被劃線面的狀態下在水平方向上轉動,藉此在該被劃線面上形成彼此平行的複數條切割線,其中該劃線輪在具有既定的空隙的狀態下,被既定的保持器以在鉛直面可自由旋轉的方式保持,將前一條形成的切割線從劃線預定位置偏移的偏移量,特定為平移補償量,將下一條要形成的切割線的劃線預定位置平移補償該平移補償量。
申請專利範圍第5項的發明是申請專利範圍第4項所述之劃線方法,其中:預先定出距離該前一條形成的切割線的劃線預定位置相等的一對的基準部位;以及假設該平移補償量為△,假設該一對的基準部位各自與該前一條形成的切割線的形成位置之間的距離為A、B(其中B≧A),則藉由△=(B-A)/2的式子來求出該平移補償量。
申請專利範圍第6項的發明是申請專利範圍第5項所述之劃線方法,其中:根據能夠拍攝該被劃線面的既定的拍攝手段在同一視野下所拍攝的,該前一條形成的切割線的拍攝影像以及該一對的基準部位的拍攝影像,求出該平移補償量。
根據申請專利範圍第1至6項的發明,即使不改變劃線輪與保持器之間的空隙,也能夠在統計上降低形成於彼此平行的多條線道上的各個切割線從線道中心的偏移。
1、1a、1b:支柱
2:(劃線頭的)導軌
3:樑
4:劃線輪
4a:(劃線輪的)刃前端
5:保持器
5a、5b:支持部
5c:插銷
5m:保持器升降機構
6:劃線頭
6m:劃線頭移動機構
7:桌面
8:水平旋轉部
8m:桌面旋轉機構
9:台盤
10:螺絲
10m:桌面移動機構
11:相機
20:控制部
20a:劃線實行部
20b:平移補償處理部
21:輸入操作部
22:顯示部
23:記憶部
100:劃線裝置
100a:基台
AR:箭頭
A、B、D:距離
C:保持器中心
Dr:清單資料
d:間隔
L0:虛線
L0α:虛線
L1:實線
L2、L3:細虛線
PT:電極圖樣
ST、ST1、ST2:線道
ST1α:線道
t:厚度
W:基板
y0:線道中心
△:偏移量
第1圖係顯示劃線裝置100的主要部位。
第2圖係顯示劃線裝置100的動作控制的架構的方塊圖。
第3圖係概要地顯示劃線輪4安裝於保持器5的樣子。
第4圖係顯示做為切割對象的劃線前的基板W的一部分。
第5圖係例示對線道ST1進行劃線後的基板W。
第6圖係用以說明平移補償處理部20b算出劃線位置的偏移量。
第7圖係例示使劃線位置平移補償後,對線道ST1α進行劃線時的基板W。
<劃線裝置的概要>
第1圖係顯示本實施型態的劃線裝置100的主要部位。第2圖係顯示劃線裝置100的動作控制的架構的方塊圖。劃線裝置100概要是一種在基板W的一側主面形成用來切割該基板W時的起點的切割線的裝置。基板W例如玻璃基板、半導體基板或陶瓷基板等的脆性材料基板、或者是這些基板複數片貼合而成貼合基板等。
劃線裝置100中,分別垂直立設於基台100a的上面,並且在水平方向上間隔既定距離的一對的支柱1(1a、1b)之間,附設了導軌2的樑(橫樑)3水平地橫跨。支持劃線輪4的保持器5所配設而成的劃線頭6,因為劃線頭移動 機構6m而被移動往水平方向的時候,導軌2具有導引的功能。另外,第1圖中,附上右手xyz座標系統,以劃線頭6的移動方向為x軸方向,以垂直於水平面的方向為y軸方向,以鉛直方向為z軸方向(第3圖以後也相同)。
保持器5在後述的態樣中以可旋轉地支持劃線輪4,且藉由保持器升降機構5m,而自由升降於z軸方向。更詳細來說,本實施型態中,保持器升降機構5m會藉升降包含後述的相機11的劃線頭6全體的劃線頭升降機構來實現。
又,劃線頭6會藉由劃線頭移動機構6m而被導引於導軌2,且自由進退於水平方向(x軸方向)。劃線裝置100中,將劃線輪4壓接到載置於桌面7的基板W的上面(被劃線面)的狀態下,劃線頭6移動於x方向,藉此劃線輪4在鉛直面的zx面上旋轉(轉動),而沿著x軸方向形成切割線。
又,劃線頭6上附設能夠拍攝鉛直下方的相機11。相機11的拍攝影像會用於實行劃線時的定位等。
桌面7具有基板W載置的水平上面,其下部形成水平旋轉部8。又,水平旋轉部8被保持於台盤9上,台盤9附設有基台100a的上面具備的螺絲10。水平旋轉部8被桌面旋轉機構8m驅動,藉此桌面7能夠在水平面上旋轉。又,台盤9被桌面移動機構10驅動,藉此桌面7可在y軸方向自由移動。
另外,保持器升降機構5m、劃線頭移動機構6m、桌面旋轉機構8m以及桌面移動機構10m,分別適當地配置具有對應各自的動作對象的性能、構造等的馬達來使用即可。
又,劃線裝置100具備控制部20、輸入操作部21、顯示部22、記憶部23。控制部20控制保持器升降機構5m、劃線頭移動機構6、桌面旋轉機構8m以及桌面移動機構10m為主的各個裝置的動作。輸入操作部21用以執行裝置的操作者所作的各種實行指示或資料輸入等。顯示部22用以顯示各種處理清單或動作狀態、處理經過及處理結果等。記憶部23儲存了表述裝置的動作程式或劃線 處理的內容之清單資料Dr及其他的資料。
又,劃線裝置100中,儲存於記憶部23的既定的程式會被控制部20執行,藉此控制一連串劃線處理的動作的劃線執行部20a會做為控制部20中的假想的構成要素而被實現。劃線實行部20a會控制有關於劃線處理的裝置各部分的動作,具體來說就是控制決定劃線對象位置的桌面7的移動及面內旋轉的動作、劃線頭6的移動動作、以及保持器5的升降動作。藉由這個劃線實行部20a的控制,能夠實現劃線裝置100的劃線處理。
<劃線輪的細節及劃線動作>
第3圖係概要地顯示劃線輪4安裝於保持器5的樣子。
劃線輪4形成圓板形狀,其外周全體形成剖面三角形狀的刃前端4a。又,設置於其圓心部的貫通孔插入插銷5c的狀態下,該插銷5c的兩端被設置於保持器5的一對的支持部5a、5b所支持,藉此劃線輪4被保持於保持器5。另外,一對的支持部5a、5b會在保持器5配設於劃線頭6時成為該保持器5的最下端部的部位。另外,刃前端4a可以在周方向都是一樣的,也可以週期性地設置溝部。
更詳細來說,一對的支持部5a、5b的間隔d會設定成比劃線輪4的厚度t稍大。這是因為為了使劃線處理時的劃線輪4旋轉平順且確實。也就是說,劃線輪4與保持器5之間存在空隙(d-t)。d-t的值大約被設定在3μm~20μm。
以具有以上構造的劃線裝置100進行基板W的劃線時,首先會將基板W以劃線對象面朝向上方的姿勢載置固定於桌面7。當載置固定後,藉由劃線實行部20a控制桌面移動機構10m及桌面旋轉機構8m的動作,適當地組合桌面7的y軸方向的移動及旋轉移動,進行載置於桌面7的基板W的定位。劃線實行部20a又控制保持器升降機構5m及劃線頭移動機構6m的動作,使得保持劃線輪4的保持器5更配置於劃線開始位置(初期位置)。
具體來說,根據儲存於記憶部23的清單資料Dr的記述,將保持器 5配置到初期位置以及進行基板W的定位,使得最初形成的切割線的形成預定位置平行於x軸方向,且該形成預定位置之中成為形成的起點的位置會位於劃線輪4的正下方。
當進行這個定位,按照劃線實行部20a的控制,升降機構5m從鉛直上方使保持器5下降既定的距離,劃線輪4的刃前端4a被壓接於成為切割線的起點的位置。在這個壓接進行的時間點,按照劃線實行部20a的控制,劃線頭移動機構6m會將劃線頭6往x軸方向移動。然後,伴隨地劃線輪4沿著x軸方向轉動,從起點位置沿著x軸方向形成切割線下去。
在劃線輪4到達成為切割線的終點的位置的時間點,停止劃線頭6的移動,且保持器5上升,劃線輪4從基板W分離。因此,形成1條切割線。
另外,如第3圖所示,假設距離一對的支持部5a、5b等距離的假想面是保持器中心C的情況下,上述態樣的切割線形成時,在刃前端4a始終位於保持器中心C上的狀態下使劃線輪4轉動是比較理想的。在這之後,將這樣子刃前端4a位於保持器中心C的狀態稱為劃線輪4處於理想狀態。然而,實際上,劃線輪4不需處於理想狀態,劃線輪4在上述的空隙的範圍內從保持器中心C的位移是可以被容許的。
形成複數的切割線的情況下,同樣的處理會反覆進行。另外,複數的切割線平行地形成的情況下,一般劃線輪4的轉動方向(劃線頭6的移動方向)會只在x軸正方向的單一方向上進行劃線,但也可以是劃線輪4的轉動方向在x軸正方向與x軸負方向之間交替。
<劃線位置的平移補償>
接著,說明將表面上(或者是包括更內部)矩陣狀地以既定的間距2維地反覆形成裝置等的圖樣的基板(母基板)W,以各個單位圖樣進行切割(以各個裝置單位進行單片化)這個情況下的切割線的形成。第4圖係顯示做為 切割對象的劃線前的基板W的一部分。
第4圖所示的基板W中,被稱為線道ST的具有既定寬度的直線狀的領域,將各單位圖像劃分開來。第4圖中,基板W當中,例示了2個線道ST(ST1、ST2)彼此正交的部位。更具體來說,第4圖假想將基板W定位,使得一條線道ST1延伸於x軸方向,另一條線道ST2延伸於y軸方向後,切割線相對於線道ST1形成之前的情況。另外,雖然圖式省略,實際的基板W存在了與線道ST1及線道ST2彼此平行的多條的線道,也就是說,存在了平行於x軸方向的多條線道以及平行於y軸方向的多條線道。
將這樣的基板W切割、單片化的情況下,一般會相對於彼此平行的線道依序形成切割線。此時,從切割後獲得的單片的尺寸精度的觀點來看,形成於各個線道的中心位置(線道中心)為佳。如果是第4圖所示的線道ST1的情況下,切割線形成在以虛線L0表示的線道的中心為佳。因此,會希望進行劃線時的劃線輪4的軌跡與虛線L0一致。第4圖中,會定位基板w,使得保持器中心C位於y=y0且線道ST1的線道中心與y=y0一致,又因為劃線輪4在理想狀態下所以假設刃前端4a也會與y=y0一致。
在這個情況下,期望切割線會沿著虛線L0形成。然而,實際上,如上述地在劃線輪4與保持器5之間存在有空隙,所以劃線輪4在保持器5上的位置並無法特定出來。也就是說,在劃線動作之前進行定位時,儘管為了方便會以理想狀態做為前提,將切割線的形成預定位置如第4圖所示與保持器中心C的位置一致,但進行劃線時的劃線輪4的(刃前端4a的)位置有可能與第4圖所示的情況不同,偏離開線道中心(y=y0)。
第5圖係例示在劃線實行部20a的控制下,實際上對線道ST1進行劃線後的基板W。第5圖中,假設使劃線輪4轉動於x軸正方向,藉此形成出切割線於實線L1所示的從線道中心在y軸方向偏移距離△的位置。這個態樣下的切割 線的形成是起因於劃線時的實際的劃線輪4(的刃前端4a)的位置如第5圖所示地,從保持器中心C偏離了距離△。
劃線輪4在空隙範圍內的位移是隨機發生的現象,因此這樣的切割線的形成位置從線道中心偏移也本來就是隨機產生。另一方面,一般的想法是,假設就算發生了這樣的位移,切割線從線道中心的偏移如果在尺寸公差的範圍內的話,換言之,只要空隙規定使得切割線的形成位置在尺寸公差範圍內的話,實用上並不會有問題。因此,如果想要提高切割後獲得的單片的尺寸精度的話,能夠藉由縮小劃線輪4與保持器5之間的空隙來達成。
然而,空隙的減低從劃線輪4及保持器5的加工精度的觀點來看會有一定的限度,或者是在加工成本上也會有缺點。
因此,將空隙維持跟以前一樣的前提下,本發明的發明人努力檢討的結果發現,本實施型態的劃線裝置100中,對於彼此平行的多條的線道形成切割線時,每個切割線形成時,就根據它的形成位置,將形成下一條切割線時的劃線位置因應刃前端的位置做平移補償處理,減低劃線輪4在空隙範圍內的位移對單片的尺寸精度造成的影響。
具體來說,劃線裝置100中,儲存於記憶部23的既定的程式會被控制部20執行,藉此根據前一次劃線的切割線的形成位置來求出劃線位置的平移補償量的平移補償處理部20b,會做為控制部20中的假想的構成要素而被實現。然後,根據平移補償處理部20b所算出的平移補償量,劃線位置的被平移補償後,進行下一條切割線的形成。
第6圖係用以說明平移補償處理部20b算出劃線位置的平移補償量。又,第7圖係例示使劃線位置平移補償後,對線道ST1α進行劃線時的基板W。
現在,假想如第5圖及第6圖中的實線L1所示,切割線從虛線L0所示的線道中心(y=y0)往y軸正方向偏移距離△形成的情況。平移補償處理部 20b首先特定出以實線L1表示的切割線的形成位置(y座標)。這條切割線的y座標,在平移補償處理部20b的動作控制之下,根據相機11聚焦於該切割線的狀態下拍攝而得的拍攝影像,平移補償處理部20b進行公知的影像處理(濾過處理、二值化處理及其他)而特定。
接著,特定出相對於虛線L0所示的線道中心在y軸方向上對稱,換言之,在y軸方向上距離線道中心相等的一對的基準部位的位置(y座標)。第6圖中,例示出將夾著線道ST1相向的一對的電極圖樣PT,做為該一對的基準部位的情況。在這個情況下,基準部位的位置是通過最靠近電極圖樣PT最靠近線道ST1的端部的假想線,以細虛線L2或L3的y座標來表示。即使是電極圖樣PT最接近線道ST1的端部的y座標,也與切割線相同地,在平移補償處理部20b的動作控制之下,根據相機11聚焦於該電極圖樣PT的狀態下拍攝而得的拍攝影像,平移補償處理部20b進行公知的影像處理(濾過處理、二值化處理及其他)而特定。
較佳的是,用以特定出切割線的y座標的拍攝影像、用以特定出電極圖樣PT的端部的y座標的拍攝影像在同一視野內取得。這能夠藉由使相機11的位置固定,因應拍攝對象來改變對焦而實現。又,雖然拍攝切割線的哪一個部分都可以,但如果根據代表的狀態特定出偏移量△的話,可考慮例如在x軸方向中央位置進行拍攝。
此時,從虛線L0所示的線道中心到做為基準位置的電極圖樣PT為止的距離(從虛線L0到細虛線L2及L3的距離)假設為D,從實線L1所示的劃線位置到一對的基準部位之中較近者的距離假設為A,到較遠者的距離假設為B(更詳細來說,B≧A),則△=B-D(=D-A)且2D=A+B,因此會得到:△=(B-A)/2...(式1)
平移補償處理部20b會從根據上述拍攝影像所特定出的切割線、 電極圖樣PT的端部的y座標,算出A及B的值,又,根據式1算出偏移量△的值。
當平移補償處理部20b得到偏移量△的值,劃線實行部20a如第7圖的箭頭AR所示,藉由使基板W往y軸方向移動,對於清單資料Dr所記述的預定形成下一條切割線的線道ST(ST1α)進行定位。然而,在此時,要形成下一條切割線的線道ST1α的線道中心不會配置在保持器中心存在的y=y0,而加入的平移補償量,配置在:y=y0+△...(式2)
也就是說,使劃線位置平移補償。此時,對於線道ST1α開始劃線為止之前,可以期待劃線輪4不會產生位移。因此,至少在對於線道ST1α開始劃線的時間點,可期待線道ST1α的線道中心的y座標與刃前端4a的y座標一致。
之後,劃線的實行、以及包括平移補償量的特定與平移補償的實行的下一次的劃線位置的定位,會在彼此平行的切割線全部形成為止之前反覆地進行。像這樣,每次進行劃線時,都會根據前一次的劃線結果來平移補償下一次劃線時的線道中心的位置,藉此除去最初劃線外的全部劃線實行時,至少能夠期待在該條劃線開始的時間點下,線道中心與刃前端位置是一致的。換言之,劃線輪4的刃前端位置與線道中心明顯偏差的狀態下形成切割線的狀況就不容易發生。結果,即使形成多條切割線的情況下,切割線從線道中心的偏移不會增大,分別形成於彼此平行的多條線道的切割線,其相對於線道中心的偏移在統計上減低。
也就是說,根據本實施型態,即使不改變空隙,也能夠在統計上降低形成於彼此平行的多條線道上的各個切割線從線道中心的偏移。
[實施例]
本實施例中,使用實際的基板來確認平移補償的效果。做為基板W,會準備直徑300mm總厚度0.55mm的將Si與玻璃貼合的基板。基板W上,會 在彼此正交的2個方向,也就是0°方向以及90°方向分別設置93條及60條線道,使得切割後獲得的單片的平面尺寸(晶片尺寸)為5.2mm×3.7mm。
首先,以0°方向的線道為對象進行劃線。此時,對於各線道形成切割線時,都會在該切割線的x軸方向中央部求出平移補償量,根據式2,定位出下一條切割線形成時的位置。
做為劃線輪4,會使用外徑2mm、厚度t0.65mm、內徑0.8mm、刃前端角度125°、刃前端4a的周方向等間隔地具有深度2.0μm的溝400個的劃線輪。另外,劃線輪4與保持器5之間的空隙(d-t)為9.3μm。
接著,將基板W旋轉90°,然後對於90°方向的線道也同樣地一邊進行平移補償一邊進行劃線。
全部的切割線形成結束後,再一次,對於形成於0°方向的切割線會在不同的20個位置,會於形成於90°方向的切割線會在不同的13個位置,求出線道中心與切割線之間的偏移量。
又,做為比較例,除了不進行平移補償以外,執行與實施例相同條件的劃線。
關於實施例及比較例各自的線道中心與切割線的偏移量的平均值(Ave.)及標準差(σ)顯示於表1。表中「有平移補償」表示實施例,「無平移補償」表示比較例。
Figure 107140758-A0305-02-0013-1
從表1中可知,「有平移補償」的情況下比起「無平移補償」的情況下,平均值(Ave.)及標準差(σ)雙方的值都比較小。這顯示了藉由如上 述實施型態般進行劃線位置的平移補償,即使不改變劃線輪4與保持器5之間的空隙的條件,也能夠在統計上抑制切割線的形成位置的不均一。
另外,本實施型態中,每次形成各條切割線,都會進行包括平移補償量的特定以及平移補償的實行的下一條劃線位置的定位,但也可以在每實行預定數目的劃線,再進行包括平移補償量的特定以及平移補償的實行的下一條劃線位置的定位。即使在這個情況下,能夠抑制切割線從線道中心偏移的增大,統計上降低形成於彼此平行的多條線道上的各個切割線從線道中心的偏移。
L0‧‧‧虛線
L1‧‧‧實線
L2、L3‧‧‧細虛線
PT‧‧‧電極圖樣
ST、ST1、ST2‧‧‧線道
W‧‧‧基板

Claims (4)

  1. 一種劃線裝置,用以在基板上劃線形成切割線,包括:劃線輪,在壓接於該基板的水平被劃線面的狀態下在水平方向上轉動,藉此在該基板上形成該切割線;保持器,與該劃線輪之間具有既定的空隙的狀態下,以在鉛直面可自由旋轉的方式保持該劃線輪;以及平移補償處理手段,在該被劃線面上以該劃線輪形成彼此平行的複數條切割線的情況下,將前一條形成的切割線從劃線預定位置偏移的偏移量,特定為平移補償量,其中將下一條要形成的切割線的劃線預定位置平移補償該平移補償量;其中,該平移補償處理手段會執行以下動作:預先定出距離該前一條形成的切割線的劃線預定位置相等的一對的基準部位;以及假設該平移補償量為△,假設該一對的基準部位各自與該前一條形成的切割線的形成位置之間的距離為A、B(其中B≧A),則藉由△=(B-A)/2的式子來求出該平移補償量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之劃線裝置,更包括:拍攝手段,能夠拍攝該被劃線面,該平移補償處理手段根據該拍攝手段在同一視野下所拍攝的,該前一條形成的切割線的拍攝影像以及該一對的基準部位的拍攝影像,求出該平移補償量。
  3. 一種劃線方法,將劃線輪在壓接於基板的水平被劃線面的狀態下在水平方向上轉動,藉此在該被劃線面上形成彼此平行的複數條切割線,其中 該劃線輪在具有既定的空隙的狀態下,被既定的保持器以在鉛直面可自由旋轉的方式保持,將前一條形成的切割線從劃線預定位置偏移的偏移量,特定為平移補償量,將下一條要形成的切割線的劃線預定位置平移補償該平移補償量,其中,預先定出距離該前一條形成的切割線的劃線預定位置相等的一對的基準部位;以及假設該平移補償量為△,假設該一對的基準部位各自與該前一條形成的切割線的形成位置之間的距離為A、B(其中B≧A),則藉由△=(B-A)/2的式子來求出該平移補償量。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之劃線方法,其中:根據能夠拍攝該被劃線面的既定的拍攝手段在同一視野下所拍攝的,該前一條形成的切割線的拍攝影像以及該一對的基準部位的拍攝影像,求出該平移補償量。
TW107140758A 2017-12-28 2018-11-16 劃線裝置以及劃線方法 TWI794333B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-253192 2017-12-28
JP2017253192A JP7075652B2 (ja) 2017-12-28 2017-12-28 スクライブ装置およびスクライブ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201939592A TW201939592A (zh) 2019-10-01
TWI794333B true TWI794333B (zh) 2023-03-01

Family

ID=67076387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107140758A TWI794333B (zh) 2017-12-28 2018-11-16 劃線裝置以及劃線方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7075652B2 (zh)
KR (1) KR20190080742A (zh)
CN (1) CN109970330A (zh)
TW (1) TWI794333B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200908127A (en) * 2007-06-19 2009-02-16 Micron Technology Inc Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces
TW200948730A (en) * 2008-05-06 2009-12-01 Semes Co Ltd Cutting device, substrate cutting device and method using said cutting device
TW201201267A (en) * 2010-06-02 2012-01-01 Sony Chemical & Inf Device Method for dicing wafer, connection method and connected structure body
TW201201268A (en) * 2010-06-02 2012-01-01 Sony Chemical & Inf Device Method for dicing wafer, connection method and connected structure body
TW201336793A (zh) * 2012-03-06 2013-09-16 Asahi Glass Co Ltd 板狀物之切割線加工裝置及板狀物之切割線加工方法、以及玻璃板之製造裝置及玻璃板之製造方法
JP2015093304A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 株式会社ディスコ レーザ加工装置
TW201628751A (zh) * 2014-11-20 2016-08-16 康寧公司 彈性玻璃基板之回饋控制的雷射切割
TW201703912A (zh) * 2015-03-24 2017-02-01 康寧公司 顯示器玻璃組成物的雷射切割及處理
TW201722875A (zh) * 2015-12-28 2017-07-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 劃線裝置及劃線方法
TW201729271A (zh) * 2016-02-09 2017-08-16 Disco Corp 切割裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3078668B2 (ja) * 1992-04-24 2000-08-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 自動ガラススクライバー
JP3280747B2 (ja) * 1993-05-11 2002-05-13 株式会社東京精密 ダイシング加工管理方法および加工品質管理システム
US6972444B1 (en) 2003-08-06 2005-12-06 National Semiconductor Corporation Wafer with saw street guide
US8006599B2 (en) 2003-12-29 2011-08-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Scribe line forming mechanism, scribe head, and scribe device
JP4753170B2 (ja) 2004-03-05 2011-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5332344B2 (ja) 2008-06-30 2013-11-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 チップホルダ及びホルダユニット
JP2011178651A (ja) 2010-02-04 2011-09-15 Shiraitekku:Kk 基板のスクライブ装置
JP5934050B2 (ja) * 2011-10-13 2016-06-15 三星ダイヤモンド工業株式会社 ホルダー、ホルダーユニット及びスクライブ装置
JP6326187B2 (ja) 2013-02-20 2018-05-16 西谷 均 扉用閉鎖制動装置
JP6228044B2 (ja) 2014-03-10 2017-11-08 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP6561566B2 (ja) 2015-04-30 2019-08-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置
JP6498073B2 (ja) * 2015-08-14 2019-04-10 株式会社ディスコ 切削ブレードの位置ずれ検出方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200908127A (en) * 2007-06-19 2009-02-16 Micron Technology Inc Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces
TW200948730A (en) * 2008-05-06 2009-12-01 Semes Co Ltd Cutting device, substrate cutting device and method using said cutting device
TW201201267A (en) * 2010-06-02 2012-01-01 Sony Chemical & Inf Device Method for dicing wafer, connection method and connected structure body
TW201201268A (en) * 2010-06-02 2012-01-01 Sony Chemical & Inf Device Method for dicing wafer, connection method and connected structure body
TW201336793A (zh) * 2012-03-06 2013-09-16 Asahi Glass Co Ltd 板狀物之切割線加工裝置及板狀物之切割線加工方法、以及玻璃板之製造裝置及玻璃板之製造方法
JP2015093304A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 株式会社ディスコ レーザ加工装置
TW201628751A (zh) * 2014-11-20 2016-08-16 康寧公司 彈性玻璃基板之回饋控制的雷射切割
TW201703912A (zh) * 2015-03-24 2017-02-01 康寧公司 顯示器玻璃組成物的雷射切割及處理
TW201722875A (zh) * 2015-12-28 2017-07-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 劃線裝置及劃線方法
TW201729271A (zh) * 2016-02-09 2017-08-16 Disco Corp 切割裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7075652B2 (ja) 2022-05-26
JP2019121621A (ja) 2019-07-22
CN109970330A (zh) 2019-07-05
KR20190080742A (ko) 2019-07-08
TW201939592A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5139852B2 (ja) スクライブ装置及びスクライブ方法
JP5450964B2 (ja) スクライブ装置及びスクライブ方法
JP5702765B2 (ja) スクライブ装置及びスクライブ方法
TWI811408B (zh) 對準方法
CN103779195B (zh) 激光退火方法及系统
CN105789124A (zh) 晶片的加工方法
JP2016032075A (ja) ウェーハの加工方法
JP5997409B1 (ja) 両面露光装置及び両面露光装置におけるマスクとワークとの位置合わせ方法
JP2019071390A (ja) 板状物の分割装置
JP2017013255A (ja) ブレーク装置
JP6744626B2 (ja) スクライブ方法並びにスクライブ装置
TWI794333B (zh) 劃線裝置以及劃線方法
JP6229883B2 (ja) ダイシング装置及びその切削方法
CN110783246B (zh) 对准方法
JP5589899B2 (ja) 基板の分割方法及び分割装置
JP6300645B2 (ja) 加工装置
JP2013112534A (ja) 脆性材料基板の分断方法
JP2016108158A (ja) 脆性材料基板の分断方法及び加工装置
JP2013157450A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP6046535B2 (ja) 半導体ウエハマッピング方法及び半導体ウエハのレーザ加工方法
JP2015214002A (ja) 切削方法
CN110176410B (zh) 加工装置
JP6905419B2 (ja) 切削方法
JP7221778B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN110176409B (zh) 加工装置