TWI794248B - 塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供具有以高膜厚均勻性在基板之表面上形成液膜之功效的塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體。 塗布處理程序包含：在晶圓之表面的中心部形成抗蝕液之液貯留部的條件下，供給抗蝕液至晶圓之表面；一面使晶圓以設定成使液貯留部留在晶圓之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面供給稀釋液至晶圓之表面，使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分後，一面使晶圓繼續以第一旋轉速度旋轉，一面使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使晶圓以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使抗蝕液擴展至晶圓之外周側。

Description

塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體
本揭示係關於塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體。
專利文獻1揭示塗布處理方法，該塗布處理方法包含：在晶圓之外周部環狀地形成溶劑之液膜；一面使晶圓以第一旋轉速度旋轉，一面供給塗布液至晶圓之中心部；及使晶圓以比第一旋轉速度快之第二旋轉速度旋轉而使塗布液擴散。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-115693號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示之目的係提供具有以高膜厚均勻性在基板之表面上形成液膜之功效的塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體。
本揭示之塗布處理方法包含：在基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部的條件下，供給處理液至基板之表面；一面使基板以設定成使液貯留部留在基板之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面供給稀釋液至基板之表面，並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分後，一面使基板繼續以第一旋轉速度旋轉，一面使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使處理液擴展至基板之外周側。 [解決問題的手段]
依據該塗布處理方法，在基板之表面的中央部形成處理液之液貯留部之後，稀釋液之到達位置由液貯留部之外緩緩地進入液貯留部之外周部份，然後，由液貯留部之外周部分緩緩地退出液貯留部之外。因此，能以高均勻性稀釋液貯留部之外周部分。然後，藉由基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，液貯留部之外周部分的混合液擴展至基板之外周側，因此液貯留部之處理液進一步擴展至基板之外周側。如上所述地，能以高均勻性稀釋液貯留部之外周部分，且因為混合液之黏度比處理液之黏度低，所以混合液能以高均勻性擴展至基板之外周側。藉由被該混合液導引，處理液亦能以高均勻性擴展至基板之外周側。因此，有以高膜厚均勻性在基板之表面上形成液膜的功效。
在基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部可包含：一面使基板以第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面在包含基板之旋轉中心的第一區域形成處理液之液貯留部，並在使處理液未附著在第一區域之外周側的第二區域的條件下，供給處理液至基板之表面，且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分可包含：使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分，並且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外可包含：使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域。此時，藉由一面使基板以第二旋轉速度旋轉一面在基板之表面形成處理液，在第一區域形成周方向之均勻性高的液貯留部。此外，藉由使第一旋轉速度，即使稀釋液之供給位置移動時之基板旋轉速度成為第二旋轉速度以下，即使形成處理液之液貯留部時之基板旋轉速度以下，可更確實地抑制使稀釋液之供給位置移動時的處理液擴展，藉此可維持周方向之均勻性高的液貯留部。因此，稀釋液之到達位置由第二區域進出第一區域內時，可用更高均勻性稀釋液貯留部之外周部分。
使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉可包含：使基板以比第一旋轉速度高、且使處理液與稀釋液之混合液擴展至基板之外周側的第三旋轉速度旋轉；及使基板以第三旋轉速度旋轉後，使基板以比第三旋轉速度高、且使處理液擴展至基板之外周側的第四旋轉速度旋轉。此時，藉由階段地提高旋轉速度，可更顯著地產生混合液先擴展而引導處理液之現象。
可在使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分之前，在基板之外周的內側的位置開始供給稀釋液。此時，相較於在基板之外周外側開始供給稀釋液，可縮短使稀釋液之供給位置進入第一區域時之移動距離。因此，有縮短處理時間之功效。
可一面控制旋轉保持部，使基板之旋轉速度成為比第一旋轉速度低之第五旋轉速度，一面開始供給稀釋液。此時，可抑制稀釋液最初到達基板時之液飛濺，因此可抑制產生飛濺之稀釋液混入液貯留部等之意外現象。
可在開始供給稀釋液之後，開始移動稀釋液之供給位置前，使基板以第五旋轉速度繼續旋轉一周以上。此時，可抑制對第二區域之稀釋液塗布狀態在周方向上產生不均一。因此，基板以第三旋轉速度旋轉時，可使混合液用更高均勻性擴展至基板之外周側。
可使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域之後，在稀釋液之供給位置在基板之外周的內側的狀態下停止供給稀釋液。此時，相較於在基板外周之外側停止供給稀釋液，使稀釋液之供給位置由第一區域退出時之移動距離減少。因此，有進一步縮短處理時間之功效。
可在基板之表面為乾燥的狀態下，開始對基板之表面供給處理液，並在第二區域為乾燥之狀態下，開始供給稀釋液。此時，相較於在基板之表面濕潤的狀態下供給處理液，可提高液貯留部半徑(基板之旋轉中心到液貯留部周緣的距離)之周方向的均勻性。提高液貯留部半徑之均勻性有助於進一步提高液膜之膜厚均勻性。
本揭示另一方面之塗布處理裝置具有：旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉；處理液供給部，其供給處理液至基板之表面；稀釋液供給部，其供給稀釋液至基板之表面；及控制部，且控制部具有：液貯留部形成控制部，其控制處理液供給部，在基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部的條件下，供給處理液至基板之表面；第一稀釋控制部，其在液貯留部形成控制部的控制之後，一面控制旋轉保持部，使基板以設定成使液貯留部留在基板之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部，供給稀釋液至基板之表面，並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；第二稀釋控制部，其在第一稀釋控制部的控制之後，一面控制旋轉保持部，使基板繼續以第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部，使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及塗布控制部，其在第二稀釋液控制部的控制之後，控制旋轉保持部，使基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使處理液擴展至基板之外周側。
液貯留部形成控制部可一面控制旋轉保持部，使基板以第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面控制處理液供給部，在包含基板之旋轉中心的第一區域形成處理液之液貯留部，並在使處理液未附著在第一區域之外周側的第二區域的條件下，供給處理液至基板之表面，且第一稀釋控制部可控制稀釋液供給部，使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部份，並且第二稀釋控制部可控制稀釋液供給部，使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部份移動至第二區域。
塗布控制部可包含：第一塗布控制部，其控制旋轉保持部，使基板以比第一旋轉速度高、且使處理液與稀釋液之混合液擴展至基板之外周側的第三旋轉速度旋轉；及第二塗布控制部，其在第一塗布控制部的控制之後，控制旋轉保持部，使基板以比第三旋轉速度高、且使處理液擴展至基板之外周側的第四旋轉速度旋轉。
第一稀釋控制部可控制稀釋液供給部，在使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分之前，在基板之外周的內側的位置開始供給稀釋液。
第一稀釋控制部可一面控制旋轉保持部，使基板以比第一旋轉速度低之第五旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部開始供給稀釋液。
第一稀釋控制部可在控制稀釋液供給部開始供給稀釋液之後，並且在控制稀釋液供給部使稀釋液之供給位置開始移動之前，控制旋轉保持部，使基板繼續以第五旋轉速度旋轉一周以上。
第二稀釋控制部可在控制稀釋液供給部使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域之後，控制稀釋液供給部在稀釋液之供給位置在基板之外周的內側的狀態下停止供給稀釋液。
液貯留部控制部可控制處理液供給部，在基板之表面為乾燥的狀態下開始對基板之表面供給處理液，且第一稀釋控制部可控制稀釋液供給部在第二區域為乾燥之狀態下，開始供給稀釋液。 [發明的功效]
依據本揭示，目的為提供具有以高膜厚均勻性在基板之表面上形成液膜之功效的塗布處理方法、塗布處理裝置及記錄媒體。
[基板處理系統] 基板處理系統1係對基板實施感光性覆膜之形成、該感光性覆膜之曝光及該感光性覆膜之顯影的系統。處理對象之基板係例如半導體之晶圓W。感光性覆膜係例如抗蝕膜。基板處理系統1具有塗布、顯影裝置2及曝光裝置3。曝光裝置3進行形成在晶圓W(基板)上之抗蝕膜(感光性覆膜)的曝光處理。具體而言，藉由液浸曝光等之方法將能量線照射在抗蝕膜之曝光對象部分上。塗布、顯影裝置2在曝光裝置3之曝光處理前，進行在晶圓W(基板)之表面上形成抗蝕膜的處理，並在曝光處理後進行抗蝕膜之顯影處理。
[塗布處理裝置] 以下，說明塗布、顯影裝置2之結構作為塗布處理裝置之一例。如圖1及圖2所示地，塗布、顯影裝置2具有：載具塊4、處理塊5、連接塊6及控制部100。
載具塊4將晶圓W導入塗布、顯影裝置2內及由塗布、顯影裝置2內導出晶圓W。例如，載具塊4可支持晶圓W用之多數載具C，且內建傳送臂A1。載具C收容例如圓形多數片晶圓W。傳送臂A1由載具C取出晶圓W且遞送至處理塊5，接著由處理塊5收取晶圓W並送回載具C內。
處理塊5具有多數處理模組11、12、13、14。處理模組11、12、13內建塗布單元U1、熱處理單元U2及搬送晶圓W至該等單元之搬送臂A3。
處理模組11藉由塗布單元U1及熱處理單元U2在晶圓W之表面上形成下層膜。處理模組11之塗布單元U1將下層膜形成用之處理液塗布在晶圓W上。處理模組11之熱處理單元U2進行伴隨下層膜之形成的各種熱處理。
處理模組12藉由塗布單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成抗蝕膜。處理模組12之塗布單元U1將抗蝕膜形成用之處理液塗布在下層膜上。處理模組12之熱處理單元U2進行伴隨抗蝕膜之形成的各種熱處理。
處理模組13藉由塗布單元U1及熱處理單元U2在抗蝕膜上形成上層膜。處理模組13之塗布單元U1將上層膜形成用之液體塗布在抗蝕膜上。處理模組13之熱處理單元U2進行伴隨上層膜之形成的各種熱處理。
處理模組14內建顯影單元U3、熱處理單元U4及搬送晶圓W至該等單元之搬送臂A3。
處理模組14藉由顯影單元U3及熱處理單元U4進行曝光後之抗蝕膜的顯影處理。顯影單元U3在已曝光之晶圓W表面上塗布顯影液後，藉由用沖洗液沖洗該晶圓，進行抗蝕膜之顯影處理。熱處理單元U4進行伴隨顯影處理之各種熱處理。熱處理之具體例可舉顯影處理前之加熱處理(PEB：曝光後烘烤(Post Exposure Bake))、顯影處理後之加熱處理(PB：後烘烤(Post Bake))等為例。
支架單元U10設置在處理塊5內之載具塊4側。支架單元U10區隔出沿上下方向排列之多數格室。升降臂A7設置在支架單元U10之附近。升降臂A7使晶圓W在支架單元U10之格室間升降。
支架單元U11設置在處理塊5內之連接塊6側。支架單元U11區隔出沿上下方向排列之多數格室。
連接塊6在與曝光裝置3之間進行晶圓W之傳送。例如，連接塊6內建傳送臂A8，且連接於曝光裝置3。傳送臂A8將配置在支架單元U11中之晶圓W遞送至曝光裝置3，接著由曝光裝置3收取晶圓W且送回支架單元U11。
控制部100控制塗布、顯影裝置2以便例如按以下之順序實行塗布、顯影處理。首先，控制部100控制傳送臂A1以便將載具C內之晶圓W搬送至支架單元U10中，接著控制升降臂A7以便將該晶圓W配置在處理模組11用之格室中。
接著，控制部100控制搬送臂A3以便將支架單元U10之晶圓W搬送至處理模組11內之塗布單元U1及熱處理單元U2中，並控制塗布單元U1及熱處理單元U2以便在該晶圓W之表面上形成下層膜。然後，控制部100控制搬送臂A3以便將形成有下層膜之晶圓W送回支架單元U10，並控制升降臂A7以便將該晶圓W配置在處理模組12用之格室中。
接著，控制部100控制搬送臂A3以便將支架單元U10之晶圓W搬送至處理模組12內之塗布單元U1及熱處理單元U2，並控制塗布單元U1及熱處理單元U2以便在該晶圓W之下層膜上形成抗蝕膜。然後，控制部100控制搬送臂A3以便將晶圓W送回支架單元U10，並控制升降臂A7以便將該晶圓W配置在處理模組13用之格室中。
接著，控制部100控制搬送臂A3以便將支架單元U10之晶圓W搬送至處理模組13內之各單元中，並控制塗布單元U1及熱處理單元U2以便在該晶圓W之抗蝕膜上形成上層膜。控制部100控制搬送臂A3以便將晶圓W搬送至支架單元U11。
接著，控制部100控制傳送臂A8以便將支架單元U11之晶圓W送出至曝光裝置3。然後，控制部100控制傳送臂A8，以便由曝光裝置3收取已實施曝光處理之晶圓W並配置在支架單元U11之處理模組14用的格室中。
接著，控制部100控制搬送臂A3以便將支架單元U11之晶圓W搬送至處理模組14內之各單元，並控制顯影單元U3及熱處理單元U4以便對該晶圓W之抗蝕膜實施顯影處理。然後，控制部100控制搬送臂A3以便將晶圓W送回支架單元U10，並控制升降臂A7及傳送臂A1以便將該晶圓W送回載具C內。塗布、顯影處理至此結束。
此外，塗布處理裝置之具體結構不限於以上例示之塗布、顯影裝置2的結構。塗布處理裝置只要具有塗布單元U1及可控制該塗布單元U1之控制部100即可。
[塗布單元] 接著，詳細地說明處理模組12之塗布單元U1的結構。塗布單元U1將抗蝕膜形成用之處理液(以下稱為「抗蝕液」)供給至晶圓W之表面上，並在該表面上形成抗蝕液之液膜。如圖3所示地，塗布單元U1具有：旋轉保持部20、處理液供給部30及稀釋液供給部40。
旋轉保持部20保持晶圓W並使其旋轉。例如，旋轉保持部20具有保持部21及旋轉驅動部22。保持部21支持表面Wa向上且水平地配置之晶圓W的中心部，並藉由例如真空吸附等保持該晶圓W。旋轉驅動部22係以例如電動馬達等作為動力源，使保持部21環繞垂直之旋轉中心CL1旋轉。
處理液供給部30將抗蝕液供給至晶圓W之表面Wa。例如，處理液供給部30具有：噴嘴31、液源32、送液部33及噴嘴搬送部34。噴嘴31將抗蝕液吐出至晶圓W之表面Wa側(下方)。液源32收容抗蝕液並將該抗蝕液壓送至噴嘴31側。抗蝕液具有1000至7000cP之黏度。抗蝕液之黏度宜為3000至5000cP。送液部33將抗蝕液由液源32導入噴嘴31。例如，送液部33具有送液管線L1及閥V1。送液管線L1連接液源32及噴嘴31。閥V1係例如氣動閥，且可開關送液管線L1內之流路。噴嘴搬送部34係以電動馬達等作為動力源沿水平方向搬送噴嘴31。
稀釋液供給部40將稀釋液供給至晶圓W之表面Wa。例如，稀釋液供給部40具有：噴嘴41、液源42、送液部43及噴嘴搬送部44。噴嘴41將稀釋液吐出至晶圓W之表面Wa側(下方)。液源42收容稀釋液並將該稀釋液壓送至噴嘴41側。稀釋液具有比抗蝕液低之黏度且可溶解抗蝕液。稀釋液之具體例可舉稀釋劑等之有機溶劑為例。送液部43將稀釋液由液源42導入噴嘴41。例如，送液部43具有送液管線L2及閥V2。送液管線L2連接液源42及噴嘴41。閥V2係例如氣動閥，且可開關送液管線L2內之流路。噴嘴搬送部44係以電動馬達等作為動力源沿水平方向搬送噴嘴41。
如上所述地構成之塗布單元U1係藉由控制部100控制。控制部100係組配成實行以下步驟：控制處理液供給部30，在晶圓W之表面Wa的中心部形成抗蝕液之液貯留部的條件下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa；一面控制旋轉保持部20，使晶圓W以設定成使液貯留部留在晶圓W之外周Wb內側的第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，供給稀釋液至晶圓W之表面Wa，並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分後，一面控制旋轉保持部20，使晶圓W繼續以第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，控制旋轉保持部20，使前述基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側。液貯留部之外周部分意味在液貯留部內，位於液貯留部之外周附近的環狀部分。
例如，控制部100具有：液貯留部形成控制部111、第一稀釋控制部112、第二稀釋控制部113、塗布控制部114及保持控制部117作為機能上之結構(以下稱為「機能模組」)。
液貯留部形成控制部111控制處理液供給部30，在晶圓W之表面Wa的中心部形成抗蝕液之液貯留部的條件下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa。例如，液貯留部形成控制部111一面控制旋轉保持部20，使晶圓W用上述第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面控制處理液供給部30，在包含晶圓W之旋轉中心CL1的第一區域中形成抗蝕液之液貯留部，且在使抗蝕液未附著在第一區域外周側之第二區域的情形下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa。
液貯留部形成控制部111亦可控制處理液供給部30，在晶圓W之表面Wa乾燥的狀態下，開始對晶圓W之表面Wa供給抗蝕液。
第一稀釋控制部112一面控制旋轉保持部20，使晶圓W以第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，供給稀釋液至晶圓W之表面Wa並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分。例如，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分。
第一稀釋控制部112亦可控制稀釋液供給部40，在使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分之前，在晶圓W之外周Wb內側的位置開始供給稀釋液。此時，第一稀釋控制部112亦可控制稀釋液供給部40，在控制旋轉保持部20使晶圓W之旋轉速度成為比第一旋轉速度低之第五旋轉速度之後，開始供給稀釋液。第五旋轉速度可為零。即，第一稀釋控制部112可控制稀釋液供給部40，在使晶圓W停止旋轉後開始供給稀釋液。第一稀釋控制部112亦可控制旋轉保持部20，在控制稀釋液供給部40以便開始供給稀釋液之後，並且在控制稀釋液供給部40以便開始移動稀釋液之供給位置前，使晶圓W繼續以第五旋轉速度旋轉一周以上。
第一稀釋控制部112亦可控制稀釋液供給部40，在第二區域為乾燥之狀態下，開始供給稀釋液。
第二稀釋控制部113在第一稀釋控制部112的控制之後，一面控制旋轉保持部20，使晶圓W繼續以第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外。例如，第二稀釋控制部113控制稀釋液供給部40，使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域。
第二稀釋控制部113亦可控制稀釋液供給部40，在使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域之後，在供給位置在晶圓W之外周Wb內側的狀態下停止供給稀釋液。
塗布控制部114在第二稀釋控制部113的控制之後，控制旋轉保持部20，使前述基板以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側。
例如，塗布控制部114包含第一塗布控制部115及第二塗布控制部116。第一塗布控制部115在第二稀釋控制部113的控制之後，控制旋轉保持部20，使晶圓W以比第一旋轉速度高、且使抗蝕液與稀釋液之混合液擴展至晶圓W之外周Wb的第三旋轉速度旋轉。第二塗布控制部116在第一塗布控制部115的控制之後，控制旋轉保持部20，使晶圓W以比第三旋轉速度高、且使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側的第四旋轉速度旋轉。
保持控制部117控制旋轉保持部20，在藉由搬送臂A3將晶圓W搬入塗布單元U1後保持該晶圓W，接著控制旋轉保持部20，在藉由搬送臂A3由塗布單元U1搬出晶圓W前解除保持部21保持該晶圓W之狀態。
控制部100係由一個或多數控制用電腦構成。例如，控制部100具有圖4所示之電路120。電路120具有：一或多數處理器121、記憶體122、儲存器123、輸出入埠124及計時器125。
儲存器123具有例如硬碟等可藉由電腦等讀取之記錄媒體。記錄媒體記錄用以使塗布單元U1實行後述塗布處理程序之程式。記錄媒體亦可為非依電性半導體記憶體、磁碟及光碟等之可讀取媒體。記憶體122暫時地記錄由儲存器123之記錄媒體載入之程式及處理器121的運算結果。處理器121與記憶體122合作執行上述程式，藉此構成上述各機能模組。輸出入埠124依據來自處理器121之命令，在旋轉保持部20、處理液供給部30及稀釋液供給部40之間進行電信號的輸出入。計時器125例如藉由計算一定周期之基準脈衝來量測經過時間。
此外，控制部100之硬體結構不限於由程式構成各機能模組。例如，控制部100之各機能模組亦可由專用之邏輯電路或集積該邏輯電路之ASIC(特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit))構成。
[塗布處理程序] 接著，說明藉由控制部100控制塗布單元U1來實行之塗布處理程序，作為塗布處理方法之一例。該塗布處理程序包含：在晶圓W之表面Wa的中心部形成抗蝕液之液貯留部的條件下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa；一面使晶圓W以設定成使液貯留部留在晶圓W之外周Wb內側的第一旋轉速度旋轉，一面供給稀釋液至晶圓W之表面Wa，並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分後，一面使晶圓W繼續以第一旋轉速度旋轉，一面使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使晶圓W以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側。
在晶圓W之表面Wa的中心部形成抗蝕液之液貯留部可包含一面使晶圓W以第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面在包含晶圓W之旋轉中心的第一區域中形成抗蝕液之液貯留部且在使抗蝕液未附著在第一區域外周側之第二區域的情形下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa，且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分可包含使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分，並且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部份移動至液貯留部之外可包含使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域。
使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使晶圓W以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉可包含：使晶圓W以比第一旋轉速度高、且使抗蝕液與稀釋液之混合液擴展至晶圓W之外周Wb側的第三旋轉速度旋轉；及使晶圓W以第三旋轉速度旋轉後，使晶圓W以比第三旋轉速度高、且使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側的第四旋轉速度旋轉。
亦可在使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分之前，在晶圓W之外周Wb內側的位置開始供給稀釋液。此時，可在使晶圓W之旋轉速度成為比第一旋轉速度低之第五旋轉速度之後開始供給稀釋液，亦可在開始供給稀釋液之後，開始移動稀釋液之供給位置前，使晶圓W繼續以第五旋轉速度旋轉一周以上。
亦可在使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域之後，在稀釋液之供給位置在晶圓W之外周Wb內側的狀態下停止供給稀釋液。
亦可在晶圓W之表面為乾燥之狀態下，開始對晶圓W之表面Wa供給抗蝕液，且在第二區域為乾燥之狀態下，開始供給稀釋液。
以下，顯示控制部100之塗布單元U1的控制程序具體例。如圖5所示地，控制部100首先實行步驟S01。在步驟S01中，保持控制部117控制旋轉保持部20，以便藉由保持部21保持由搬送臂A3搬入塗布單元U1之晶圓W。
接著，控制部100實行步驟S02。在步驟S02中，液貯留部形成控制部111實行液貯留部形成控制。液貯留部形成控制包含一面控制旋轉保持部20使晶圓W以第二旋轉速度旋轉，一面控制處理液供給部30，在包含晶圓W之旋轉中心CL1的第一區域中形成抗蝕液之液貯留部，並在使抗蝕液未附著在第一區域外周側之第二區域的條件下，供給抗蝕液至晶圓W之表面Wa。液貯留部形成控制之詳細內容後述。
接著，控制部100實行步驟S03。在步驟S03中，第一稀釋控制部112實行第一稀釋控制。第一稀釋控制包含一面控制旋轉保持部20使晶圓W以比第二旋轉速度小之第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，供給稀釋液至晶圓W之表面Wa，接著使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分。第一稀釋控制之詳細內容稍後說明。
接著，控制部100實行步驟S04。在步驟S04中，第二稀釋控制部113實行第二稀釋控制。第二稀釋控制包含一面控制旋轉保持部20使晶圓W繼續以第一旋轉速度旋轉，一面控制稀釋液供給部40，使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域。第二稀釋控制之詳細內容稍後說明。
接著，控制部100實行步驟S05。在步驟S05中，第一塗布控制部115實行第一塗布控制。第一塗布控制包含控制旋轉保持部20，使晶圓W以比第一旋轉速度高、且使抗蝕液與稀釋液之混合液擴展至晶圓W之外周Wb側的第三旋轉速度旋轉。第一塗布控制之詳細內容稍後說明。
接著，控制部100實行步驟S06。在步驟S06中，第二塗布控制部116實行第二塗布控制。第二塗布控制包含控制旋轉保持部20，使晶圓W以比第三旋轉速度高、且使抗蝕液擴展至晶圓W之外周Wb側的第四旋轉速度旋轉。第二塗布控制之詳細內容後述。
接著，控制部100實行步驟S07。在步驟S07中，保持控制部117控制旋轉保持部20以便解除保持部21保持晶圓W之狀態。然後，藉由搬送臂A3由顯影單元U3搬出晶圓W。
(液貯留部形成控制) 接著，詳細地說明步驟S02中之液貯留部形成控制的內容。如圖6所示地，控制部100首先實行步驟S11。在步驟S11中，液貯留部形成控制部111控制旋轉保持部20，藉由旋轉驅動部22開始使晶圓W以第二旋轉速度w2(請參照圖7(a))旋轉。
第二旋轉速度w2係設定成不產生使供給至晶圓W之表面Wa上的抗蝕液擴展至外周Wb側的離心力。第二旋轉速度w2係例如50至250rpm，且宜為100至200rpm。液貯留部形成控制部111可控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由停止狀態緩緩地變化到第二旋轉速度w2。緩緩地變化包含階段地變化。以下亦同。
接著，控制部100實行步驟S12。在步驟S12中，液貯留部形成控制部111控制處理液供給部30，藉由噴嘴搬送部34將噴嘴31配置在晶圓W之旋轉中心CL1上。
接著，控制部100實行步驟S13。在步驟S13中，液貯留部形成控制部111控制處理液供給部30，開啟閥V1並開始由噴嘴31朝下方供給抗蝕液211。藉此，供給抗蝕液211至表面Wa之旋轉中心CL1。(請參照圖7(a))。
接著，控制部100實行步驟S14。在步驟S14中，液貯留部形成控制部111待機經過預定時間。該預定時間係由事前之設定條件來設定，以便獲得適當之液貯留部。
接著，控制部100實行步驟S15。在步驟S15中，液貯留部形成控制部111控制處理液供給部30，關閉閥V1並停止由噴嘴31朝下方供給抗蝕液211。
液貯留部形成控制至此結束，且在表面Wa中包含旋轉中心CL1之第一區域201中形成抗蝕液211之液貯留部221(請參照圖7(b))。第一區域201外側之第二區域202未附著抗蝕液211。
此外，上述程序可適當變更，只要在包含旋轉中心CL1之第一區域201中形成抗蝕液211之液貯留部221且使抗蝕液211未附著在第二區域202中即可。例如，可在晶圓W開始旋轉(步驟S11)前實行噴嘴31之配置(步驟S12)。此外，在步驟S12中，可將噴嘴31配置在偏離旋轉中心CL1之位置，亦可在預定時間之待機(步驟S14)中，藉由噴嘴搬送部34使噴嘴31移動。
(第一稀釋控制) 接著，詳細地說明步驟S03中之第一稀釋控制的內容。如圖8所示地，控制部100首先實行步驟S21。在步驟S21中，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，藉由噴嘴搬送部44將吐出開始位置配置在噴嘴41之中心。吐出開始位置係在第二區域202中晶圓W之外周Wb內側的位置上方。
接著，控制部100實行步驟S22。在步驟S22中，第一稀釋控制部112控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第二旋轉速度w2變更成第五旋轉速度w5(請參照圖9(a))。
第五旋轉速度w5係例如0至40rpm，且宜為0至20rpm。即，第一稀釋控制部112可控制稀釋液供給部40，在晶圓W停止旋轉之狀態下，開始供給稀釋液。第一稀釋控制部112亦可控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第二旋轉速度w2緩緩地變化到第五旋轉速度w5。
接著，控制部100實行步驟S23。在步驟S23中，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，開啟閥V2並開始由噴嘴41朝下方供給稀釋液212。藉此，在第二區域202中晶圓W之外周Wb內側的位置供給稀釋液212(請參照圖9(a))。
接著，控制部100實行步驟S24。在步驟24中，第一稀釋控制部112待機經過預定時間。待機時間設定為晶圓W以第五旋轉速度w5旋轉一周之時間以上。藉由經過該預定時間，圓環狀地塗布稀釋液(請參照圖9(b))。
接著，控制部100實行步驟S25。在步驟25中，第一稀釋控制部112控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第五旋轉速度w5變更成第一旋轉速度w1(請參照圖9(c))。
第一旋轉速度係例如20至100rpm，且宜為40至80rpm。第一稀釋控制部112亦可控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第五旋轉速度w5緩緩地變化到第一旋轉速度w1。
接著，控制部100實行步驟S26。在步驟26中，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，藉由噴嘴搬送部44使噴嘴41朝旋轉中心CL1側移動。
然後，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，使噴嘴41以第一移動速度nv1移動(請參照圖9(c))。第一移動速度nv1係例如1至20mm/s，且宜為5至15mm/s。
接著，控制部100實行步驟S27。在步驟S27中，第一稀釋控制部112一直待機到噴嘴41之中心到達預定位置。預定位置係第一區域201之外周部分201b的上方。預定位置係例如相對旋轉中心CL1之距離為第一區域201半徑之2/3至11/12的位置，且相對旋轉中心CL1之距離宜為該半徑之3/4至6/7的位置。
接著，控制部100實行步驟S28。在步驟28中，第一稀釋控制部112控制稀釋液供給部40，停止藉由噴嘴搬送部44移動噴嘴41。
第一稀釋控制至此結束。藉由噴嘴41移動到上述預定位置，液貯留部221之外周部分221b被稀釋液212稀釋，成為抗蝕液211被抗蝕液211及稀釋液212之混合液213包圍之狀態(請參照圖9(c))。
此外，上述程序適當變更，只要使吐出稀釋液212之噴嘴41由第二區域202移動至第一區域201之外周部分即可。例如，可在配置噴嘴41(步驟S21)前實行晶圓W之旋轉速度的變更(步驟S22)。
(第二稀釋控制) 接著，詳細地說明步驟S04中之第二稀釋控制的內容。如圖10所示地，控制部100首先實行步驟S31。在步驟S31中，第二稀釋控制部113待機經過預定時間。藉此，繼續稀釋液貯留部221之外周部分221b(請參照圖11(a))。藉由事前之設定條件來設定該預定時間，可充分地稀釋液貯留部221之外周部分221b。
接著，控制部100實行步驟S32。在步驟S32中，第二稀釋控制部113控制稀釋液供給部40，開始藉由噴嘴搬送部44使噴嘴41移動至晶圓W之外周Wb側。然後，第二稀釋控制部113控制稀釋液供給部40，使噴嘴41以第二移動速度nv2移動(請參照圖11(b))。第二移動速度nv2係例如與第一移動速度nv1相等。
接著，控制部100實行步驟S33。在步驟S33中，第二稀釋控制部113一直待機到噴嘴41之中心到達吐出停止位置。吐出停止位置係第二區域202中晶圓W之外周Wb內側位置的上方。
接著，控制部100實行步驟S34。在步驟S34中，第二稀釋控制部113控制稀釋液供給部40，關閉閥V2並停止由噴嘴41朝下方供給稀釋液212(請參照圖11(c))。第二稀釋控制至此結束。
(第一塗布控制) 接著，詳細地說明步驟S05中之第一塗布控制的內容。如圖12所示地，控制部100首先實行步驟S41。在步驟S41中，第一塗布控制部115控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第一旋轉速度w1變更成第三旋轉速度w3(請參照圖14(a))。
第三旋轉速度w3設定為使抗蝕液211未擴展至晶圓W之外周Wb側，而是使混合液213擴展至晶圓W之外周Wb側。例如，第三旋轉速度w3係100至500rpm，且宜為200至400rpm。第一塗布控制部115亦可控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第一旋轉速度w1緩緩地變化到第三旋轉速度w3。
接著，控制部100實行步驟S42。在步驟S42中，第一塗布控制部115待機經過預定時間。在此期間，液貯留部221之外周部分221b的混合液213塗布擴展至晶圓W之外周Wb側(請參照圖14(a))。藉由事前之設定條件來設定該預定時間，可充分地塗布擴展混合液213。第一塗布控制至此結束。
(第二塗布控制) 接著，詳細地說明步驟S06中之第二塗布控制的內容。如圖13所示地，控制部100首先實行步驟S51。在步驟S51中，第二塗布控制部116控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第三旋轉速度w3變更成第四旋轉速度w4(請參照圖14(b))。
第四旋轉速度w4設定成使抗蝕液211擴展至晶圓W之外周Wb側。例如，第四旋轉速度w4係400至1200rpm，且宜為600至1000rpm。第二塗布控制部116亦可控制旋轉保持部20，使晶圓W之旋轉速度由第三旋轉速度w3緩緩地變化到第四旋轉速度w4。
接著，控制部100實行步驟S52。在步驟S52中，第二塗布控制部116待機經過預定時間。在此期間，液貯留部221之抗蝕液211塗布擴展至晶圓W之外周Wb側(請參照圖14(b))。藉由事前之設定條件來設定該預定時間，可充分地塗布擴展抗蝕液211。第二塗布控制至此結束，形成抗蝕液211之液膜(請參照圖14(c))。
[本實施形態之功效] 如以上說明地，上述塗布處理程序包含：在晶圓之表面的中心部形成抗蝕液之液貯留部的條件下，供給抗蝕液至晶圓之表面；一面使晶圓以設定成使液貯留部留在晶圓之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面供給稀釋液至晶圓之表面，並使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分；在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分後，一面使晶圓繼續以第一旋轉速度旋轉，一面使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外；及在使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使晶圓以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使抗蝕液擴展至晶圓之外周側。
依據該塗布處理方法，在晶圓之表面的中央部形成抗蝕液之液貯留部之後，稀釋液之到達位置由液貯留部之外緩緩地進入液貯留部之外周部分，然後，由液貯留部之外周部分緩緩地退出液貯留部之外。因此，能以高均勻性稀釋液貯留部之外周部分。然後，藉由晶圓以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，液貯留部之外周部分的混合液擴展至晶圓之外周側，且液貯留部之抗蝕液進一步擴展至晶圓之外周側。如上所述，能以高均勻性稀釋液貯留部之外周部分，且混合液之黏度比抗蝕液之黏度低，因此混合液能以高均勻性擴展至晶圓之外周側。藉由被該混合液引導，抗蝕液亦能以高均勻性擴展至晶圓之外周側。因此，有以高膜厚均勻性在晶圓之表面上形成液膜的功效。
在晶圓之表面的中心部形成抗蝕液之液貯留部可包含：一面使晶圓以第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面在包含晶圓之旋轉中心的第一區域形成抗蝕液之液貯留部，並在使抗蝕液未附著在第一區域外周側之第二區域的條件下，供給抗蝕液至晶圓之表面；且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外移動至液貯留部之外周部分可包含：使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分；並且使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外可包含：使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域。此時，藉由一面使晶圓以第二旋轉速度旋轉一面在晶圓之表面形成抗蝕液，在第一區域形成周方向之均勻性高的液貯留部。此外，藉由使第一旋轉速度，即使稀釋液之供給位置移動時之晶圓旋轉速度成為第二旋轉速度以下，即形成抗蝕液之液貯留部時之晶圓旋轉速度以下，可更確實地抑制使稀釋液之供給位置移動時之抗蝕液擴展，因此可維持周方向之均勻性高的液貯留部。因此，稀釋液之到達位置由第二區域進出第一區域內時，液貯留部之外周部分可用更高均勻性來稀釋。
使稀釋液之供給位置由液貯留部之外周部分移動至液貯留部之外後，使晶圓以比第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉可包含：使晶圓以比第一旋轉速度高、且使抗蝕液與稀釋液之混合液擴展至晶圓之外周側的第三旋轉速度旋轉；及使晶圓以第三旋轉速度旋轉後，使晶圓以比第三旋轉速度高、且使抗蝕液擴展至晶圓之外周側的第四旋轉速度旋轉。此時，藉由階段地提高旋轉速度，可更顯著地產生混合液先擴展而引導抗蝕液之現象。
亦可在使稀釋液之供給位置由第二區域移動至第一區域之外周部分之前，在晶圓之外周的內側的位置開始供給稀釋液。此時，相較於在晶圓之外周外側開始供給稀釋液，可縮短使稀釋液之供給位置進入第一區域時之移動距離。因此，有縮短處理時間之功效。
亦可一面控制旋轉保持部，使晶圓之旋轉速度成為比第一旋轉速度低之第五旋轉速度，一面開始供給稀釋液。此時，可抑制稀釋液最初到達晶圓時之液飛濺，因此可抑制產生飛濺之稀釋液混入液貯留部等之意外現象。
亦可在開始供給稀釋液之後，開始移動稀釋液之供給位置前，使晶圓以第五旋轉速度繼續旋轉一周以上。此時，可抑制稀釋液對第二區域之塗布狀態在周方向上產不均一。因此，晶圓以第三旋轉速度旋轉時，可使混合液用更高均勻性擴展至晶圓之外周側。
亦可使稀釋液之供給位置由第一區域之外周部分移動至第二區域之後，在稀釋液之供給位置在晶圓之外周的內側的狀態下停止供給稀釋液。此時，相較於在晶圓外周之外側停止供給稀釋液，使稀釋液之供給位置由第一區域退出時之移動距離減少。因此，有進一步縮短處理時間之功效。
亦可在晶圓之表面為乾燥的狀態下，開始對晶圓之表面供給抗蝕液，並在第二區域為乾燥之狀態下，開始供給稀釋液。此時，相較於在晶圓之表面濕潤的狀態下供給抗蝕液，可提高液貯留部半徑(晶圓之旋轉中心到液貯留部周緣的距離)之周方向的均勻性。藉此，可進一步提高液膜之膜厚均勻性。
以上，雖然說明了實施形態，但本發明不一定限定於上述實施形態，且在不脫離本發明之主旨的範圍內可進行各種變更。例如，上述塗布處理程序亦可適用於用以形成抗蝕膜以外之覆膜(例如下層膜或上層膜)的塗布處理。處理對象之基板不限於半導體晶圓，亦可為例如玻璃基板、遮罩基板、FPD(平板顯示器(Flat Panel Display))等。 [實施例]
以下，顯示實施例及比較例。實施例只不過是上述實施形態之一例，且本發明不限定於實施例。
[樣本之製作] (實施例) 準備直徑300mm之矽晶圓，接著在其表面上藉由上述步驟S01至S07之塗布處理程序及其後之加熱處理形成厚度大約60mm之抗蝕膜。各種條件如下。 抗蝕液之黏度：4000cP 液膜之半徑：大約70mm 抗蝕液之供給開始位置：距離旋轉中心80mm 步驟S27中之預定位置：距離旋轉中心60mm 第二旋轉速度：150rpm 第一旋轉速度：60rpm 第三旋轉速度：300rpm 第四旋轉速度：800rpm 第五旋轉速度：10rpm 第一移動速度：10mm/s 第二移動速度：10mm/s 塗布處理後之加熱條件：在130℃加熱600秒鐘
(比較例) 直徑300mm之矽晶圓，接著使用與實施例相同之抗蝕液，一面使晶圓用800rpm旋轉，一面藉由供給抗蝕液至旋轉中心之方法實行塗布處理，然後在與實施例相同之條件下實行加熱處理而形成厚度大約60mm之抗蝕膜。
[膜厚均勻性之評價] 在矽晶圓之全面上測量抗蝕膜之膜厚，接著藉由下式算出膜厚均勻性之評價值。 評價值=(膜厚最大值-膜厚最小值)/(膜厚平均值´2)´100
比較例之評價值係12.95%，相對於此，實施例之評價值係3.8%。由該結果確認上述步驟S01至S07之塗布處理程序有提高膜厚均勻性之功效。
1‧‧‧基板處理系統2‧‧‧塗布、顯影裝置3‧‧‧曝光裝置4‧‧‧載具塊5‧‧‧處理塊6‧‧‧連接塊11,12,13,14‧‧‧處理模組20‧‧‧旋轉保持部21‧‧‧保持部22‧‧‧旋轉驅動部30‧‧‧處理液供給部31,41‧‧‧噴嘴32,42‧‧‧液源33,43‧‧‧送液部34,44‧‧‧噴嘴搬送部40‧‧‧稀釋液供給部100‧‧‧控制部111‧‧‧液貯留部形成控制部112‧‧‧第一稀釋控制部113‧‧‧.第二稀釋控制部114‧‧‧塗布控制部115‧‧‧第一塗布控制部116‧‧‧第二塗布控制部117‧‧‧保持控制部120‧‧‧電路121‧‧‧處理器122‧‧‧記憶體123‧‧‧儲存器124‧‧‧輸出入埠125‧‧‧計時器201‧‧‧第一區域202‧‧‧第二區域211‧‧‧抗蝕液212‧‧‧稀釋液213‧‧‧混合液221‧‧‧液貯留部221b‧‧‧外周部分A1,A8‧‧‧傳送臂A3‧‧‧搬送臂A7‧‧‧升降臂C‧‧‧載具CL1‧‧‧旋轉中心L1,L2‧‧‧送液管線nv1‧‧‧第一移動速度nv2‧‧‧第二移動速度S01-S07,S11-S15,S21-S28,S31-S34,S41,S42,S51-S53‧‧‧步驟U1‧‧‧塗布單元U2,U4‧‧‧熱處理單元U3‧‧‧顯影單元U10,U11‧‧‧支架單元V1,V2‧‧‧閥W‧‧‧晶圓Wa‧‧‧表面Wb‧‧‧外周w1‧‧‧第一旋轉速度w2‧‧‧第二旋轉速度w3‧‧‧第三旋轉速度w4‧‧‧第四旋轉速度w5‧‧‧第五旋轉速度
[圖1]係顯示基板液處理系統之概略結構的立體圖。 [圖2]係顯示塗布、顯影裝置之概略結構的截面圖。 [圖3]係顯示塗布單元之概略結構的示意圖。 [圖4]係顯示構成控制部之硬體的方塊圖。 [圖5]係顯示塗布處理程序之流程圖。 [圖6]係顯示液貯留部形成處理程序之流程圖。 [圖7](a)、(b)係顯示液貯留部形成處理實行中之晶圓狀態的示意圖。 [圖8]係顯示第一稀釋處理程序之流程圖。 [圖9](a)~(c)係顯示第一稀釋處理實行中之晶圓狀態的示意圖。 [圖10]係顯示第二稀釋處理程序之流程圖。 [圖11](a)~(c)係顯示第二稀釋處理實行中之晶圓狀態的示意圖。 [圖12]係顯示第一塗布處理程序之流程圖。 [圖13]係顯示第二塗布處理程序之流程圖。 [圖14](a)~(c)係顯示第一塗布處理及第二塗布處理實行中之晶圓狀態的示意圖。
S01-S07‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種塗布處理方法，包含：在基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部的條件下，供給該處理液至基板之表面；一面使該基板以設定成使該液貯留部留在該基板之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面供給稀釋液至該基板之表面，並使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外移動至該液貯留部之外周部分；使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外移動至該液貯留部之外周部分後，一面使該基板繼續以該第一旋轉速度旋轉，一面使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外周部分移動至該液貯留部之外；及使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外周部分移動至該液貯留部之外後，使該基板以比該第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使該處理液擴展至該基板之外周側；其中在該基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部的步驟包含：一面使基板以該第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面在包含該基板之旋轉中心的第一區域形成處理液之液貯留部，並在使該處理液未附著在該第一區域之外周側的第二區域的條件下，供給該處理液至該基板之表面，使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外移動至該液貯留部之外周部分包含：使該稀釋液之供給位置由該第二區域移動至該第一區域之外周部分，使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外周部分移動至該液貯留部之外的步驟包含：使該稀釋液之供給位置由該第一區域之外周部分移動至該第二區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗布處理方法，其中使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外周部分移動至該液貯留部之外後，使該基板以比該第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉的步驟包含：使該基板以比該第一旋轉速度高、且使該處理液與該稀釋液之混合液擴展至該基板之外周側的第三旋轉速度旋轉；及使該基板以該第三旋轉速度旋轉後，使該基板以比該第三旋轉速度高、且使該處理液擴展至該基板之外周側的第四旋轉速度旋轉。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之塗布處理方法，其中在使該稀釋液之供給位置由該第二區域移動至該第一區域之外周部分之前，在該基板之外周的內側的位置開始供給該稀釋液。
  4. 如申請專利範圍第3項之塗布處理方法，其中使該基板之旋轉速度成為比該第一旋轉速度低之第五旋轉速度之後，開始供給該稀釋液。
  5. 如申請專利範圍第4項之塗布處理方法，其中在開始供給該稀釋液之後，開始移動該稀釋液之供給位置前，使該基板以該第五旋轉速度繼續旋轉一周以上。
  6. 如申請專利範圍第3項之塗布處理方法，其中使該稀釋液之供給位置由該第一區域之外周部分移動至該第二區域之後，在該稀釋液之供給位置在該基板之外周的內側的狀態下停止供給該稀釋液。
  7. 如申請專利範圍第3項之塗布處理方法，其中在該基板之表面為乾燥的狀態下，開始對該基板之表面供給該處理液，並在該第二區域為乾燥之狀態下，開始供給該稀釋液。
  8. 一種塗布處理裝置，包含：旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉；處理液供給部，其供給處理液至該基板之表面；稀釋液供給部，其供給稀釋液至該基板之表面；及控制部，該控制部具有：液貯留部形成控制部，其控制該處理液供給部，在該基板之表面的中心部形成處理液之液貯留部的條件下，供給該處理液至基板之表面；第一稀釋控制部，其在該液貯留部形成控制部的控制之後，一面控制該旋轉保持部，使該基板以設定成使該液貯留部留在該基板之外周的內側的第一旋轉速度旋轉，一面控制該稀釋液供給部，供給稀釋液至該基板之表面，並使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外移動至該液貯留部之外周部分；第二稀釋控制部，其在該第一稀釋控制部的控制之後，一面控制該旋轉保持部，使該基板繼續以該第一旋轉速度旋轉，一面控制該稀釋液供給部，使該稀釋液之供給位置由該液貯留部之外周部分移動至該液貯留部之外；及塗布控制部，其在該第二稀釋液控制部的控制之後，控制該旋轉保持部，使該基板以比該第一旋轉速度高之旋轉速度旋轉，藉此使該處理液擴展至該基板之外周側。
  9. 如申請專利範圍第8項之塗布處理裝置，其中該液貯留部形成控制部一面控制該旋轉保持部，使基板以該第一旋轉速度以上之第二旋轉速度旋轉，一面控制該處理液供給部，在包含該基板之旋轉中心的第一區域形成處理液之液貯留部，並在使該處理液未附著在該第一區域之外周側的第二區域的條件下，供給該處理液至該基板之表面，該第一稀釋控制部控制該稀釋液供給部，使該稀釋液之供給位置由該第二區域移動至該第一區域之外周部份，該第二稀釋控制部控制該稀釋液供給部，使該稀釋液之供給位置由該第一區域之外周部份移動至該第二區域。
  10. 如申請專利範圍第9項之塗布處理裝置，其中該塗布控制部包含：第一塗布控制部，其控制該旋轉保持部，使該基板以比該第一旋轉速度高、且使該處理液與該稀釋液之混合液擴展至該基板之外周側的第三旋轉速度旋轉；及第二塗布控制部，其在該第一塗布控制部的控制之後，控制該旋轉保持部，使該基板以比該第三旋轉速度高、且使該處理液擴展至該基板之外周側的第四旋轉速度旋轉。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之塗布處理裝置，其中該第一稀釋控制部控制該稀釋液供給部，在使該稀釋液之供給位置由該第二區域移動至該第一區域之外周部分之前，在該基板之外周的內側的位置開始供給該稀釋液。
  12. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中該第一稀釋控制部控制該旋轉保持部，使該基板之旋轉速度成為比該第一旋轉速度低之第五旋轉速度之後，控制該稀釋液供給部開始供給該稀釋液。
  13. 如申請專利範圍第12項之塗布處理裝置，其中該第一稀釋控制部在控制該稀釋液供給部開始供給該稀釋液之後，並且在控制該稀釋液供給部使該稀釋液之供給位置開始移動之前，控制該旋轉保持部，使該基板繼續以該第五旋轉速度旋轉一周以上。
  14. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中該第二稀釋控制部在控制該稀釋液供給部使該稀釋液之供給位置由該第一區域之外周部分移動至該第二區域之後，控制該稀釋液供給部在該稀釋液之供給位置在該基板之外周的內側的狀態下停止供給該稀釋液。
  15. 如申請專利範圍第11項之塗布處理裝置，其中該液貯留部形成控制部控制處理液供給部，在該基板之表面為乾燥的狀態下開始對該基板之表面供給該處理液，該第一稀釋控制部控制該稀釋液供給部，在該第二區域為乾燥之狀態下開始供給該稀釋液。
  16. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄了用以使裝置實行如申請專利範圍第1至7項中任一項之塗布處理方法的程式。
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