TWI791976B - 成型裝置、成型方法及物品之製造方法 - Google Patents

成型裝置、成型方法及物品之製造方法 Download PDF

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Abstract

一種成型裝置，其為使用模具將基板之上的組成物進行成型者，具備：供應部，其對前述基板之上供應組成物；複數個處理部，其包含在前述基板之上將透過前述供應部而供應的前述組成物與前述模具予以接觸的第1處理部及第2處理部；和基板搬送部，其將透過前述供應部被供應前述組成物的前述基板搬送至前述第1處理部，將接著前述基板被供應前述組成物的別的基板搬送至前述第2處理部。

Description

成型裝置、成型方法及物品之製造方法
本發明涉及成型裝置、成型方法及物品之製造方法。
製造半導體裝置、MEMS等的物品之方法方面，已知使用模具(mold)使基板上的壓印材成型的壓印方法。壓印技術為將供應至基板上的壓印材與模具予以接觸並對壓印材提供硬化用的能量從而形成被轉印模具的凹凸圖案的硬化物的圖案的微細加工技術。 再者，已提出使用壓印裝置將基板的表面進行平坦化的技術(參見日本特表2011-529626號公報)。歷來，將基板的表面進行平坦化的技術方面，雖已知使用既存的塗佈裝置(旋轉塗佈機)在基板上形成塗佈膜從而將基板的表面的階差進行平坦化的技術，惟要將基板的表面的階差以奈米級進行平坦化時不充分。另一方面，揭露於日本特表2011-529626號公報的技術為根據基板的階差而供應可聚合物質並在使具有平坦的表面的模版接觸於被供應的可聚合物質的狀態下將可聚合物質予以硬化從而使平坦化的精度提升者。 在應用在日本特表2011-529626號公報提出的壓印裝置的平坦化處理方面，歷經圖1A的供應程序、圖1B的壓印程序、圖1C的硬化程序、圖1D的脫模程序，基板被平坦化。在平坦化裝置，與壓印裝置不同之點在於，作為模具使未形成有圖案的平板(稱為超直模(super straight))接觸於供應至基板的表面的全區的組成物，總括地將組成物予以硬化。 因此，於平坦化裝置對基板的表面的全區供應的組成物的硬化時間比壓印裝置長。此外，平坦化裝置需要多量的硬化能，使對基板的表面的全區供應的組成物與模具的接觸並脫模之際的密接力亦高達數百N級。為此，上述的壓印程序、硬化程序、脫模程序分別可能需要數10秒，組成物的供應程序後的每1個基板的平坦化處理方面耗費時間。僅循序處理示於圖1A-1D的平坦化處理的4個程序時，平坦化裝置每1小時最多數10個處理量為極限。要提高平坦化裝置的生產性，需要為了縮短各程序的處理時間至極限、或並列處理複數個基板而謀求平坦化裝置的叢集化。 在日本特開2016-149576號公報，揭露在基板上塗佈有機材料的塗佈處理部與將基板進行加熱處理的熱處理部等被分別配置複數個並被叢集化的處理裝置。在平坦化裝置，亦將進行組成物的供應、壓印處理、硬化處理、脫模處理的處理部分別叢集化時，裝置的佔用面積恐增大。
[發明所欲解決之問題] 本發明提供在為了減低被叢集化的成型裝置的佔用面積方面有利的技術。 本發明的1個方案提供一種成型裝置，其為使用模具將基板之上的組成物進行成型者，具備：供應部，其對前述基板之上供應組成物；複數個處理部，其包含在前述基板之上將透過前述供應部而供應的前述組成物與前述模具予以接觸的第1處理部及第2處理部；和基板搬送部，其將透過前述供應部被供應前述組成物的前述基板搬送至前述第1處理部，將接著前述基板被供應前述組成物的別的基板搬送至前述第2處理部。 本發明的其他特徵及優點將透過參照圖式下的以下的說明而明朗化。
以下，根據圖式詳細說明本發明的優選實施方式。另外，於各圖，就相同的構材標注相同的參考符號，重複之說明省略。 (第1實施方式) 圖1A-1D為就本實施方式的平坦化處理進行繪示的圖。使用圖1A-1D就在平坦化處理之複數個程序的各者進行說明。在平坦化處理，歷經圖1A的供應程序、圖1B的壓印程序、圖1C的硬化程序、圖1D的脫模程序，基板可被平坦化。 在示於圖1A的供應程序，對保持於基板載台1的基板W的表面從供應部DP(分配器)供應作為平坦化材料的組成物ML。此時，供應部DP依形成於基板W的表面的凹凸圖案等的配置，使組成物的供應量分散而進行供應。 在示於圖1B的壓印程序，將與基板W具有同等以上的外徑的模具(例如，平板、超直模)SS予以與組成物ML接觸而將模具SS按住於基板W的表面的全區，從而使組成物ML層狀地擴散。 在示於圖1C的硬化程序，在模具SS與基板W之上的組成物ML接觸的狀態下，使組成物硬化。在本實施方式，說明有關使用因從光源IL照射的紫外線而硬化的光硬化性的組成物而將基板進行平坦化的平坦化處理。平坦化裝置從光源IL將紫外線對基板W的表面的全區總括地照射，使層狀地擴散的組成物ML硬化。 在示於圖1D的脫模程序，從基板W之上的硬化的組成物ML使模具SS分離，使得基板W被平坦化。如此，平坦化處理的各程序以歷來的壓印技術為基礎。按基板重複示於圖1的平坦化處理的各程序，使得可將複數個基板進行平坦化。 如此，應用壓印技術的平坦化處理為依基板的階差而供應組成物並使稱為超直模的平坦且薄的模具接觸於供應的組成物而使組成物硬化從而以奈米級進行平坦化的技術。 一般而言，在半導體裝置製程等被利用的歷來的壓印技術方面，按形成於基板的複數個壓擊區域重複壓印處理使得形成於模具的圖案被轉印於基板上的壓印材下去。然而，平坦化處理的情況下，上述的程序之中，壓印程序、硬化程序、脫模程序方面需要大量時間。所以，本實施方式的平坦化裝置是為了可並列執行平坦化處理而將進行平坦化處理的平坦化處理部進行叢集化者。 就第1實施方式的平坦化裝置使用圖2進行說明。圖2為就第1實施方式的平坦化裝置100進行繪示的圖。在此，使平坦化裝置100的高度方向為Z方向、使配置基板W的面為XY面而如示於圖般定出各軸。圖2示出從上方視看第1實施方式的平坦化裝置100的整體時的XY平面圖。 如示於圖2，第1實施方式的平坦化裝置100在基板搬送部201的周圍配置基板搬送模組204、對準台205、平坦化處理部R。 基板搬送模組204亦稱為EFEM( EquipmentFrontEndModule)，可構成為平坦化裝置100的一部分，亦可作為與平坦化裝置100為不同的裝置而連接於平坦化裝置100。於基板搬送模組204連接基板搬送容器203、熱處理部209、對準台205。 基板搬送容器203亦稱為FOUP，可收納複數個基板並使基板出入，可在與平坦化裝置100為不同的裝置之間搬送基板。收納於基板搬送容器203的基板透過基板搬送模組204被搬入至平坦化裝置100。 在對準台205，就透過基板搬送模組204從基板搬送容器203搬送來的基板W的相對於Z軸之旋轉方向θz的位置進行計測，或進行基板W的溫度調節。收納於基板搬送容器203的基板W首先透過基板搬送模組204被往對準台205搬送。例如，在對準台205，就形成於基板W的槽口(切槽部)進行計測從而可計測基板W的θz方向的位置。根據在對準台205計測的計測結果，對基板搬送部201進行基板W的對準。 熱處理部209可將基板W進行烘烤處理(加熱處理)或進行冷卻處理。熱處理部209可構成為平坦化裝置100的一部分，亦可作為與平坦化裝置100為不同的裝置而連接於平坦化裝置100。 平坦化處理部R在其內部依序執行示於圖1B至圖1D的平坦化處理的複數個程序。於本實施方式的平坦化裝置100，示於圖1A的塗佈程序在被搬入平坦化處理部R前被執行，在平坦化處理部R不執行塗佈程序。為此，平坦化處理部R的各者被配置超直模SS作為模具，具備保持基板W的基板載台1，不具備供應部DP。此外，平坦化處理部R亦可個別地具備執行壓印程序的壓印處理部206、執行硬化程序的硬化處理部207、執行脫模程序的脫模處理部208，可在該等處理部依序執行平坦化處理。示於圖2的平坦化裝置100雖將複數個平坦化處理部R配置於XY平面，惟亦可將複數個平坦化處理部R堆積於Z方向(垂直方向)而配置。 基板搬送部201具備保持基板W的基板保持部202。基板搬送部201具備使用基板保持部202使基板W移動於並進方向(XY方向)、鉛直方向(Z方向)、旋轉方向(θz方向)的驅動機構，可使基板W移動至任意的場所。基板搬送部201使用該並進、鉛直、旋轉移動機構從對準台205接收基板W，往複數個平坦化處理部R搬送基板W。 本實施方式的平坦化裝置100在基板W被從對準台205往平坦化處理部R搬送的路徑上的一處配置將組成物ML供應至基板W上的供應部DP。在圖2的平坦化裝置100示出在基板搬送部201的正上方配置供應部DP之例。藉此，在被透過基板保持部202而保持的基板W被透過基板搬送部201而搬送的期間，供應部DP可將組成物ML供應至基板W之上。 供應部DP的配置處不限於基板搬送部201的正上方，例如亦可為在基板搬送模組204內。此情況下，供應部DP在從基板搬送容器203搬出的基板W被搬送至對準台205的路徑上的一處，對基板W之上供應組成物ML。被供應組成物ML的基板W在對準台205被計測基板W的位置後，透過基板搬送部201被搬送至平坦化處理部R。 供應部DP亦被稱為分配器，連接於循環器211。循環器211為了將組成物ML的物性、供應部DP的吐出面的潤濕性、內部壓力分別維持為一定，透過複數個泵浦將組成物ML從儲存罐予以持續循環至供應部DP的吐出面。 平坦化裝置100的組成物ML方面，使用因給予硬化用的能量而硬化的硬化性組成物(有時亦稱為未硬化狀態的樹脂)。硬化用的能量方面，可使用電磁波、熱等。電磁波方面，例如，可使用從10nm以上且1mm以下的範圍選擇其波長的紅外線、可見光線、紫外線等的光。 硬化性組成物為因光的照射或因加熱而硬化的組成物。因光的照射而硬化的硬化性組成物至少含有聚合性化合物與光聚合引發劑，亦可依需求含有非聚合性化合物或溶劑。非聚合性化合物為由增感劑、供氫體、內添型脫模劑、界面活性劑、抗氧化劑、聚合物成分等的群組中選擇的至少一種。 組成物ML亦可使用旋轉塗佈機、狹縫塗佈機作為供應部DP在基板上膜狀地提供。此外，組成物ML亦可透過液體噴射頭被以液滴狀、或複數個液滴連結而形成的島狀或膜狀而提供至基板上。組成物ML的黏度(25℃下的黏度)為例如1mPa・s以上且100mPa・s以下。 在基板W方面，使用玻璃、陶瓷、金屬、半導體、樹脂等，亦可依需求於其表面形成由與基板為不同的材料而成的構材。具體而言，基板包含矽晶圓、化合物半導體晶圓、石英玻璃等。 在平坦化裝置100可具備就各部分的動作進行控制的控制部210(控制台及控制器)。控制部210進行基板W的搬送控制、透過供應部DP之組成物的供應控制、平坦化處理部R的運轉控制等，可控制在基板W的平坦化處理之一連串的序列。控制部210可設於平坦化裝置100內，亦可設置於與平坦化裝置100不同之處而以遠程進行控制。 亦可對1個基板W重複圖1A至圖1D為止的平坦化處理複數次。在半導體的製程之後程序可包含以電漿蝕刻、塗佈、洗淨、離子注入等對基板W施加高熱的處理。將基板W暫時平坦化後使得組成物ML因在後程序被施加的熱而被收縮、應變釋放，基板W的平坦度可能再次降低。每次基板W的平坦度降低即將基板W進行平坦化處理的情況效率不佳。所以，優選上在平坦化裝置100具備熱處理部209，使得可在緊接著平坦化處理之後進行熱循環而預先將基板W的組成物ML予以收縮並使應變釋放後迅速將基板W送至後程序。 熱處理部209亦可在其內部具備複數個熱處理部。例如，熱處理部209亦可在將基板W以固定間隔堆積於垂直方向並儲存一定數的基板W後以批量式執行烘烤及冷卻。藉此，亦可將返回基板搬送模組204的基板W直接送至熱處理部209，靈活應對於進行約250℃至400℃的烘烤與急速冷卻等的因使用者而異的基板處理。 在平坦化處理使用的組成物ML可為硬化性組成物，具有高的揮發性。組成物ML的揮發有可能對平坦化處理後的膜厚、階差如此的平坦化性能的變異性造成影響。為此，對基板之上供應組成物後，優選上迴避基板在平坦化裝置的內部維持未處理而跨長時間被設為待機狀態的狀況(組成物大量揮發的狀況)。亦即，在處理複數個基板的平坦化裝置，優選上被排程為，在該等基板之間在平坦化處理之組成物ML的揮發時間成為彼此相同。 為了在複數個基板之間使揮發時間彼此相同，例如考量將與進行平坦化處理的複數個處理部R同數的供應部DP配置於平坦化裝置100，使組成物的供應至壓印為止的處理時間為一定。然而，供應部DP(分配器)的個數增加時，可能使得因平坦化裝置100的大型化、複數個供應部間的噴嘴本身的不穩定性、個體差、歷時變化而發生的吐出方向、速度、吐出量、潤濕性如此的吐出變異性增大。為此，本實施方式的平坦化裝置100如上述般配置相對於可並列處理的複數個處理部為共通的供應部DP。迄今為止，例示第1實施方式的平坦化裝置100的基本佈局。 以下，就為了令使用平坦化裝置100之圖1A的供應程序至圖1B的壓印程序為止的處理時間在複數個基板之間彼此相同用的平坦化處理的方法進行說明。圖3示出透過平坦化裝置100之平坦化處理的程序的流程。如示於圖3，在1個基板W的處理流程可包含加載程序、對準程序、分配程序、平坦化處理、卸載搬送程序、卸載程序，可依此順序執行處理流程。 在加載程序，可包含從基板搬送容器203(FOUP)往基板搬送模組204(EFEM)將基板W加載的時間T1、和從基板搬送模組204往對準台205將基板W加載的時間T2。在加載程序的執行方面，可能需要時間T1+T2。 對準程序可包含在對準台205上將基板W進行對準的程序。於對準程序的執行，可能需要時間T3。 分配程序可包含在基板搬送部201從對準台205將基板W搬出並搬送至處理部R為止的期間，透過供應部DP對基板W的表面供應組成物ML的程序。分配程序可包含基板搬送部201從對準台205搬出基板的時間T4、一面供應組成物ML一面將基板W搬送至處理部R為止的時間T5、和往處理部R將基板W進行加載的時間T6。於分配程序的執行，可能需要時間T4+T5+T6。 並且，在處理部R可依序執行平坦化處理。於平坦化處理，可包含壓印程序時間T7、硬化程序時間T8、脫模程序時間T9。於平坦化處理的執行，可能需要時間T7+T8+T9。此時間為基板W滯留於處理部R的時間。第1個基板在處理部1被進行平坦化處理。一連串的平坦化處理完成時，基板W可搬送至基板搬送容器203而被回收(卸載)。 作為一例，卸載搬送程序假定為包含從處理部R以基板搬送部201搬出基板W的時間T6、搬送至對準台205的時間T5、往對準台205搬出的時間T4。此情況下，於卸載搬送程序的執行，需要時間T4+T5+T6。於此，卸載搬送程序假定為與分配程序所需的時間同等。可依搬送方法調節卸載搬送程序的時間。 最後，卸載程序可包含從對準台205往基板搬送模組204卸載的時間T2、和從基板搬送模組204往熱處理部209移載基板W的時間T10。於卸載程序的執行，可能需要時間T2+T10。 因此，在平坦化裝置100的1個基板W的處理所需的合計時間T可為T=T1+T3+2×(T2+T4+T5+T6)+T7+T8+T9 +T10(式(1))。將複數個基板進行平坦化處理的情況下，就複數個基板每一個耗費上述時間T而進行平坦化處理下去時需要大量時間，故並不現實。本實施方式的平坦化裝置是與第1個基板W並行而依序將第2個之後的基板W進行平坦化處理。 例如，如示於圖3，在第1個基板W在對準程序的期間對第2個基板W實施加載程序。接著，在第1個基板W處於分配程序的期間，對第2個基板W進行對準程序，對第3個基板W實施加載程序。接著，在第1個基板W被搬送至第1處理部並進行平坦化處理的期間對第2個基板W進行分配程序及平坦化處理，對第3個基板進行對準程序，對第4個基板W實施加載程序。於此，第2個基板W(與第1個基板為不同的基板)是為了被搬送至第2處理部並進行平坦化處理，可將第1個基板與第2個基板並行而處理(同時處理)。如此，排程為依序處理基板時，可並列處理複數個基板W。 可在時間T的期間完全並列處理複數個基板W時雖為理想，惟在示於圖3的平坦化處理的排程，在複數個基板的各者，加算卸載時間T2+T10的量。為此，將N個基板W進行平坦化處理的情況下，雖需要時間N×(T2+T10)+T，惟比起在一個處理部依序處理N個基板的情況，可縮短處理時間。 此情況下，分配程序所需的時間優選上被排程為在複數個基板W的範圍成為一定時間(在複數個基板W之間彼此相同的時間)。亦即，本實施方式的平坦化裝置100可透過組成物被以供應部DP供應至基板後基板被以並列供應至複數個處理部R的系統構成，使從圖1A的供應程序至圖1B的壓印程序為止的時間在複數個基板間成為彼此相同。如此，使用第1實施方式的平坦化裝置而執行上述的平坦化處理，使得即使在處理複數個基板的情況下仍可防止平坦化裝置的大型化。此外，控制為透過平坦化裝置的平坦化處理所需的時間在複數個基板的範圍成為一定，使得可控制平坦化性能的變異性。 依本實施方式的平坦化裝置及平坦化方法時，可提供在將複數個基板進行平坦化之際一面抑制複數基板間的平坦化性能的變異性一面生產性提升的平坦化裝置。 (第2實施方式) 接著，根據圖4就第2實施方式的平坦化裝置101進行說明。要從第1實施方式的平坦化裝置100進一步提升生產性，優選上一面盡可能抑制佔用面積增加，一面使叢集化的處理部的個數增加。 圖4示出將第1實施方式的平坦化裝置叢集化的情況下的平坦化裝置101的整體圖。於圖4的平坦化裝置101，就與圖2的平坦化裝置相同的構材標注相同的參考符號，重複之說明省略。 在第2實施方式的平坦化裝置101，例如將基板搬送模組204往-Y方向予以延伸，配置以點線包含的追加台401。追加台401可為一個，亦可如例示於圖4般為複數個。於追加台401，可包含基板搬送部201與供應部DP。再者，在個別的基板搬送部201的周圍可配置複數個平坦化處理部R。當然，亦可在+Y方向追加追加台401。 此外，第2實施方式的平坦化裝置101，係對複數個處理台共用對準台205、熱處理部209，使得可進一步防止平坦化裝置的佔用面積的增加。此外，假設排除設置目的地的佔用面積的約束時，物理上成為可將追加台401往±Y方向配置多數個的構成。依第2實施方式時，可抑制平坦化裝置101的大型化，使生產性提升。 (第3實施方式) 接著，根據圖5就第3實施方式的平坦化裝置102進行說明。如示於圖5，第3實施方式的平坦化裝置102在基板搬送模組204的周圍配置複數個基板搬送容器203、熱處理部209、供應台501、複數個平坦化處理部R。 第3實施方式的供應台501具備對準台205與供應部DP，在對準台205之上方配置供應部DP。供應部DP如同第1實施方式的平坦化裝置100的供應部，連接於循環器211。 基板W被透過基板搬送模組204從基板搬送容器203搬出後，往供應台501搬送(加載程序)。在供應台501之中，對準台205被固定，供應部DP一面往±X方向移動一面塗佈組成物ML，使得組成物ML可被供應至基板W的表面上。或者，亦可與此相反，對準台205兼作為第1實施方式的基板搬送部201或基板載台1，對準台205一面往±X方向移動一面透過供應部DP使組成物ML供應至基板W的表面。此時，亦可供應部DP維持被固定而塗佈組成物ML，可一面移動於與對準台205相反方向一面塗佈組成物ML。或者，在對準台205被計測基板W的位置後，亦可在以基板搬送模組204的基板保持部202(搬送手)保持基板W的狀態下對基板W的表面供應組成物。 於供應台501完成供應程序(分配程序)後，基板W被透過基板搬送模組204往平坦化處理部R搬送。之後，在平坦化處理部R，如同第1實施方式，對基板W執行如示於圖1A至圖1D的平坦化處理。基板W，係平坦化處理的完畢後，再次透過基板搬送模組204往熱處理部209搬送。在熱處理部209，可將被平坦化處理的基板W依序進行熱處理，亦可儲存一定個數後一起進行熱處理。對於複數個基板W之平坦化處理被依在第1實施方式說明的平坦化處理的流程而執行。 如此般第3實施方式的平坦化裝置102如同第1實施方式，為從一個供應部往複數個平坦化處理部R並列供應基板的平坦化裝置的構成。此外，平坦化裝置102對複數個基板W的各者使圖1A的供應程序至圖1B的壓印程序為止的處理時間為相同的時間。 依第3實施方式時，在對準台205配置供應部DP，從而可抑制平坦化裝置100的大型化，使生產性提升。此外，在第3實施方式的平坦化裝置102，基板搬送模組204直接將基板遞交給複數個平坦化處理部R的各者，故不需要基板搬送部201，可縮短搬送基板W的時間。 (第4實施方式) 接著，根據圖6就第4實施方式的平坦化裝置103進行說明。如同第1實施方式的平坦化裝置100，於第3實施方式的平坦化裝置102，要進一步提升生產性，亦優選上一面盡可能抑制佔用面積增加，一面使叢集化的處理部的個數增加。 圖6示出將第3實施方式的平坦化裝置叢集化的情況下的平坦化裝置103的整體構成。於圖6的平坦化裝置103，就與圖5的平坦化裝置相同的構材標注相同的參考符號，重複之說明省略。 第4實施方式的平坦化裝置103是例如往-Y方向配置以點線包圍的追加台601。追加台601可為一個，亦可如例示於圖6般為複數個。於追加台601，可包含基板搬送模組204。再者，可於個別的基板搬送模組204的周圍配置複數個平坦化處理部R。當然，亦可在+Y方向配置追加台601。 此外，第4實施方式的平坦化裝置103是於複數個處理台共用供應台501、熱處理部209，使得可進一步防止平坦化裝置的佔用面積的增加。第4實施方式的平坦化裝置103的追加台601為對第3實施方式的平坦化裝置102共用連接目的地的供應台501並追加熱處理部209的構成。再者，追加台602為對第3實施方式的平坦化裝置102共用連接目的地的熱處理部209並追加供應台501的構成。 此外，假設排除設置目的地的佔用面積的約束時，物理上成為可將追加台601、追加台602往±Y方向配置多數個的構成。第4實施方式的平坦化裝置103可提供在將複數個基板進行平坦化處理之際抑制裝置的大型化且生產性提升的平坦化裝置。 (第5實施方式) 接著，根據圖7就第5實施方式的平坦化裝置104進行說明。如示於圖7，第5實施方式的平坦化裝置104為可具有對第1實施方式的平坦化裝置100的基本構成追加為了將在平坦化處理部R使用的模具(超直模)SS進行交換用的機構的構成。在第5實施方式的平坦化裝置104，可在基板搬送部201包含基板保持部202與模具保持部701。 在保持模具SS的模具保持部701，可使用眾知的白努力式手件或握邊式手件。此時，模具保持部701優選上以未接觸於模具SS與組成物ML接觸之面(壓印面)而保持。 模具SS從基板搬送容器203以與基板W相同的搬送路線搬送至模具保持部701。因此，優選上在基板搬送模組204內的搬送手、對準台205亦具備模具保持部702，從基板搬送容器203至平坦化處理部R以未接觸於壓印面的方式被搬送。並且，透過模具保持部701保持的模具SS可透過基板搬送部201被搬送至各個平坦化處理部R，透過平坦化處理部R的內部的交換機構進行交換。模具SS的交換以平坦化裝置104運轉中的平坦化處理的處理量不降低的方式，在與交換對象為不同的平坦化處理部R或熱處理部209進行基板W的處理的期間被實施。 (第6實施方式) 接著，根據圖8就第6實施方式的平坦化裝置105進行說明。如示於圖8，第6實施方式的平坦化裝置105可具有對第1實施方式的平坦化裝置100的基本構成追加為了從供應部DP週期性吐出組成物用的機構的構成。在第6實施方式的平坦化裝置105，可在供應部DP的附近配置吐出用托盤801。 組成物ML揮發性高，供應部DP的吐出面時常不穩定，吐出方向、速度、吐出量、潤濕性如此的供應部DP的噴嘴本身的吐出性能有可能歷時變化。為此，要維持組成物被吐出的噴嘴的吐出性能，可週期性吐出組成物。供應部DP可朝與基板W為不同的吐出用托盤801吐出組成物。 所以，於第6實施方式的平坦化裝置105，設置吐出用托盤801。於供應部DP週期性吐出組成物的構成方面，可吐出用托盤801配置於供應部DP的正下方，亦可供應部DP移動至吐出用托盤801的正上方。於供應部DP週期性吐出組成物的構成方面，亦可吐出比對基板上供應組成物時更多的量。藉此，可穩定地維持供應部DP的噴嘴的吐出性能。 在上述的實施方式，在成型裝置方面，說明有關使用具有未形成有圖案的平面部的稱為超直模的平板作為模具SS而將基板上的組成物進行平坦化的平坦化裝置100。然而，成型裝置不限定於平坦化裝置，可為使用具有形成有凹凸狀的圖案的圖案部者作為模具而在基板上的壓印材形成圖案的壓印裝置。 此情況下，模具是為了將基板上的壓印材進行成型而使用。模具亦可稱為模版或原版。模具具有矩形的外形形狀，具有形成有應轉印於基板W(之上的壓印材)的圖案(凹凸圖案)的圖案面(第1面)。模具是使為了將基板上的壓印材予以硬化用的紫外線透射的材料例如以石英等構成。此外，在模具的圖案面，形成作用為對準標記的模具側標記。 作為上述的成型裝置的平坦化裝置、壓印裝置雖就使用光硬化法將組成物、壓印材予以硬化的方法進行說明，惟任一個實施方式皆不限於光硬化法，亦可為使用熱將組成物、壓印材予以硬化的方法。 在光硬化法，在使用紫外線硬化樹脂將模具隔著樹脂壓於基板的狀態下照射紫外線而使樹脂硬化後，從硬化的樹脂將模具分離從而形成圖案。上述的實施方式雖採取照射紫外線作為硬化光，惟光的波長可依供應至基板W上的組成物、壓印材而酌情決定。 相對於此，在使用熱的方法，將熱塑性樹脂加熱為玻璃轉移溫度以上的溫度，在提高樹脂的流動性的狀態下隔著樹脂將模具壓於基板，冷卻後從樹脂將模具分離從而形成圖案。 此外，亦可在如示於圖1D般表面被透過上述的平坦化裝置100平坦化的基板上使用壓印裝置而形成硬化物的圖案。以下，使用壓印裝置就在基板上形成硬化物的圖案的方法進行說明。 利用壓印裝置而形成的硬化物的圖案恒久使用於各種物品的至少一部分，或暫時使用於製造各種物品之際。物品為電路元件、光學元件、MEMS、記錄元件、感測器或模具等。電路元件方面，舉例如DRAM、SRAM、快閃記憶體、MRAM的揮發性或非揮發性的半導體記憶體、如LSI、CCD、影像感測器、FPGA的半導體元件等。模具方面，舉例壓印用的模具等。 硬化物的圖案直接被作為上述物品的至少一部分的構材而使用，或者被作為抗蝕遮罩而暫時使用。於基板的加工程序中進行蝕刻或離子注入等後，抗蝕遮罩被除去。 接著，說明有關物品的具體的製造方法。如示於圖9A，準備矽晶圓等的基板1z，該基板為絕緣體等的被加工材2z被形成於表面者；接著透過噴墨法等對被加工材2z的表面供應壓印材3z。此處示出複數個成為液滴狀的壓印材3z被提供至基板上的情形。 如示於圖9B，使壓印用的模具4z，將被形成該凹凸圖案之側朝向基板上的壓印材3z，予以相向。如示於圖9C，使被提供壓印材3z的基板1z與模具4z接觸，施加壓力。壓印材3z被填充於模具4z與被加工材2z之間隙。在此狀態下將光透射過模具4z而照射作為硬化用的能量時，壓印材3z會硬化。 如示於圖9D，使壓印材3z硬化後，將模具4z與基板1z分離時，在基板1z上形成壓印材3z的硬化物的圖案。此硬化物的圖案成為模具的凹部對應於硬化物的凸部、模具的凸部對應於硬化物的凹部的形狀，亦即，變成於壓印材3z轉印模具4z的凹凸圖案。 如示於圖9E，將硬化物的圖案作為抗蝕遮罩進行蝕刻時，被加工材2z的表面之中，無硬化物或殘存薄的硬化物的部分被除去，成為溝5z。如示於圖9F，將硬化物的圖案除去時，可獲得在被加工材2z的表面形成溝5z的物品。此處雖除去硬化物的圖案，惟亦可加工後亦不除去，例如用作為半導體元件等所含的層間絕緣用的膜，亦即用作為物品的構材。 雖參照例示性的實施方式而說明本發明，惟應理解本發明不限定於揭露的例示性的實施方式。申請專利範圍應被給予最廣泛的解釋為包含如此的所有的修正及同等的構造及功能。
1:基板載台 100:平坦化裝置 101:平坦化裝置 102:平坦化裝置 103:平坦化裝置 104:平坦化裝置 105:平坦化裝置 201:基板搬送部 202:基板保持部 203:基板搬送容器 204:基板搬送模組 205:對準台 206:壓印處理部 207:硬化處理部 208:脫模處理部 209:熱處理部 210:控制部 211:循環器 401:追加台 501:供應台 601:追加台 602:追加台 701:模具保持部 702:模具保持部 801:吐出用托盤 1Z:基板 2Z:被加工材 3Z:壓印材 4Z:模具 DP:供應部 IL:光源 ML:組成物 R:平坦化處理部 SS:超直模 W:基板
[圖1A]示出平坦化處理的圖。 [圖1B]示出平坦化處理的圖。 [圖1C]示出平坦化處理的圖。 [圖1D]示出平坦化處理的圖。 [圖2]就第1實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖3]就第1實施方式的平坦化處理的程序進行繪示的流程。 [圖4]就第2實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖5]就第3實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖6]就第4實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖7]就第5實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖8]就第6實施方式的平坦化裝置進行繪示的整體圖。 [圖9A]為了說明物品之製造方法用的圖。 [圖9B]為了說明物品之製造方法用的圖。 [圖9C]為了說明物品之製造方法用的圖。 [圖9D]為了說明物品之製造方法用的圖。 [圖9E]為了說明物品之製造方法用的圖。 [圖9F]為了說明物品之製造方法用的圖。
100:平坦化裝置
201:基板搬送部
202:基板保持部
203:基板搬送容器
204:基板搬送模組
205:對準台
206:壓印處理部
207:硬化處理部
208:脫模處理部
209:熱處理部
210:控制部
211:循環器
DP:供應部
R:平坦化處理部
W:基板

Claims (12)

  1. 一種成型裝置，其具備：供應部，其配置以將組成物供應至包含第1基板與第2基板的複數個基板中的每一者上；複數個處理部，其包含第1處理部及第2處理部，前述第1處理部配置以使第1模具與供應至前述第1基板上的前述組成物接觸，前述第2處理部配置以使第2模具與供應至前述第2基板上的前述組成物接觸；和基板搬送部，其配置以將前述複數個基板中的每一者搬送至從前述複數個處理部中選擇的一處理部；前述供應部在前述第1基板被透過前述基板搬送部搬送至前述第1處理部的期間在一位置將前述組成物供應至前述第1基板上，且前述供應部在前述第2基板被透過前述基板搬送部搬送至前述第2處理部的期間在前述位置將前述組成物供應至前述第2基板上，前述位置對於前述複數個基板為共同者；前述基板搬送部進一步配置以將被透過前述供應部供應有前述組成物的前述第1基板搬送至前述第1處理部，之後將被透過前述供應部供應有前述組成物的前述第2基板搬送至前述第2處理部。
  2. 如請求項1之成型裝置，其中，前述成型裝置為配置以將前述複數個基板上的組成物進行成型的裝置，前述基板搬送部在從前述組成物被供應於前述複數個 基板後搬送前述複數個基板至前述複數個處理部中的任一者方面耗費的時間在前述複數個基板之間彼此相同。
  3. 如請求項1之成型裝置，其具備配置以在前述處理部將前述複數個基板中的每一者上的前述組成物予以硬化後將前述複數個基板中的每一者進行加熱處理的熱處理部。
  4. 如請求項1之成型裝置，其同時進行透過前述第1處理部之對於前述第1基板的處理和透過前述第2處理部之對於前述第2基板的處理。
  5. 如請求項1之成型裝置，其中，前述成型裝置使用與前述基板上的組成物進行接觸的部分為平面的模具作為前述模具從而將前述基板上的組成物進行平坦化。
  6. 如請求項1之成型裝置，其中，前述成型裝置使用形成有凹凸狀的圖案的模具作為前述模具從而在前述基板上形成組成物的圖案。
  7. 如請求項1之成型裝置，其具備配置以相對於前述基板搬送部對準前述前述複數個基板中的每一者的位置的對準台，前述供應部在對於前述複數個處理部為共同的搬送路徑上的位置將前述組成物供應至在每一個基板經由前述搬送路徑從前述對準台搬送至選自前述複數個處理部的處理部的期間被對準的前述複數個基板中的每一者上，前述供應部配置在前述搬送路徑的上方。
  8. 如請求項1之成型裝置，其中，前述供應部由前述複數個處理部共享，且前述供應部配置以依序將組成物供應至前述複數個基板上。
  9. 如請求項7之成型裝置，其中，前述對準台由前述複數個處理部共享，且前述對準台配置以依序對準前述複數個基板。
  10. 一種成型方法，其包含：透過搬送部將第1基板搬送至第1處理部；在前述第1基板被透過前述搬送部搬送至前述第1處理部的期間，在一位置將組成物供應至前述第1基板上；促使前述第1處理部使第1模具與前述第1基板上的組成物接觸從而將組成物成型於前述第1基板上；透過前述搬送部將第2基板搬送至第2處理部；在前述第2基板被透過前述搬送部搬送至前述第2處理部的期間，在前述位置將組成物供應至前述第2基板上，前述位置對於前述第1基板及前述第2基板為共同者；和促使前述第2處理部使第2模具與前述第2基板上的組成物接觸從而將組成物成型於前述第2基板上。
  11. 如請求項10之成型方法，其進一步包含：在對準台，對準在前述第1基板的搬送中待搬送的第1基板，在前述對準台，對準在前述第2基板的搬送中待搬送的第2基板。
  12. 一種物品之製造方法，其包含：使用如請求項10的成型方法而將組成物成型於前述複數個基板中的每一者上；和處理在成型中成型有前述組成物的前述複數個基板中的每一者。
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