TWI791454B - 電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供可抑制因氣體溶解膜裝置而來的微粒子混入於氫水中的鹼水之製造方法及製造裝置。 　　[解決手段]本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置係具備有：pH調整裝置(11)，其係將超純水調整為鹼性；除氣裝置(13)，其係將被調整為鹼性的超純水進行除氣；及氣體溶解膜裝置(14)，其係透過氣體溶解膜，使功能性氣體溶解於經除氣的超純水。

Description

電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法
[0001] 本發明係關於電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法。
[0002] 在LSI(大規模積體電路等)等電子零件構件之製造工程中，藉由超純水或使藥品溶解於超純水的洗淨液，進行表面洗淨。例如，若為矽晶圓，使用在超純水或洗淨液浸漬矽晶圓、或澆注超純水或洗淨液的方法。 　　[0003] 以洗淨液而言，若以去除附著在表面的有機物為目的，係使用硫酸與過氧化氫的混合溶液，若以去除微粒子為目的，係使用氨與過氧化氫水的混合洗淨液，若以去除金屬雜質為目的，係使用鹽酸與過氧化氫水的混合洗淨液，若以去除矽晶圓表面的自然氧化膜為目的，則使用氫氟酸洗淨液等。 　　[0004] 在此，由上述洗淨液的減量、或洗淨後的淋洗用超純水的減量、廢水負荷的減低等觀點來看，近年來，在LSI的製造工程中，為了進行電子零件構件類的微粒子去除，使用所謂功能水，作為洗淨用水。該功能水係使用氣體溶解膜裝置，使氫氣、臭氧氣體、二氧化碳氣體等特定氣體(功能性氣體)溶解於超純水予以製造。 　　[0005] 以洗淨用的功能水而言，已知有使氫氣溶解於超純水的氫水(參照例如專利文獻1)。此外，亦已提出在電子零件構件類洗淨中，為了抑制污染微粒子再附著，使二氧化碳或氨氣溶解於氫水而調整為預定的比電阻(參照例如專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0006] 　　[專利文獻1]日本特開平10-64867號公報 　　[專利文獻2]日本特開2000-354729號公報
[0007] 但是，本發明人等得知在使用透過氣體透過膜而使氣體溶解於液中的氣體溶解膜裝置所製造的氫水中混入微粒子的知見。若在氫水中混入微粒子，若將此使用在洗淨用時，會發生因附著微粒子以致被洗淨物污染。 　　[0008] 因此，本發明之目的在提供可抑制因氣體溶解膜裝置而來的微粒子混入於鹼水中之電子元件洗淨用之鹼水之製造方法及製造裝置。
本發明人等係當反覆進行使用透過氣體透過膜而使氣體溶解於液中的氣體溶解膜裝置而使氫氣溶解於超純水的實驗時，發現發生上述微粒子。此時，得知在對氣體溶解膜裝置的通水初期的階段、或將該裝置在停止後再起動時的通水初期的階段之在某期間所製造的氫水，大多混入有微粒子。
氣體透過膜係由表面積大而容易蓄積靜電的材質所構成，因此被認為容易因靜電而在氣體透過膜附著微粒子。由此，本發明人等認為該通水初期的微粒子的混入係基於微量存在於超純水中的微粒子附著在氣體溶解膜裝置所配備的氣體透過膜表面而蓄積，其在裝置起動、或再起動時逐漸脫離而混入於氫水中之故。
此外，習知之洗淨用功能水的製造裝置所設置的例如氫濃度計等監視器係偶爾發生流通高電流而故障的問題。該故障的原因已知為靜電，但是並未特定出靜電發生在裝置的哪個部位。但是，本發明人等基於上述知見，亦推測出蓄積在氣體透過膜的靜電為其原因。
本發明人等係根據該等知見，更加進一步研究的結果，完成具備有以下構成之本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法。亦即，本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置之特徵為：具備有：pH調整裝置，其係將前述超純水調整為鹼性；除氣裝置，其係將前述被調整為鹼性的超純水進行除氣；及氣體溶解膜裝置，其係透過氣體透過膜，使功能性氣體溶解於前述經除氣的 超純水。
藉由本發明，藉由前述pH調整裝置而提高被供給至氣體溶解膜裝置及除氣裝置的超純水的電導率，因此抑制氣體溶解膜裝置的配管等的帶電。因此，因氣體溶解膜裝置及除氣裝置而來的微粒子係在裝置起動時的預備通水初期被迅速排出，因此可提供不會混入微粒子的電子元件洗淨用的鹼水。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述pH調整裝置係將前述超純水的pH調整為8~11。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述pH調整裝置係在前述超純水，添加選自氨、四甲基銨氫氧化鈉、2-羥基乙基三甲基銨氫氧化物(膽鹼)、氫氧化鈉及氫氧化鉀之1種以上的鹼性成分。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述pH調整裝置係以前述鹼水中的濃度成為2mg/L~100mg/L的量，添加前述鹼性成分。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述鹼性成分係氨。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述功能性氣體係選自氫氣、臭氧氣體、及稀有氣體的1種以上。
在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述功能性氣體係氫氣。此外，較佳為前述鹼水中的氫氣濃度係1.0mg／L～1.6mg／L。 　　[0020] 在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，較佳為前述氣體透過膜係由選自聚丙烯(PP)及聚偏二氟乙烯(PVDF)的1種以上的材料所構成。 　　[0021] 本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造方法之特徵為：具備有：pH調整工程，其係將超純水的液性調整為鹼性；除氣工程，其係將在前述pH調製工程中被調整為鹼性的超純水進行除氣；及溶解工程，其係透過氣體透過膜，使功能性氣體溶解於在前述除氣工程中被除氣的超純水。
[0022] 藉由本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法，可抑制因氣體溶解膜裝置及膜除氣裝置而來的微粒子混入於鹼水中。
[0024] 以下參照圖示，詳細說明實施形態。圖1係概略表示本實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置1的區塊圖。圖1所示之鹼水之製造裝置1係具備有：將超純水的液性調整為鹼性的pH調整裝置11；將超純水加壓的供水泵12；將經加壓的超純水進行除氣的膜除氣裝置13；及使功能性氣體溶解於經除氣的鹼性超純水而生成功能水的氣體溶解膜裝置14。此外，鹼水之製造裝置1係具備有：對氣體溶解膜裝置14供給功能性氣體的功能性氣體供給裝置16；及測定由氣體溶解膜裝置14流出的功能水的水壓的水壓感測器17。以鹼水之製造裝置1所製造出的電子元件洗淨用的鹼水係被送至其使用場所(使用點；POU)15。供水泵12並非為必須，視需要設置。 　　[0025] 功能性氣體係使超純水具有特定功能的氣體，例如氫氣、臭氧氣體、稀有氣體等。 　　[0026] 鹼水之製造裝置1的流路係由配管或軟管所構成。在該流路係適當設有儲槽、泵、接頭、閥及其他設備。構成鹼水之製造裝置1的流路的材料係對液中溶出較少化學物質的材料，例如聚氯乙烯(PVC)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、聚丙烯(PP)等高分子材料、纖維強化塑膠(FRP)、不鏽鋼等。此外，構成上述流路的配管係例如內徑為4mm～146mm左右。 　　[0027] 上述材料之中，氟樹脂等高分子材料係絕緣性極高，例如PFA，亦成為10¹²MΩ・cm以上。另一方面，成為電子元件洗淨用之鹼水之材料的超純水係電阻率較佳為10MΩ・cm以上，更佳為18MΩ・cm以上。 　　[0028] 如上所示之高電阻率的超純水在由上述高絕緣性材料所成之配管內通流時，係發生靜電，配管材料或超純水即帶電。尤其，超純水的流速快時、或在配管中進行氣液混合時，容易發生靜電，帶電量容易增加。若配管材料或超純水帶電，微粒子容易附著、滯留在配管內壁面等。該附著、滯留的微粒子若因某些撞擊而混入至液中而使洗淨用水被污染時，會使微粒子附著在洗淨對象物。此外，若靜電蓄積而帶電量變得非常大時，亦有在裝置內視需要所配置的電阻率計、或溶存氫濃度計、pH計等感測器受到破壞之虞。 　　[0029] 因此，在本實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置1中，藉由上述構成，在將超純水調整為鹼性之後，使功能性氣體溶解。藉此，使超純水具有導電性，抑制配管材料或超純水帶電，使微粒子難以附著在配管材料。結果，可將微粒子在裝置起動之際之預備通水時迅速地排出至裝置外。此外，在微量的微粒子混入至液中時，該等亦不會堆積在氣體透過膜地被迅速排出，因此可安定地獲得微粒子濃度被減低至預定值以下的電子元件洗淨用的鹼水。此外，在本實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置1中，藉由抑制配管材料或超純水帶電，可抑制被設置在氣體溶解膜裝置的後段的感測器等故障。 　　[0030] 超純水係由例如自來水、井水、河川水、工業用水等原水，將離子性物質、有機物、溶存氣體、微粒子等去除來製造。超純水係藉由具備有：前處理部、一次純水製造部、及二次純水製造部的超純水製造系統予以製造。前處理部係具備有：凝集／過濾裝置、活性碳裝置等，將原水中的濁質份去除來製造前處理水。一次純水製造部係具備有：逆浸透膜裝置、離子交換裝置、除氣裝置、紫外線氧化裝置等所構成，將前處理水中的離子性物質及非離子性物質去除來製造一次純水。 　　[0031] 超純水製造系統亦可具備有貯留一次純水的一次純水儲槽。此時，在一次純水儲槽的下游側配置有二次純水製造部。二次純水製造部係具備有：熱交換器、紫外線氧化裝置、非再生型混床式離子交換裝置、膜除氣裝置、超濾裝置，將在一次純水中殘留微量的雜質去除，來製造超純水。 　　[0032] pH調整裝置11係在超純水添加pH調整劑，將超純水的pH調整為鹼性而生成鹼水。pH調整裝置11係例如具備有：收容鹼性的pH調整劑的儲槽、及供給pH調整劑的定量泵，在超純水通流的處理水配管內，由該儲槽自動計量pH調整劑來進行供給。pH調整裝置11亦可另外如射出器等般，由收容pH調整劑的儲槽等，藉由高壓流體之力吸出pH調整劑而供給至上述處理水配管內。此外，pH調整裝置11亦可為具備有：在內部收容超純水的pH調整槽；及對pH調整槽供給上述pH調整劑的定量泵等的裝置。
pH調整裝置11較佳為將鹼水的pH調整為8~11，更佳為調整為9.5~10.5。若pH為未達8，在下游側的裝置內容易發生靜電。若pH超過11，有將洗淨對象的被洗淨面腐蝕、或使被配置在下游側的膜除氣裝置13或氣體溶解膜裝置14的膜等劣化之虞。
以pH調整劑而言，係使用例如：氨、四甲基氫氧化銨(TMAH)、2-羥基乙基三甲基銨氫氧化物(膽鹼、(CH3)3N+CH2CH2OH‧OH-)、氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼性化合物(鹼性成分)的水溶液。此外，pH調整劑亦可為氨氣等氣體狀的鹼性化合物。其中亦由於氨水或氨氣並未存在作為水氧化物離子(OH-)之對離子的金屬離子或有機物離子，在作為洗淨對象的電子構件零件類不會附著雜質，故較理想被使用。
若使用氨作為pH調整劑，鹼水中的氨濃度較佳為2mg/L~100mg/L。
供水泵12係藉由pH調整裝置11，將鹼水加壓成預定的水壓。供水泵12較佳為可控制加壓量的泵。
供水泵12係連續進行藉由容積變化所為之吸 入與吐出的旋轉式容積型泵、或反覆進行藉由容積變化所為之吸入與吐出的往返運動式容積型泵、以藉由泵內的葉輪或螺槳的旋轉所發生的離心力或推進力來吐出液體的離心型泵等，惟並非限定於該等。
具體而言，以旋轉式容積型泵而言，列舉：軟管泵、旋轉泵、齒輪泵、蛇形泵等，以往返運動式容積型泵而言，列舉：隔膜泵、活塞泵等。此外，以離心型泵而言，列舉：螺旋泵等。其中亦因流體脈動少且大致一定地安定維持吐出壓，以旋轉式容積型泵及離心型泵為佳，以屬於離心型泵的螺旋泵為特佳。
藉由供水泵12所得之超純水的吐出壓較佳為0.2MPa~0.4MPa。若供水泵12的吐出壓為0.2MPa以上，可得充分超純水的流量，此外，在pH調整裝置11所添加的pH調整劑與超純水容易被充分混合之故。藉由供水泵12所得之超純水的吐出壓若為0.4MPa以下，在供水泵內不易發生靜電。
膜除氣裝置13係為了提高氣體溶解膜裝置14中的功能性氣體的溶解性，將鹼水中的溶存氧、溶存氮等溶存氣體去除。膜除氣裝置13係例如將被供給至氣體溶解膜裝置14的超純水中的溶存氧濃度減低至0.1mg/L以下左右。
以膜除氣裝置13而言，適於使用具備氣體透過膜的膜除氣裝置等。膜除氣裝置13所配備的氣體透過膜的材質係例如聚丙烯(PP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)等高分子材料。在本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，係在膜除氣裝置13的上游側設置pH調整裝置11，藉此，將超純水調整為鹼性，因此在使用膜除氣裝置13時，亦可抑制靜電發生，且抑制對氣體透過膜面堆積微粒子。因此可抑制微粒子混入至鹼水中。其中，在本實施形態中，係以膜除氣裝置13作為除氣裝置為例來進行說明，但是並非限定於此。 　　[0042] 氣體溶解膜裝置14係將由功能性氣體供給裝置16被供給的功能性氣體，透過氣體透過膜而注入至液中，且使其溶解的裝置。氣體透過膜係不使水透過，而僅使氣體透過的膜。氣體透過膜的材質為聚丙烯(PP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)等。 　　[0043] 功能性氣體供給裝置16係例如構成為在發生或貯藏功能性氣體的功能性氣體貯藏裝置，具備調節功能性氣體的供給流量的質流控制器。 　　[0044] 水壓感測器17係測定由氣體溶解膜裝置14流出的鹼水(功能性氣體溶解鹼水)的水壓。以水壓感測器17而言，並未特別限定，可使用一般的隔膜計(diaphragm gauge)型的水壓感測器。以水壓感測器17的市售品而言，係可使用例如Surpass工業公司製的壓力計等。水壓感測器17係輸出水壓的測定值，且該輸出被輸入至控制裝置18。 　　[0045] 控制裝置18係根據水壓感測器17的輸出(測定值)，控制供水泵12的吐出壓。具體而言，若使用螺旋泵等離心型泵，藉由控制裝置18，反饋來自水壓感測器17的水壓檢測訊號，與目標水壓值作比較，以檢測水壓值與目標水壓值的偏差成為零的方式，控制供水泵12的運轉頻率。 　　[0046] 此外，控制裝置18係控制功能性氣體供給裝置16所供給的功能性氣體的流量。例如，根據水壓感測器17的測定值，控制裝置18控制藉由功能性氣體供給裝置16所配備之質流控制器所致之功能性氣體的供給流量。藉此，以所希望的濃度製造含有功能性氣體的鹼水。 　　[0047] 在圖2中以模式顯示在超純水，透過使用中空線膜的氣體透過膜，注入氫氣作為功能性氣體而使其溶解的氣體溶解膜裝置141作為氣體溶解膜裝置14之一例。氣體溶解膜裝置141係透過作為氣體透過膜的中空線膜，使氫氣溶解於超純水中的裝置。 　　[0048] 氣體溶解膜裝置141係具備有在內部設置有中空線膜的中空線膜溶解槽142(中空線膜單元)。在中空線膜溶解槽142內部係連接有將超純水供給至中空線膜溶解槽142的超純水供給管146。超純水係通過超純水供給配管146而被供給至中空線膜的外側143。另一方面，氫氣係通過與中空線膜溶解槽142相連接的氣體供給管145，以比外側供給壓更為低壓被供給至中空線膜的內側144。藉此，外側的超純水係透過中空線膜，氫氣溶解在透過中空線膜的超純水，而調製氫水。其中，超純水及氫氣的供給場所並非侷限於上述，亦可分別超純水被供給至中空線膜的內側144、氫氣被供給至中空線膜的外側143。 　　[0049] 在中空線膜溶解槽142的出水口連接有出水管149，氫氣經溶解的超純水係透過出水管149而被排出至中空線膜溶解槽142外。藉由如上所示之氣體溶解膜裝置141，流入至中空線膜溶解槽的超純水與所被供給的功能性氣體係分別在中空線膜溶解槽的液相部與氣相部滯留一定時間，因此可對氫氣供給量的變動或稍微的時間上的延遲，發揮緩衝功能，且可安定製造經溶解的氫氣的濃度變動少的氫氣溶解鹼水。 　　[0050] 圖3係概略表示使用電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置1之本實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造方法的區塊圖。本實施形態之製造方法係具備有：將超純水的液性調整為鹼性的pH調整工程S1；將被調整為鹼性的超純水進行加壓的加壓工程S2；將經加壓的超純水進行除氣的除氣工程S3；及使功能性氣體溶解於經除氣的超純水的溶解工程S4。加壓工程S2並非為必須，視需要進行。 　　[0051] 藉由上述之本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法，在氣體溶解膜裝置14的上游側，藉由pH調整裝置11在超純水添加鹼性的pH調整劑，而將超純水的pH調整為鹼性，藉此將具導電性的鹼水供給至氣體溶解膜裝置14。因此，可抑制在氣體溶解膜裝置14中發生靜電。藉此，可抑制氣體溶解膜裝置14內的微粒子的滯留，且可抑制微粒子混入至鹼水中。 　　[0052] 如上所示所製造的功能性氣體溶解鹼水係被供給至電子元件(電子零件構件)的洗淨裝置。洗淨裝置係使用例如在洗淨槽內將被洗淨物浸漬在功能性氣體溶解鹼水來進行洗淨的洗淨裝置、或將功能性氣體溶解鹼水，以蓮蓬頭狀噴射在被洗淨物，澆注來進行洗淨的裝置等。 　　[0053] 被使用在洗淨電子元件的功能性氣體溶解鹼水亦可藉由加熱器等而被加熱至20℃～60℃。此外，在洗淨電子元件時，亦可對功能性氣體溶解鹼水施加超音波。此時，可在洗淨槽內，對使被洗淨物浸漬的功能性氣體溶解鹼水施加超音波的方法、或在噴射功能性氣體溶解鹼水的噴嘴等的上游側，對功能性氣體溶解鹼水施加超音波。 　　[0054] 以本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置所製造的電子元件洗淨用的鹼水係被抑制混入微粒子，因此在洗淨電子零件構件類時，可使製品良率提升。 　　[0055] 此外，依電子元件洗淨時之洗淨用水的需求，在反覆氣體溶解膜裝置及膜除氣裝置之ON／OFF的情形下，亦可在裝置再起動時，供給未混入微粒子的功能性氣體溶解鹼水。此外，若微粒子附著在氣體溶解膜，當變更氣體溶解膜裝置中的超純水或功能水的流量時，其較容易脫離，但是藉由本發明之鹼水之製造方方法及製造裝置，若變更氣體溶解膜裝置中的功能性氣體溶解鹼水的製造流量，亦可供給未混入微粒子的功能性氣體溶解鹼水。 　　[0056] [實施例] 　　接著，說明本發明之實施例。本發明並非限定於以下之實施例。 　　[0057] (實施例1) 　　使用與圖1同樣之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，使氨及氫氣溶解於超純水，獲得氫氣溶解鹼水。 　　[0058] 在由超純水製造系統被供給的超純水，如下所示添加氨水(氨濃度30質量%)。超純水製造系統係在末端具備有超濾裝置(旭化成公司製，OLT-6036，6吋)者。該超濾裝置的截斷分子量為6000，藉由該超濾裝置被過瀘的超純水中的平均微粒子(0.05μm以上的微粒子)數在超濾裝置的通水初期且以20～30pcs.／mL通水1星期後的安定時，為1pcs.／mL以下。製造電子元件洗淨用之鹼水時，係使用該微粒子數安定後的超純水(超純水的電阻率為18MΩ以上、TOC濃度為1μgC／L以下)。 　　[0059] 在上述超純水添加氨水，獲得氨濃度為100 mg／L的鹼水。將該鹼水藉由供水泵加壓至0.25MPa，以流量20L／min供給至除氣裝置(中空線膜式溶解裝置、型號G284、Membrana公司製、氣體透過膜的材質：PP)，獲得除氣水。將該除氣水以流量20L／min供給至氣體溶解膜裝置(中空線膜式溶解裝置，型號G284，Membrana公司製，氣體透過膜的材質：PP)，且製造氫氣被溶解的鹼水(氫氣溶解鹼水)。氫氣溶解鹼水中的氫濃度為1.2mg／L。此外，對氣體溶解膜裝置的氫氣供給流量為290mL／min (25℃、1atm)。所得的氫氣溶解鹼水的pH為10.5、氨濃度為100mg／L。 　　[0060] 在電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置中，將各裝置連接的配管係使用1吋尺寸(外徑約25mm、內徑約22mm)的四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)製的配管。 　　[0061] 藉由表面電位測定器(春日電機公司製KSD-3000)，測定上述中由氣體溶解膜裝置流出的氫氣溶解鹼水的帶電量。此外，連續測定氫氣溶解鹼水中之0.05μm以上的微粒子數。藉此，計測出由氣體溶解膜裝置的預備通水後、開始氫氣溶解鹼水製造時(通水初期)，氫氣溶解鹼水中的上述微粒子數成為1pcs.／mL以下為止的天數。將結果顯示於表1。其中，在本實施例中，微粒子數係使用PARTICLE MEASURING SYSTEMS公司製的微粒子計UDI-50。 　　[0062] (實施例2) 　　在實施例1中，除了以液中的氨濃度成為20mg／L的方式，添加氨水之外，與實施例1同樣地製造氫氣溶解鹼水，計測出其帶電量、與氫氣溶解鹼水中的上述微粒子數成為1pcs.／mL以下為止之從氣體溶解膜裝置的通水初期起的天數。將結果顯示於表1。 　　[0063] (實施例3) 　　在實施例1中，除了以液中的氨濃度成為2mg／L的方式，添加氨水之外，與實施例1同樣地製造氫氣溶解鹼水，計測出其帶電量、與氫氣溶解鹼水中的上述微粒子數成為1pcs.／mL以下為止之從氣體溶解膜裝置的通水初期起的天數。將結果顯示於表1。 　　[0064] (比較例1) 　　除了使氫氣溶解於未添加氨的超純水之外，與實施例1同樣地製造氫水，計測出其帶電量、與氫水中的上述微粒子數成為1pcs.／mL以下為止之從氣體溶解膜裝置的通水初期起的天數。將結果顯示於表1。 　　[0065] (比較例2) 　　在圖1之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置1中，除了使用將pH調整裝置11配置在氣體溶解膜裝置14之後段的裝置，使氨水以與實施例1同樣的濃度溶解在氫氣經溶解的超純水之外，係以與實施例1同樣的條件，製造氫氣溶解鹼水。計測出此時之氫氣溶解鹼水的帶電量、與氫氣溶解鹼水中的上述微粒子數成為1pcs.／mL以下為止之從氣體溶解膜裝置的通水初期起的天數。將結果顯示於表1。 　　[0066]
Figure 02_image001
[0067] 此外，在圖4的圖表中顯示實施例2、3及比較例1中之從通水初期的經過時間與微粒子數的關係。 　　[0068] 由表1及圖4，可知藉由本發明之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法，抑制微粒子混入至氫氣溶解鹼水中。
[0069]1‧‧‧電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置11‧‧‧pH調整裝置12‧‧‧供水泵13‧‧‧膜除氣裝置14、141‧‧‧氣體溶解膜裝置15‧‧‧使用點(POU)16‧‧‧氫氣供給裝置17‧‧‧水壓感測器18‧‧‧控制裝置142‧‧‧中空線膜溶解槽143‧‧‧外側144‧‧‧內側145‧‧‧氣體供給管146‧‧‧超純水供給配管149‧‧‧出水管S1‧‧‧pH調整工程S2‧‧‧加壓工程S3‧‧‧除氣工程S4‧‧‧溶解工程
[0023] 　　圖1係概略顯示實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置的區塊圖。 　　圖2係概略顯示實施形態之氣體溶解膜裝置的區塊圖。 　　圖3係概略顯示實施形態之電子元件洗淨用之鹼水之製造方法的流程圖。 　　圖4係顯示由對實施例及比較例中之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置之通水初期的經過時間與微粒子數的關係的圖表。
1‧‧‧電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置
11‧‧‧pH調整裝置
12‧‧‧供水泵
13‧‧‧膜除氣裝置
14‧‧‧氣體溶解膜裝置
15‧‧‧使用點(POU)
16‧‧‧氫氣供給裝置
17‧‧‧水壓感測器
18‧‧‧控制裝置

Claims (10)

  1. 一種電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其特徵為：具備有：pH調整裝置，其係將超純水調整為鹼性；除氣裝置，其係將前述被調整為鹼性的超純水藉由第1氣體透過膜進行除氣；及氣體溶解膜裝置，其係透過第2氣體透過膜，使功能性氣體溶解於前述經除氣的超純水。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述pH調整裝置係將前述超純水的pH調整為8~11。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述pH調整裝置係在前述超純水，添加選自氨、四甲基銨氫氧化鈉、2-羥基乙基三甲基銨氫氧化物(膽鹼)、氫氧化鈉及氫氧化鉀之1種以上的鹼性成分。
  4. 如申請專利範圍第3項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述pH調整裝置係在前述超純水，以前述鹼水中的濃度成為2mg/L~100mg/L的量，添加前述鹼性成分。
  5. 如申請專利範圍第3項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述鹼性成分係氨。
  6. 如申請專利範圍第1項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述功能性氣體係選自氫氣、臭氧氣體、及稀有氣體的1種以上。
  7. 如申請專利範圍第1項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述功能性氣體係氫氣。
  8. 如申請專利範圍第7項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述鹼水中的氫氣濃度係1.0mg/L~1.6mg/L。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項之電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置，其中，前述第2氣體透過膜係由選自聚丙烯及聚偏二氟乙烯的1種以上的材料所構成。
  10. 一種電子元件洗淨用之鹼水之製造方法，其特徵為：具備有：pH調整工程，其係將超純水的液性調整為鹼性；除氣工程，其係將在前述pH調整工程中被調整為鹼性的超純水藉由第1氣體透過膜進行除氣；及溶解工程，其係透過第2氣體透過膜，使功能性氣體 溶解於在前述除氣工程中被除氣的超純水。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019179813A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 栗田工業株式会社 回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置
JP7292957B2 (ja) * 2019-04-26 2023-06-19 オルガノ株式会社 ガス溶解水製造装置および方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208471A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水の調製装置
JP2004296463A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Mitsubishi Electric Corp 洗浄方法および洗浄装置
TW201143905A (en) * 2009-12-24 2011-12-16 Kurita Water Ind Ltd Cleaning method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299333C (zh) 1996-08-20 2007-02-07 奥加诺株式会社 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置
JP3296405B2 (ja) 1996-08-20 2002-07-02 オルガノ株式会社 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
JP2000354729A (ja) 1999-04-12 2000-12-26 Japan Organo Co Ltd 洗浄用機能水製造方法及び製造装置
JP2002052322A (ja) * 2000-08-10 2002-02-19 Kurita Water Ind Ltd 洗浄方法
JP2003136077A (ja) * 2001-10-31 2003-05-13 Nec Corp 半導体製造に用いる洗浄水又は浸漬水の製造装置
JP4792834B2 (ja) * 2005-06-27 2011-10-12 栗田工業株式会社 機能性水製造システム
JP5072062B2 (ja) * 2006-03-13 2012-11-14 栗田工業株式会社 水素ガス溶解洗浄水の製造方法、製造装置及び洗浄装置
JP2007268446A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sumitomo Heavy Industries Environment Co Ltd 機能水の製造方法、機能水の使用方法及び機能水の製造装置
CN101687052A (zh) * 2007-03-30 2010-03-31 栗田工业株式会社 超纯水制备系统的清洗灭菌方法
KR101000404B1 (ko) * 2008-11-21 2010-12-13 주식회사 실트론 웨이퍼 세정 방법
US20120024784A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Christopher Clark Fluid Gasification/Degasification Apparatuses, Systems, and Processes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208471A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水の調製装置
JP2004296463A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Mitsubishi Electric Corp 洗浄方法および洗浄装置
TW201143905A (en) * 2009-12-24 2011-12-16 Kurita Water Ind Ltd Cleaning method

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