CN109564864A - 电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够抑制来源于气体溶解膜装置的微粒向氢水中混入的碱水的制造方法及制造装置。一种电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其具备:将超纯水调整为碱性的pH调整装置(11)、将调整为碱性的超纯水进行脱气的脱气装置(13)和在脱气后的超纯水中介由气体溶解膜使功能性气体溶解的气体溶解膜装置(14)。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法。
背景技术
在LSI(大规模集成电路等)等电子部件构件的制造工序中,通过超纯水或使化学药品溶解于超纯水中而得到的洗涤液进行表面的洗涤。例如,在硅晶片的情况下,采用在超纯水或洗涤液中浸渍硅晶片、或者流过超纯水或洗涤液的方法。
作为洗涤液,在以除去附着于表面的有机物作为目的的情况下,使用硫酸与过氧化氢的混合溶液,在以除去微粒作为目的的情况下,使用氨与双氧水的混合洗涤液,在以除去金属杂质作为目的的情况下,使用盐酸与双氧水的混合洗涤液,在以除去硅晶片表面的自然氧化膜作为目的的情况下,使用氢氟酸洗涤液等。
这里,从上述洗涤液的减量、洗涤后的冲洗用超纯水的减量、降低废水负荷等观点出发,近年来,在LSI的制造工序中,为了除去电子部件构件类的微粒,作为洗涤用水,使用了所谓的功能水。该功能水是使用气体溶解膜装置使氢气、臭氧气体、二氧化碳气体等特定的气体(功能性气体)溶解于超纯水中而制造的。
作为洗涤用的功能水,已知有使氢气溶解于超纯水中而得到的氢水(例如参照专利文献1。)。另外,在电子部件构件类的洗涤中,为了抑制污染微粒的再附着,还提出了使二氧化碳或氨气溶解于氢水中而调整为规定的比电阻(例如参照专利文献2。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-064867号公报
专利文献2:日本特开2000-354729号公报
发明内容
发明所要解决的课题
于是,本发明人等得到以下见解:在使用介由气体透过膜使气体溶解于液体中的气体溶解膜装置而制造的氢水中会混入微粒。若在氢水中混入微粒,则在将其用于洗涤用的情况下,会因微粒的附着而产生被洗涤物的污染。
因此,本发明的目的是提供能够抑制来源于气体溶解膜装置的微粒混入到碱水中的电子设备洗涤用的碱水的制造方法及制造装置。
用于解决课题的手段
本发明人等在使用介由气体透过膜使气体溶解于液体中的气体溶解膜装置来反复进行使氢气溶解于超纯水中的实验时发现了上述微粒的产生。此时,得到以下见解:在向气体溶解膜装置通水初期的阶段、或者在停止该装置后再起动时的通水初期的阶段的某一期间所制造的氢水中大多会混入微粒。
认为气体透过膜由于由表面积大且容易蓄积静电的材质构成,所以微粒容易通过静电而附着于气体透过膜上。由此,本发明人等认为:该通水初期的微粒的混入是由于微量存在于超纯水中的微粒附着于气体溶解膜装置中具备的气体透过膜表面并蓄积,其在装置的启动、或再起动时慢慢地脱离而逐渐混入到氢水中。
另外,以往的洗涤用功能水的制造装置中设置的例如氢浓度计等监测器偶尔会引起高电流流过而发生故障这样的问题。获知该故障的原因为静电,但静电在装置的哪个部位产生并不确定。但是,本发明人等由上述的见解也推测原因是气体透过膜中蓄积的静电。
本发明人等基于这些见解,进一步进行研究,结果完成了具备以下的构成的本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法。即,本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置的特征在于,其具备:pH调整装置,其将上述超纯水调整为碱性;脱气装置,其将上述调整为碱性的超纯水进行脱气;和气体溶解膜装置,其介由气体透过膜使功能性气体溶解于上述脱气后的超纯水中。
根据本发明,由于通过上述pH调整装置使供给到气体溶解膜装置及脱气装置中的超纯水的电导率提高,所以可抑制气体溶解膜装置的配管等的带电。因此,由于来源于气体溶解膜装置及脱气装置的微粒在装置启动时的预通水初期被快速排出,所以能够提供没有微粒混入的电子设备洗涤用的碱水。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述pH调整装置优选将上述超纯水的pH调整为8~11。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述pH调整装置优选在上述超纯水中添加选自氨、四甲基氢氧化铵钠、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、氢氧化钠及氢氧化钾中的1种以上的碱性成分。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述pH调整装置优选以上述碱水中的浓度成为2mg/L~100mg/L的量添加上述碱性成分。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述碱性成分优选为氨。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述功能性气体优选为选自氢气、臭氧气体及稀有气体中的1种以上。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述功能性气体优选为氢气。另外,上述碱水中的氢气浓度优选为1.0mg/L~1.6mg/L。
在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,上述气体透过膜优选由选自聚丙烯(PP)及聚偏氟乙烯(PVDF)中的1种以上的材料构成。
本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造方法的特征在于,其具备以下工序:将超纯水的液性调整为碱性的pH调整工序;将在上述pH调整工序中调整为碱性的超纯水进行脱气的脱气工序;和介由气体透过膜使功能性气体溶解于在上述脱气工序中脱气后的超纯水中的溶解工序。
发明效果
根据本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法,能够抑制来源于气体溶解膜装置及膜脱气装置的微粒混入到碱水中。
附图说明
图1是概略地表示实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造装置的框图。
图2是概略地表示实施方式的气体溶解膜装置的框图。
图3是概略地表示实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造方法的流程图。
图4是表示实施例及比较例中的从向电子设备洗涤用的碱水的制造装置中通水初期起的经过时间与微粒数的关系的图表。
具体实施方式
以下,参照附图,对实施方式进行详细说明。图1是概略地表示本实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造装置1的框图。图1中所示的碱水的制造装置1具备将超纯水的液性调整为碱性的pH调整装置11、将超纯水进行加压的供水泵12、将加压后的超纯水进行脱气的膜脱气装置13和使功能性气体溶解于脱气后的碱性超纯水中而生成功能水的气体溶解膜装置14。另外,碱水的制造装置1具备向气体溶解膜装置14供给功能性气体的功能性气体供给装置16、和测定从气体溶解膜装置14流出的功能水的水压的水压传感器17。通过碱水的制造装置1制造的电子设备洗涤用的碱水被送至其使用场所(使用点;POU)15。供水泵12不是必须的,根据需要而设置。
功能性气体是使超纯水具有特定的功能的气体,例如为氢气、臭氧气体、稀有气体等。
碱水的制造装置1的流路由配管或管状物构成。在该流路中适当设置罐、泵、接头、阀门及其它的设备。构成碱水的制造装置1的流路的材料为化学物质向液体中的溶出少的材料,例如为聚氯乙烯(PVC)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、聚丙烯(PP)等高分子材料、纤维增强塑料(FRP)、不锈钢等。另外,构成上述流路的配管例如内径为4mm~146mm左右。
上述材料中,氟树脂等高分子材料的绝缘性极高,例如就PFA而言,甚至成为1012MΩ·cm以上。另一方面,成为电子设备洗涤用的碱水的材料的超纯水的电阻率优选为10MΩ·cm以上,更优选为18MΩ·cm以上。
这样的高电阻率的超纯水在由上述高绝缘性材料形成的配管内流通时,会产生静电,使配管材料或超纯水带电。特别是在超纯水的流速快的情况、或在配管中进行气液混合的情况下,容易产生静电,带电量容易增加。若配管材料或超纯水带电,则微粒变得容易附着于配管内壁面等上并滞留。若该附着、滞留的微粒因某些冲击混入到液体中而使洗涤用水被污染,则会使微粒附着于洗涤对象物上。另外,在静电蓄积而带电量变得非常大的情况下,在装置内根据需要配置的电阻率计、溶解氢浓度计、pH计等传感器也有可能被破坏。
于是,在本实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造装置1中,通过上述构成,将超纯水调整为碱性后使功能性气体溶解。由此,使超纯水具有导电性而抑制配管材料或超纯水的带电,使微粒不易附着于配管材料上。其结果是,能够将微粒在装置启动时的预通水时快速向装置外排出。另外,在液体中混入了微量的微粒时,也由于它们没有堆积在气体透过膜上而被迅速地排出,所以能够稳定地得到微粒浓度被降低至规定值以下的电子设备洗涤用的碱水。进而,在本实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造装置1中,通过抑制配管材料或超纯水的带电,能够抑制设置于气体溶解膜装置的后段的传感器等的故障。
超纯水是从例如城市供水、井水、河水、工业用水等原水中将离子性物质、有机物、溶解气体、微粒等除去而制造的。超纯水通过具备前处理部、一次纯水制造部和二次纯水制造部的超纯水制造系统来制造。前处理部具备絮凝/过滤装置、活性炭装置等,将原水中的浊质成分除去而制造前处理水。一次纯水制造部具备反渗透膜装置、离子交换装置、脱气装置、紫外线氧化装置等而构成,将前处理水中的离子性物质及非离子性物质除去而制造一次纯水。
超纯水制造系统也可以具备贮存一次纯水的一次纯水罐。该情况下,在一次纯水罐的下游侧配置二次纯水制造部。二次纯水制造部具备换热器、紫外线氧化装置、非再生型混合床式离子交换装置、膜脱气装置、超滤装置,将微量残存于一次纯水中的杂质除去,制造超纯水。
pH调整装置11在超纯水中添加pH调整剂,将超纯水的pH调整为碱性而生成碱水。pH调整装置11具备例如容纳碱性的pH调整剂的罐和供给pH调整剂的定量泵,在超纯水所流通的处理水配管内,从该罐自动计量pH调整剂并进行供给。pH调整装置11另外也可以如喷射器等那样,从容纳pH调整剂的罐等通过高压流体的力将pH调整剂吸出而供给到上述处理水配管内。另外,pH调整装置11也可以是具备在内部容纳超纯水的pH调整槽和向pH调整槽供给上述pH调整剂的定量泵等的装置。
pH调整装置11将碱水的pH调整为优选8~11、更优选9.5~10.5。若pH低于8,则变得容易在下游侧的装置内产生静电。若pH超过11,则有可能会腐蚀洗涤对象的被洗涤面、或使下游侧的膜脱气装置13或气体溶解膜装置14中具备的膜等劣化。
作为pH调整剂,使用例如氨、四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱、(CH3)3N+CH2CH2OH·OH-)、氢氧化钠、氢氧化钾等碱性化合物(碱性成分)的水溶液。另外,pH调整剂也可以是氨气等气体状的碱性化合物。其中,氨水或氨气由于不存在作为氢氧化物离子(OH-)的抗衡离子的金属离子或有机物离子、不会使杂质附着于作为洗涤对象的电子构件部件类上,所以优选使用。
在使用氨作为pH调整剂的情况下,碱水中的氨浓度优选为2mg/L~100mg/L。
供水泵12通过pH调整装置11将碱水加压至规定的水压。供水泵12优选为能够控制加压量的泵。
供水泵12为连续地进行利用容积变化的吸入和喷出的旋转式容积型泵、反复进行利用容积变化的吸入和喷出的往复运动式容积型泵、以通过泵内的叶轮或螺旋桨的旋转而产生的离心力或推进力喷出液体的离心型泵等,但并不限定于它们。
具体而言,作为旋转式容积型泵,可列举出管泵、旋转泵、齿轮泵、螺旋泵(snakepump)等,作为往复运动式容积型泵,可列举出隔膜泵、柱塞泵等。另外,作为离心型泵,可列举出离心泵等。其中,从流体的脉动少、将喷出压稳定地维持大致恒定的方面考虑,优选旋转式容积型泵及离心型泵,特别优选离心型泵即离心泵。
超纯水的由供水泵12产生的喷出压优选为0.2MPa~0.4MPa。这是由于,若供水泵12的喷出压为0.2MPa以上,则可得到充分的超纯水的流量,另外,pH调整装置11中添加的pH调整剂与超纯水容易被充分地混合。若超纯水的由供水泵12产生的喷出压为0.4MPa以下,则不易在供水泵内产生静电。
对于膜脱气装置13,为了提高气体溶解膜装置14中的功能性气体的溶解性,将碱水中的溶解氧、溶解氮等溶解气体除去。膜脱气装置13例如将供给至气体溶解膜装置14的超纯水中的溶解氧浓度降低至0.1mg/L以下左右。
作为膜脱气装置13,适宜使用具备气体透过膜的膜脱气装置等。膜脱气装置13中具备的气体透过膜的材质例如为聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯(PVDF)等高分子材料。在本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,由于在膜脱气装置13的上游侧设置pH调整装置11,由此,将超纯水调整为碱性,所以在使用膜脱气装置13的情况下也能够抑制静电的产生,抑制微粒向气体透过膜面的堆积。因此能够抑制碱水中的微粒的混入。需要说明的是,在本实施方式中,作为脱气装置,以膜脱气装置13为例进行说明,但并不限定于此。
气体溶解膜装置14是将由功能性气体供给装置16供给的功能性气体介由气体透过膜注入到液体中并使其溶解的装置。气体透过膜是不透过水而仅透过气体的膜。气体透过膜的材质为聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯(PVDF)等。
功能性气体供给装置16例如在产生或者储藏功能性气体的功能性气体储藏装置中具备调节功能性气体的供给流量的质量流量控制器而构成。
水压传感器17测定从气体溶解膜装置14流出的碱水(功能性气体溶解碱水)的水压。作为水压传感器17,没有特别限定,可以使用一般的薄膜计型的水压传感器。作为水压传感器17的市售品,可以使用例如Surpass工业公司制的压力计等。水压传感器17将水压的测定值输出,该输出被输入到控制装置18中。
控制装置18基于水压传感器17的输出(测定值)来控制供水泵12的喷出压。具体而言,在使用离心泵等离心型泵的情况下,通过控制装置18反馈来自水压传感器17的水压检测信号,与目标水压值进行比较,按照检测水压值与目标水压值的偏差成为零的方式来控制供水泵12的运转频率。
另外,控制装置18控制功能性气体供给装置16所供给的功能性气体的流量。例如,基于水压传感器17的测定值,控制装置18利用功能性气体供给装置16中具备的质量流量控制器来控制功能性气体的供给流量。由此,制造以所期望的浓度含有功能性气体的碱水。
图2中,作为气体溶解膜装置14的一个例子,示意性示出介由使用了中空纤维膜的气体透过膜将氢气作为功能性气体注入到超纯水中并使其溶解的气体溶解膜装置141。气体溶解膜装置141是介由作为气体透过膜的中空纤维膜使氢气溶解于超纯水中的装置。
气体溶解膜装置141具备在内部设置有中空纤维膜的中空纤维膜溶解槽142(中空纤维膜单元)。在中空纤维膜溶解槽142内部,连接有将超纯水供给到中空纤维膜溶解槽142中的超纯水供给管146。超纯水经由超纯水供给配管146被供给到中空纤维膜的外侧143。另一方面,氢气经由与中空纤维膜溶解槽142连接的气体供给管145,以低于外侧供给压的压力供给到中空纤维膜的内侧144。由此,外侧的超纯水透过中空纤维膜,氢气溶解于透过了中空纤维膜后的超纯水中而制备了氢水。需要说明的是,超纯水及氢气的供给场所不限于上述,也可以是超纯水被供给到中空纤维膜的内侧144,氢气被供给到中空纤维膜的外侧143。
在中空纤维膜溶解槽142的出水口处,连接有出水管149,溶解有氢气的超纯水介由出水管149被排出到中空纤维膜溶解槽142外。根据这样的气体溶解膜装置141,由于流入到中空纤维膜溶解槽中的超纯水和所供给的功能性气体分别在中空纤维膜溶解槽的液相部和气相部中滞留一定时间,所以相对于氢气的供给量的变动、若干时间的延迟发挥缓冲功能,能够稳定地制造所溶解的氢气的浓度的变动少的氢气溶解碱水。
图3是概略地表示使用了电子设备洗涤用的碱水的制造装置1的本实施方式的电子设备洗涤用的碱水的制造方法的框图。本实施方式的制造方法具备:将超纯水的液性调整为碱性的pH调整工序S1、将调整为碱性的超纯水进行加压的加压工序S2、将加压后的超纯水进行脱气的脱气工序S3和使功能性气体溶解于脱气后的超纯水中的溶解工序S4。加压工序S2不是必须的,可以根据需要而进行。
根据上述的本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法,在气体溶解膜装置14的上游侧,通过pH调整装置11在超纯水中添加碱性的pH调整剂而将超纯水的pH调整为碱性,从而将具有导电性的碱水供给到气体溶解膜装置14中。因此,能够抑制气体溶解膜装置14中的静电的产生。由此,能够抑制气体溶解膜装置14内的微粒的滞留,能够抑制在碱水中混入微粒。
像这样而制造的功能性气体溶解碱水被供给到电子设备(电子部件构件)的洗涤装置中。洗涤装置例如使用在洗涤槽内将被洗涤物浸渍于功能性气体溶解碱水中而进行洗涤的洗涤装置、或将功能性气体溶解碱水以喷淋状喷射到被洗涤物上并流动而进行洗涤的装置等。
电子设备的洗涤中使用的功能性气体溶解碱水也可以通过加热器等被加热至20℃~60℃。另外,在电子设备的洗涤时,也可以对功能性气体溶解碱水施加超声波。该情况下,可以是在洗涤槽内对浸渍被洗涤物的功能性气体溶解碱水施加超声波的方法;或在喷射功能性气体溶解碱水的喷嘴等的上游侧对功能性气体溶解碱水施加超声波。
通过本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置制造的电子设备洗涤用的碱水由于抑制了微粒的混入,所以在电子部件构件类的洗涤时,能够提高制品的成品率。
另外,即使在根据电子设备洗涤时的洗涤用水的需求而反复进行气体溶解膜装置及膜脱气装置的开/关的情况下,在装置再起动时也能够供给没有微粒的混入的功能性气体溶解碱水。另外,若在气体溶解膜上附着有微粒,则在变更气体溶解膜装置中的超纯水或功能水的流量时,其变得容易脱离,但根据本发明的碱水的制造方法及制造装置,即使在变更气体溶解膜装置中的功能性气体溶解碱水的制造流量的情况下,也能够供给没有微粒的混入的功能性气体溶解碱水。
实施例
接着,对本发明的实施例进行说明。本发明并不限定于以下的实施例。
(实施例1)
使用与图1同样的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,使氨及氢气溶解于超纯水中,得到氢气溶解碱水。
在由超纯水制造系统供给的超纯水中如以下那样添加氨水(氨浓度为30质量%)。超纯水制造系统是在末端具备超滤装置(旭化成公司制、OLT-6036、6英寸)的系统。该超滤装置的截留分子量(也可以称为切割分子量)为6000,通过该超滤装置过滤后的超纯水中的平均微粒(0.05μm以上的微粒)数在超滤装置的通水初期为20~30pcs./mL,在通水1周后的稳定时为1pcs./mL以下。在电子设备洗涤用的碱水的制造中,使用了该微粒数稳定后的超纯水(超纯水的电阻率为18MΩ以上,TOC浓度为1μgC/L以下。)。
在上述超纯水中添加氨水,得到氨浓度为100mg/L的碱水。将该碱水通过供水泵加压至0.25MPa,以流量20L/min供给到脱气装置(中空纤维膜式溶解装置、型号G284、Membrana公司制、气体透过膜的材质:PP)中,得到脱气水。将该脱气水以流量20L/min供给到气体溶解膜装置(中空纤维膜式溶解装置、型号G284、Membrana公司制、气体透过膜的材质:PP)中,制造了溶解有氢气的碱水(氢气溶解碱水)。氢气溶解碱水中的氢浓度为1.2mg/L。另外,氢气向气体溶解膜装置的供给流量为290mL/min(25℃、1atm)。所得到的氢气溶解碱水的pH为10.5,氨浓度为100mg/L。
在电子设备洗涤用的碱水的制造装置中,将连接各装置的配管使用了1英寸尺寸(外径为约25mm、内径为约22mm)的四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)制的配管。
利用表面电位测定器(春日电机公司制KSD-3000)测定了上述从气体溶解膜装置流出的氢气溶解碱水的带电量。另外,连续地测定了氢气溶解碱水中的0.05μm以上的微粒数。由此,在气体溶解膜装置的预通水后,计测从开始氢气溶解碱水制造时(通水初期)到氢气溶解碱水中的上述微粒数成为1pcs./mL以下为止的天数。将结果示于表1中。需要说明的是,在本实施例中,微粒数使用了PARTICLE MEASURING SYSTEMS公司制的微粒计UDI-50。
(实施例2)
在实施例1中,按照液体中的氨浓度成为20mg/L的方式添加氨水,除此以外,与实施例1同样地制造氢气溶解碱水,计测其带电量和从气体溶解膜装置的通水初期到氢气溶解碱水中的上述微粒数成为1pcs./mL以下为止的天数。将结果示于表1中。
(实施例3)
在实施例1中,按照液体中的氨浓度成为2mg/L的方式添加氨水,除此以外,与实施例1同样地制造氢气溶解碱水,计测其带电量和从气体溶解膜装置的通水初期到氢气溶解碱水中的上述微粒数成为1pcs./mL以下为止的天数。将结果示于表1中。
(比较例1)
除了使氢气溶解于没有添加氨的超纯水中以外,与实施例1同样地制造氢水,计测其带电量和从气体溶解膜装置的通水初期到氢水中的上述微粒数成为1pcs./mL以下为止的天数。将结果示于表1中。
(比较例2)
使用在图1的电子设备洗涤用的碱水的制造装置1中将pH调整装置11配置在气体溶解膜装置14的后段的装置,使氨水以与实施例1同样的浓度溶解到溶解有氢气的超纯水中,除此以外,在与实施例1同样的条件下制造了氢气溶解碱水。计测该情况下的氢气溶解碱水的带电量和从气体溶解膜装置的通水初期到氢气溶解碱水中的上述微粒数成为1pcs./mL以下为止的天数。将结果示于表1中。
[表1]
另外,将实施例2、3及比较例1中的从通水初期起的经过时间与微粒数的关系示于图4的图表中。
由表1及图4获知,通过本发明的电子设备洗涤用的碱水的制造装置及制造方法,可抑制氢气溶解碱水中的微粒的混入。
符号说明
1:电子设备洗涤用的碱水的制造装置、11:pH调整装置、12:供水泵、13:膜脱气装置、14,141:气体溶解膜装置、15:使用点(POU)、16:氢气供给装置、17:水压传感器、18:控制装置、142:中空纤维膜溶解槽、143:外侧、144:内侧、145:气体供给管、146:超纯水供给配管、149:出水管、S1:pH调整工序、S2:加压工序、S3:脱气工序、S4:溶解工序。
Claims (10)
1.一种电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,其具备:
pH调整装置,其将超纯水调整为碱性;
脱气装置,其将所述调整为碱性的超纯水进行脱气;和
气体溶解膜装置,其在所述脱气后的超纯水中介由气体透过膜使功能性气体溶解。
2.根据权利要求1所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述pH调整装置将所述超纯水的pH调整为8~11。
3.根据权利要求1或2所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述pH调整装置在所述超纯水中添加选自氨、四甲基氢氧化铵钠、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、氢氧化钠及氢氧化钾中的1种以上的碱性成分。
4.根据权利要求3所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述pH调整装置在所述超纯水中以所述碱水中的浓度成为2mg/L~100mg/L的量添加所述碱性成分。
5.根据权利要求3或4所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述碱性成分为氨。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述功能性气体为选自氢气、臭氧气体及稀有气体中的1种以上。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述功能性气体为氢气。
8.根据权利要求7所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述碱水中的氢气浓度为1.0mg/L~1.6mg/L。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的电子设备洗涤用的碱水的制造装置,其特征在于,所述气体透过膜由选自聚丙烯及聚偏氟乙烯中的1种以上的材料构成。
10.一种电子设备洗涤用的碱水的制造方法,其特征在于,其具备:
将超纯水的液性调整为碱性的pH调整工序;
将在所述pH调整工序中调整为碱性的超纯水进行脱气的脱气工序;和
在通过所述脱气工序脱气后的超纯水中介由气体透过膜使功能性气体溶解的溶解工序。
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JP7292957B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-06-19 | オルガノ株式会社 | ガス溶解水製造装置および方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208471A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水の調製装置 |
TW200300130A (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nec Corp | Apparatus for producing wash water or immersion water used in semiconductor devices and process of wash or immersion |
JP2004296463A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2007268446A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Heavy Industries Environment Co Ltd | 機能水の製造方法、機能水の使用方法及び機能水の製造装置 |
CN101401193A (zh) * | 2006-03-13 | 2009-04-01 | 栗田工业株式会社 | 气体溶解洗涤水的制造方法、制造装置和洗涤装置 |
KR20100057326A (ko) * | 2008-11-21 | 2010-05-31 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 세정 방법 |
TW201143905A (en) * | 2009-12-24 | 2011-12-16 | Kurita Water Ind Ltd | Cleaning method |
CN105381482A (zh) * | 2007-03-30 | 2016-03-09 | 栗田工业株式会社 | 超纯水制备系统的清洗灭菌方法 |
Family Cites Families (6)
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JP2002052322A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208471A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水の調製装置 |
TW200300130A (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nec Corp | Apparatus for producing wash water or immersion water used in semiconductor devices and process of wash or immersion |
JP2004296463A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
CN101401193A (zh) * | 2006-03-13 | 2009-04-01 | 栗田工业株式会社 | 气体溶解洗涤水的制造方法、制造装置和洗涤装置 |
JP2007268446A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Heavy Industries Environment Co Ltd | 機能水の製造方法、機能水の使用方法及び機能水の製造装置 |
CN105381482A (zh) * | 2007-03-30 | 2016-03-09 | 栗田工业株式会社 | 超纯水制备系统的清洗灭菌方法 |
KR20100057326A (ko) * | 2008-11-21 | 2010-05-31 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 세정 방법 |
TW201143905A (en) * | 2009-12-24 | 2011-12-16 | Kurita Water Ind Ltd | Cleaning method |
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